GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

GB/T 6617-2009 发布历史

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层 的电阻率，测量范围：10Ω·cm～10 Ω·cm。

GB/T 6617-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30，并于 2010-06-01 实施。

GB/T 6617-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

GB/T 6617-2009 发布之时，引用了标准

• GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法*， 2011-01-10 更新
• GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法*， 2018-12-28 更新
• GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
• GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法

* 在 GB/T 6617-2009 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

GB/T 6617-2009的历代版本如下：

• 2009年 GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
• 1995年 GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

标准号

GB/T 6617-2009

发布

2009年

发布单位

国家质检总局

当前最新

GB/T 6617-2009

 

 

引用标准

GB/T 14847 GB/T 1550 GB/T 1552 GB/T 1555

被代替标准

GB/T 6617-1995

适用范围

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层 的电阻率，测量范围：10^-3Ω·cm～10² Ω·cm。

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