GB/T 14863-1993
用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
Standard test method for net carrier density in silicon eqitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
GBT14863-1993, GB14863-1993
2014-08
GB/T 14863-1993 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 14863-1993
- 别名
- GBT14863-1993
GB14863-1993 - 发布
- 1993年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 14863-2013
- 当前最新
- GB/T 14863-2013
- 本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流了浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。 本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录B）的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。
GB/T 14863-1993相似标准
推荐
传感器 （检测装置）百科知识（二）：常见种类
通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。1、线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成，它输出模拟量。2、开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器，斯密特触发器和输出级组成，它输出数字量。霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。...
MOS器件的发展与面临的挑战（一）
因为MOS器件的阈值电压由衬底材料和栅材料功函数的差异决定的，多晶硅很好地解决了CMOS技术中的NMOS和PMOS阈值电压的调节问题。如图1.13（b）所示，是多晶硅栅的MOS管结构图。1.3Polycide技术多晶硅栅的缺点是电阻率高，虽然可以通过重掺杂来降低它的电阻率，但是它的电阻率依然很高，厚度3K埃米的多晶硅的方块电阻高达36ohm/sq。...
多种仪器入选《外商投资产业指导目录(2007年修订)》
新型电子元器件制造：片式元器件、敏感元器件及传感器、频率控制与选择元件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、新型机电元件、超级电容器和无源集成元件、高密度互连积层板、多层挠性板、刚挠印刷电路板及封装载板 15. 触控系统(触控屏幕、触控组件等) 16....
薄膜晶体管的原理简介
当源漏电压很大时,它会对栅电压产生影响,使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱,半导体表面反型层 中电子由源端到漏端逐渐减小,沟道电阻随着源漏电压增大而增加.漏电流增加变得缓慢,对应线性区向饱和区过 渡.当源漏电压增到一定程度,漏端反型层厚度减为零,电压在增加,器件进入饱和区.在实际 LCD 生产中,主 要利用 a-Si:H TFT 的开态(大于开启电压)对像素电容快速充电,利用关态来保持像素电容的电压...