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半导体材料
本专题涉及半导体材料的标准有33条。
国际标准分类中，半导体材料涉及到绝缘流体、半导体材料、切削工具、电子元器件综合、金属材料试验、词汇、分析化学、电子电信设备用机电元件、表面处理和镀涂、密封件、密封装置、陶瓷。
在中国标准分类中，半导体材料涉及到半金属与半导体材料综合、电子技术专用材料、、金属物理性能试验方法、电子工业生产设备综合、催化剂、半导体分立器件综合、元素半导体材料。
国家质检总局，关于半导体材料的标准
- GB/T 14264-1993 半导体材料术语
- GB/T 14264-2009 半导体材料术语
- GB/T 31469-2015 半导体材料切削液
- GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
- GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
RO-ASRO，关于半导体材料的标准
- STAS 6360-1974 半导体材料和设备．术语
行业标准-电子，关于半导体材料的标准
- SJ/T 11775-2021 半导体材料多线切割机
- SJ/Z 3206.13-1989 半导体材料发射光谱分析方法通则
- SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
HU-MSZT，关于半导体材料的标准
- MSZ 771/5-1979 半导体材料的力学性能
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体材料的标准
- GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
- GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
- GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
中国团体标准，关于半导体材料的标准
- T/CASME 798-2023 半导体材料专用加工刀具
- T/CNIA 0143-2022 半导体材料痕量杂质分析用超纯树脂器皿
- T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备
- T/ICMTIA CM0035-2023 半导体硅材料制程装置用密封垫片
- T/SHDSGY 135-2023 新能源半导体硅片材料技术
SCC，关于半导体材料的标准
- SPC GB/T 14844-2018 半导体材料的名称（文档文本为中文）
- SPC GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电型测试方法（文档文本为中文）
- DANSK DS/CEN/TS 16599:2014 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
- DIN CEN/TS 16599:2014 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
RU-GOST R，关于半导体材料的标准
- GOST 22622-1977 半导体材料.基本电气物理参数.术语和定义
法国标准化协会，关于半导体材料的标准
- XP CEN/TS 16599:2014 光催化 确定照射条件以测试半导体材料的光催化性能
- XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 光催化 用于测试半导体材料光催化性能的辐照条件和这些条件的测量
欧洲标准化委员会，关于半导体材料的标准
- PD CEN/TS 16599:2014 光催化.半导体材料光催化性能的辐照条件及这些条件的测定
- CEN/TS 16599:2014 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
英国标准学会，关于半导体材料的标准
- BS PD CEN/TS 16599:2014 光催化. 半导体材料光催化性能试验的辐照条件以及此类条件的测量
德国标准化学会，关于半导体材料的标准
- DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
- DIN 50435:1988 半导体材料试验:采用四探针/直流法测量硅片和锗片电阻率的径向变化
- DIN 50431:1988 半导体材料的试验.用探针直线排列的四探针/直流法测量单晶硅或锗单晶体的电阻率
未注明发布机构，关于半导体材料的标准
- DIN CEN/TS 16599:2014*DIN SPEC 7397:2014 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
GSO，关于半导体材料的标准
- GSO ISO 10677:2015 微陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 用于测试光催化半导体材料的紫外光源
