Wafer

Für die Wafer gibt es insgesamt 158 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Wafer die folgenden Kategorien: Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Halbleitermaterial, Umfangreiche elektronische Komponenten, Isolierflüssigkeit, Nichteisenmetalle, Werkzeugmaschine, Piezoelektrische und dielektrische Geräte zur Frequenzsteuerung und -auswahl, Prüfung von Metallmaterialien, Einrichtungen im Gebäude, Solartechnik, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Strahlungsmessung, Filter, Optoelektronik, Lasergeräte, Widerstand, Diskrete Halbleitergeräte, Batterien und Akkus, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Chemikalien, Elektrische Lichter und zugehörige Geräte, Wortschatz, Flexible Übertragung und Übertragung, analytische Chemie.

International Electrotechnical Commission (IEC), Wafer

IEC PAS 62084:1998 Implementierung der Flip-Chip- und Chip-Scale-Technologie
IEC PAS 62276:2001 Einkristallwafer für Oberflächenwellenbauelemente – Spezifikation und Messmethode

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Wafer

GB/T 15713-1995 Monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 13840-1992 Waferträger
GB/T 5238-2009 Monokristallines Germanium und monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 16595-1996 Spezifikation für ein universelles Waffelgitter
GB/T 16596-1996 Spezifikation zur Erstellung eines Wafer-Koordinatensystems
GB/T 30866-2014 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
GB/T 32988-2016 Synthetischer Quarzkristallwafer für optischen Tiefpassfilter (OLPF)
GB/T 32278-2015 Prüfverfahren für die Ebenheit eines Siliziumkarbid-Einzelwafers
GB/T 13387-1992 Testverfahren zur Messung der flachen Länge an Scheiben aus elektronischen Materialien
GB/T 26066-2010 Übung zur Erkennung flacher Ätzgruben auf Silizium
GB/T 5238-2009(英文版) Monokristallines Germanium und monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 30118-2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW). Spezifikationen und Messmethoden
GB/T 30867-2014 Testverfahren zur Messung der Dicke und der Gesamtdickenschwankung von monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
GB/T 30868-2014 Testmethode zur Messung der Mikroröhrendichte von monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern. Chemisches Ätzen
GB/T 13387-2009 Testverfahren zur Messung flacher Wafer aus Silizium und anderen elektronischen Materialien
GB/T 29055-2012 Multikristalliner Siliziumwafer für Solarzellen
GB/T 12964-2003 Polierte Wafer aus monokristallinem Silizium
GB/T 41751-2022 Prüfverfahren für den Krümmungsradius der Kristallebene in GaN-Einkristall-Substratwafern
GB/T 29506-2013 300 mm polierte monokristalline Siliziumwafer
GB/T 29055-2019(英文版) Multikristalline Siliziumwafer für Photovoltaik-Solarzellen
GB/T 25188-2010 Dickenmessungen für ultradünne Siliziumoxidschichten auf Siliziumwafern. Röntgenphotoelektronenspektroskopie
GB/T 26070-2010 Charakterisierung von Schäden unter der Oberfläche in polierten Verbindungshalbleiterwafern durch Reflexionsdifferenzspektroskopie
GB/T 30656-2014 Polierte monokristalline Siliziumkarbid-Wafer
GB/T 30656-2023 Einkristall-polierter Siliziumkarbid-Wafer
GB/T 6616-2023 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen
GB/T 12965-1996 Monokristallines Silizium als Schnittscheiben und geläppte Scheiben
GB/T 12965-2005 Monokristallines Silizium in Scheiben geschnitten und geläppt

Professional Standard - Electron, Wafer

SJ 3118-1988 Waffelhalter
SJ 20437-1994 Spezifikation für Blei-Zinn-Tellurid-Scheiben zur Verwendung in Infrarotdetektoren
SJ 20520-1995 Spezifikation für Cadmium-Zine-Tellurid-Scheibe zur Verwendung mit Quecksilber-Cadmium-Tellurid-Film
SJ/T 11497-2015 Testverfahren zur thermischen Stabilitätsprüfung von Galliumarsenid-Wafern
SJ 20640-1997 Spezifikation für Indiumantimonid-Einkristallscheiben zur Verwendung in Infrarotdetektoren
SJ/T 11492-2015 Testmethoden zur Messung der Zusammensetzung von Galliumarsenidphosphid-Wafern durch Photolumineszenz
SJ 20750-1999 Spezifikation für strahlungsgehärtete einkristalline Siliziumwafer für integrierte CMOS-Schaltungen im Militärbereich
SJ 20438-1994 Methoden zur Messung von Blei-Zinn-Tellurid-Scheiben zur Verwendung in Infrarotdetektoren
SJ/T 11199-1999 Rohlinge aus piezoelektrischem Quarzkristall
SJ/T 31091-1994 Anforderungen an die Einsatzbereitschaft sowie Prüf- und Beurteilungsmethoden für Waffelschneidemaschinen
SJ/T 31092-1994 Anforderungen an die Einsatzbereitschaft sowie Prüf- und Bewertungsmethoden für NC-Waferschneidemaschinen (Scribing).
SJ/T 11487-2015 Berührungsloses Messverfahren für den spezifischen Widerstand halbisolierender Halbleiterwafer
SJ/T 31065-1994 Anforderungen an die Bereitschaft sowie Inspektions- und Bewertungsmethoden für Wafer-Poliermaschinen vom Typ 24 NC
SJ 2572-1985 Monokristalline Siliziumstäbe und -platten für Solarzellen
SJ 3241-1989 Galliumarsenid-Einkristallstab und -Wafer
SJ 3243-1989 Indiumphosphid-Einkristallbarren und -Wafer

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Wafer

GB/T 5238-2019 Monokristallines Germanium und monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 16595-2019 Spezifikation für ein universelles Waffelgitter
GB/T 16596-2019 Spezifikation zur Erstellung eines Wafer-Koordinatensystems
GB/T 26071-2018 Monokristalline Siliziumwafer für Solarzellen
GB/T 29055-2019 Multikristalline Siliziumwafer für Photovoltaik-Solarzellen
GB/T 12964-2018 Polierte Wafer aus monokristallinem Silizium
GB/T 26069-2022 Geglühte monokristalline Siliziumwafer
GB/T 12965-2018 Monokristallines Silizium als geschnittene Wafer und geläppte Wafer

Group Standards of the People's Republic of China, Wafer

T/WLJC 57-2019 Präzisionsschleifscheibe für Wafer
T/CECA 48-2021 Quarzkristall-Mikrowaagenelement
T/WLJC 59-2019 Quarzwafer-Inverted-Wave-Röhre
T/ZZB 0497-2018 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten
T/WLJC 58-2019 Abrichtrad für Wafer-Präzisionsschleifscheibe
T/IAWBS 008-2019 Experimentelle Methode für Eigenspannungen in SiC-Wafern
T/ZSA 38-2020 Experimentelle Methode für Eigenspannungen in SiC-Wafern
T/CAB 0180-2022 Messmethode für charakteristische Parameter von GAGG-Kristallen und -Kristallarrays
T/CASAS 003-2018 4H-SiC-Epitaxiewafer für p-IGBT-Geräte
T/IAWBS 017-2022 Testverfahren für die volle Breite bei halbem Maximum der Doppelkristall-Röntgenrocking-Kurve eines Diamant-Einkristallsubstrats
T/IAWBS 015-2021 Testverfahren für die volle Breite bei halbem Maximum der Doppelkristall-Röntgenschaukelkurve eines Ga2O3-Einkristallsubstrats
T/IAWBS 016-2022 Röntgen-Doppelkristall-Rocking-Kurve FWHM-Testmethode für Siliziumkarbid-Einzelwafer
T/IAWBS 013-2019 Die Methode zur Messung des spezifischen Widerstands für halbisolierende Siliziumkarbidsubstrate
T/IAWBS 011-2019 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands leitfähiger Siliziumkarbid-Wafer mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
T/CEMIA 006-2018 Quarzkristallresonator zur Filmdickenkontrolle
T/SZBX 118-2023 Monokristalline Siliziumwafer für Solarzellen
T/CASME 823-2023 Technische Anforderungen an lösliche mikrokristalline Pflaster
T/CASAS 013-2021 Messmethode zur Prüfung der Versetzungsdichte in SiC-Kristallen. Kombinierte KOH-Ätz- und Bilderkennungsmethoden
T/CEC 290-2019 Technische Anforderungen für Rückkontakt-Einkristallwafer
T/CECA 83-2023 Lithiumtantalat- und Lithiumniobat-reduzierte Einkristallwafer – technische Anforderungen und Messmethoden für Helligkeit und Farbunterschied
T/ZZB 2675-2022 Monokristallines Silizium als geläppte Wafer für TVS
T/CPIA 0037-2022 Spezifikationen für photovoltaische kristalline Wafer
T/CASAS 032-2023 Testmethode für den Gehalt an Metallelementen auf der Oberfläche von Siliziumkarbid-Wafern – Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Wafer

KS D 0261-2012(2017) Visuelle Inspektion für Siliziumwafer mit spiegelnder Oberfläche
KS C 0256-2002(2017) Prüfverfahren für den spezifischen Widerstand von Siliziumkristallen und Siliziumwafern mit einer Vierpunktsonde

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Wafer

GJB 3076A-2021 Galliumphosphid-Einzelchip-Spezifikation
GJB 3076-1997 Galliumphosphid-Einzelchip-Spezifikation
GJB 2917A-2018 Spezifikation für Indiumphosphid-Einzelwafer
GJB 2917A-2004 Spezifikation für Indiumphosphid-Einzelwafer
GJB 2917-1997 Spezifikation für Indiumphosphid-Einzelwafer
GJB 1866-1994 Spezifikation für Quecksilber-Cadmium-Tellurid-Wafer für Infrarotdetektoren
GJB 1944A-2017 Spezifikation für Silizium-Einkristalle für Weltraumsolarzellen
GJB 2452-1995 Spezifikation für Cadmiumtellurid-Einkristallwafer für Infrarotdetektoren
GJB 2918-1997 Spezifikation für zonengeschmolzene Siliziummonolithe mit hohem Widerstand in Detektorqualität
GJB 1785-1993 Prüfverfahren für Quecksilber-Cadmiumtellurid-Wafer für Infrarotdetektoren
GJB 757-1989 Großer Einzelchip aus synthetischem Glimmer für Radar-Mikrowellengeräte
GJB 8773-2015 Spezifikation für direkt gebundene Poliertücher für Quecksilber-Cadmium-Tellurid-Detektorwafer
GJB 8359-2015 Spezifikation für mitteldicke S0I-Filmwafer für mikroelektromechanische Systeme und Leistungsgeräte

British Standards Institution (BSI), Wafer

BS EN 50513:2009 Solarwafer – Datenblatt und Produktinformationen für kristalline Siliziumwafer für die Solarzellenherstellung
23/30468947 DC BS EN 62276. Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW). Spezifikationen und Messmethoden

JP-JEITA, Wafer

JEITA EM3603B-2006 Standard für SOI-Wafer und Messtechnik
JEITA EM-3510-2007 Edge-Roll-Off-Messmethode für Siliziumwafer
JEITA ET7501-105-2006 Designrichtlinie für Anschlussflächenmuster für oberflächenmontierte Geräte: Abschnittsanforderungen (Chipträger mit J-Anschlüssen auf vier Seiten)

Aerospace Industries Association/ANSI Aerospace Standards, Wafer

AIA/NAS NAS 4117-1996 Kühlkörper-Isolator, Wafer-Typ

Danish Standards Foundation, Wafer

DS/EN 50513:2009 Solarwafer – Datenblatt und Produktinformationen für kristalline Siliziumwafer für die Solarzellenherstellung
DS/EN 62276:2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

Lithuanian Standards Office , Wafer

LST EN 50513-2009 Solarwafer – Datenblatt und Produktinformationen für kristalline Siliziumwafer für die Solarzellenherstellung
LST EN 62276-2006 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW). Spezifikationen und Messmethoden (IEC 62276:2005)
LST EN 62276-2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messverfahren (IEC 62276:2012)

AENOR, Wafer

UNE-EN 50513:2011 Solarwafer – Datenblatt und Produktinformationen für kristalline Siliziumwafer für die Solarzellenherstellung

SE-SIS, Wafer

SIS SEN 43 15-1962 Drehbare Waferschalter für elektronische Geräte

German Institute for Standardization, Wafer

DIN 41619:1983 Rahmenspezifikation für Wafer-Drehschalter für die Telekommunikation
DIN V VDE V 0126-18-3:2007 Solarwafer – Teil 3: Alkalische Korrosionsschäden an kristallinen Siliziumwafern – Methode zur Bestimmung der Korrosionsrate von mono- und multikristallinen Siliziumwafern (im Schnitt)
DIN EN 62276:2017-08 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messverfahren (IEC 62276:2016); Deutsche Fassung EN 62276:2016 / Hinweis: DIN EN 62276 (2013-08) bleibt neben dieser Norm bis zum 28.11.2019 gültig.
DIN EN IEC 62276:2023-05 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messverfahren (IEC 49/1401/CD:2022); Text in Deutsch und Englisch / Hinweis: Ausgabedatum 28.04.2023*Gedacht als Ersatz für DIN EN 62276 (2017-08).

U.S. Military Regulations and Norms, Wafer

ARMY QPL-55681-QPD-2010 Kondensator, Chip, mehrschichtig, fest, keramisches Dielektrikum

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Wafer

YS/T 986-2014 Spezifikation zur seriellen alphanumerischen Markierung der Vorderseite von Wafern
YS/T 1167-2016 Geätzte Wafer aus monokristallinem Silizium

Defense Logistics Agency, Wafer

DLA QPL-32192-1-2006 WIDERSTÄNDE, CHIP, THERMISCH (THERMISTOR), ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
DLA DSCC-DWG-05009-2005 WIDERSTAND, FEST, FILM, CHIP (MELF), 1/4 WATT, STIL 0204
DLA MIL-PRF-32192 (1)-2005 WIDERSTÄNDE, CHIP, THERMISCH (THERMISTOR), ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
DLA DSCC-DWG-04032 REV A-2006 WIDERSTAND, CHIP, FEST, FILM, NIEDRIGE WERTE, HOHE LEISTUNG, 1,5 WATT, STIL 2512
DLA DSCC-DWG-04007 REV B-2006 WIDERSTAND, CHIP, FEST, FILM, FEUCHTIGKEITSBESTÄNDIG, MILITÄR- UND RAUMFAHRT, STIL 0302
DLA DSCC-DWG-04008 REV B-2006 WIDERSTAND, CHIP, FEST, FILM, FEUCHTIGKEITSBESTÄNDIG, MILITÄR- UND RAUMFAHRT, STIL 0402
DLA DSCC-DWG-04009 REV B-2006 WIDERSTAND, CHIP, FEST, FILM, FEUCHTIGKEITSBESTÄNDIG, MILITÄR- UND RAUMFAHRT, STIL 0603
DLA DSCC-DWG-07016-2007 KONDENSATOR, FEST, TANTAL-CHIP, WEIBULL-GRADIERT, NIEDRIGER ESR
DLA DSCC-DWG-87075 REV E-2005 WIDERSTAND, FEST, FILM, CHIP, FLANSCHMONTAGE, DOPPELTASTE, HOHE LEISTUNG 10 WATT
DLA DSCC-DWG-04025-2005 WIDERSTAND, CHIP, FEST, FILM, OBERFLÄCHENMONTAGE, 5 WATT (BIS ZU 25 WATT MIT KÜHLKÖRPER)
DLA DSCC-DWG-06003 REV A-2006 WIDERSTAND, CHIP, FEST, POWER-METALLSTREIFEN, OBERFLÄCHENMONTAGE, NIEDRIGER WERT (2 WATT), STIL 4527
DLA DSCC-DWG-06006-2006 WIDERSTAND, CHIP, FEST, POWER-METALLSTREIFEN, OBERFLÄCHENMONTAGE, NIEDRIGER WERT (3 WATT), STIL 4527
DLA DSCC-DWG-06007-2006 WIDERSTAND, CHIP, FEST, POWER-METALLSTREIFEN, OBERFLÄCHENMONTAGE, NIEDRIGER WERT (0,1 WATT), STIL 0603
DLA DSCC-DWG-06009-2006 WIDERSTAND, CHIP, FEST, POWER-METALLSTREIFEN, OBERFLÄCHENMONTAGE, NIEDRIGER WERT (0,25 WATT), STIL 1206
DLA DSCC-DWG-06010 REV A-2007 WIDERSTAND, CHIP, FEST, POWER-METALL-STREIFEN, OBERFLÄCHENMONTAGE, NIEDRIGER WERT (0,5 WATT), STIL 2010
DLA DSCC-DWG-06011-2006 WIDERSTAND, CHIP, FEST, POWER-METALLSTREIFEN, OBERFLÄCHENMONTAGE, NIEDRIGER WERT (1,0 WATT), STIL 2512
DLA DSCC-DWG-06012-2006 WIDERSTAND, CHIP, FEST, POWER-METALLSTREIFEN, OBERFLÄCHENMONTAGE, NIEDRIGER WERT (2,0 WATT), STIL 2816

American Society for Testing and Materials (ASTM), Wafer

ASTM F1212-89(1996)e1 Standardtestmethode zur thermischen Stabilitätsprüfung von Galliumarsenid-Wafern
ASTM F1212-89(2002) Standardtestmethode zur thermischen Stabilitätsprüfung von Galliumarsenid-Wafern
ASTM F1390-97 Standardtestmethode zur Messung der Verformung von Siliziumwafern durch automatisiertes berührungsloses Scannen

API - American Petroleum Institute, Wafer

API STD 594 CHINESE-2004 Rückschlagventile: Flansch, Lug, Wafer und Stumpfschweißen (Sechste Ausgabe)
API STD 594 RUSSIAN-2004 Rückschlagventile: Flansch, Lug, Wafer und Stumpfschweißen (Sechste Ausgabe)
API STD 594-2004 Rückschlagventile: Flansch, Lug, Wafer und Stumpfschweißen (Sechste Ausgabe)

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Wafer

ECA EIA-800-1999 Richtlinien für das Chipscale-Gehäusedesign von Integrated Passive Device (IPD).

中国有色金属工业总公司, Wafer

YS/T 27-1992 Methoden zum Messen und Zählen von Partikelkontaminationen auf Waferoberflächen

工业和信息化部, Wafer

SJ/T 11199-2016 Piezoelektrische Quarzkristallplatte

Association Francaise de Normalisation, Wafer

NF C93-616:2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
NF C93-616:2006 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden.
NF C93-616*NF EN 62276:2018 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Wafer

JIS C 6760:2014 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW). Spezifikationen und Messmethoden

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, Wafer

GJB 6259-2008 Spezifikation für selbstklebende Polierpads zum Polieren von Te-Cd-Hg-Kristallwafern

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Wafer

DB13/T 1633-2012 Polysiliziumwafer in Solarqualität
DB13/T 1828-2013 Monokristalliner Siliziumwafer in Solarqualität
DB13/T 1314-2010 Monokristalliner Siliziumquadratstab in Solarqualität, monokristalliner Siliziumwafer

IEC - International Electrotechnical Commission, Wafer

PAS 62276-2001 Einkristallwafer für Oberflächenwellengeräte – Spezifikation und Messmethode (Ausgabe 1.0)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Wafer

GB/T 34481-2017 Testmethode zur Messung der Ätzgrubendichte (EPD) in monokristallinen Germaniumscheiben mit geringer Versetzungsdichte

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Wafer

EN 62276:2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Wafer

EN 62276:2016 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

ES-UNE, Wafer

UNE-EN 62276:2016 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Januar 2017.)

Professional Standard - Aviation, Wafer

HB 6742-1993 Bestimmung der Kristallorientierung von Einzelkristallblättern durch Röntgen-Backblow-Laue-Fotografie

Electronic Industrial Alliance (U.S.), Wafer

EIA-763-2002 Bare-Die- und Chip-Scale-Pakete mit 8-mm- und 12-mm-Trägerband zur automatischen Handhabung

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Wafer

DB61/T 512-2011 Prüfregeln für monokristalline Siliziumwafer für Solarzellen

Professional Standard - Building Materials, Wafer

JC/T 471-1992 Künstliche Quarzkristallplatten für lichtempfindliche Detektoren

国家建筑材料工业局, Wafer

JC 471-1992 Künstliche Quarzkristallplatte für lichtempfindliche Detektoren

KR-KS, Wafer

KS D ISO 14706-2003(2023) Chemische Oberflächenanalyse – Messung von Oberflächenelementverunreinigungen auf Siliziumwafern mittels Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzspektrometer

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, Wafer

YB 1603-1983 Trenn- und Schleifscheiben aus Silizium-Einkristallen

UNKNOWN, Wafer

YB 1603-83 Silizium-Einkristall-Trennscheiben und Schleifscheiben