Einzelchip

Für die Einzelchip gibt es insgesamt 50 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Einzelchip die folgenden Kategorien: Halbleitermaterial, Nichteisenmetalle, Optoelektronik, Lasergeräte, Piezoelektrische und dielektrische Geräte zur Frequenzsteuerung und -auswahl, Wortschatz, Prüfung von Metallmaterialien, Einrichtungen im Gebäude, Solartechnik.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Einzelchip

GB/T 15713-1995 Monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 5238-2009 Monokristallines Germanium und monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 5238-2009(英文版) Monokristallines Germanium und monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 30866-2014 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
GB/T 32278-2015 Prüfverfahren für die Ebenheit eines Siliziumkarbid-Einzelwafers
GB/T 30867-2014 Testverfahren zur Messung der Dicke und der Gesamtdickenschwankung von monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
GB/T 30868-2014 Testmethode zur Messung der Mikroröhrendichte von monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern. Chemisches Ätzen
GB/T 12964-2003 Polierte Wafer aus monokristallinem Silizium
GB/T 29506-2013 300 mm polierte monokristalline Siliziumwafer
GB/T 30656-2014 Polierte monokristalline Siliziumkarbid-Wafer
GB/T 30656-2023 Einkristall-polierter Siliziumkarbid-Wafer
GB/T 12965-1996 Monokristallines Silizium als Schnittscheiben und geläppte Scheiben
GB/T 12965-2005 Monokristallines Silizium in Scheiben geschnitten und geläppt

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Einzelchip

GB/T 5238-2019 Monokristallines Germanium und monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 26071-2018 Monokristalline Siliziumwafer für Solarzellen
GB/T 12964-2018 Polierte Wafer aus monokristallinem Silizium
GB/T 26069-2022 Geglühte monokristalline Siliziumwafer
GB/T 12965-2018 Monokristallines Silizium als geschnittene Wafer und geläppte Wafer

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Einzelchip

GJB 3076A-2021 Galliumphosphid-Einzelchip-Spezifikation
GJB 3076-1997 Galliumphosphid-Einzelchip-Spezifikation
GJB 2917A-2018 Spezifikation für Indiumphosphid-Einzelwafer
GJB 2917A-2004 Spezifikation für Indiumphosphid-Einzelwafer
GJB 2917-1997 Spezifikation für Indiumphosphid-Einzelwafer
GJB 1944A-2017 Spezifikation für Silizium-Einkristalle für Weltraumsolarzellen
GJB 2452-1995 Spezifikation für Cadmiumtellurid-Einkristallwafer für Infrarotdetektoren
GJB 2918-1997 Spezifikation für zonengeschmolzene Siliziummonolithe mit hohem Widerstand in Detektorqualität
GJB 757-1989 Großer Einzelchip aus synthetischem Glimmer für Radar-Mikrowellengeräte

Professional Standard - Electron, Einzelchip

SJ 20640-1997 Spezifikation für Indiumantimonid-Einkristallscheiben zur Verwendung in Infrarotdetektoren
SJ 20750-1999 Spezifikation für strahlungsgehärtete einkristalline Siliziumwafer für integrierte CMOS-Schaltungen im Militärbereich
SJ 2572-1985 Monokristalline Siliziumstäbe und -platten für Solarzellen
SJ 3241-1989 Galliumarsenid-Einkristallstab und -Wafer
SJ 3243-1989 Indiumphosphid-Einkristallbarren und -Wafer

Association Francaise de Normalisation, Einzelchip

NF C93-616:2006 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden.

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Einzelchip

DB13/T 1314-2010 Monokristalliner Siliziumquadratstab in Solarqualität, monokristalliner Siliziumwafer
DB13/T 1828-2013 Monokristalliner Siliziumwafer in Solarqualität

Group Standards of the People's Republic of China, Einzelchip

T/IAWBS 013-2019 Die Methode zur Messung des spezifischen Widerstands für halbisolierende Siliziumkarbidsubstrate
T/IAWBS 017-2022 Testverfahren für die volle Breite bei halbem Maximum der Doppelkristall-Röntgenrocking-Kurve eines Diamant-Einkristallsubstrats
T/IAWBS 015-2021 Testverfahren für die volle Breite bei halbem Maximum der Doppelkristall-Röntgenschaukelkurve eines Ga2O3-Einkristallsubstrats
T/IAWBS 016-2022 Röntgen-Doppelkristall-Rocking-Kurve FWHM-Testmethode für Siliziumkarbid-Einzelwafer
T/IAWBS 011-2019 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands leitfähiger Siliziumkarbid-Wafer mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
T/ZZB 0497-2018 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten
T/SZBX 118-2023 Monokristalline Siliziumwafer für Solarzellen
T/CEC 290-2019 Technische Anforderungen für Rückkontakt-Einkristallwafer
T/ZZB 2675-2022 Monokristallines Silizium als geläppte Wafer für TVS

International Electrotechnical Commission (IEC), Einzelchip

IEC PAS 62276:2001 Einkristallwafer für Oberflächenwellenbauelemente – Spezifikation und Messmethode

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Einzelchip

GB/T 34481-2017 Testmethode zur Messung der Ätzgrubendichte (EPD) in monokristallinen Germaniumscheiben mit geringer Versetzungsdichte

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Einzelchip

YS/T 1167-2016 Geätzte Wafer aus monokristallinem Silizium

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Einzelchip

DB61/T 512-2011 Prüfregeln für monokristalline Siliziumwafer für Solarzellen

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, Einzelchip

YB 1603-1983 Trenn- und Schleifscheiben aus Silizium-Einkristallen

UNKNOWN, Einzelchip

YB 1603-83 Silizium-Einkristall-Trennscheiben und Schleifscheiben