GB/T 14863-1993
用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
Standard test method for net carrier density in silicon eqitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
GBT14863-1993, GB14863-1993
2014-08
GB/T 14863-1993 中，可能用到以下仪器
- 标准号
- GB/T 14863-1993
- 别名
- GBT14863-1993
GB14863-1993 - 发布
- 1993年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 14863-2013
- 当前最新
- GB/T 14863-2013
- 本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流了浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。 本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录B）的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。