半导体类

本专题涉及半导体类的标准有38条。

国际标准分类中，半导体类涉及到半导体分立器件、集成电路、微电子学、航空航天制造用材料。

在中国标准分类中，半导体类涉及到电力半导体器件、部件、半导体集成电路、半导体分立器件综合、航空与航天用金属铸锻材料。

国家质检总局，关于半导体类的标准

• GB/T 8446.1-2004 电力半导体器件用散热器 第1部分;铸造类系列

英国标准学会，关于半导体类的标准

• BS IEC 60748-2-20-2008 半导体器件.集成电路.数字集成电路.类规范.低压集成电路

美国国防后勤局，关于半导体类的标准

• DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体三状态输出9-BIT母线接口D类闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96590 REV C-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96591 REV B-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96773 REV C-2005 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96622 REV C-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体双重D类双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95793 REV C-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出的阳性触发的稳态多谐振荡器 硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-97574 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97576 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97575 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97573 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96656 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT的D类寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96605 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体六角D类双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95764 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角阳性触发的D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类阳性触发三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95647 REV B-1998 先进互补金属氧化物半导体3.3 V,16-BIT电子数据采集设备D类双稳态多谐振荡器,三状态输出和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT透明的三状态输出D类闭锁装置,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 双极的互补金属氧化物半导体,10-BIT母线接口D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96865 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角透明的D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96606 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体四角D类双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,双重阳性触发D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96894-1996 互补金属氧化物半导体3.3伏特10BIT连续控制和11类输入数字转换器,硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-96866-1996 互补金属氧化物半导体,八角透明的D类三状态输出闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96864-1996 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95646 REV A-1996 先进互补金属氧化物半导体20-BIT母线接口D类闭锁,三状态输出硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95836-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角触发D类三转台输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95835-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容硅单片电路线型微电路

韩国标准，关于半导体类的标准

• KS C IEC 60748-2-2-2003 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第2节:54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列的HCMOS数字集成电路类规范
• KS C IEC 60748-2-5-2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB
• KS C IEC 60748-2-5-2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB
• KS C IEC 60748-2-4-2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB
• KS C IEC 60748-2-4-2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB

，关于半导体类的标准

• GOST 28624-1990 半导体器件.第11部分.分立器件类的成组技术条件

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