ASTM F1190-11
无偏电子元件中子辐照的标准指南

Standard Guide for Neutron Irradiation of Unbiased Electronic Components


ASTM F1190-11

标准号
ASTM F1190-11
发布
2011年
发布单位
美国材料与试验协会
替代标准
ASTM F1190-18
当前最新
ASTM F1190-18
 
 
引用标准
ASTM E1249 ASTM E1250 ASTM E1854 ASTM E1855 ASTM E2450 ASTM E264 ASTM E265 ASTM E668 ASTM E720 ASTM E721 ASTM E722 ASTM F1892 ASTM F980
半导体器件可能会被反应堆能谱中子永久损坏 (1, 2)。这种损坏对电子元件性能的影响可以通过测量元件暴露于感兴趣的中子注量范围内的快中子之前和之后的电气特性来确定。所得数据可用于设计能够耐受该组件所表现出的退化的电子电路。本指南提供了一种方法,通过该方法可以以可重复的方式将硅和砷化镓半导体器件暴露于中子辐照,并且该方法将允许对在不同设施处获取的数据进行比较。...

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