本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω•cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω•cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×10at•cm至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
GB/T 14144-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30,并于 2010-06-01 实施。
GB/T 14144-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 由 GB/T 14144-1993 变更而来。
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