五氧化二钽 半导体

本专题涉及五氧化二钽 半导体的标准有83条。

国际标准分类中，五氧化二钽 半导体涉及到集成电路、微电子学、化工产品、半导体分立器件、电气工程综合、航空航天制造用材料。

在中国标准分类中，五氧化二钽 半导体涉及到半导体集成电路、工业气体与化学气体、计算机应用、航空与航天用金属铸锻材料、半导体分立器件综合、元素半导体材料。

美国国防后勤局，关于五氧化二钽 半导体的标准

• DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 硅单片,二维卷积器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 硅单片12级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 硅单片12比特二进制计数器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90504 REV C-1997 硅单片,二元滤波器及模板匹配器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84100 REV E-2005 硅单片双重4比特二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89707-1989 硅单片,同步复位二-十进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87614 REV G-2007 硅单块 四列二输入或门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87615 REV E-2007 硅单块 四列二输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90553 REV A-2006 硅单片,8位同步二进降值计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86009 REV C-1991 硅单块 高速互补金属氧化物半导体,双二进制计数器数字微型电路
• DLA SMD-5962-87549 REV F-2007 硅单块 四列二输入是非门,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87612 REV E-2007 硅单块 四列二输入非与门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87680 REV C-2006 硅单块 14步二进制计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86821 REV C-2004 二十进制到十进制译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体二元比率乘数硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-86009 REV D-2008 数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带二元二进制计数器
• DLA SMD-5962-77047 REV G-2005 硅单片二进制-四分之一译码器/信号分离器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77048 REV F-2005 硅单片二进制-四分之一译码器/信号分离器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86854-1987 硅单块 4比特二进制计数器 高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-89561 REV B-2004 硅单片同步预定二进制计数器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-89890 REV A-1999 硅单片,TTL可兼容输入,双重4级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90669-1992 硅单片,TTL可兼容输入,二进升值/降值计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86076 REV D-2002 硅单块 4比特同步二进制计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96706 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-84094 REV B-1988 硅单片,装有同步清除的同步二-十进制计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 硅单片TTL兼容计数器同步二元预定快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89492-1991 硅单片二元可再触发单稳态触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96584 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加速硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 硅单块 二进制计数器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-84075 REV E-2002 硅单片装有同步复位的4比特同步二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-81016 REV F-2006 硅单片可预置二进制/十进制,降值计数器/升值计数器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,12级行波进位二进计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90705-1991 硅单块 异步复位二-十进制译码计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 硅单片TTL兼容输入14阶段二元计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96628 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体并行二元计数器或分配器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95730 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元同步计时器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89603 REV A-2005 硅单片,装有三态输出寄存器的8输入二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90574-1990 硅单片,TTL可兼容输入,8位同步二-十进降值计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体4-BIT二元全加速晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元波纹计时器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89771 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有振动器的14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96670 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制比率乘数硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95788 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体同步4-BIT二元上下计数器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96560 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,4-BIT上下二元同步计数器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88671 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入4位二进制向上/向下计数器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88672 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入4位二进制向上/向下计数器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96630 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体二进制编码的十进制到十进制解码器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96673 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重二元1到4解码器和信号分离器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,4-BIT上下二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96604 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体10行到4行二进制编码的十进制解码器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96609 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体14步并行二元计数器或驱动器和振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95806 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制同步技计数器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95807 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步可预先调整的4-BIT二元计数器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95808 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步二进制编码的十进制上下计数器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96555 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,可预先设置同步4-BIT二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95742 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95743 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步可预先调整的4-BIT二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-04228-2004 硅单片互补晶体管-晶体管逻辑电路,装有预先装置及脉冲计时器,双向二进制计算器的高级氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96666 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制到7分段译码器驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95756 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可预先调整的同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95771 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步二进制编码的十进制上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89733 REV B-1992 硅单片,TTL可兼容输入,微波计时器及装有预设置的升值/降值二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96562 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96564 REV B-2002 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96563 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96565 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,非同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,可预设置的同步4比特二进制升值或降值计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92209 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有异步复位的4位可预设置二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路

德国标准化学会，关于五氧化二钽 半导体的标准

• DIN 50450-1:1987 半导体工艺材料的检验.载运气体和添加剂气体中杂质的测定.用五氧化二磷电池测定氢、氧、氮、氩和氦中的水杂质
• DIN 50453-2:1990 半导体工艺材料的检验.蚀刻混合剂浸蚀率的测定.第2部分:二氧化硅涂层.光学法
• DIN 50450-9:2003 半导体工艺材料测试.载气和掺杂气体杂质测定.第9部分:用气相色谱法测定气态氯化氢中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳、氢和C<下标1>-C<下标3>-烃类含量

国际电工委员会，关于五氧化二钽 半导体的标准

• IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法

AT-OVE/ON，关于五氧化二钽 半导体的标准

• OVE EN IEC 63275-2:2021 半导体器件-碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法-第2部分：体二极管操作引起的双极退化测试方法（IEC 47/2680/CDV）（英文版）

英国标准学会，关于五氧化二钽 半导体的标准

• 20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第2部分. 体二极管工作造成的双极退化的测试方法

本站其他标准专题： 五氧化二钽 半导体，五氧化二钽酸性，五氧化二钽消解，钽精矿中五氧化二钽含量，五氧化二钽的硬度，五氧化二钽导电吗，五氧化二钽化学性质。