Halbleiterkatalyse?

Für die Halbleiterkatalyse? gibt es insgesamt 500 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Halbleiterkatalyse? die folgenden Kategorien: Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Keramik, Diskrete Halbleitergeräte, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, grafische Symbole, Halbleitermaterial, technische Zeichnung, Mechanische Komponenten für elektronische Geräte, Umfangreiche elektronische Komponenten, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Leitermaterial, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Elektrische und elektronische Prüfung, Ventil, Elektrotechnik umfassend, Glasfaserkommunikation, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung.

Association Francaise de Normalisation, Halbleiterkatalyse?

XP CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestimmung der Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien
XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen
NF ISO 10677:2011 Technische Keramik – UV-Lichtquellen zum Testen photokatalytischer Halbleitermaterialien
NF ISO 14605:2013 Technische Keramik – Lichtquellen zum Testen photokatalytischer Halbleitermaterialien in einer Innenbeleuchtungsumgebung
NF ISO 22197-4:2021 Technische Keramik – Prüfverfahren für die Leistung von fotokatalytischen Halbleitermaterialien zur Luftreinigung – Teil 4: Formaldehydentfernung
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien
NF C80-203*NF EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs).
NF ISO 22197-5:2021 Technische Keramik – Testmethoden für die Leistung von photokatalytischen Halbleitermaterialien zur Luftreinigung – Teil 5: Entfernung von Methylmercaptan
NF EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionenprüfung für Metalloxid-Feldeffekthalbleitertransistoren (MOSFETs)
NF EN IEC 63364-1:2023 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für das IDO-System – Teil 1: Prüfverfahren zur Erkennung akustischer Abweichungen
NF C80-204*NF EN 62418:2011 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test
NF EN 62418:2011 Halbleiterbauelemente – Prüfung von Hohlräumen aufgrund von Metallisierungsspannungen
NF B44-101-4:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 4: Entfernung von Formaldehyd
NF B44-105*NF ISO 14605:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die in Innenbeleuchtungsumgebungen verwendet werden
NF EN 60191-4/A1:2018 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Formklassifizierung von Gehäusestrukturen für Halbleiterbauelemente
NF EN 60191-4:2014 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Formklassifizierung von Gehäusestrukturen für Halbleiterbauelemente
NF B44-101-5:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 5: Entfernung von Methylmercaptan
NF B44-101-5*NF ISO 22197-5:2021 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 5: Entfernung von Methylmercaptan
NF B44-101-4*NF ISO 22197-4:2021 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 4: Entfernung von Formaldehyd
NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen.
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
NF EN 60191-6:2011 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von Gehäusen für oberflächenmontierte Halbleiterbauelemente
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen.
NF C96-013-6:2005 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
NF ISO 18560-1:2014 Technische Keramik – Prüfverfahren zur Messung der Leistung von photokatalytischen Halbleitermaterialien zur Luftreinigung unter Verwendung der Prüfkammermethode in einer Innenbeleuchtungsumgebung – Teil 1: Eliminierung...
NF C96-013-6-16*NF EN 60191-6-16:2013 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertest- und Burn-In-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA
NF C96-013-6-10*NF EN 60191-6-10:2004 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-10: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Abmessungen von P-VSON
NF EN 60191-6-6:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Maßzeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – FLGA Device Design Guide
NF EN 60191-6-12:2012 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-12: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designrichtlinien für...
NF EN 60191-6-10:2004 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-10: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Abmessungen von P-VSON-Gehäusen
NF C96-051*NF EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
NF EN 62373:2006 Prüfung der Vorspannungstemperaturstabilität für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
NF EN 60191-6-22:2013 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für Matrixgehäuse...
NF EN 60191-6-1:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für Pinbelegungsgehäuse...
NF EN 60191-6-21:2011 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-21: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von Gehäusen für oberflächenmontierte Halbleiterbauelemente – Messverfahren für Abmessungen...
NF EN 60191-6-2:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-2: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für Pinbelegungsgehäuse...
NF EN 60191-6-20:2011 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-20: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von Gehäusen für oberflächenmontierte Halbleiterbauelemente – Messverfahren für Abmessungen...
NF EN 60191-6-17:2012 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-17: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für gestapelte Gehäuse ...
NF EN 60191-6-5:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-5: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für Matrixgehäuse...
NF EN 60191-6-18:2010 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für Matrixgehäuse...
NF EN 60191-6-4:2003 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-4: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Messmethoden für Gehäuseabmessungen...
NF C96-013-6-18*NF EN 60191-6-18:2010 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA)
NF EN 60191-6-8:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-8: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für flache Quad-Gehäuse...
NF EN 60191-6-3:2001 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-3: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Messmethoden für flache Quad-Gehäuse...

European Committee for Standardization (CEN), Halbleiterkatalyse?

PD CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen
CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen

British Standards Institution (BSI), Halbleiterkatalyse?

BS PD CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse. Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen
PD IEC/TR 63133:2017 Halbleiterbauelemente. Scanbasierte Alterungsniveauschätzung für Halbleiterbauelemente
BS ISO 19722:2017 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testmethode zur Bestimmung der photokatalytischen Aktivität an halbleitenden photokatalytischen Materialien durch Verbrauch gelösten Sauerstoffs
BS EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
BS ISO 10677:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien
BS ISO 27447:2019 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
PD IEC TR 63378-1:2021 Thermische Standardisierung von Halbleitergehäusen. Wärmewiderstand und thermische Parameter von Halbleitergehäusen vom Typ BGA und QFP
BS IEC 60747-8-4:2004 Diskrete Halbleiterbauelemente – Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschaltanwendungen
BS ISO 13125:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die antimykotische Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
BS ISO 19635:2016 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die antigale Aktivität von halbleitenden photokatalytischen Materialien
BS EN IEC 63364-1:2022 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente für IoT-Systeme – Testmethode zur Erkennung von Klangschwankungen
BS ISO 22197-2:2019 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Entfernung von Acetaldehyd
BS ISO 22197-4:2021 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien. Entfernung von Formaldehyd
BS IEC 60191-2:1966+A21:2020 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Maße
BS ISO 22197-1:2016 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien. Entfernung von Stickoxid
13/30264600 DC BS EN 60747-14-8. Halbleiterbauelemente. Teil 14-8. Halbleitersensoren. Kapazitiver Flüssigkeitsdegradationssensor
BS ISO 22197-3:2019 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testmethode für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Entfernung von Toluol
BS ISO 22197-1:2008 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Entfernung von Stickoxid
BS EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente. Metallisierungsstress-Hohlraumtest
BS ISO 22197-4:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien. Entfernung von Formaldehyd
BS ISO 22197-3:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien. Entfernung von Toluol
BS ISO 22197-2:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik). Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien. Entfernung von Acetaldehyd
BS ISO 22197-5:2021 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien. Entfernung von Methylmercaptan
BS ISO 22197-5:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien. Entfernung von Methylmercaptan
BS EN 60191-4:2014 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
BS EN 60191-4:2014+A1:2018 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
BS IEC 60191-2:1966+A18:2011 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Maße
BS EN 60191-6:2010 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen
BS EN 60191-6:2005 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen
BS EN 60191-6:2004 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen
BS EN 60191-6:2009 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen
BS ISO 14605:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die in Innenbeleuchtungsumgebungen verwendet werden
BS IEC 62373-1:2020 Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Schneller BTI-Test für MOSFET
BS ISO 18061:2014 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Technische Hochleistungskeramik). Bestimmung der antiviralen Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien. Testmethode mit Bakteriophagen Q-beta
BS ISO 17168-2:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Entfernung von Acetaldehyd
BS ISO 17168-4:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Entfernung von Formaldehyd
BS IEC 63229:2021 Halbleiterbauelemente. Klassifizierung von Defekten in Galliumnitrid-Epitaxiefilmen auf Siliziumkarbid-Substrat
13/30284029 DC BS EN 60191-6-16. Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 6-16. Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
BS IEC 63275-1:2022 Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren – Testverfahren für die Instabilität der Vorspannungstemperatur
BS ISO 17168-1:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Entfernung von Stickoxid
BS ISO 27448:2009 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Selbstreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Messung des Wasserkontaktwinkels
BS ISO 17094:2014 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien unter Innenbeleuchtung
BS ISO 22551:2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Bestimmung der Bakterienreduktionsrate durch halbleitende photokatalytische Materialien unter Innenbeleuchtung. Halbtrockene Methode zur Abschätzung der antibakteriellen Aktivität auf der…
BS ISO 10676:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik). Prüfverfahren für die Wasserreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien durch Messung der Bildungsfähigkeit von aktivem Sauerstoff
BS ISO 17168-5:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Entfernung von Methylmercaptan
21/30425873 DC BS ISO 22197-4. Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien. Teil 4. Entfernung von Formaldehyd
BS ISO 17168-3:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Entfernung von Toluol
BS ISO 10676:2010 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Wasserreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien durch Messung der Bildungsfähigkeit von aktivem Sauerstoff
BS ISO 24448:2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). LED-Lichtquelle zum Testen von halbleitenden photokatalytischen Materialien, die in Innenbeleuchtungsumgebungen verwendet werden
BS ISO 27447:2009 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
BS EN 60191-6-10:2003 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-10: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Abmessungen von P-VSON
22/30443234 DC BS EN 63378-3. Thermische Standardisierung für Halbleitergehäuse – Teil 3. Simulationsmodelle für thermische Schaltkreise von Halbleitergehäusen für die Transientenanalyse
21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1. Halbleiterbauelemente. Halbleitergeräte für IOT-Systeme. Teil 1. Testverfahren zur Erkennung von Klangvariationen
21/30425876 DC BS ISO 22197-5. Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien. Teil 5. Entfernung von Methylmercaptan
BS ISO 22601:2019 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testmethode zur Bestimmung der oxidativen Zersetzungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien durch Phenol durch quantitative Analyse des gesamten organischen Kohlenstoffs (TOC)
IEC TR 63357:2022 Halbleiterbauelemente. Standardisierungs-Roadmap für Fehlertestmethoden für Kraftfahrzeuge
18/30381548 DC BS EN 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
17/30366375 DC BS IEC 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
23/30469486 DC BS EN IEC 63378-2. Thermische Standardisierung von Halbleitergehäusen – Teil 2. 3D-Thermalsimulationsmodelle diskreter Halbleitergehäuse für die stationäre Analyse
23/30469010 DC BS EN IEC 63378-3. Thermische Standardisierung für Halbleitergehäuse – Teil 3. Simulationsmodelle für thermische Schaltkreise diskreter Halbleitergehäuse für die Transientenanalyse
IEC TR 63357:2022 Halbleiterbauelemente. Standardisierungs-Roadmap für Fehlertestmethoden für Kraftfahrzeuge
BS EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
BS IEC 63284:2022 Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren durch induktives Lastschalten für Galliumnitrid-Transistoren
BS EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0. Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid. Teil 2. Prüfverfahren für bipolare Verschlechterung durch Body-Diode-Betrieb
20/30406230 DC BS IEC 63275-1. Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid. Teil 1. Testmethode für Bias-Temperaturinstabilität
BS ISO 19810:2017 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Selbstreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung. Messung des Wasserkontaktwinkels
21/30403033 DC BS EN ISO 24448. Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik). LED-Lichtquelle zum Testen von halbleitenden photokatalytischen Materialien, die in Innenbeleuchtungsumgebungen verwendet werden
BS ISO 19652:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testmethode für die vollständige Zersetzung halbleitender photokatalytischer Materialien unter Innenbeleuchtung. Zersetzung von Acetaldehyd
BS IEC 60747-5-13:2021 Halbleiterbauelemente. Optoelektronische Geräte. Schwefelwasserstoff-Korrosionstest für LED-Pakete
15/30328077 DC BS EN 60191-2. Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 2. Abmessungen
BS EN 60191-6-18:2010 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA)
BS EN 60191-6-1:2001 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Design-Leitfaden für Gull-Wing-Anschlussklemmen
18/30386543 DC BS EN 63229 Ed.1.0. Halbleiterbauelemente. Die Klassifizierung von Defekten in Galliumnitrid-Epitaxiewafern auf Siliziumkarbidsubstrat
BS ISO 18071:2016 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Bestimmung der antiviralen Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien unter Innenbeleuchtung. Testmethode mit Bakteriophagen Q-beta
BS EN 60191-6-16:2007 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
BS EN 60191-6-22:2013 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Designleitfaden für Halbleitergehäuse Silicon Fine-pitch Ball Grid Array und Silicon Fine-pitch
19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11. Halbleiterbauelemente. Teil 14-11. Halbleitersensoren. Testverfahren für einen auf akustischen Oberflächenwellen basierenden integrierten Sensor zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11. Halbleiterbauelemente. Teil 14-11. Halbleitersensoren. Testverfahren für einen auf akustischen Oberflächenwellen basierenden integrierten Sensor zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
19/30404655 DC BS EN IEC 63229. Halbleiterbauelemente. Die Klassifizierung von Defekten im epitaktischen Galliumnitridfilm auf einem Siliziumkarbidsubstrat
BS EN 60191-6-1:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Konstruktionsleitfaden für Gull-Wing-Anschlussklemmen
BS EN 60191-6-5:2001 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Designleitfaden für Fine-Pitchball Grid Array (FBGA)
BS EN 60191-6-21:2010 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Messmethoden für Paketabmessungen von Small Outline Packages (SOP)
BS ISO 19810:2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Selbstreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung. Messung des Wasserkontaktwinkels
BS ISO 18560-1:2014 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testmethode für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien durch Testkammermethode unter Innenbeleuchtungsumgebung. Entfernung von Formaldehyd
20/30409285 DC BS IEC 63284. Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für die Zuverlässigkeit unter Belastung durch induktives Lastschalten für Galliumnitrid-Transistoren
BS EN 60191-6-4:2003 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Messmethoden für Gehäuseabmessungen von Ball Grid Array (BGA)
BS EN 60191-6-12:2011 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Designrichtlinien für Fine-Pitch Land Grid Array (FLGA)

German Institute for Standardization, Halbleiterkatalyse?

DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen; Deutsche Fassung CEN/TS 16599:2014
DIN EN 62417:2010-12 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
DIN EN 62418:2010-12 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Hohlraumtest (IEC 62418:2010); Deutsche Fassung EN 62418:2010
DIN 50441-1:1996 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 1: Dicke und Dickenschwankung
DIN EN 60191-6-16:2007-11 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertests und Burn-in-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Deutsche Fassung EN 60191-6-16:2007 / Hinweis: Wird durch DIN EN 60191-6-16 (2013-...) ersetzt.
DIN EN 60191-4:2003 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (IEC 60191-4:1999 + A1:2001 + A2:2002); Deutsche Fassung EN 60191-4:1999 + A1:2002 + A2:2002
DIN 50454-2:1994 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 2: Indiumphosphid
DIN 50454-3:1994 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 3: Galliumphosphid
DIN ISO 22197-1:2018-12 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 1: Entfernung von Stickoxid (ISO 22197-1:2016)
DIN EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
DIN EN 60191-6-16:2007 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertests und Burn-in-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Deutsche Fassung EN 60191-6-16:2007
DIN ISO 22197-1:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 1: Entfernung von Stickoxid (ISO 22197-1:2016)
DIN EN 60191-6:2010-06 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen (IEC 60191-6:2009); Deutsche Fassung EN 60191-6:2009 / Hinweis: DIN EN 60191-6 (2005-04) behebt...
DIN 50449-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 2: Bor in Galliumarsenid
DIN EN 60191-6-8:2002-05 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-8: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen; Designleitfaden für glasversiegelte Keramik-Quad-Flatpacks (G-QFP) (IEC 60191-6-8:2001); Ge...
DIN EN 60191-6-2:2002-09 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-2: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen; Design-Leitfaden für Kugel- und Säulenklemmenpakete mit 1,50 mm, 1,27 mm und 1,00 mm Rastermaß...
DIN EN 60191-6-6:2002-02 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen; Entwurfsleitfaden für Fine Pitch Land Grid Array (FLGA) (IEC 60191-6-6:2001); Deutsche Version...
DIN EN 60191-6-3:2001-06 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-3: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen; Messverfahren für Verpackungsabmessungen von Quat-Flat-Packs (QFP) (IEC 60191-6-3:200...
DIN EN 60191-6-1:2002-08 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen; Entwurfsleitfaden für Gull-Wing-Anschlussklemmen (IEC 60191-6-1:2001); Deutsche Fassung EN 60...
DIN EN 60191-6-5:2002-05 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-5: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen; Designleitfaden für Fine-Pitch-Ball Grid Array (FBGA) (IEC 60191-6-5:2001); Deutsche Version...
DIN ISO 22197-1:2016 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 1: Entfernung von Stickoxid (ISO 22197-1:2007)
DIN EN 60191-6-22:2013-08 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Entwurfsleitfaden für Halbleitergehäuse Silizium-Fine-Pitch-Ball-Grid-Array und Silicium...
DIN EN 62373:2007 Vorspannungstemperaturstabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006
DIN EN 62373:2007-01 Vorspannungstemperaturstabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006
DIN 50449-1:1997 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 1: Kohlenstoff in Galliumarsenid
DIN EN 60191-6-10:2004-05 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-10: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Abmessungen von P-VSON (IEC 60191-6-10:2003); Deutsche Fassung EN 60191-6-10:2003
DIN EN 60191-4:2019-02 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (IEC 60191-4:2013 + A1:2018); Deutsche Fassung EN 60191-4:2014 + A1:2018 / Hinweis: DIN EN 60191-...
DIN EN 60191-6-10:2004 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-10: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Abmessungen von P-VSON (IEC 60191-6-10:2003); Deutsche Fassung EN 60191-6-10 :2003
DIN 50454-1:2000 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Versetzungen in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 1: Galliumarsenid
DIN EN 60191-6-4:2004-01 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-4: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Messverfahren für Gehäuseabmessungen von Ball Grid Array (BGA) (IEC 60191-6-4:20...
DIN EN 60191-6-18:2010-08 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA) (IEC 60191-6-18:2010 + Cor.:2010) ; Deutsch ...
DIN EN 60191-4:2014 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (IEC 60191-4:2013); Deutsche Fassung EN 60191-4:2014
DIN EN 60191-6-3:2001 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-3: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen; Messverfahren für Verpackungsabmessungen von Quat-Flat-Packs (QFP) (IEC 60191-6-3:2000);

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Halbleiterkatalyse?

JIS R 1750:2012 Feinkeramik – Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die unter Innenbeleuchtung verwendet werden
JIS R 1708:2016 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode zur Bestimmung der photokatalytischen Aktivität an halbleitenden photokatalytischen Materialien durch Verbrauch gelösten Sauerstoffs
JIS R 1712:2022 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Antialgalaktivität von halbleitenden photokatalytischen Materialien

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Halbleiterkatalyse?

EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test
EN 60191-6-16:2007 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
EN 60191-6:2009 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen
EN 60191-6-22:2013 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Halbleitergehäuse: Silicon Fine-pitch Ball Grid Array und Silico
EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
EN 60191-6-10:2003 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen Teil 6-10: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen Abmessungen von P-VSON

International Organization for Standardization (ISO), Halbleiterkatalyse?

ISO 19722:2017 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren zur Bestimmung der photokatalytischen Aktivität an halbleitenden photokatalytischen Materialien durch Verbrauch gelösten Sauerstoffs
ISO 13125:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfmethode für die antimykotische Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
ISO 19635:2016 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Antialgalaktivität von halbleitenden photokatalytischen Materialien
ISO 27447:2019 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
ISO 27447:2009 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
ISO 22197-1:2016 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 1: Entfernung von Stickoxid
ISO 22197-3:2019 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 3: Entfernung von Toluol
ISO 22197-2:2019 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 2: Entfernung von Acetaldehyd
ISO 10677:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien
ISO 22197-1:2007 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 1: Entfernung von Stickoxid
ISO 18061:2014 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungstechnische Keramik) – Bestimmung der antiviralen Aktivität von halbleitenden photokatalytischen Materialien – Testmethode unter Verwendung des Bakteriophagen Q-beta
ISO 22197-2:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungstechnische Keramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 2: Entfernung von Acetaldehyd
ISO 22197-3:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 3: Entfernung von Toluol
ISO 22197-4:2021 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 4: Entfernung von Formaldehyd
ISO 22197-5:2021 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 5: Entfernung von Methylmercaptan
ISO 22197-4:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 4: Entfernung von Formaldehyd
ISO 22197-5:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 5: Entfernung von Methylmercaptan
ISO 17094:2014 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien unter Innenbeleuchtung
ISO 10676:2010 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfmethode für die Wasserreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien durch Messung der Bildungsfähigkeit von aktivem Sauerstoff
ISO 24448:2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – LED-Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die in Innenbeleuchtungsumgebungen verwendet werden
ISO 17168-1:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 1: Entfernung von Stickoxid
ISO 17168-2:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 2: Entfernung von Acetaldehyd
ISO 17168-3:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 3: Entfernung von Toluol
ISO 17168-4:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 4: Entfernung von Formaldehyd
ISO 22601:2019 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode zur quantitativen Bestimmung der oxidativen Zersetzungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien von Phenol
ISO 19810:2017 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Testmethode für die Selbstreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien unter Innenbeleuchtung – Messung des Wasserkontaktwinkels
ISO 19652:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Testmethode für die vollständige Zersetzung halbleitender photokatalytischer Materialien unter Innenbeleuchtung – Zersetzung von Acetaldehyd
ISO 19810:2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfmethode für die Selbstreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Messung des Wasserkontaktwinkels
ISO 18071:2016 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Bestimmung der antiviralen Aktivität von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Testmethode unter Verwendung des Bakteriophagen Q-beta
ISO 17168-5:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 5: Entfernung von Methylmercaptan
ISO 22551:2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Bestimmung der Bakterienreduktionsrate durch halbleitende photokatalytische Materialien unter Innenbeleuchtungsumgebung – Halbtrockenmethode

IEC - International Electrotechnical Commission, Halbleiterkatalyse?

IEC TR 63133:2017 Halbleiterbauelemente – Scanbasierte Alterungsniveauschätzung für Halbleiterbauelemente (Ausgabe 1.0)
PAS 60191-6-18-2008 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA) (Ausgabe 1.0)

Defense Logistics Agency, Halbleiterkatalyse?

DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS, HEX-SPANNUNGSPEGELVERSCHALTER FÜR TTL-ZU-CMOS- ODER CMOS-ZU-CMOS-BETRIEB, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94532-1994 MIKROSCHALTUNG, CMOS, 64-BIT-MIKROPROZESSOR
DLA SMD-5962-96736-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, HOCHGESCHWINDIGKEIT 8-BIT BIDIREKTIONALER CMOS/TTL-SCHNITTSTELLEN-PEGELKONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 MIKROSCHALTUNG, CMOS, VIERFACH-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, EXKLUSIVES NOR-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBARER SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 4-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ZWEIDIMENSIONALER KONVOLVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DUAL BINÄRER AUFWÄRTSZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 MIKROKREISE, DIGITAL, CMOS, QUAD D LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ENCODER-DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94533-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16 x 16 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DOPPEL-MOSFET-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-06208-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, TAKTGENERATOR-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, QUAD 2-EINGANG UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, QUAD 2-EINGANG UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DUAL 4-EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DUAL 4-EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, STATISCHES VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, GEPUFFERTES DREIFACH-NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, HEX-INVERTER-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89638-1989 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS-STROMMODUS-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS 64-BIT-AUSGANGSKORRELATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94642-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, VERBESSERTE MULTIFUNKTIONALE PERIPHERIE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 MIRCOCIRCUIT, DIGITAL, CMOS, ASYNCHRON, SERIELLER CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL, RS232, TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CHMOS, 16-BIT-MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92331-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, KOORDINATENTRANSFORMATOR, 16X16 BIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, UNIVERSAL SERIELLER CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT, MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BUS-TRANSCEIVER, DIFFERENTIAL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, TESTBUS-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, 10-BIT-BUS/MOS-SPEICHERTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 128 X 8-BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 MIKROSCHALTUNGEN, LINEAR, MOSFET-TREIBER, DUAL POWER
DLA MIL-PRF-19500/421 G VALID NOTICE 1-2009 Halbleiter, Gerät, Doppeltransistor, einheitlich, NPN/PNP, komplementär, Silizium, Typen 2N3838, 2N4854 und 2N4854U, JAN, JANTX und JANTXV
DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS ELEKTRISCH LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 3-BIS-8-ZEILEN-DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARER INTERVALL-TIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARE PERIPHERIESCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 MIKROSCHALTUNG, NMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, MOS-TAKTTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79017-1979 MIKROKREISE, CMOS, UNIVERSELLER ASYNCHRONER EMPFÄNGER/SENDER, MONOLITHISCHES SILIKON-GATE
DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, NAND-GATE MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DIGITALER SIGNALPROZESSOR MIT FESTPUNKT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, NIEDRIGE LEISTUNG, PULSWEITENMODULATOR, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, MIKROPROZESSOR-ÜBERWACHUNGSSCHALTUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94537-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-BIT-SPEICHERVERARBEITUNGSEINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ECHTZEITUHR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-KASKADIERBARES ALU, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, PHASE-LOCKED-LOOP-FILTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94745-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 256K X 1-BIT SERIELLE KONFIGURATION PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS-UNTERBRECHUNGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, HOCHLEISTUNGS-MIKROCONTROLLER AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, VIERFACHER BILATERALER SCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8x8 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 12 x 10-BIT-MATRIX-MULTIPLIKATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 MIKROKREISE, DIGITAL, NMOS, 256 x 4 STATISCHER RAM (SRAM) MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SINGLE-POWER-MOSFET-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL 4-EINGÄNGE NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIKON

Group Standards of the People's Republic of China, Halbleiterkatalyse?

T/CECA 35-2019 Metalloxid-Halbleiter-Gassensor
T/CIE 144-2022 Testverfahren zur Verbesserung der Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen
T/ZZB 2283-2021 Ultrahochreines Graphitpulver für Halbleiter-Siliziumkarbidkristalle
T/QGCML 744-2023 Spezifikation des chemischen Reinigungsprozesses für Teile von Halbleitergeräten
T/QGCML 743-2023 Spezifikationen für den Anodisierungsprozess von Halbleiterausrüstungsteilen
T/CASAS 006-2020 Die allgemeine Spezifikation für Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren
T/CASAS 015-2022 Power-Cycling-Testverfahren für Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (SiC-MOSFET)
T/ZJATA 0017-2023 Epitaxieausrüstung für chemische Gasphasenabscheidung (CVD) zur Herstellung von Siliziumkarbid-Halbleitermaterialien
T/CASAS 016-2022 Transiente Dual-Testmethode zur Messung des thermischen Widerstands zwischen dem Gehäuse und dem Gehäuse eines Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (SiC-MOSFET).

KR-KS, Halbleiterkatalyse?

KS L ISO 10677-2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien
KS L ISO 27447-2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
KS L ISO 14605-2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die in Innenbeleuchtungsumgebungen verwendet werden
KS L ISO 22197-1-2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 1: Entfernung von Stickoxid
KS L ISO 22197-2-2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 2: Entfernung von Acetaldehyd
KS L ISO 22197-4-2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 4: Entfernung von Formaldehyd
KS L ISO 22197-3-2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 3: Entfernung von Toluol
KS L ISO 22197-1-2022 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 1: Entfernung von Stickoxid
KS L ISO 22197-5-2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 5: Entfernung von Methylmercaptan
KS L ISO 17168-1-2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 1: Remova
KS L ISO 17168-2-2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 2: Remova
KS L ISO 17168-4-2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 4: Remova
KS L ISO 17168-3-2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 3: Remova

Professional Standard - Electron, Halbleiterkatalyse?

SJ/Z 9021.1-1987 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen Teil 1 Erstellung von Zeichnungen von Halbleiterbauelementen
SJ/T 10424-1993 Glaspulver für Passivierungsverpackungen zur Verwendung in Halbleitergeräten
SJ 20025-1992 Allgemeine Spezifikation für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ/Z 9021.4-1987 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen Teil 4 Klassifizierungs- und Kodierungssystem für Gehäuseumrisse von Halbleiterbauelementen
SJ 20026-1992 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ 20079-1992 Testmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ/Z 9021.2-1987 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
SJ 50033/42-1994 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für GaAs-Mikrowellen-FET vom Typ CSO467
SJ 50033/78-1995 Diskrete Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für den GaAs-Mikrowellen-FET Typ CS0464
SJ/T 11824-2022 Testmethode für äquivalente Kapazität und Spannungsänderungsrate für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET).
SJ 50033/118-1997 Diskrete Halbleiterbauelemente Detailspezifikation für die GaAs-Schaltdiode Typ 2EK31
SJ 50033/79-1995 Diskrete Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für GaAs-Mikrowellen-Leistungs-FET vom Typ CS0536
SJ 50033/120-1997 Diskrete Halbleiterbauelemente Detailspezifikation für den GaAs-Mikrowellen-Leistungs-Feldeffekttransistor Typ CS205
SJ 50033.51-1994 Diskrete Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für GaAs-Mikrowellen-Dual-Gate-FET vom Typ CS0558
SJ 50033.52-1994 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für den GaAs-Mikrowellen-Leistungs-Feldeffekttransistor Typ CS0529
SJ 50033.54-1994 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für den GaAs-Mikrowellen-Leistungs-Feldeffekttransistor Typ CS0532
SJ 50033/119-1997 Diskrete Halbleiterbauelemente Detailspezifikation für den GaAs-Mikrowellen-Leistungs-Feldeffekttransistor Typ CS204
SJ 50033/81-1995 Diskrete Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für GaAs-Mikrowellen-Leistungs-FET vom Typ CS0524
SJ 50033/80-1995 Diskrete Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für GaAs-Mikrowellen-Leistungs-FET vom Typ CS0513
SJ 50033/29-1994 Diskretes Halbleiterbauelement. Detailspezifikation für GaAs-Hochgeschwindigkeitsschaltbaugruppe für Typ EK20
SJ 50033/27-1994 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für GaAs-Varaktordioden für die 2EC600-Serie
SJ 50033.53-1994 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für den GaAs-Mikrowellen-Leistungs-Feldeffekttransistor Typ CS0530 und CS0531
SJ 50033/106-1996 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für GaAs-Mikrowellen-Feldeffekttransistor vom Typ CS203 mit geringem Rauschen
SJ 50033/141-1999 Diskrete Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für die GaAs-Hochgeschwindigkeitsschaltdiode Typ 2EK150

International Electrotechnical Commission (IEC), Halbleiterkatalyse?

IEC 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
IEC 60191-1:1966 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 1: Erstellung von Zeichnungen von Halbleiterbauelementen
IEC 60191-1A:1969 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 1: Erstellung von Zeichnungen von Halbleiterbauelementen.
IEC 60191-1C:1974 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 1: Erstellung von Zeichnungen von Halbleiterbauelementen.
IEC TR 63378-1:2021 Thermische Standardisierung von Halbleitergehäusen – Teil 1: Wärmewiderstand und thermische Parameter von Halbleitergehäusen vom Typ BGA und QFP
IEC 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test
IEC 60191-6-16:2007 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
IEC 60747-8-4:2004 Diskrete Halbleiterbauelemente – Teil 8-4: Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschaltanwendungen
IEC 63364-1:2022 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für IoT-Systeme – Teil 1: Testverfahren zur Erkennung von Schallschwankungen
IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
IEC 60191-4:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
IEC 60191-4:1987 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Halbleiterbauelemente
IEC 60191-2:2012 DB Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-2:1966/AMD5:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-2:1966 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-4:1999 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
IEC 60191-4:2013 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
IEC 60191-4:2018 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
IEC 60191-6:2004 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen
IEC 60191-6:2009 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen
IEC 60191-6:1990 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen; Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen
IEC 63275-1:2022 Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die Zuverlässigkeit von diskreten Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 1: Prüfverfahren für die Instabilität der Vorspannungstemperatur
IEC 62373-1:2020 Halbleiterbauelemente – Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Teil 1: Schneller BTI-Test für MOSFET
IEC 63275-2:2022 Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 2: Testverfahren für bipolare Verschlechterung aufgrund des Body-Diode-Betriebs
IEC 63229:2021 Halbleiterbauelemente – Klassifizierung von Defekten in Galliumnitrid-Epitaxiefilmen auf Siliziumkarbid-Substrat
IEC 60191-4/AMD1:2001 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen; Änderung 1
IEC 60191-4/AMD2:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen; Änderung 2
IEC 60191-2-DB:2012 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-2:1966/AMD18:2011 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-6/AMD1:1999 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen; Änderung 1
IEC 60191-4:2013/AMD1:2018 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen; Änderung 1
IEC 60191-2Y:2000 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen (23. Ergänzung zur Veröffentlichung 60191-2:1966)
IEC 60191-2:1966/AMD2:2001 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Änderung 2
IEC 60191-2U:1997 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Beilage 19
IEC 60191-2T:1996 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Beilage 18
IEC 60191-2V:1998 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Beilage 20
IEC 60191-2Z:2000 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Beilage 24
IEC 60191-2X:1999 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Beilage 22
IEC 60191-2W:1999 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Beilage 21
IEC 60191-2X/COR1:2000 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen; Beilage 22; Berichtigung 1
IEC 60191-2:1966/AMD10:2004 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen; Änderung 10
IEC 60191-2:1966/AMD21:2020 Änderung 21 – Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-2:1966/AMD17:2008 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen; Änderung 17
IEC 60191-2:1966/AMD8:2003 Änderung 8 – Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-2:1966/AMD12:2006 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Änderung 12
IEC 60191-2:1966/AMD7:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Änderung 7
IEC 60191-2:1966/AMD4:2001 Änderung 4 – Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-2:1966/AMD14:2006 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Änderung 14
IEC 60191-2:1966/AMD9:2003 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen; Änderung 9
IEC 60191-2:1966/AMD16:2007 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Änderung 16
IEC 60191-2X:1999/COR1:2000 Berichtigung 1 – Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-2:1966/AMD1:2001 Änderung 1 – Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-2:1966/AMD15:2006 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Änderung 15
IEC 60191-2:1966/AMD3:2001 Änderung 3 – Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-2:1966/AMD11:2004 Änderung 11 – Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-2:1966/AMD6:2002 Änderung 6 – Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-2:1966/AMD20:2018 Änderung 20 – Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-2:1966/AMD13:2006 Änderung 13 – Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 2: Abmessungen
IEC 60191-6-10:2003 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-10: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen; Abmessungen von P-VSON
IEC 63284:2022 Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren durch induktives Lastschalten für Galliumnitrid-Transistoren
IEC 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
IEC 60191-2:1966/AMD19:2012 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2: Abmessungen; Änderung 19
IEC 60191-6-18:2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA)
IEC 60191-6-18:2010/COR2:2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA)
IEC 60191-6-22:2012 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Halbleitergehäuse: Silicon Fine-pitch Ball Grid Array und Silico
IEC 60191-6-18:2010/COR1:2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA)

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Halbleiterkatalyse?

NEMA RI 6-1959 ELEKTROCHEMISCHE VERARBEITUNGS-HALBLEITER-GLEICHRICHTER-ANLAGE

Danish Standards Foundation, Halbleiterkatalyse?

DS/EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
DS/EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test
DS/EN 60191-6-16:2007 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
DS/EN 60191-4/A2:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
DS/EN 60191-4:2001 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
DS/EN 60191-4/A1:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
DS/EN 60191-6:2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen
DS/EN 60191-6-22:2013 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Halbleitergehäuse: Silicon Fine-pitch Ball Grid Array und Silico
DS/EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
DS/EN 60191-6-10:2004 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-10: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Abmessungen von P-VSON
DS/EN 60191-6-1:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Konstruktionsleitfaden für Gull-Wing-Anschlussklemmen
DS/EN 60191-6-18:2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA)

ES-UNE, Halbleiterkatalyse?

UNE-EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (Befürwortet von AENOR im September 2010.)
UNE-EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test (von AENOR im Oktober 2010 empfohlen.)
UNE-EN IEC 63364-1:2023 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für IOT-Systeme – Teil 1: Testmethode zur Erkennung von Schallschwankungen (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im März 2023.)
UNE-EN 60191-6-16:2007 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertests und Burn-in-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007). (Von AENOR im Oktober 2007 gebilligt.)
UNE-EN 60191-6:2009 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen (Von AENOR im April 2010 gebilligt.)
UNE-EN 60191-4:2014/A1:2018 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Juni 2018.)
UNE-EN 60191-4:2014 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Halbleiterbauelementgehäuse (Von AENOR im Mai 2014 gebilligt.)
UNE-EN 60191-6-22:2013 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Entwurfsleitfaden für Halbleitergehäuse Silizium-Fine-Pitch-Ball-Grid-Array und Silicium...
UNE-EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Von AENOR im November 2006 gebilligt.)
UNE-EN 60191-6-4:2003 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-4: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Messmethoden für Gehäuseabmessungen von Ball Grid Array (BGA) (gebilligt von AEN...)
UNE-EN 60191-6-21:2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-21: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Messmethoden für Gehäuseabmessungen von Small Outline Packages (SOP) (Empfehlung...
UNE-EN 60191-6-18:2010 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA) (Von AENOR im Mai 2010 gebilligt.)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Halbleiterkatalyse?

KS L ISO 27447-2011(2016) Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
KS L ISO 27447-2011(2021) Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
KS L ISO 27447:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
KS L ISO 22197-1:2018 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 1: Entfernung von Stickoxid
KS L ISO 22197-2:2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 2: Entfernung von Acetaldehyd
KS L ISO 22197-3:2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 3: Entfernung von Toluol
KS L ISO 22197-4:2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 4: Entfernung von Formaldehyd
KS L ISO 22197-1:2008 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 1: Entfernung von Stickoxid
KS L ISO 22197-1:2022 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 1: Entfernung von Stickoxid
KS L ISO 22197-5:2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 5: Entfernung von Methylmercaptan
KS L ISO 27448-2011(2021) Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die Selbstreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien – Messung des Wasserkontaktwinkels
KS L ISO 27448-2011(2016) Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die Selbstreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien – Messung des Wasserkontaktwinkels
KS L ISO 10676:2012 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testverfahren für die Wasserreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien durch Messung der Bildungsfähigkeit von aktivem Sauerstoff
KS L ISO 10676-2012(2022) Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die Wasserreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien durch Messung der Formungsfähigkeit von Aktivsauerstoff
KS L ISO 17168-1:2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 1: Remova
KS L ISO 17168-2:2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 2: Remova
KS L ISO 17168-3:2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 3: Remova
KS L ISO 17168-4:2020 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien unter Innenbeleuchtung – Teil 4: Remova
KS L ISO 10676-2012(2017) Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die Wasserreinigungsleistung von halbleitenden photokatalytischen Materialien durch Messung der Formungsfähigkeit von Aktivsauerstoff
KS C IEC 60748-2-5:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise Teil 2: Digitale integrierte Schaltkreise Abschnitt 5 – Blanko-Detailspezifikation für komplementäre digitale integrierte MOS-Schaltkreise (Serie 4 000B und 4 000UB)
KS C IEC 60748-2-4:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 2: Digitale integrierte Schaltkreise – Abschnitt 4: Familienspezifikation für komplementäre digitale integrierte MOS-Schaltkreise, Serien 4 000 B und 4 000 UB

Lithuanian Standards Office , Halbleiterkatalyse?

LST EN 62417-2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010)
LST EN 60191-6-16-2007 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertests und Burn-in-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007)
LST EN 62418-2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Hohlraumtest (IEC 62418:2010)
LST EN 60191-4+A1-2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (IEC 60191-4:1999+A1:2001)
LST EN 60191-4+A1-2002/A2-2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (IEC 60191-4:1999/A2:2002)
LST EN 60191-6-2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen (IEC 60191-6:2009)
LST EN 60191-6-22-2013 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Entwurfsleitfaden für Halbleitergehäuse aus Silizium, Fine-Pitch-Ball-Grid-Array und Silicium
LST EN 60191-4-2014 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (IEC 60191-4:2013)
LST EN 60191-6-10-2004 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 6-10: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Abmessungen von P-VSON (IEC 60191-6-10:2003)
LST EN 62373-2006 Bias-Temperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006)

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Halbleiterkatalyse?

GB/T 15879.4-2019 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
GB/T 36646-2018 Ausrüstung zur Herstellung von Nitrid-Halbleitermaterialien durch Hydrid-Dampfphasenepitaxie

AENOR, Halbleiterkatalyse?

UNE-ISO 22197-1:2012 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien. Teil 1: Entfernung von Stickoxid
UNE 127197-1:2013 Anwendung der Testmethode zur Bewertung der Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien, die in vorgefertigte Betonprodukte eingetaucht sind – Teil 1: Entfernung von Stickoxid.
UNE-EN 60191-6-10:2004 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-10: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Abmessungen von P-VSON
UNE-EN 60191-6-1:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Konstruktionsleitfaden für Gull-Wing-Anschlussklemmen.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Halbleiterkatalyse?

GB/T 15652-1995 Allgemeine Spezifikation für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
GB/T 15653-1995 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
GB/T 42706.2-2023 Langzeitlagerung von elektronischen Bauteilen und Halbleiterbauelementen Teil 2: Degradationsmechanismen

Professional Standard - Machinery, Halbleiterkatalyse?

JB/T 8736-1998 Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat zur Verwendung in Leistungshalbleitermodulen

RO-ASRO, Halbleiterkatalyse?

STAS CEI 191-4-1992 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Halbleiterbauelemente

未注明发布机构, Halbleiterkatalyse?

DIN EN 60191-6-16 E:2013-08 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
DIN ISO 22197-1 E:2015-01 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 1: Entfernung von Stickoxid
DIN ISO 22197-1 E:2018-03 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Luftreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Teil 1: Entfernung von Stickoxid

工业和信息化部, Halbleiterkatalyse?

SJ/T 9014.8.2-2018 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 8-2: Detaillierte Blankospezifikation für Superjunction-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren

American Society for Testing and Materials (ASTM), Halbleiterkatalyse?

ASTM F1211-89(1994)e1 Standardspezifikation für Passivierungsöffnungslayouts für Halbleiterbauelemente

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Halbleiterkatalyse?

EN 60191-6:2004 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen
EN 60191-4:2014 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (Enthält Änderung A1: 2018)
EN 60191-6-18:2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA)

U.S. Military Regulations and Norms, Halbleiterkatalyse?

ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCO/DLA MULTICHIP CMOS
ARMY MIL-M-48646-1986 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCO/DLA MULTICHIP CMOS
ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
ARMY MIL-M-63530-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
ARMY MIL-M-63320 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGÜLTIGE LOGIK)
ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 MILITÄRSPEZIFIKATION MIKROKREIS, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
ARMY MIL-I-48632-1986 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
ARMY MIL-I-48634-1986 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGÜLTIGE LOGIK)
ARMY MIL-M-63321 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGÜLTIGE LOGIK)
ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
ARMY MIL-M-63324 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleiterkatalyse?

DB61/T 1250-2019 Allgemeine Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente aus Sic-Material (Siliziumkarbid).

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Halbleiterkatalyse?

IEEE 641-1987 STANDARDDEFINITIONEN UND CHARAKTERISIERUNG VON METALLNITRIDOXID-HALBLEITER-ARRAYS

PH-BPS, Halbleiterkatalyse?

PNS IEC 62373-1:2021 Halbleiterbauelemente – Bias-Temperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Teil 1: Schneller BTI-Test für MOSFET

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleiterkatalyse?

CNS 8104-1981 Methode zur Messung der linearen MOSFET-Schwellenspannung
CNS 8106-1981 Methode zur Messung der MOSFET-Sättigungsschwellenspannung

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Halbleiterkatalyse?

ANSI/IEEE Std 641-1987 IEEE-Standarddefinitionen und Charakterisierung von Metallnitrid-Oxid-Halbleiter-Arrays

AT-OVE/ON, Halbleiterkatalyse?

OVE EN IEC 63275-2:2021 Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 2: Testverfahren für bipolare Verschlechterung aufgrund des Body-Diode-Betriebs (IEC 47/2680/CDV) (englische Version)
OVE EN IEC 63275-1:2021 Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 1: Testverfahren für Vorspannungstemperaturinstabilität (IEC 47/2679/CDV) (englische Version)

GM North America, Halbleiterkatalyse?

GM GM6078M-1989 Festfilm-Schmierstoffbeschichtungen, harzgebundenes MOS2 und PTFE