Neue Halbleitermaterialien

Für die Neue Halbleitermaterialien gibt es insgesamt 170 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Neue Halbleitermaterialien die folgenden Kategorien: Halbleitermaterial, Isolierflüssigkeit, Prüfung von Metallmaterialien, Umfangreiche Testbedingungen und -verfahren, Schneidewerkzeuge, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Baumaterial, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Diskrete Halbleitergeräte, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Umfangreiche elektronische Komponenten, Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Dichtungen, Dichtungsgeräte, Übertragungs- und Verteilungsnetze, Wortschatz, analytische Chemie, Mechanische Komponenten für elektronische Geräte, Drähte und Kabel, Keramik, Optik und optische Messungen, Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Elektronische Geräte.

Group Standards of the People's Republic of China, Neue Halbleitermaterialien

T/SHDSGY 135-2023 Neue Energiehalbleiter-Siliziumwafer-Materialtechnologie
T/CASME 798-2023 Spezialisierte Bearbeitungswerkzeuge für Halbleitermaterialien
T/ICMTIA CM0035-2023 Dichtung für eine Vorrichtung zur Verarbeitung von Halbleitersiliziummaterial
T/CNIA 0143-2022 Hochreine Harzgefäße für die Spurenverunreinigungsanalyse von Halbleitermaterialien
T/CASME 479-2023 Gestanzter Leiterrahmen für die Kunststoffverpackung mit kleinen Umrissen von integrierten Halbleiterschaltungen
T/ZJATA 0017-2023 Epitaxieausrüstung für chemische Gasphasenabscheidung (CVD) zur Herstellung von Siliziumkarbid-Halbleitermaterialien

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Neue Halbleitermaterialien

GB/T 14264-1993 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
GB/T 14264-2009 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
GB/T 1550-1997 Standardmethoden zur Messung der Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitermaterialien
GB/T 31469-2015 Schneidflüssigkeit für Halbleitermaterialien
GB/T 14844-1993 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien
GB 7423.2-1987 Kühlkörperprofil für Halbleiterbauelemente
GB/T 42529-2023 Bewertungsanforderungen für die Feuchtigkeitsleitung und Phasenwechsel-Atmungsfunktion neuer Wandmaterialien
GB/T 14112-2015 Integrierte Halbleiterschaltungen. Spezifikation für gestanzte Leadframes aus Kunststoff DIP
GB/T 14112-1993 Integrierte Halbleiterschaltkreise Spezifikation für gestanzte Leadframes aus Kunststoff DIP
GB/T 3048.3-1994 Prüfverfahren zur Bestimmung der elektrischen Eigenschaften elektrischer Kabel und Leitungen. Messung des Volumenwiderstands von halbleitenden Gummis und Kunststoffen

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Neue Halbleitermaterialien

GB/T 1550-2018 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien
GB/T 14844-2018 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien
GB/T 36646-2018 Ausrüstung zur Herstellung von Nitrid-Halbleitermaterialien durch Hydrid-Dampfphasenepitaxie
GB/T 37131-2018 Nanotechnologien – Testmethode für Halbleiter-Nanopulver mittels UV-Vis-Diffusreflexionsspektroskopie

RO-ASRO, Neue Halbleitermaterialien

STAS 6360-1974 HALBLEITERMATERIALIEN UND -GERÄTE Terminologie

Professional Standard - Electron, Neue Halbleitermaterialien

SJ/T 11775-2021 Mehrdrahtsäge für Halbleitermaterialien
SJ/T 10746-1996 Verfahren und Regeln zur Musterbewertung neuer Produkte für integrierte Halbleiterschaltkreise
SJ/Z 3206.13-1989 Allgemeine Regeln für die Emissionsspektrumanalyse von Halbleitermaterialien
SJ/T 11067-1996 Häufig verwendete Terminologie für fotoelektrische Halbleitermaterialien und pyroelektrische Materialien in Materialien zur Infraroterkennung
SJ 20744-1999 Allgemeine Regel der Infrarot-Absorptionsspektralanalyse für die Verunreinigungskonzentration in Halbleitermaterialien

HU-MSZT, Neue Halbleitermaterialien

MSZ 771/5-1979 Mechanische Eigenschaften von Halbleitermaterialien

Indonesia Standards, Neue Halbleitermaterialien

SNI 19-0429-1989 Leitfaden zur Probenahme von flüssigen und halbfesten Materialien

British Standards Institution (BSI), Neue Halbleitermaterialien

BS IEC 62899-203:2018 Gedruckte Elektronik. Materialien. Halbleitertinte
BS IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die thermischen Eigenschaften flexibler Materialien
BS EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien
BS EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
BS EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
BS EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Testmethode für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
BS EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Methode zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
BS EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
BS EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Gedruckte Elektronik. Teil 203. Materialien. Halbleitertinte
BS EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
BS EN 62047-11:2013 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme
BS EN 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Teil 39. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
PD CEN/TR 17603-32-05:2022 Raumfahrttechnik. Handbuch für Baumaterialien. Neue fortschrittliche Materialien, fortschrittliche metallische Materialien, allgemeine Designaspekte sowie Lastübertragung und Design von Verbindungen

Professional Standard - Machinery, Neue Halbleitermaterialien

JB/T 8175-1999 Umrissabmessungen eines extrudierten Kühlkörpers für Leistungshalbleiterbauelemente
JB/T 5781-1991 Geteilter Strahler für Leistungshalbleiterbauelemente. Technische Spezifikation

International Electrotechnical Commission (IEC), Neue Halbleitermaterialien

IEC 62899-203:2018 Gedruckte Elektronik – Teil 203: Materialien – Halbleitertinte
IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 5: Prüfverfahren für thermische Eigenschaften flexibler Materialien
IEC 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
IEC 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
IEC 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
IEC 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze von metallischen Filmmaterialien
IEC 60749-39:2021 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 62047-11:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme
IEC 62047-6:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien

German Institute for Standardization, Neue Halbleitermaterialien

DIN 50447:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Schichtwiderstands von Halbleiterschichten mit der Wirbelstrommethode
DIN 50441-1:1996 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 1: Dicke und Dickenschwankung
DIN 50448:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Widerstands von halbisolierenden Halbleiterscheiben mittels einer kapazitiven Sonde
DIN 50441-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 2: Prüfung des Kantenprofils
DIN EN 62047-2:2007 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
DIN SPEC 1994:2017-02 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
DIN 50449-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 2: Bor in Galliumarsenid
DIN 50454-2:1994 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 2: Indiumphosphid
DIN 50454-3:1994 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 3: Galliumphosphid
DIN 50443-1:1988 Prüfung von Materialien zur Verwendung in der Halbleitertechnologie; Erkennung von Kristalldefekten und Inhomogenitäten in Silizium-Einkristallen mittels Röntgentopographie
DIN 50449-1:1997 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 1: Kohlenstoff in Galliumarsenid
DIN EN 60749-39:2007 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006
DIN EN 60749-39:2007-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006 / Hinweis: Zu beachten...
DIN EN 62047-2:2007-02 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-10:2012-03 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (IEC 62047-10:2011); Deutsche Fassung EN 62047-10:2011
DIN 50446:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Defektarten und Defektdichten von Silizium-Epitaxieschichten
DIN EN 62047-18:2014-04 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-18:2013); Deutsche Fassung EN 62047-18:2013
DIN 50454-1:2000 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Versetzungen in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 1: Galliumarsenid
DIN 50433-3:1982 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Bestimmung der Orientierung von Einkristallen mittels Laue-Rückstreuung
DIN EN 62047-6:2010-07 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-6:2009); Deutsche Fassung EN 62047-6:2010
DIN 50441-4:1999 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 4: Scheibendurchmesser, Durchmesservariation, Flachdurchmesser, Flachlänge, Flachtiefe
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 47/2652/CDV:2020); Englische Version prEN IEC 60749-39:2020 / Nicht...
DIN 50441-3:1985 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Messung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben; Bestimmung der Ebenheitsabweichung polierter Scheiben mittels Mehrstrahlinterferenz

机械电子工业部, Neue Halbleitermaterialien

JB 5781-1991 Technische Bedingungen von Profilstrahlern für Leistungshalbleiterbauelemente

Defense Logistics Agency, Neue Halbleitermaterialien

DLA MIL-PRF-19500/672-2001 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, KUNSTSTOFF, NPN, SILIKON, SCHALTEND, TYP 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/672 VALID NOTICE 2-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, Kunststoff, NPN, Silizium, Schalten, Typ 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/686 VALID NOTICE 2-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, Kunststoff, PNP, Silizium, schaltend, Typ 2N2907AUE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/695 VALID NOTICE 2-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, Kunststoff, PNP, Silizium, schaltend, Typ 2N4033UE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 HALBLEITERGERÄT, FELDEFFEKTRANSISTOR, KUNSTSTOFF, N-KANAL, SILIKON, TYP 2N7537, 2N7537A, JAN UND JANTX
DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 Halbleiterbauelement, Feldeffekttransistor, Kunststoff, N-Kanal, Silizium, Typ 2N7537, 2N7537A, JAN und JANTX
DLA MIL-PRF-19500/714-2009 HALBLEITERGERÄT, FELDEFFEKTRANSISTOR, GEKAPSELTER KUNSTSTOFF, N-KANAL, SILIKON, TYP 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX UND JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715-2009 HALBLEITERGERÄT, FELDEFFEKTRANSISTOR, GEKAPSELTER KUNSTSTOFF, N-KANAL, SILIKON, TYP 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX UND JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 HALBLEITERGERÄT, FELDEFFEKTRANSISTOR, GEKAPSELTER KUNSTSTOFF, N-KANAL, SILIKON, TYP 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX UND JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 Halbleiterbauelement, Feldeffekttransistor, gekapselter Kunststoff, N-Kanal, Silizium, Typ 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX und JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 Halbleiterbauelement, Transistor, Kunststoff, NPN, Silizium, Schalten, Typ 2N3700UE1, JAN, JANTX, JANJ

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Neue Halbleitermaterialien

DB61/T 1250-2019 Allgemeine Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente aus Sic-Material (Siliziumkarbid).

KR-KS, Neue Halbleitermaterialien

KS C IEC 62899-203-2023 Gedruckte Elektronik – Teil 203: Materialien – Halbleitertinte
KS C IEC 62047-18-2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-22-2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien

Association Francaise de Normalisation, Neue Halbleitermaterialien

NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien.
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
NF ISO 10677:2011 Technische Keramik – UV-Lichtquellen zum Testen photokatalytischer Halbleitermaterialien
XP CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestimmung der Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die in Halbleiterbauelementen verwendet werden
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
NF ISO 14605:2013 Technische Keramik – Lichtquellen zum Testen photokatalytischer Halbleitermaterialien in einer Innenbeleuchtungsumgebung
NF EN 62329-3-102:2010 Wärmeschrumpfbare Profile – Teil 3: Anforderungen an Profilabmessungen, Materialanforderungen und Kompatibilitätsleistung – Blatt 102: Elastomere wärmeschrumpfende Profile, halbstarr – Anforderungen an...
NF EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF C96-050-11*NF EN 62047-11:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme
NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen.
NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien

American Society for Testing and Materials (ASTM), Neue Halbleitermaterialien

ASTM D3004-02 Standardspezifikation für extrudierte vernetzte und thermoplastische Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM D3004-97 Standardspezifikation für extrudierte vernetzte und thermoplastische Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM D3004-08(2020) Standardspezifikation für vernetzte und thermoplastische extrudierte Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM D6095-99 Standardtestverfahren für den Volumenwiderstand von extrudierten vernetzten und thermoplastischen halbleitenden Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM D6095-05 Standardtestverfahren für den Volumenwiderstand von extrudierten vernetzten und thermoplastischen halbleitenden Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM D6095-06 Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM D6095-12 Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM D6095-12(2023) Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM B976-11(2015) Standardspezifikation für Kerndraht aus faserverstärktem Aluminiummatrix-Verbundwerkstoff (AMC) für Aluminiumleiter, verbundverstärkt (ACCR)
ASTM D6095-12(2018) Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien

RU-GOST R, Neue Halbleitermaterialien

GOST 22622-1977 Halbleitermaterialien. Begriffe und Definitionen

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Neue Halbleitermaterialien

JIS C 5630-2:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
JIS C 5630-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestverfahren für Dünnschichtmaterialien
JIS R 1750:2012 Feinkeramik – Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die unter Innenbeleuchtung verwendet werden
JIS C 5630-6:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien

American National Standards Institute （ANSI), Neue Halbleitermaterialien

ANSI/ASTM D3004:2008 Spezifikation für extrudierte vernetzte und thermoplastische Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ANSI/ASTM D6095:2012 Testverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien

Jiangsu Provincial Standard of the People's Republic of China, Neue Halbleitermaterialien

DB32/T 3378-2018 Neue Spezifikation für das Labormanagement von Wandmaterialproduktionsunternehmen

Anhui Provincial Standard of the People's Republic of China, Neue Halbleitermaterialien

DB34/T 3969-2021 Neue Spezifikation für das Labormanagement von Wandmaterialproduktionsunternehmen

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Neue Halbleitermaterialien

KS C 6520-2021 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften mittels Plasma
KS C 6520-2019 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften mittels Plasma
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS C IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS C IEC 62047-18:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-22:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-18-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-22-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien

未注明发布机构, Neue Halbleitermaterialien

DIN SPEC 1994 E:2016-07 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
DIN EN 62047-18 E:2011-06 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien

Ningxia Provincial Standard of the People's Republic of China, Neue Halbleitermaterialien

DB64/T 1829.1-2022 Ningxias „sechs neue“ Industriestandardsystem für hochwertige Entwicklung, Teil 1: Neue Materialien

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Neue Halbleitermaterialien

EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien

Lithuanian Standards Office , Neue Halbleitermaterialien

LST EN 62047-14-2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Formungsgrenze metallischer Filmmaterialien (IEC 62047-14:2012)
LST EN 60749-39-2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden (IEC 60749-39:2006)

Danish Standards Foundation, Neue Halbleitermaterialien

DS/EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
DS/EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
DS/EN 62047-2:2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
DS/EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
DS/EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien

ES-UNE, Neue Halbleitermaterialien

UNE-EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im März 2022.)
UNE-EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (Befürwortet von AENOR im Dezember 2011.)
UNE-EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien (Befürwortet von AENOR im November 2013.)
UNE-EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006). (Von AENOR im November 2006 gebilligt.)
UNE-EN 62047-6:2010 Halbleitergeräte – Mikroelektromechanische Geräte – Teil 6: Axiale Ermüdungstestmethoden für Dünnschichtmaterialien (Befürwortet von AENOR im Juni 2010.)
UNE-EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnfilm-MEMS-Materialien (Befürwortet von AENOR im November 2014.)

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., Neue Halbleitermaterialien

T-32-645-2012 Testverfahren zur Feststellung der Volumenwiderstandskompatibilität wasserblockierender Komponenten mit extrudierten halbleitenden Abschirmmaterialien

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), Neue Halbleitermaterialien

ICEA T-32-645-2012 TESTVERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER VOLUMENWIDERSTANDSKOMPATIBILITÄT VON WASSERSPERRENDEM KOMPONENTEN MIT EXTRUDIERTEN HALBLEITENDEM ABSCHIRMMATERIALIEN

European Committee for Standardization (CEN), Neue Halbleitermaterialien

PD CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen

Government Electronic & Information Technology Association, Neue Halbleitermaterialien

GEIA SSB-1-C-2000 Richtlinien für die Verwendung von kunststoffgekapselten Mikroschaltungen und Halbleitern in Militär, Luft- und Raumfahrt und anderen robusten Anwendungen

Standard Association of Australia （SAA）, Neue Halbleitermaterialien

AS/NZS 1660.2.3:1998 Prüfverfahren für elektrische Kabel, Leitungen und Leiter – Isolierung, extrudierte halbleitende Schirme und nichtmetallische Ummantelungen – Verfahren speziell für PVC und halogenfreie thermoplastische Materialien
AS/NZS 1660.2.1:1998 Prüfverfahren für elektrische Kabel, Leitungen und Leiter – Isolierung, extrudierte halbleitende Abschirmungen und nichtmetallische Ummantelungen – Verfahren für allgemeine Anwendungen

CO-ICONTEC, Neue Halbleitermaterialien

ICONTEC 1332-1981 Elektronik. Unipolare Leiter, isoliert mit thermoplastischem PVC-Material, Sondertyp