硅 态

本专题涉及硅 态的标准有277条。

国际标准分类中，硅 态涉及到半导体分立器件、集成电路、微电子学、电学、磁学、电和磁的测量、光纤通信、无线通信、数据存储设备、阀门。

在中国标准分类中，硅 态涉及到、半导体集成电路、计算机应用、半导体分立器件综合、电子测量与仪器综合、光通信设备、广播、电视发送与接收设备、微电路综合、数据媒体、阀门。


贵州省地方标准，关于硅 态的标准

美国国防后勤局，关于硅 态的标准

  • DLA SMD-5962-93188 REV C-2008 单片硅TTL兼容输入,八缓冲器/驱动器反向三态同相输出,改进的双极CMOS数字微电路
  • DLA SMD-5962-91603 REV B-2008 单片硅四态同步双向计数器,改进的CMOS数字微电路
  • DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的八总线缓冲门的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
  • DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的四总线缓冲门的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
  • DLA MIL-M-38510/322 C VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的六总线驱动器的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
  • DLA SMD-5962-96850 REV B-2008 数字微电路,具有三态输出的高级高速CMOS型八路缓冲器/驱动器和单片硅
  • DLA SMD-5962-90937 REV C-2008 TTL兼容单片硅四总线缓冲门三态输出双极CMOS数字微电路
  • DLA SMD-5962-92196 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位双向收发器/锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-94615 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的寄存的总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87552 REV J-2007 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87760 REV H-2007 硅单片TTL输入兼容八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-94616 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入和三态输出的八进制接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87536 REV A-2007 硅单块 非倒转3态双极八进制缓冲器数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-94586 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92189 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92190 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87758 REV G-2007 硅单片八进制双向收发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-06240 REV A-2007 硅单片装有TTL可兼容输入输出,有正相三态输出的奇偶发生器及奇偶校验器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-06239 REV A-2007 硅单片三态输出平行差探测电路/校正电路,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路
  • DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 硅单片三态输出8比特移位寄存器/存储记录器,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-06243 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特缓冲/线驱动,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-06244 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特双向收发器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-06245 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特D型双稳态多谐振荡器触发器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-06234-2007 硅单片三态输出施密特16比特双向多用记录收发器,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路 多用
  • DLA SMD-5962-87555 REV F-2007 硅单块 带三态输出八进制D型透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92186 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 硅单片,装有三态输出的8位双向收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-05212 REV B-2007 硅单片三态输出的串联输出电阻器,装有总线状态保持16比特双稳态触发电路,低压氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-05213 REV B-2007 硅单片三态输出的串联输出电阻器,装有总线状态维持16比特总线收发器,低压氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-02508 REV C-2007 单片硅数字微电路低压CMOS16位总线收发器与总线控制和三态输出
  • DLA SMD-5962-05210 REV B-2007 硅单片三态输出的串联输出电阻器,装有总线状态维持16比特总线缓冲器,低压氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-05211 REV B-2007 硅单片三态输出的串联输出电阻器,装有总线状态维持16比特D型锁存器,低压氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93141 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出及奇偶发生器/校验器的9位可锁存收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置的八比特诊断式自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92188 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位收发器D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-97590 REV A-2007 微型电路,数字型,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,带三态输出的八路边沿触发D型触发器,单块硅
  • DLA SMD-5962-97589 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,带三态输出的八路透明D型锁存器,单块硅
  • DLA SMD-5962-97586 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,八路缓冲器W/低启动带三态非反向输出,单块硅
  • DLA SMD-5962-92185 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92184 REV B-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有反向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位D型边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92179 REV A-2006 硅单片,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92178 REV A-2006 硅单片,装有三态输出的8位双向收发器D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91607 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置和一般输入输出插脚的八比特万能转换或储存自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 硅单片TTL兼容三态输出八进制D调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-91604 REV A-2006 硅单块 带三态输出的四列2输入多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91606 REV A-2006 硅单块 带三态输出的10比特D缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90781 REV B-2006 硅单块 三态缓冲器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87628 REV D-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制不可倒转的D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 硅单片TTL兼容八进制透明锁存三态快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-89724 REV B-2006 硅单片,装有三态输出的八位D型双稳太多谐振荡器,改进型肖特基TTL数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91555 REV B-2006 硅单块 带三态输入的八进制记名收发器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91553 REV A-2006 硅单块 带三态输出的八进制总线接收器和自动记录器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89602 REV B-2006 硅单片,装有三态输出放大器的驱动器及八位缓冲器,改进型肖脱基TTL,双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制记名的无线电收发机,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89658 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89766 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的正向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带非倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位缓冲器及线路驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87809 REV B-2006 硅单片八进制数反转总线收发器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-89795 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线缓冲器,改进型肖特基TTL数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入非倒转六进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86874 REV C-2006 硅单块 八进制缓冲器W/高或低激活的三态非倒转输出,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90651 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的四重缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 高级双极CMOS电子微电路带三态输出的16比特总线收发器单片硅,
  • DLA SMD-5962-86834 REV B-2006 硅单块 带三态输出的方形非倒转总线接收器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88682 REV B-2006 硅单片双程四线到1线数据选择器/多工器与三态输出快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-85125 REV C-2006 硅单块 带三态输出的八输入数据选择器和多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-97585 REV A-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,八路缓冲器W/低启动带三态反向输出,单块硅
  • DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的反向八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89742 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位正边缘触发的D型双稳态多谐振荡器触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92176 REV B-2006 硅单片,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92180 REV A-2006 硅单片,装有三态输出的D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92194 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位双向收发器D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92199 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出的十位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92200 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的10位透明锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的双1选4数据收集器和多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 硅单片TTL兼容8位普遍移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-92237 REV C-2006 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制D型易被识破的止动销,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89705 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的双重2输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89603 REV A-2005 硅单片,装有三态输出寄存器的8输入二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85511 REV D-2005 硅单块 带三态输出总线接收器晶体管-晶体管逻辑电路,高级肖脱基,双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87550 REV E-2005 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88651 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入八进制透明锁存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 硅单片,装有三态正向输出的八位总线收发器,双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87670 REV A-2005 硅单块 四列三态行驱动线,直线型微型电路
  • DLA SMD-5962-88706 REV D-2005 硅单片八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-87761 REV A-2005 硅单片TTL输入兼容双4输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87759 REV D-2005 硅单片TTL输入兼容八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-87694 REV E-2005 硅单块 带三态输出的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-80023 REV C-2005 硅单片三态输出的多路复用器,肖脱基小功率TTL数字微型电路
  • DLA SMD-5962-80022 REV E-2005 硅单片三态输出的数据选择器/多路复用器,肖脱基小功率TTL数字微型电路
  • DLA SMD-5962-80021 REV J-2005 硅单片三态输出的总线收发器,肖脱基小功率TTL数字微型电路
  • DLA SMD-5962-80020 REV F-2005 硅单片三态输出的总线收发器及栅,肖脱基小功率TTL数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89601 REV E-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位正边缘触发的D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-84090 REV D-2005 硅单片双重三态双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 硅单片装有三态输出的8阶移位寄存器/锁存器氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90562 REV A-2005 硅单片,装有三态输出的十六分之一数据生成程序/多路复用器,改进型肖脱基双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-79024 REV C-2005 硅单片三态输出双极可编程序只读存储器,8192比特可切换肖脱基数字记忆微型电路
  • DLA SMD-5962-87695 REV A-2005 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93250 REV A-2005 硅单片,装有三态输出及25欧姆下拉电阻的八位缓冲器/驱动器,改进型肖脱基TTL双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87693 REV A-2005 硅单块 带三态输出的双4输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86012 REV C-2005 硅单块 七态波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89708 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态反向输出的双重2输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的反向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 硅单片8位通用移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-90524 REV A-2005 硅单片,装有三态输出的8输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 硅单片装有三态输出的八位总线收发器,TTL肖脱基高级小功率数字记忆微型电路
  • DLA SMD-5962-98541 REV C-2005 微型电路,数字型,辐射加固,改进的CMOS,带三态输出的非反向八路缓冲器/线型驱动器,单块硅
  • DLA SMD-5962-91753 REV A-2004 硅单块 带有源低允许三态非倒转输出的八进制缓冲器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90675 REV B-2004 硅单片,装有三态反向及正向输入,9位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90616 REV A-2004 硅单片,装有三态输出的10位总线接口双稳态多谐振荡器触发器,改进型低功率肖脱基TTL双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86828 REV C-2004 硅单块 带倒转三态输出的六边形D型缓冲器和驱动器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86812 REV C-2004 硅单块 六边形缓冲器或带倒转三态输出的驱动器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA MIL-M-38510/348 C-2004 高级肖特基TTL数字双极微电路,带三态输出总线收发器,单片硅
  • DLA SMD-5962-04213-2004 硅单片三态输出D型双稳态触发电路16比特氧化物半导体的数字微型电路
  • DLA SMD-5962-04212-2004 硅单片三态输出D型锁存器的16比特氧化物半导体的数字微型电路
  • DLA SMD-5962-04211-2004 硅单片三态输出16比特总线收发器高级氧化物半导体的数字微型电路
  • DLA SMD-5962-04210-2004 硅单片三态输出16比特缓冲/驱动高级氧化物半导体的数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制总线接收器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转行驱动线或缓冲器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87629 REV D-2003 硅单块 带三态输出的非倒转八进制总线接收器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的倒转八进制行驱动线或缓冲器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器 高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转八进制透明闩锁,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85128 REV D-2003 硅单块 带三态输出八进制D型止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-97594 REV B-2003 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的八路缓冲器/驱动器,单块硅
  • DLA SMD-5962-89557 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入八进制D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-89599 REV A-2003 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的8输入多路复用器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88704 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入四方2输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 硅单片TTL兼容10位D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-89556 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入八进制D型锁存器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-86825 REV B-2003 硅单块 带三态输出的四方D型止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86813 REV B-2003 硅单块 带三态输出的八进制D型止动销,高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
  • DLA SMD-5962-98542 REV A-2003 微型电路,数字型,改进双极CMOS,同等22欧姆系列输出电阻器和带三态输出的3.3伏16位边沿触发D型触发器,TTL兼容输入,单块硅
  • DLA SMD-5962-97638 REV B-2003 微型电路,数字型,改进双极CMOS,带总线保持功能和三态输出的3.3伏16位透明D型锁存器,等同22欧姆系列输出电阻器和TTL兼容输入,单块硅
  • DLA SMD-5962-90523 REV B-2003 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器及寄存器,改进型低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86856 REV A-2003 硅单块 带三态输出和终端开关晶体管-晶体管逻辑电路和闭回路鉴定与报告兼容输入的八进制D型止动销 高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
  • DLA SMD-5962-97595 REV B-2003 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的八路缓冲器/驱动器,单块硅
  • DLA SMD-5962-02543-2003 单片硅辐射硬化数字化微电路先进CMOS施密特16位双向多用途低压收发器与三态输出
  • DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-97627 REV A-2003 微型电路,数字型,改进双路CMOS,带总线保持功能和三态输出的八路总线收发器和缓存器,TTL兼容输入,单块硅
  • DLA SMD-5962-02507 REV A-2003 单片硅数字微电路低压CMOS16位收发器与总线控制和三态输出
  • DLA SMD-5962-89847 REV C-2002 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93253 REV C-2002 硅单片,装有三态输出的四重缓冲器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 硅单片装有三态输出的八位反相缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 硅单片装有三态输出的八位D型透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89535 REV C-2002 硅单片八双向收发器与8位奇偶发生器/检查器和三态输出肖特基促进双极数字微电路
  • DLA SMD-5962-85124 REV E-2002 硅单块 三态数据选择器和多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-97626 REV A-2002 微型电路,数字型,改进双路CMOS,带总线保持功能和三态输出的八路总线收发器和缓存器,TTL兼容输入,单块硅
  • DLA SMD-5962-97624 REV A-2001 微型电路,数字型,改进双路CMOS,带总线保持功能和三态输出的16位缓冲器/驱动器,TTL兼容输入单块硅
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  • DLA SMD-5962-88591 REV B-2001 硅单片八进制缓冲和线驱动器三态输出反转低功率肖特基TTL促进双极化数字微电路
  • DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的10位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位收发器及锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87542 REV B-2001 硅单块 双极三态优先编码数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88759 REV A-2001 硅单片TTL兼容输入四方D型触发器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-88703 REV B-2000 硅单片四方2输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-88754 REV B-2000 硅单片8投入普遍转向/存储调节三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-00529-2000 单片硅数字微电路先进CMOS 16位缓冲器/线路驱动器与三态输出的TTL兼容的输入,
  • DLA SMD-5962-97625 REV A-2000 微型电路,数字型,改进双路CMOS,带总线保持功能和三态输出的16位总线收发器,TTL兼容输入,单块硅
  • DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的9位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88626 REV C-2000 硅单片数据选择器/多路复用器与三态输出飞机(自动)着陆系统肖特基TTL双极化数字微电路
  • DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位锁存的收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93220 REV C-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-98540 REV B-1999 微型电路,数字型,带三态输出的反向八路缓冲器/线型驱动器,单块硅
  • DLA SMD-5962-97623-1999 微型电路,数字型,改进双路CMOS,带总线保持功能和三态输出的八路收发器,TTL兼容输入,单块硅
  • DLA SMD-5962-94587 REV B-1999 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入及串联继电器的16位正向缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-99535-1999 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的16位D型触发器,单块硅
  • DLA SMD-5962-99534-1999 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的16位D型锁存器,单块硅
  • DLA SMD-5962-99506-1999 微型电路,数字型,带三态输出和水平转换的10位总线交换开关,单块硅
  • DLA SMD-5962-98007 REV A-1999 微型电路,数字型,辐射加固改进的CMOS,带三态非反向输出的双路4输入多路复用器,单块硅
  • DLA SMD-5962-98008 REV A-1999 微型电路,数字型,辐射加固改进的CMOS,带三态非反向输出的四路2输入多路复用器,单块硅
  • DLA SMD-5962-89682 REV A-1999 硅单片,装有三态输出的八位收发器/寄存器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-99507-1999 微型电路,数字型,带三态输出和水平转换的10位总线开关,单块硅
  • DLA SMD-5962-99505-1999 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的16位缓冲器/驱动器,单块硅
  • DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 硅单片,装有正向三态输出,16位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87692 REV B-1999 硅单块 带三态输出的8输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-98605-1999 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的八路双提供翻译式收发器,单块硅
  • DLA SMD-5962-98606-1999 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的八路双提供翻译式收发器,单块硅
  • DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的八进制接收器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92147 REV B-1998 硅单块 带非倒转三态输出的八进制缓冲器或驱动器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91603 REV A-1998 硅单块 4态同步双向计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 硅单片,TTL兼容输入,装有双重使动及三态输出的八位锁存的收发器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92270 REV D-1997 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92211 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的正向双重2输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92204 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的正向八位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92246 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92244 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92242 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-94601 REV B-1996 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的18位总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92281-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的20位正向缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92282-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的20位正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的缓冲器或钟驱动器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器及寄存器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93019-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93025-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的八位正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92274 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92276 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92278 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92280 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的18位总线接口,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92236 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92283 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92259 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92260 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92263 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位锁存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92264 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92267 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的20位正向缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92268 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的20位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92272 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及正向三态输出的16位双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92273 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93020-1995 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93026-1995 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93217 REV B-1995 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93118 REV B-1994 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的可连续控制存取网络及透明锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93207 REV B-1994 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的D型双稳态多谐振荡器及可连续控制的网络接入,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91746-1994 硅单块 倒转三态输出,带八进制缓冲器的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91726-1994 硅单块 三态输出,带八进制缓冲器的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92228-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的十位总线接口锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92232-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有反向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92243-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位反向双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91724-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,带三态输出的双互补金属氧化物半导体的八进制总线接收器和自动记录器,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93127 REV A-1993 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的正向线路驱动器及可连续控制存取网络,氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93116 REV A-1993 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的正向可连续控制存取网络,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93115 REV A-1993 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的正向可连续控制存取网络,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89758-1992 硅单片,装有三态输出的的9位缓冲同向锁存器,高速数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90710-1992 硅单块 带三态输出10比特总线界面D型门闩线路,高级低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90720 REV A-1992 硅单块 带三态输出8比特界面D型门闩线路,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90695-1991 硅单块 带三态输出8比特总线界面双稳态多谐振荡器触发器,晶体管-晶体管逻辑电路,高级低功率肖脱基,双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89466-1991 硅单片八进制总线收发器与三态输出肖特基TTL促进双极化数字微电路
  • DLA SMD-5962-89989-1990 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88575-1989 硅单片10 -位扬声器总线接口锁存器与三态输出快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-89732-1989 硅单片,装有三态输出的八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89722-1989 硅单片,八位传输线及底板收发器(有三态输出的集电极开路),改进型肖特基TTL数字微型电路
  • DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 硅单片四重三态R/S锁存器氧化物半导体数字微型电路

欧洲电工电子元器件标准，关于硅 态的标准

  • CECC 90 109- 825 ISSUE 1-1989 数字集成电路;单片硅互补金属氧化物半导体,腔体封装或非腔体封装,类型,带3态输出的54/74 HCT 258选择器/多路转换器(英,法)

硅 态，+态，态，硅 铬，硅 水，硅 邻，硅 钡，硅 谱，硅 光，硅 盐，水 硅，硅 球，碱 硅，锰 硅，硅 分，硅 土，硅 量，态 砷，钙 硅，硅 碳。

 



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