半导体 电
本专题涉及半导体 电的标准有64条。
国际标准分类中，半导体 电涉及到集成电路、微电子学、半导体分立器件、绝缘材料、频率控制和选择用压电器件与介质器件、航空航天制造用材料、半导体材料、整流器、转换器、稳压电源、电子元器件综合。
在中国标准分类中，半导体 电涉及到半导体集成电路、微电路综合、信息处理技术综合、火工产品、电工绝缘材料及其制品、半导体分立器件综合、电力半导体器件、部件、航空与航天用金属铸锻材料、元素半导体材料、半导体二极管、计算机应用、基础标准与通用方法。
国家质检总局，关于半导体 电的标准
- GB/T 17574.9-2006 半导体器件.集成电路.第2-9部分:数字集成电路.紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范
- GB/T 17574.11-2006 半导体器件 集成电路 第2-11部分:数字集成电路 单电源集成电路电可擦可编程只读存储器 空白详细规范
- GB/T 12843-1991 半导体集成电路 微处理器及外围接口电路电参数测试方法的基本原理
国际电工委员会，关于半导体 电的标准
- IEC 60747-5-15-2022 半导体器件第5-15部分:光电子器件发光二极管基于电反射光谱法的平带电压试验方法
- IEC 60747-5-15:2022 半导体器件第5-15部分:光电子器件发光二极管基于电反射光谱法的平带电压试验方法
- IEC 60747-5-9:2019 半导体器件第5-9部分:光电子器件发光二极管基于温度依赖性电致发光的内部量子效率试验方法
- IEC 60747-5-9-2019 半导体器件第5-9部分:光电子器件发光二极管基于温度依赖性电致发光的内部量子效率试验方法
- IEC 62047-35-2019 半导体器件.微机电装置.第35部分:挠性机电装置弯曲变形电特性的试验方法
- IEC 62047-35:2019 半导体器件.微机电装置.第35部分:挠性机电装置弯曲变形电特性的试验方法
- IEC 62047-36:2019 半导体器件微机电器件第36部分:MEMS压电薄膜的环境和介电耐受试验方法
- IEC 62047-36-2019 半导体器件微机电器件第36部分:MEMS压电薄膜的环境和介电耐受试验方法
- IEC 62415:2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验
- IEC 62374:2007 半导体器件.栅极介电薄膜用时间相关的电介质击穿(TDDB)试验
- IEC 62258-5-2006 半导体管芯产品.第5部分:电模拟信息要求
- IEC 60748-2-11:1999 半导体器件 集成电路 第2-11部分:数字集成电路 单电集成电路可擦、可编程、只读存储器集成电路空白详细规范
- IEC 60748-2-9-1994 半导体器件 - 集成电路 - 第2部分:数字集成电路 - 第9节:MOS紫外线可擦除电可编程只读存储器的空白详细规范
，关于半导体 电的标准
- TS 2959-1978 船舶电气装置：电源和照明变压器、半导体整流器、发电机和发动机、电推进装置、油箱
美国材料与试验协会，关于半导体 电的标准
- ASTM D4388-20 非金属半导体和电绝缘橡胶带的标准规范
- ASTM D4325-20 非金属半导体和电绝缘橡胶胶带的标准测试方法
贵州省地方标准，关于半导体 电的标准
- DB52/T 796-2013 工业半导体电雷管
美国国家标准学会，关于半导体 电的标准
- ANSI/ASTM D4388:2013 非金属半导体和电绝缘胶带用规范
- ANSI/ASTM D4325:2013 非金属半导体和电绝缘胶带用试验方法
- ANSI/UL 1557-2013 电绝缘半导体装置安全性标准
美国保险商实验所，关于半导体 电的标准
- UL 1557-2011 电绝缘半导体器件
- UL 1557-2006 电绝缘半导体器件
- UL 1557-1997 电绝缘半导体器件
- UL 1557-1993 电绝缘半导体器件
德国标准化学会，关于半导体 电的标准
- DIN EN 62415-2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验(IEC 62415-2010);德文版本EN 62415-2010
- DIN EN 62374-2008 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
- DIN 50456-2-1995 半导体工艺材料的试验.电子元件用模塑化合物的特性表示法.第2部分:用压力萃取法测定电离子杂质
法国标准化协会，关于半导体 电的标准
- NF C80-201-2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验.
- NF C96-017-2008 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
- NF C96-034-5-2006 半导体压模产品.第5部分:关于电模拟信息的要求
英国标准学会，关于半导体 电的标准
- BS EN 62415-2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验
- BS EN 62374-2007 半导体装置.依赖时间的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
- BS IEC 60748-2-11:1999 半导体器件.集成电路.数字集成线路.单电集成电路可擦、可编程、只读存储器集成电路空白详细规范
欧洲电工标准化委员会，关于半导体 电的标准
- EN 62374-2007 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
美国国防后勤局，关于半导体 电的标准
- DLA SMD-5962-90899 REV D-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体128K X 8比特动画电可擦可编程序只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-90611 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,电可擦可编程序只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-95625 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体,16-MEG用户配置电可擦除只读存储器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90692 REV C-1996 硅单片,装有单片电可编程序只读存储器的16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93247 REV A-1995 硅单片,电可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 硅单片,512 X 8位串联式电可擦除只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89667 REV A-1994 硅单片,2048 X 8串联电可擦除只读存储器,,氧化物半导体高速数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94557 REV A-1994 硅单片,1MX 8电可擦除可程序化随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-91682-1993 硅单块128K X 8比特5瓦特编程电可擦可编程序只读存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 硅单片,电可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92105-1992 硅单块 互补金属氧化物半导体8-宏单元电程序逻辑设备,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-92121-1992 硅单块 电可擦拭可编程逻辑设备,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-88676-1989 硅单片2K X 8电可擦可编程序只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
韩国科技标准局，关于半导体 电的标准
- KS C IEC 61136-1:2002 半导体功率整流器.可调速度的电传动装置通用要求.第1部分:直流传动装置为中心的额定规范
行业标准-电子，关于半导体 电的标准
- SJ 50033/22-1994 半导体分立器件.2CC51E型硅电调变容二极管详细规范
- SJ/T 11067-1996 红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语
- SJ/T 10734-1996 半导体集成电路文字符号 电参数文字符号
- SJ/T 10803-1996 半导体集成接口电路线电路测试方法的基本原理
