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半導体触媒？

半導体触媒？は全部で 500 項標準に関連している。

半導体触媒？ 国際標準分類において、これらの分類：表面処理・メッキ、 セラミックス、 半導体ディスクリートデバイス、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 グラフィックシンボル、 半導体材料、 製図、 電子機器用機械部品、 総合電子部品、 整流器、コンバータ、安定化電源、 導体材料、 電子および通信機器用の電気機械部品、 プリント回路およびプリント回路基板、 電気および電子試験、 バルブ、 電気工学総合、 光ファイバー通信、 電気、磁気、電気および磁気測定、 航空宇宙製造用の材料。


Association Francaise de Normalisation, 半導体触媒？

  • XP CEN/TS 16599:2014 光触媒は、半導体材料の光触媒性能をテストするための照射条件を決定します。
  • XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 光触媒 半導体材料の光触媒性能を試験するための照射条件とその測定
  • NF ISO 10677:2011 テクニカルセラミックス半導体光触媒材料試験用UV光源
  • NF ISO 14605:2013 屋内照明環境で半導体光触媒材料をテストするためのテクニカル セラミックス光源
  • NF ISO 22197-4:2021 テクニカルセラミック空気浄化用半導体光触媒材料の性能試験方法 パート 4: ホルムアルデヒド除去
  • NF B44-103*NF ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）を用いた半導体光触媒材料の検査用紫外線光源
  • NF C80-203*NF EN 62417:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の移動イオン試験
  • NF ISO 22197-5:2021 テクニカルセラミック空気浄化用半導体光触媒材料の性能試験方法 第5部：メチルメルカプタンの除去
  • NF EN 62417:2010 半導体デバイス - 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • NF EN IEC 63364-1:2023 半導体デバイス - IDO システム用半導体デバイス - パート 1: 音響変化検出テスト方法
  • NF C80-204*NF EN 62418:2011 半導体デバイスのメタライゼーション応力ボイド試験
  • NF EN 62418:2011 半導体デバイス - メタライゼーション応力によって引き起こされるテストキャビティ
  • NF B44-101-4:2013 ファインセラミックス（現代セラミックス、先端産業用セラミックス） ～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～ 第4回 ホルムアルデヒド除去
  • NF B44-105*NF ISO 14605:2013 ファインセラミックス（モダンセラミックス、先端産業用セラミックス） - 屋内照明環境で使用される半導体光触媒材料のテスト光源
  • NF EN 60191-4/A1:2018 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスのパッケージ構造のコーディング体系と形状分類
  • NF EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスのパッケージ構造のコーディング体系と形状分類
  • NF B44-101-5:2013 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第５部 メチルメルカプタンの除去
  • NF B44-101-5*NF ISO 22197-5:2021 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第５部 メチルメルカプタンの除去
  • NF B44-101-4*NF ISO 22197-4:2021 ファインセラミックス（現代セラミックス、先端工業用セラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第４部 ホルムアルデヒド除去
  • NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形の分類とコーディング体系
  • NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形の分類とコーディング体系
  • NF EN 60191-6:2011 半導体デバイスの機械的規格化 第6部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則
  • NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスのパッケージ外形のコーディング体系と分類形式
  • NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスのパッケージ外形のコーディング体系と分類形式
  • NF C96-013-6:2005 半導体デバイスの機械的規格化 第6部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形作図通則
  • NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージの符号化方式の分類とパッケージ外形形状
  • NF ISO 18560-1:2014 工業用セラミック屋内照明環境におけるテストチャンバー法を使用して、空気浄化用の半導体光触媒材料の性能を測定するための試験方法 - パート 1: 除去...
  • NF C96-013-6-16*NF EN 60191-6-16:2013 半導体デバイスの機械的標準化 第6-16部：BGA、LGA、FBGA、FLGAの半導体試験および高温加速劣化ソケット試験の用語解説
  • NF C96-013-6-10*NF EN 60191-6-10:2004 半導体デバイスの機械的標準化 第6部：表面実装型半導体デバイスのパッケージの外形図作成に関する通則 P-VSONの寸法
  • NF EN 60191-6-6:2002 半導体デバイスの機械的標準化 - パート 6-6: 表面実装半導体デバイスの外形図作成に関する一般規則 - FLGA デバイス設計ガイド
  • NF EN 60191-6-12:2012 半導体デバイスの機械的標準化 - パート 6-12: 表面実装半導体デバイスのパッケージ外形図の作成に関する一般規則 - 設計ガイド...
  • NF EN 60191-6-10:2004 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-10 部: 表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する通則 - P-VSON パッケージ寸法
  • NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
  • NF EN 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
  • NF EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 - パート 6-22: 表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する一般規則 - マトリックス パッケージ設計ガイド...
  • NF EN 60191-6-1:2002 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-1 部：表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する通則 - リードパッケージ設計ガイドライン...
  • NF EN 60191-6-21:2011 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-21 部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則 - 寸法測定方法
  • NF EN 60191-6-2:2002 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-2 部：表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する通則 - リードパッケージ設計ガイドライン...
  • NF EN 60191-6-20:2011 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-20 部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則 - 寸法測定方法
  • NF EN 60191-6-17:2012 半導体デバイスの機械的標準化 - パート 6-17: 表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する一般規則 - スタック型パッケージ設計ガイド...
  • NF EN 60191-6-5:2002 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-5 部: 表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する通則 - マトリックスパッケージの設計ガイドライン...
  • NF EN 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-18 部: 表面実装用半導体デバイスの外形図作成に関する通則 - マトリクスパッケージの設計ガイドライン...
  • NF EN 60191-6-4:2003 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-4 部：表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する通則 - パッケージ寸法の測定方法...
  • NF C96-013-6-18*NF EN 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-18 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージの外形図に関する通則 ボール グリッド アレイ (BGA) の設計ガイドライン
  • NF EN 60191-6-8:2002 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-8 部: 表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する一般規則 - クワッド フラット パッケージの設計ガイドライン...
  • NF EN 60191-6-3:2001 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-3 部：表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する通則 - フラットクワッドパッケージの測定方法...

European Committee for Standardization (CEN), 半導体触媒？

  • PD CEN/TS 16599:2014 光触媒：半導体材料の光触媒特性の照射条件とその条件の決定
  • CEN/TS 16599:2014 光触媒試験 半導体材料の光触媒性能の照射条件とその測定

British Standards Institution (BSI), 半導体触媒？

  • BS PD CEN/TS 16599:2014 光触媒：半導体材料の光触媒特性を試験するための照射条件とその測定
  • PD IEC/TR 63133:2017 半導体デバイス スキャンベースの半導体デバイスの劣化レベル推定
  • BS ISO 19722:2017 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 溶存酸素消費法による半導体光触媒材料の光触媒活性の試験方法
  • BS EN 62416:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体 (MOS) トランジスタのホットキャリア試験
  • BS ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス）、半導体光触媒材料試験用紫外光源
  • BS ISO 27447:2019 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス）半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • PD IEC TR 63378-1:2021 半導体パッケージの熱的標準化 BGA および QFP タイプの半導体パッケージの熱抵抗と熱パラメータ
  • BS IEC 60747-8-4:2004 半導体ディスクリートデバイス、パワースイッチング機器用金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
  • BS ISO 13125:2013 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 半導体光触媒材料の防カビ効果試験方法
  • BS ISO 19635:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の藻類抑制活性試験方法
  • BS EN IEC 63364-1:2022 半導体デバイスIoTシステムに使用される半導体デバイスの音変化検出試験方法
  • BS ISO 22197-2:2019 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端技術セラミックス） 半導体光触媒材料 空気浄化アセトアルデヒド除去性能試験方法
  • BS ISO 22197-4:2021 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 ホルムアルデヒド除去
  • BS IEC 60191-2:1966+A21:2020 半導体デバイスの機械的標準化の側面
  • BS ISO 22197-1:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス） 半導体光触媒材料の一酸化窒素除去空気浄化性能試験方法
  • 13/30264600 DC BS EN 60747-14-8 半導体デバイス パート 14-8 半導体センサー 液体容量性劣化センサー
  • BS ISO 22197-3:2019 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端技術セラミックス） 半導体光触媒材料 空気浄化性能試験方法 トルエン除去
  • BS ISO 22197-1:2008 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 一酸化窒素の除去
  • BS EN 62418:2010 半導体デバイス、メタライゼーション応力ボイド試験
  • BS ISO 22197-4:2013 ファインセラミックス（アドバンスセラミックス、アドバンスクラフトセラミックス）、半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法、ホルムアルデヒド除去
  • BS ISO 22197-3:2011 精製セラミックス（高級陶器、高度加工陶器） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 トルエンの除去
  • BS ISO 22197-2:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス）、半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法、アセトアルデヒドの除去
  • BS ISO 22197-5:2021 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端技術セラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 メチルメルカプタンの除去
  • BS ISO 22197-5:2013 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 メチルメルカプタンの除去
  • BS EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 半導体デバイスのパッケージ外形のコーディング体系と分類形式
  • BS EN 60191-4:2014+A1:2018 半導体デバイスの機械的規格化 半導体デバイスのパッケージのコーディング体系とパッケージ外観分類
  • BS IEC 60191-2:1966+A18:2011 半導体デバイスの機械的規格化、寸法仕様
  • BS EN 60191-6:2010 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則
  • BS EN 60191-6:2005 半導体デバイスの機械的規格化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則
  • BS EN 60191-6:2004 半導体デバイスの機械的規格化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則
  • BS EN 60191-6:2009 半導体デバイスの機械的規格化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則
  • BS ISO 14605:2013 ファインセラミックス（モダンセラミックス、先端産業用セラミックス）、屋内照明環境で使用される半導体光触媒材料のテスト光源
  • BS IEC 62373-1:2020 半導体デバイス 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性テスト MOSFET の高速 BTI テスト
  • BS ISO 18061:2014 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の抗ウイルス活性測定 バクテリオファージQ-βを用いた試験方法
  • BS ISO 17168-2:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下での空気浄化性能試験方法 アセトアルデヒドの除去
  • BS ISO 17168-4:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境におけるホルムアルデヒド除去空気浄化性能試験方法
  • BS IEC 63229:2021 半導体デバイス用炭化珪素基板上の窒化ガリウムエピタキシャル膜の欠陥分類
  • 13/30284029 DC BS EN 60191-6-16 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-16 BGA、LGA、FBGA、FLGA 用の半導体テストおよびバーンインソケットの用語集
  • BS IEC 63275-1:2022 半導体デバイス炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法バイアス温度不安定性試験方法
  • BS ISO 17168-1:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法 一酸化窒素の除去
  • BS ISO 27448:2009 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス）、半導体光触媒材料のセルフクリーニング性試験方法、水接触角の測定
  • BS ISO 17094:2014 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス） 屋内光環境下における半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • BS ISO 22551:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端技術セラミックス） 室内照明環境における半導体光触媒材料の細菌減少率の測定 セミドライ式抗菌活性推定法...
  • BS ISO 10676:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の活性酸素生成能による水浄化性能を測定する試験方法
  • BS ISO 17168-5:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端技術セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下での空気浄化性能試験方法 メチルメルカプタンの除去
  • 21/30425873 DC BS ISO 22197-4 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第4部：ホルムアルデヒドの除去
  • BS ISO 17168-3:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端技術セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法 トルエンの除去
  • BS ISO 10676:2010 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 半導体光触媒材料の活性酸素生成能による水浄化性能試験方法
  • BS ISO 24448:2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス）。 屋内照明環境で使用される半導体光触媒材料のテスト用LED光源
  • BS ISO 27447:2009 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • BS EN 60191-6-10:2003 半導体デバイスの機械的規格化 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成の通則 P-VSONの寸法
  • 22/30443234 DC BS EN 63378-3 半導体パッケージの熱標準化 パート 3: 過渡解析のための半導体パッケージの熱回路シミュレーション モデル
  • 21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1 半導体デバイス モノのインターネット システムで使用する半導体デバイス パート 1 音声変化検出のテスト方法
  • IEC TR 63357:2022 自動車用半導体デバイスの故障試験方法の標準化ロードマップ
  • 21/30425876 DC BS ISO 22197-5 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第５部 メチルメルカプタンの除去
  • BS ISO 22601:2019 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 半導体光触媒材料中のフェノールの酸化分解性能を判定するための全有機炭素（TOC）の定量分析試験方法
  • 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験パート 1. 迅速 BTI 試験方法
  • 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半導体デバイス金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性テスト パート 1. 迅速 BTI テスト方法
  • 23/30469486 DC BS EN IEC 63378-2 半導体パッケージの熱標準化 パート 2: 定常状態解析のためのディスクリート半導体パッケージの 3D 熱シミュレーション モデル
  • 23/30469010 DC BS EN IEC 63378-3 半導体パッケージの熱標準化 パート 3: 過渡解析のためのディスクリート半導体パッケージの熱回路シミュレーション モデル
  • IEC TR 63357:2022 自動車用半導体デバイスの故障試験方法の標準化ロードマップ
  • BS EN 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
  • BS IEC 63284:2022 半導体装置窒化ガリウムトランジスタ誘導性負荷スイッチの信頼性試験方法
  • BS EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化物電界効果トランジスタ (MOSFET) のマイグレーション イオン テスト
  • 20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0 半導体デバイス 炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法 パート 2. ボディ ダイオードの動作によって引き起こされるバイポーラ劣化の試験方法
  • 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半導体デバイスの信頼性試験方法 炭化ケイ素ディスクリート金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ パート 1. バイアス温度不安定性試験方法
  • BS ISO 19810:2017 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料のセルフクリーニング性試験方法 水接触角測定
  • 21/30403033 DC BS EN ISO 24448。 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス）。 屋内照明環境で使用される半導体光触媒材料のテスト用LED光源
  • BS ISO 19652:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下での完全分解性能試験方法 アセトアルデヒドの分解
  • BS IEC 60747-5-13:2021 半導体デバイス・光電子機器・LEDパッケージの硫化水素腐食試験
  • 15/30328077 DC BS EN 60191-2 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部 寸法
  • BS EN 60191-6-18:2010 半導体装置の機械的標準化 フラットマウント型半導体デバイス筐体の外形図作図一般規則 ボールグリッドアレイ（BGA）の設計ガイドライン
  • BS EN 60191-6-1:2001 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ガルウイングリード端子設計ガイド
  • 18/30386543 DC BS EN 63229 Ed.1.0 半導体デバイス用炭化ケイ素基板上の窒化ガリウムエピタキシャルウェーハの欠陥の分類
  • BS ISO 18071:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料の抗ウイルス活性測定 バクテリオファージQ-βを用いた試験方法
  • BS EN 60191-6-16:2007 ボール グリッド アレイ (BGA)、グリッド アレイ (LGA)、グリッド アレイ (FBGA) およびピッチ基板グリッド アレイ (FLGA) バーンイン ソケットおよび半導体テスト用の機械的に標準化された半導体デバイスの用語集
  • BS EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形作成に関する通則 シリコン・ファインピッチ・ボール・グリッド・アレイおよびシリコン・ファインピッチ・グリッド・アレイ半導体パッケージ（S-FBGAおよびS-FLGA）の設計ガイドライン
  • 19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半導体デバイス パート 14-11 半導体センサー 表面弾性波に基づく紫外線、照明、温度測定用の統合センサーの試験方法
  • 18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半導体デバイス パート 14-11 半導体センサー 表面弾性波に基づく紫外線、照明、温度測定用の統合センサーの試験方法
  • 19/30404655 DC BS EN IEC 63229 半導体デバイス用炭化ケイ素基板上の窒化ガリウムエピタキシャル膜の欠陥の分類
  • BS EN 60191-6-1:2002 半導体デバイスの機械的規格化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図通則 ガルウイングリード端子の設計ガイドライン
  • BS EN 60191-6-5:2001 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ファインピッチボールグリッドアレイ（FBGA）デザインガイド
  • BS EN 60191-6-21:2010 半導体デバイスの機械的規格化 表面実装型半導体デバイスの外形図作成の通則 スモールアウトラインパッケージ（SOP）の寸法測定方法
  • BS ISO 19810:2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料のセルフクリーニング性能試験方法 水接触角の測定
  • BS ISO 18560-1:2014 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 室内光環境における実験室法による半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 ホルムアルデヒド除去
  • 20/30409285 DC BS IEC 63284 半導体デバイスの誘導性負荷スイッチの導通ストレス信頼性に関する信頼性試験方法、窒化ガリウムトランジスタ
  • BS EN 60191-6-4:2003 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形作図に関する一般規則 はんだボールグリッドアレイパッケージの寸法測定方法
  • BS EN 60191-6-12:2011 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形作成のための一般仕様 ファインピッチゲートアレイ（FLGA）の設計ガイドライン

German Institute for Standardization, 半導体触媒？

  • DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 光触媒試験 半導体材料の光触媒性能の照射条件とその測定
  • DIN EN 62417:2010-12 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • DIN EN 62418:2010-12 半導体デバイス - メタライゼーション応力ボイド試験
  • DIN 50441-1:1996 半導体プロセス材料の検査 半導体ウェーハの幾何学的寸法測定 パート 1: 厚さと厚さのばらつき
  • DIN EN 60191-6-16:2007-11 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-16: BGA、LGA、FBGA、および FLGA の半導体テストおよびバーンイン ソケットの用語集
  • DIN EN 60191-4:2003 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ形状のコーディング体系と分類
  • DIN 50454-2:1994 半導体プロセス材料の検査 III-V族化合物半導体単結晶の転位腐食ピット密度の測定 その2：リン化インジウム
  • DIN 50454-3:1994 半導体プロセス材料の検査 III-V族化合物半導体単結晶の転位腐食ピット密度の測定 その3 リン化ガリウム
  • DIN ISO 22197-1:2018-12 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端技術セラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その１：一酸化窒素の除去
  • DIN EN 62417:2010 半導体デバイス: 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン試験 (IEC 62417-2010)、ドイツ語版 EN 62417-2010
  • DIN EN 60191-6-16:2007 半導体デバイスの機械的規格、パート 6-16: 半導体テスト用語と BGA、LGA、FBGA、FLGA タイプのバーンイン ソケットの用語集
  • DIN ISO 22197-1:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端技術セラミックス）半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第１部：一酸化窒素除去性能（ISO 22197-1:2016）
  • DIN EN 60191-6:2010-06 半導体デバイスの機械的標準化 第6部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則
  • DIN 50449-2:1998 半導体プロセス材料試験 赤外線吸収による半導体不純物含有量の測定 パート 2: ガリウムヒ素中のホウ素
  • DIN EN 60191-6-8:2002-05 半導体デバイスの機械的標準化 第6-8部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則
  • DIN EN 60191-6-2:2002-09 半導体デバイスの機械的標準化 第6-2部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則
  • DIN EN 60191-6-6:2002-02 半導体デバイスの機械的標準化 第6-6部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則
  • DIN EN 60191-6-3:2001-06 半導体デバイスの機械的規格化 第6-3部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則
  • DIN EN 60191-6-1:2002-08 半導体デバイスの機械的標準化 第6-1部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則
  • DIN EN 60191-6-5:2002-05 半導体デバイスの機械的標準化 第6-5部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則
  • DIN ISO 22197-1:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第１部 一酸化窒素の除去（ISO 22197-1-2007）
  • DIN EN 60191-6-22:2013-08 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-22 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 シリコンファインピッチボールグリッドアレイおよびシリコンの半導体パッケージ設計ガイドライン
  • DIN EN 62373:2007 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
  • DIN EN 62373:2007-01 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
  • DIN 50449-1:1997 半導体プロセスで使用される材料の検査 赤外吸収によるIII-V族半導体不純物の定量 その1 ガリウムヒ素中の炭素
  • DIN EN 60191-6-10:2004-05 半導体デバイスの機械的標準化 - パート 6-10: 表面実装半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 - P-VSON の寸法
  • DIN EN 60191-4:2019-02 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 4 部: 半導体デバイスのパッケージのコーディング体系と包装形態の分類 (IEC 60191-4:2013 + A1:2018)
  • DIN EN 60191-6-10:2004 半導体デバイスの機械的標準化 第6-10部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成の一般原則 P-VSONの寸法
  • DIN 50454-1:2000 半導体プロセス材料の検査 III-V族化合物単結晶の転位の測定 その1 ガリウムヒ素
  • DIN EN 60191-6-4:2004-01 半導体デバイスの機械的標準化 第6-4部 表面実装型半導体デバイスのパッケージの外形図作成に関する通則及びボールグリッドアレイパッケージの寸法測定方法
  • DIN EN 60191-6-18:2010-08 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-18 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ボール グリッド アレイ デザイン ガイド
  • DIN EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 パート 4: 半導体デバイスのパッケージングエンクロージャの形状のコーディングシステムと分類 (IEC 60191-4-2013) ドイツ語版 EN 60191-4-2014
  • DIN EN 60191-6-3:2001 半導体デバイスの機械的規格化 第6-3部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形作図通則 パッケージ寸法の測定方法

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 半導体触媒？

  • JIS R 1750:2012 ファインセラミックスの室内光環境における半導体光触媒材料の検査用光源
  • JIS R 1708:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス） 溶存酸素消費量を用いた半導体光触媒材料の光触媒活性評価試験方法
  • JIS R 1712:2022 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス） 半導体光触媒材料の防藻活性試験方法

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 半導体触媒？

  • EN 62417:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET)
  • EN 62418:2010 半導体デバイスのメタライゼーション応力ボイド試験
  • EN 60191-6-16:2007 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-16: 半導体テスト用語と BGA、LGA、FBGA、FLGA のバーンイン ソケットの用語集
  • EN 60191-6:2009 半導体デバイスの機械的標準化 第6部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則
  • EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-22: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 半導体パッケージ設計ガイドライン シリコン ファインピッチ ボール グリッド アレイおよびシリコ
  • EN 62373:2006 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験 IEC 62373:2006
  • EN 60191-6-10:2003 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-10: 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 P-VSON 寸法 IEC 60191-6-10-2003

International Organization for Standardization (ISO), 半導体触媒？

  • ISO 19722:2017 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 溶存酸素消費法による半導体光触媒材料の光触媒活性の試験方法
  • ISO 13125:2013 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 半導体光触媒材料の防カビ効果試験方法
  • ISO 19635:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の藻類抑制活性試験方法
  • ISO 27447:2019 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス） 半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • ISO 27447:2009 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • ISO 22197-1:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第１部 一酸化窒素の浄化
  • ISO 22197-3:2019 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その３：トルエン除去
  • ISO 22197-2:2019 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その２：アセトアルデヒド除去
  • ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）、半導体光触媒材料検出用紫外線源
  • ISO 22197-1:2007 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第１部 一酸化窒素の除去
  • ISO 18061:2014 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の抗ウイルス活性測定 バクテリオファージQ-βを用いた試験方法
  • ISO 22197-2:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第２部 アセトアルデヒドの除去
  • ISO 22197-3:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 その３：トルエン除去
  • ISO 22197-4:2021 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第５部 ホルムアルデヒド除去
  • ISO 22197-5:2021 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第５部 メチルメルカプタンの除去
  • ISO 22197-4:2013 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第５部 ホルムアルデヒド除去
  • ISO 22197-5:2013 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第５部 メチルメルカプタンの除去
  • ISO 17094:2014 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス） 屋内光環境下における半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • ISO 10676:2010 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 活性酸素生成能力を利用した半導体光触媒材料の水質浄化性能試験方法
  • ISO 24448:2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス） 屋内照明環境で使用される半導体光触媒材料検査用LED光源
  • ISO 17168-1:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下における空気浄化性能試験方法 第１部 一酸化窒素の除去
  • ISO 17168-2:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下における空気浄化性能試験方法 第２部：アセトアルデヒドの除去
  • ISO 17168-3:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下での空気浄化性能試験方法 その３：トルエンの除去
  • ISO 17168-4:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下における空気浄化性能試験方法 第４部：ホルムアルデヒド除去
  • ISO 22601:2019 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 全有機炭素（TOC）の定量分析による半導体光触媒材料のフェノール酸化分解性能試験方法
  • ISO 19810:2017 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料のセルフクリーニング性試験方法 水接触角測定
  • ISO 19652:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料の完全分解性能試験方法 アセトアルデヒドの分解
  • ISO 19810:2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料のセルフクリーニング性能試験方法 水接触角の測定
  • ISO 18071:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料の抗ウイルス活性測定 バクテリオファージQ-βを用いた試験方法
  • ISO 17168-5:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下における空気浄化性能試験方法 第５部：メチルメルカプタンの除去
  • ISO 22551:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンスト工業用セラミックス） 半導体光触媒材料を用いた室内照明環境における細菌減少率の測定 実環境における細菌汚染表面の抗菌活性を推定するセミドライ法

IEC - International Electrotechnical Commission, 半導体触媒？

  • IEC TR 63133:2017 半導体デバイス スキャンベースの半導体デバイスの劣化レベル推定 (バージョン 1.0)
  • PAS 60191-6-18-2008 半導体デバイスの機械的標準化 「第6-18部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則」 「ボールグリッドアレイ（BGA）デザインガイド（第1.0版）」

Defense Logistics Agency, 半導体触媒？

  • DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 耐放射線性相補型金属酸化物半導体トランジスタ対相補型金属酸化物半導体、または相補型金属酸化物半導体対相補型金属酸化物半導体電圧変換機構、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94532-1994 64 ビット マイクロプロセッサ、酸化物半導体マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96736-1996 相補型金属酸化物半導体、シリコンモノリシック回路 デジタル超小型回路 8ビット双方向相補型金属酸化物半導体またはトランジスタインターフェースコンバータ
  • DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 シリコンモノリシックゲートレス酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 シリコンモノリシック 6 インバータ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 シリコンモノリシック四重仮想スイッチ、酸化物半導体マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 シリコンモノリシック XOR ゲート高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 シリコンモノリシックバスコントローラ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 シリコンモノリシック調整可能電圧レギュレータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 シリコンモノリシックコンパレータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 シリコンモノリシック、二次元畳み込み酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 シリコンモノリシックデュアルアップカウンター酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 シリコンモノリシッククワドラプルDラッチ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 シリコンモノリシックデコーダ-デコーダ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94533-1994 シリコンモノリシック、32ビットマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 シリコンモノリシック 16X16 乗算器相補型金属酸化物半導体、マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 シリコンモノリシックバイメタル酸化物半導体電界効果トランジスタドライバリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-06208-2006 シリコンモノリシックデジタル信号プロセッサ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 シリコンモノリシック、16ビットマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 シリコンモノリシッククロックジェネレータードライバー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 シリコンモノリシッククワッド2入力およびゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 シリコンモノリシッククワッド2入力およびゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 シリコンモノリシック 3 重 3 入力およびゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 シリコンモノリシックデュアル 4 入力およびゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 シリコンモノリシックデュアル 4 入力またはゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 シリコンモノリシック静的シフトレジスタ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 シリコンモノリシックトリプルNANDゲートバッファ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 シリコンモノリシック6ビット反転バッファ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89638-1989 シリコンモノリシック、酸化物半導体電流モードコントローラー、リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 シリコンモノリシック、64 ビット出力相関器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94642-1994 シリコンモノリシック、拡張多機能周辺機器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 シリコンモノリシック、同期シリーズコントローラー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 シリコンモノリシック、RS232型デュアルトランシーバー、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 シリコンモノリシック、16ビットマイクロコントローラー、酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 シリコンモノリシック、デジタル信号プロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92331-1993 シリコンモノリシック、16X16ビット座標コンバータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 シリコンモノリシック、ユニバーサルシリーズコントローラー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 シリコンモノリシック、16ビットマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 シリコンモノリシック、デジタル信号プロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 シリコンモノリシック、差動バストランシーバー、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 シリコンモノリシック、テストバストランシーバー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路と互換性のある入力、トライステート入力オクタルバッファおよび行ドライブラインまたは金属酸化膜半導体ドライバを備え、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路と互換性のある入力、トライステート入力付き 10 ビットバスまたは金属酸化膜半導体メインメモリドライバ、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 シリコンモノリシック 128 X 8 ビットランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 デュアルパワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタドライバー、リニアマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-19500/421 G VALID NOTICE 1-2009 半導体、デバイス、デュアル トランジスタ、セルラー、NPN/PNP、相補型、シリコン、タイプ 2N3838、2N4854 および 2N4854U、JAN、JANTX および JANTXV
  • DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 シリコンモノリシック、消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 シリコンモノリシック3-8ラインデコーダ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 シリコンモノリシックプログラマブルインターバルタイマー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 シリコンモノリシックプログラマブル周辺インターフェース、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 シリコンモノリシックバスは、Nチャネル金属酸化物半導体である超小型回路を制御します
  • DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 シリコンモノリシック金属酸化物半導体クロックパルスドライバー、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79017-1979 シリコンモノリシックユニバーサル非同期受信機/送信機、酸化物半導体マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 シリコンモノリシック、8入力NANDゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 シリコンモノリシック固定小数点デュアル情報プロセッサ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 シリコンモノリシック、低電力パルス幅変調器、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 シリコンモノリシック、マイクロプロセッサ監視回路、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94537-1994 シリコンモノリシック、8ビットメモリ処理ユニット、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 シリコンモノリシックリアルクロック、相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 シリコンモノリシック、16ビットカスケード演算ユニット、酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 シリコンモノリシック、フェーズロックループファイル、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94745-1995 シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路デジタル相補型金属酸化膜半導体
  • DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 シリコンモノリシックチャネル金属酸化物半導体割り込み発生器デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 シリコンモノリシック、高性能マイクロコントローラー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 シリコンモノリシック、4重双方向スイッチ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 シリコンモノリシック 8X8 乗算器、相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 シリコンモノリシック、12 X 10ビットマトリックス乗算器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 シリコンモノリシック回路 線形超小型回路
  • DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 シリコンモノリシック 256 × 4 スタティックメモリリセットチャネル金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 シリコンモノリシック単一電源金属酸化物半導体電界効果トランジスタドライバリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 シリコンモノリシック、デュアル 4 入力ゲートレス、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 シリコンモノリシック、デュアル 2 入力 OR ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 シリコンモノリシック、トリプル 3 入力 AND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 シリコンモノリシック 10-4 プライオリティエンコーダ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体触媒？

  • T/CECA 35-2019 金属酸化物半導体ガスセンサー
  • T/CIE 144-2022 半導体デバイスの信頼性向上試験方法
  • T/ZZB 2283-2021 半導体グレード炭化ケイ素単結晶用超高純度黒鉛粉末
  • T/QGCML 744-2023 半導体装置部品の薬液洗浄工程仕様書
  • T/QGCML 743-2023 半導体装置部品の陽極酸化処理仕様
  • T/CASAS 006-2020 炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタの一般的な技術仕様
  • T/CASAS 015-2022 炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (SiC MOSFET) のパワーサイクル試験方法
  • T/ZJATA 0017-2023 炭化ケイ素半導体材料を製造するための化学気相成長 (CVD) エピタキシャル装置
  • T/CASAS 016-2022 炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (SiC MOSFET) ジャンクションケース熱抵抗過渡デュアル インターフェイス テスト方法

KR-KS, 半導体触媒？

  • KS L ISO 10677-2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス）半導体光触媒材料検査用紫外線光源
  • KS L ISO 27447-2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • KS L ISO 14605-2023 屋内照明環境下での半導体光触媒材料の検査用ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス）光源
  • KS L ISO 22197-1-2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その１：一酸化窒素除去
  • KS L ISO 22197-2-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その２：アセトアルデヒド除去
  • KS L ISO 22197-4-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクニカルセラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その４：ホルムアルデヒド除去
  • KS L ISO 22197-3-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その３：トルエン除去
  • KS L ISO 22197-1-2022 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第１部 一酸化窒素の除去
  • KS L ISO 22197-5-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その５：メチルメルカプタンの除去
  • KS L ISO 17168-1-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～その１：一酸化窒素の除去
  • KS L ISO 17168-2-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス） ～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～ その２：アセトアルデヒド除去
  • KS L ISO 17168-4-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～その４：ホルムアルデヒド除去
  • KS L ISO 17168-3-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～その３：トルエン除去

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, 半導体触媒？

Professional Standard - Electron, 半導体触媒？

  • SJ/Z 9021.1-1987 半導体デバイスの機械的標準化 第1部：半導体デバイスのパターン図
  • SJ/T 10424-1993 半導体デバイス用パッシベーションパッケージングガラスパウダー
  • SJ 20025-1992 金属酸化物半導体ガスセンサーの一般仕様
  • SJ/Z 9021.4-1987 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類と番号付け体系の分類
  • SJ 20026-1992 金属酸化物半導体ガスセンサーの試験方法
  • SJ 20079-1992 金属酸化物半導体ガスセンサー 試験方法
  • SJ/Z 9021.2-1987 半導体デバイスの機械的標準化 第2部 寸法
  • SJ 50033/42-1994 半導体ディスクリートデバイス CSO467型ガリウムヒ素マイクロ波電界効果トランジスタの詳細仕様
  • SJ 50033/78-1995 半導体ディスクリートデバイス CS0464型ガリウムヒ素マイクロ波電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ/T 11824-2022 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の等価静電容量および電圧変化率の試験方法
  • SJ 50033/118-1997 半導体ディスクリートデバイス 2EK31型ガリウムヒ素スイッチングダイオード 詳細仕様
  • SJ 50033/79-1995 半導体ディスクリートデバイス CS0536型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/120-1997 半導体ディスクリートデバイス CS205型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033.51-1994 半導体ディスクリートデバイス CS0558型ガリウムヒ素マイクロ波デュアルゲート電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033.52-1994 半導体ディスクリートデバイス CS0529型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033.54-1994 半導体ディスクリートデバイス CS0532型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/119-1997 半導体ディスクリートデバイス CS204型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/81-1995 半導体ディスクリートデバイス CS0524型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/80-1995 半導体ディスクリートデバイス CS0513型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/29-1994 半導体ディスクリートデバイス EK20型ガリウムヒ素高速スイッチ部品の詳細仕様
  • SJ 50033/27-1994 半導体ディスクリートデバイス 2EC600シリーズガリウムヒ素バラクタダイオード詳細仕様
  • SJ 50033.53-1994 半導体ディスクリートデバイス CS0530、CS0531型ガリウムヒ素マイクロ波パワー電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/106-1996 半導体ディスクリートデバイス CS203型ガリウムヒ素マイクロ波低雑音電界効果トランジスタ 詳細仕様
  • SJ 50033/141-1999 半導体ディスクリートデバイス 2EK150型ガリウム砒素高速スイッチングダイオード 詳細仕様

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体触媒？

  • IEC 62417:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の移動イオン試験
  • IEC 60191-1:1966 半導体デバイスの機械的標準化 第1部：半導体デバイスのグラフィック描画
  • IEC 60191-1A:1969 半導体デバイスの機械的標準化 第 1 部：半導体デバイスの図形描画 追補 1
  • IEC 60191-1C:1974 半導体デバイスの機械的標準化 第 1 部：半導体デバイスの図作図補足 3
  • IEC TR 63378-1:2021 半導体パッケージの熱標準化 第 1 部：BGA QFP タイプ半導体パッケージの熱抵抗と熱パラメータ
  • IEC 62418:2010 半導体デバイス、メタライゼーション応力ボイド試験
  • IEC 60191-6-16:2007 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-16: 半導体テスト用語と BGA、LGA、FBGA、FLGA のバーンイン ソケットの用語集
  • IEC 60747-8-4:2004 半導体ディスクリートデバイス パート 8-4: パワースイッチングデバイス用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET)
  • IEC 63364-1:2022 半導体デバイス IoT システム用半導体デバイス 第 1 部: 音変化検出の試験方法
  • IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形のコーディング体系と分類
  • IEC 60191-4:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスの包装形態の分類とコーディング体系
  • IEC 60191-4:1987 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスの包装形態の分類とコーディング体系
  • IEC 60191-2:2012 DB 半導体デバイスの機械的標準化 第2部：寸法
  • IEC 60191-2:1966/AMD5:2002 半導体デバイスの機械的標準化その2：寸法
  • IEC 60191-2:1966 半導体デバイスの機械的標準化 第2部 寸法
  • IEC 60191-4:1999 半導体デバイスの機械的規格化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類の分類と番号付け体系
  • IEC 60191-4:2013 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類の分類と番号付け体系
  • IEC 60191-4:2018 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類の分類と番号付け体系
  • IEC 60191-6:2004 半導体デバイスの機械的規格化 第6部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則
  • IEC 60191-6:2009 半導体デバイスの機械的規格化 第6部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則
  • IEC 60191-6:1990 半導体デバイスの機械的標準化 第6部 表面実装型半導体デバイスのパッケージの外形図作成に関する通則
  • IEC 63275-1:2022 半導体デバイス炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法その1：バイアス温度不安定性試験方法
  • IEC 62373-1:2020 半導体デバイス 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性テスト パート 1: MOSFET の迅速 BTI テスト
  • IEC 63275-2:2022 半導体デバイス 炭化ケイ素ディスクリート金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法 パート 2: ボディ ダイオードの動作によって引き起こされるバイポーラ劣化の試験方法
  • IEC 63229:2021 半導体デバイス 炭化ケイ素基板上の窒化ガリウムエピタキシャル膜の欠陥の分類
  • IEC 60191-4/AMD1:2001 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類1の分類・付番体系の変更
  • IEC 60191-4/AMD2:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスの包装形態の分類及びコーディング体系 修正2
  • IEC 60191-2-DB:2012 半導体デバイスの機械的標準化 第2部 寸法仕様
  • IEC 60191-2:1966/AMD18:2011 半導体デバイスの機械的標準化 第2部 寸法仕様
  • IEC 60191-6/AMD1:1999 半導体デバイスの機械的標準化 第6部 表面実装型半導体デバイスのパッケージの外形図作成に関する通則の改正1
  • IEC 60191-4:2013/AMD1:2018 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類の分類と番号付け体系 修正1
  • IEC 60191-2Y:2000 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部: 寸法補足 23
  • IEC 60191-2:1966/AMD2:2001 半導体デバイスの機械的標準化 第2部 寸法変更編2
  • IEC 60191-2U:1997 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部: 寸法補足 19
  • IEC 60191-2T:1996 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部: 寸法補足 18
  • IEC 60191-2V:1998 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部: 寸法補足 20
  • IEC 60191-2Z:2000 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部: 寸法補足 24
  • IEC 60191-2X:1999 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部: 寸法補足 22
  • IEC 60191-2W:1999 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部: 寸法補足 21
  • IEC 60191-2X/COR1:2000 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部: 寸法 補足 22
  • IEC 60191-2:1966/AMD10:2004 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部 寸法 修正 10
  • IEC 60191-2:1966/AMD21:2020 修正 21. 半導体デバイスの機械的標準化 その 2: 寸法
  • IEC 60191-2:1966/AMD17:2008 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部 寸法 修正 17
  • IEC 60191-2:1966/AMD8:2003 修正 8 - 半導体デバイスの機械的標準化 その 2: 寸法
  • IEC 60191-2:1966/AMD12:2006 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部 寸法 修正 12
  • IEC 60191-2:1966/AMD7:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部 寸法 修正 7
  • IEC 60191-2:1966/AMD4:2001 修正4. 半導体デバイスの機械的標準化 その2: 寸法
  • IEC 60191-2:1966/AMD14:2006 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部 寸法 修正 14
  • IEC 60191-2:1966/AMD9:2003 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部 寸法 修正 9
  • IEC 60191-2:1966/AMD16:2007 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部 寸法 修正 16
  • IEC 60191-2X:1999/COR1:2000 正誤表 1 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部: 寸法
  • IEC 60191-2:1966/AMD1:2001 修正 1. 半導体デバイスの機械的標準化 その 2: 寸法
  • IEC 60191-2:1966/AMD15:2006 半導体デバイスの機械的標準化 第 2 部 寸法 修正 15
  • IEC 60191-2:1966/AMD3:2001 修正3. 半導体デバイスの機械的標準化 その2: 寸法
  • IEC 60191-2:1966/AMD11:2004 修正 11. 半導体デバイスの機械的標準化 その 2: 寸法
  • IEC 60191-2:1966/AMD6:2002 修正 6 - 半導体デバイスの機械的標準化 その 2: 寸法
  • IEC 60191-2:1966/AMD20:2018 修正20. 半導体デバイスの機械的標準化 その2: 寸法
  • IEC 60191-2:1966/AMD13:2006 修正 13. 半導体デバイスの機械的標準化 その 2: 寸法
  • IEC 60191-6-10:2003 半導体デバイスの機械的標準化 第6-10部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 P-VSONの寸法
  • IEC 63284:2022 半導体デバイス - 窒化ガリウムトランジスタの誘導負荷スイッチングの信頼性試験方法
  • IEC 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
  • IEC 60191-2:1966/AMD19:2012 半導体デバイスの機械的標準化 第2部 寸法仕様 修正19
  • IEC 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第6-18部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図に関する通則 ボールグリッドアレイ(BGA)の設計ガイドライン
  • IEC 60191-6-18:2010/COR2:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第6-8部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ボールグリッドアレイ(BGA)の設計ガイドライン
  • IEC 60191-6-22:2012 半導体デバイスの機械的標準化 第6-22部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図通則 シリコンファインピッチボールアレイおよびシリコンファインピッチグリッドアレイ半導体パッケージ(S-FBGAおよびS-FLGA)の設計ガイドライン
  • IEC 60191-6-18:2010/COR1:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第6-8部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図通則 ボールゲートアレイパッケージ(BGA)の設計ガイドライン

Danish Standards Foundation, 半導体触媒？

  • DS/EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • DS/EN 62418:2010 半導体デバイスのメタライゼーション応力ボイド試験
  • DS/EN 60191-6-16:2007 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-16: BGA、LGA、FBGA、および FLGA の半導体テストおよびバーンイン ソケットの用語集
  • DS/EN 60191-4/A2:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのコーディング体系とパッケージ外形形状の分類
  • DS/EN 60191-4:2001 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのコーディング体系とパッケージ外形形状の分類
  • DS/EN 60191-4/A1:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのコーディング体系とパッケージ外形形状の分類
  • DS/EN 60191-6:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第6部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則
  • DS/EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-22: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 半導体パッケージ設計ガイドライン シリコン ファインピッチ ボール グリッド アレイおよびシリコ
  • DS/EN 62373:2006 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
  • DS/EN 60191-6-10:2004 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-10 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則 P-VSON の寸法
  • DS/EN 60191-6-1:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第6-1部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ガルウイングリード端子設計ガイド
  • DS/EN 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-18 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ボール グリッド アレイ (BGA) デザイン ガイド

ES-UNE, 半導体触媒？

  • UNE-EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • UNE-EN 62418:2010 半導体デバイスのメタライゼーション応力ボイド試験
  • UNE-EN IEC 63364-1:2023 半導体デバイス モノのインターネットシステムに使用される半導体デバイス 第 1 部: 音変化検出の試験方法
  • UNE-EN 60191-6-16:2007 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-16 部：BGA、LGA、FBGA、FLGA の半導体テストおよびバーンインソケットの用語集 (IEC 60191-6-16:2007)
  • UNE-EN 60191-6:2009 半導体デバイスの機械的標準化 第6部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則
  • UNE-EN 60191-4:2014/A1:2018 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージのコーディング体系とパッケージ外形形式の分類
  • UNE-EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージのコーディング体系とパッケージ外形形状の分類
  • UNE-EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-22 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 シリコンファインピッチボールグリッドアレイおよびシリコンの半導体パッケージ設計ガイドライン
  • UNE-EN 62373:2006 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
  • UNE-EN 60191-6-4:2003 半導体デバイスの機械的標準化 第6-4部 表面実装型半導体デバイスのパッケージの外形図作成に関する通則及びボールグリッドアレイパッケージの寸法測定方法
  • UNE-EN 60191-6-21:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第6-21部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則 小型外形パッケージのパッケージ寸法測定方法
  • UNE-EN 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-18 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ボール グリッド アレイ (BGA) デザイン ガイド

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導体触媒？

  • KS L ISO 27447-2011(2016) ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • KS L ISO 27447-2011(2021) ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） - 半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • KS L ISO 27447:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • KS L ISO 22197-1:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その１：一酸化窒素除去
  • KS L ISO 22197-2:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その２：アセトアルデヒド除去
  • KS L ISO 22197-3:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その３：トルエン除去
  • KS L ISO 22197-4:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクニカルセラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その４：ホルムアルデヒド除去
  • KS L ISO 22197-1:2008 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第１部 一酸化窒素の除去
  • KS L ISO 22197-1:2022 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 第１部 一酸化窒素の除去
  • KS L ISO 22197-5:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～その５：メチルメルカプタンの除去
  • KS L ISO 27448-2011(2021) ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） ・半導体光触媒材料のセルフクリーニング性能試験方法 ・水接触角の測定
  • KS L ISO 27448-2011(2016) ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス）半導体光触媒材料のセルフクリーニング性能試験方法水接触角の測定
  • KS L ISO 10676:2012 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 活性酸素生成能を利用した半導体光触媒材料の水質浄化性能試験方法
  • KS L ISO 10676-2012(2022) ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） - 活性酸素生成能を利用した半導体光触媒材料の水質浄化性能試験方法
  • KS L ISO 17168-1:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～その１：一酸化窒素の除去
  • KS L ISO 17168-2:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス） ～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～ その２：アセトアルデヒド除去
  • KS L ISO 17168-3:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～その３：トルエン除去
  • KS L ISO 17168-4:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～その４：ホルムアルデヒド除去
  • KS L ISO 10676-2012(2017) ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス）の活性酸素生成能試験法を用いた半導体光触媒材料の水質浄化性能試験方法
  • KS C IEC 60748-2-5:2002 半導体デバイス、集積回路、パート 2: デジタル集積回路、セクション 4: 相補型金属酸化膜半導体デジタル集積回路のクラス仕様、シリーズ 4000B および 4000UB
  • KS C IEC 60748-2-4:2002 半導体デバイス、集積回路、パート 2: デジタル集積回路、セクション 4: 相補型金属酸化膜半導体デジタル集積回路のクラス仕様、シリーズ 4000B および 4000UB

Lithuanian Standards Office , 半導体触媒？

  • LST EN 62417-2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン試験 (IEC 62417:2010)
  • LST EN 60191-6-16-2007 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-16 部：BGA、LGA、FBGA、FLGA の半導体テストおよびバーンインソケットの用語集 (IEC 60191-6-16:2007)
  • LST EN 62418-2010 半導体デバイスのメタライゼーション応力ボイド試験 (IEC 62418:2010)
  • LST EN 60191-4+A1-2002 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスの包装外観形状のコーディング体系と分類（IEC 60191-4:1999+A1:2001）
  • LST EN 60191-4+A1-2002/A2-2002 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスのパッケージング外観コーディング体系と形状分類（IEC 60191-4:1999/A2:2002）
  • LST EN 60191-6-2010 半導体デバイスの機械的規格化 第6部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則（IEC 60191-6:2009）
  • LST EN 60191-6-22-2013 半導体デバイス機械標準化パート 6-22: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則 半導体パッケージの設計ガイドライン シリコンファインピッチボールグリッドアレイとシリコン
  • LST EN 60191-4-2014 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスのパッケージ外形のコーディング体系と分類形式（IEC 60191-4-2013）
  • LST EN 60191-6-10-2004 半導体デバイスの機械的規格化 第6-10部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則 P-VSONの寸法（IEC 60191-6-10:2003）
  • LST EN 62373-2006 金属酸化物、半導体、および電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験 (IEC 62373:2006)

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体触媒？

  • GB/T 15879.4-2019 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスのパッケージ外形の分類とコーディング体系
  • GB/T 36646-2018 窒化物半導体材料を作製するための水素化物気相成長装置

AENOR, 半導体触媒？

  • UNE-ISO 22197-1:2012 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス） 半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法 その１：一酸化窒素の除去
  • UNE 127197-1:2013 プレキャストコンクリート製品に浸漬した半導体光触媒材料の大気浄化性能評価試験法の適用 その1：一酸化窒素の除去
  • UNE-EN 60191-6-10:2004 半導体デバイスの機械的規格化 第6-10部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則 P-VSON寸法
  • UNE-EN 60191-6-1:2002 半導体デバイス機械標準化編 第6-1部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ガルウイングリード端子設計ガイド

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体触媒？

  • GB/T 15652-1995 金属酸化物半導体ガスセンサーの一般仕様
  • GB/T 15653-1995 金属酸化物半導体ガスセンサーの試験方法
  • GB/T 42706.2-2023 電子部品 半導体デバイスの長期保存 その2：劣化のメカニズム

Professional Standard - Machinery, 半導体触媒？

  • JB/T 8736-1998 パワー半導体モジュール用窒化アルミニウムセラミック基板

RO-ASRO, 半導体触媒？

  • STAS CEI 191-4-1992 半導体デバイスの機械的標準化。 第 4 部：コーディング体系と半導体デバイスパッケージング外形への分類

工业和信息化部, 半導体触媒？

  • SJ/T 9014.8.2-2018 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 8-2: 超接合金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの空白の詳細仕様

American Society for Testing and Materials (ASTM), 半導体触媒？

  • ASTM F1211-89(1994)e1 半導体デバイスのパッシベーション開口レイアウトの標準仕様

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 半導体触媒？

  • EN 60191-6:2004 半導体デバイスの機械的規格化 第6部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則
  • EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 第4部 半導体デバイスのパッケージ外形図の種類の分類と番号付け体系
  • EN 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-18 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ボール グリッド アレイ (BGA) デザイン ガイド

U.S. Military Regulations and Norms, 半導体触媒？

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体触媒？

  • DB61/T 1250-2019 Sic (炭化ケイ素) 材料の半導体ディスクリートデバイスの一般仕様

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 半導体触媒？

  • IEEE 641-1987 金属窒化酸化物半導体アレイの標準定義と特性評価

PH-BPS, 半導体触媒？

  • PNS IEC 62373-1:2021 半導体デバイス 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性テスト パート 1: MOSFET の迅速 BTI テスト

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体触媒？

  • CNS 8104-1981 金属酸化物半導体電界効果トランジスタの線形臨界電圧試験方法
  • CNS 8106-1981 金属酸化物半導体電界効果トランジスタの飽和臨界電圧試験方法

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 半導体触媒？

AT-OVE/ON, 半導体触媒？

  • OVE EN IEC 63275-2:2021 半導体デバイス - 炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法 - 第 2 部: ボディダイオード動作によるバイポーラ劣化の試験方法 (IEC 47/2680/CDV) (英語版)
  • OVE EN IEC 63275-1:2021 半導体デバイスの信頼性試験方法 炭化ケイ素ディスクリート金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ 第 1 部: バイアス温度不安定性試験方法 (IEC 47/2679/CDV) (英語版)

GM North America, 半導体触媒？

  • GM GM6078M-1989 レジンボンド金属酸化物半導体およびポリテトラフルオロエチレン用の固体皮膜潤滑剤コーティング

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