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隙 硅
本专题涉及隙 硅的标准有19条。
国际标准分类中，隙 硅涉及到半导体材料、输电网和配电网、绝缘流体、金属材料试验。
在中国标准分类中，隙 硅涉及到低压配电电器、元素半导体材料、金属无损检验方法、半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、半金属及半导体材料分析方法、数据媒体、半金属。
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于隙 硅的标准
- IEEE C62.1-1989 交流电源电路用间隙碳化硅避雷器标准
- IEEE C62.2-1987 交流系统用带间隙碳化硅避雷器应用导则
美国电气电子工程师学会，关于隙 硅的标准
- IEEE Std C62.2-1987(R1994) 交流系统用间隙碳化硅电涌放电器的 IEEE 标准
- IEEE Std C62.2-1989 用于交流电系统的间隙碳化硅避雷器应用的 IEEE 指南
- IEEE Std C62.1-1989 交流电源电路气隙式碳化硅电涌放电器
- IEEE Std C62.2-1987 交流系统气隙式碳化硅电涌放电器应用指南
行业标准-电子，关于隙 硅的标准
- SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南
- SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
- SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
国家质检总局，关于隙 硅的标准
- GB/T 14143-1993 300-900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法
- GB/T 14144-1993 硅晶体中间隙氧含量经向变化测量方法
- GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
- GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
- GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于隙 硅的标准
- GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
美国材料与试验协会，关于隙 硅的标准
- ASTM F951-01 测定硅片径向晶隙氧变化的标准试验方法
- ASTM F1188-00 红外线吸收法测定硅中填隙原子氧含量的标准试验方法
- ASTM F1239-94 通过测量晶隙氧还原表征硅片氧沉淀的标准试验方法
- ASTM F951-96 硅片中径向间隙氧变化测定的标准试验方法
