ASTM F84-02
ASTM F84-02

ASTM F84-02 发布历史

ASTM F84-02由/ 发布于 0000-00-00，并于 0000-00-00 实施。

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ASTM F84-02 发布之时，引用了标准

• ASTM C28 石膏膏标准规格*， 1980-07-08 更新
• ASTM C31/C31M 现场制作和养护混凝土试样的标准规程*， 2022-08-01 更新
• ASTM C35 石膏灰泥中无机物集料标准规范*， 1995-07-08 更新
• ASTM D5127 电子学和半导体工业用超纯水的标准指南*， 1999-07-08 更新
• ASTM E1 ASTM温度计标准规范*， 1998-07-08 更新
• ASTM E177 进行室外噪声测量的测量方案的拟定用标准指南*， 1990-07-08 更新
• ASTM F2074 ASTM F2074-00
• ASTM F42 足球运动用保护头盔的减震特性的标准试验方法*， 1993-07-08 更新
• ASTM F43 ASTM F43-99

* 在 ASTM F84-02 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

ASTM F84-02的历代版本如下：

• 1970年 ASTM F84-02 ASTM F84-02
• 1970年 ASTM F84-99 ASTM F84-99

1.1 本测试方法2涵盖使用串联四点探针测量硅片的电阻率。硅晶体的电阻率是重要的材料验收要求。该测试方法描述了一种能够对硅晶片的室温电阻率进行实验室间比较的程序。预期的精度取决于晶片的电阻率和晶片的均匀性。已进行循环测试，以确定室温 (23°C) 电阻率在 0.0008 至 2000 V·cm 之间的 p 型晶圆和室温 (23°C) n 型晶圆上的预期测量精度电阻率在 0.0008 至 6000 V·cm 之间。

1.2 本测试方法适用于直径大于 16 毫米（0.625 英寸）、厚度小于 1.6 毫米（0.0625 英寸）的圆形晶片形式的单晶硅。这些测量所需的几何校正因子以表格形式提供。3 1.3 本测试方法将用作确定单晶硅片电阻率的裁判方法，优先于测试方法 F 43。 注 1——该测试方法是也适用于其他半导体材料，但尚未通过实验确定适当的测量条件和预期精度。其他无法获得校正因子的几何形状也可以通过该测试方法进行测量，但在这种情况下只能使用类似的几何条件进行比较测量。注 2——DIN 504312 是一种类似但不等效的电阻率测定方法。相当于测试方法F 43。

1.4 以SI 单位表示的值应视为标准。括号中给出的值仅供参考。

1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。第 8 节给出了具体的危险说明。

标准号

ASTM F84-02

发布

1970年

发布单位

/

当前最新

ASTM F84-02

 

 

引用标准

ASTM C28 ASTM C31/C31M ASTM C35 ASTM D5127 ASTM E1 ASTM E177 ASTM F2074 ASTM F42 ASTM F43

谁引用了ASTM F84-02 更多引用