新型半导体材料

本专题涉及新型半导体材料的标准有254条。

国际标准分类中，新型半导体材料涉及到光学和光学测量、金属材料试验、半导体材料、电子电信设备用机电元件、绝缘流体、陶瓷、半导体分立器件、墨水、油墨、表面处理和镀涂、集成电路、微电子学、电子设备用机械构件、化工产品、电子元器件综合、词汇、电线和电缆。

在中国标准分类中，新型半导体材料涉及到无机化工原料综合、金属物理性能试验方法、半金属与半导体材料综合、电子工业生产设备综合、电子技术专用材料、半金属及半导体材料分析方法、特种陶瓷、半导体分立器件综合、其他、元素半导体材料、催化剂、电子设备专用微特电机、日用玻璃、陶瓷、搪瓷、塑料制品综合、微型电机、微电路综合、电子设备机械结构件、塑料型材、工业气体与化学气体、化合物半导体材料、基础标准与通用方法。

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于新型半导体材料的标准

GB/T 37131-2018 纳米技术半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法
GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

国家质检总局，关于新型半导体材料的标准

GB/T 31469-2015 半导体材料切削液
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
GB/T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法

，关于新型半导体材料的标准

STAS 6360-1974 半导体材料和设备．术语

国际电工委员会，关于新型半导体材料的标准

IEC 60749-39:2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
IEC 60749-39:2021 RLV 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
IEC 60749-39-2021 RLV 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
IEC 60749-39-2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
IEC 62047-31-2019 半导体器件微机电器件第31部分:层状MEMS材料界面结合能的四点弯曲试验方法
IEC 62047-31:2019 半导体器件微机电器件第31部分:层状MEMS材料界面结合能的四点弯曲试验方法
IEC 62951-5-2019 半导体器件.柔性和可伸展半导体器件.第5部分:柔性材料热特性的试验方法
IEC 62951-5:2019 半导体器件.柔性和可伸展半导体器件.第5部分:柔性材料热特性的试验方法
IEC 62899-203:2018 印刷电子.第203部分:材料.半导体油墨
IEC 62047-21:2014 半导体器件微机电器件第21部分:薄膜MEMS材料泊松比的试验方法
IEC 62047-21-2014 半导体器件. 微型机电装置. 第21部分: 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
IEC 62047-11:2013 半导体器件 - 微机电器件 - 第11部分:用于微机电系统的自由立体材料的线性热膨胀系数的测试方法
IEC 62047-18:2013 半导体器件 - 微机电器件 - 第18部分:薄膜材料的弯曲测试方法
IEC 62047-18-2013 半导体器件.微型机电器件.第18部分:薄膜材料的弯曲测试方法
IEC 62047-11-2013 半导体器件.微型机电装置.第11部分:微型机电装置用无需支撑物材料线性热膨胀系数试验方法
IEC 62047-14:2012 半导体器件 - 微机电器件 - 第14部分:金属膜材料的成形极限测量方法
IEC 62047-10 CORR 1-2012 半导体装置.微机电装置.第10部分:MEMS材料的微极压缩试验.勘误表1
IEC 62047-14-2012 半导体装置.微电机装置.第14部分:金属薄膜材料的成型极限测量方法
IEC 62047-10 Corrigendum 1-2012 半导体装置.微机电装置.第10部分:MEMS材料的微极压缩试验.勘误表1
IEC 62047-12:2011 半导体器件 - 微机电器件 - 第12部分:使用谐振器振荡的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法
IEC 62047-12-2011 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法
IEC 62047-10:2011 半导体器件 - 微机电器件 - 第10部分:MEMS材料的微柱压缩测试
IEC 62047-10-2011 半导体器件.微电子机械器件.第10部分:MEMES材料微极压缩测试
IEC 62047-6:2009 半导体器件 - 微机电器件 - 第6部分:薄膜材料的轴向疲劳试验方法
IEC 62047-6-2009 半导体装置.微电机装置.第6部分:薄膜材料的轴向疲劳试验方法
IEC 62047-2:2006 半导体器件 - 微机电器件 - 第2部分:薄膜材料的拉伸测试方法
IEC 62047-2-2006 半导体装置.微型机电装置.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法
IEC 60749-39:2006 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第39部分:用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶解度的测量
IEC 60749-39-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体器件使用的有机材料的湿气扩散性和水溶解性的测量

法国标准化协会，关于新型半导体材料的标准

NF B44-101-4-2021 精细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第4部分: 甲醛的清除
NF B44-101-5-2021 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第5部分: 甲硫醇的清除
NF C96-050-21-2014 半导体器件. 微型机电装置. 第21部分: 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
NF C96-050-11-2014 半导体器件. 微型机电装置. 第11部分: 微型机电装置用无需支撑物材料线性热膨胀系数试验方法
NF C96-050-18-2014 半导体器件. 微型机电装置. 第18部分: 薄膜材料弯曲试验方法
NF B44-105-2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷) - 室内照明环境下使用的半导体光催化材料的测试光源
NF B44-101-5-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分:甲硫醇的清除
NF B44-101-4-2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷) - 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法 - 第4部分: 甲醛的清除
NF C96-050-14-2012 半导体装置.微电机装置.第14部分:金属薄膜材料的成形极限测量方法
NF C96-050-10-2012 半导体器件.微电子机械器件.第10部分:MEMES材料微极压缩测试
NF C96-050-12-2012 半导体器件 - 微型机电装置 - 第12部分: 使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法.
NF B44-103-2011 细瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).测试半导体光催化材料所用的紫外光源.
NF C96-050-6-2010 半导体装置.微电机装置.第6部分:薄膜材料的轴向疲劳试验方法.
NF C96-022-39-2006 半导体装置.机械和气候试验方法.第39部分:测量用于半导体元件的有机材料的湿气扩散性和水溶解性
NF C96-050-2-2006 半导体装置.微型机电装置.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法

国际标准化组织，关于新型半导体材料的标准

ISO 22197-5:2021 精细陶瓷（高级陶瓷高级技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气纯化性能测试方法 - 第5部分:去除甲硫醇
ISO 22197-4:2021 精细陶瓷（高级陶瓷高级技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第4部分:去除甲醛
ISO 22197-4-2021 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第5部分: 甲醛的清除
ISO 22197-5-2021 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第5部分: 甲硫醇的清除
ISO 22551-2020 精细陶瓷（高级陶瓷高级工业陶瓷）.室内照明环境下用半导体光催化材料测定细菌还原率.估算实际环境细菌污染表面抗菌活性的半干法
ISO 22197-2-2019 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
ISO 22197-3-2019 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第3部分:去除甲苯
ISO 22601-2019 精细陶瓷（高级陶瓷高级工业陶瓷）.通过定量分析总有机碳（TOC）测定半导体光催化材料苯酚氧化分解性能的试验方法
ISO 27447-2019 精细陶瓷（高级陶瓷高级工业陶瓷）.半导体光催化材料抗菌活性的试验方法
ISO 17168-5:2018 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第5部分:去除甲硫醇
ISO 17168-1:2018 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第1部分:去除一氧化氮
ISO 17168-4:2018 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第4部分:去除甲醛
ISO 17168-3:2018 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第3部分:去除甲苯
ISO 19810-2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料自清洁性能的试验方法. 水接触角测量
ISO 19722:2017 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 溶解氧消耗测定半导体光催化材料的光催化活性试验方法
ISO 19722-2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 采用溶氧消耗法测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
ISO 19722-2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 采用溶氧消耗法测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
ISO 22197-1-2016 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能试验方法. 第1部分: 一氧化氮净化
ISO 22197-1-2016 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能试验方法. 第1部分: 一氧化氮净化
ISO 18071:2016 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料的抗病毒活性测定 - 使用噬菌体Q-beta
ISO 18071-2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
ISO 19635:2016 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷）半导体光催化材料的反相活性试验方法
ISO 19635-2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料抑藻活性的试验方法
ISO 18560-1:2014 精细陶瓷（高级陶瓷高级工艺陶瓷） - 室内照明环境下用试验箱法测定半导体光催化材料空气净化性能的试验方法 - 第1部分:甲醛去除率
ISO 18061-2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
ISO 18061:2014 精细陶瓷（先进陶瓷先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的抗病毒活性测定 - 使用噬菌体Q-beta
ISO 17094:2014 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——室内照明环境下半导体光催化材料抗菌活性的试验方法
ISO 17094-2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗菌活性的试验方法
ISO 14605:2013 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——用于测试室内照明环境下使用的半导体光催化材料的光源
ISO 14605-2013 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).室内照明环境用测试半导体光电材料光源
ISO 22197-4:2013 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——半导体光催化材料空气净化性能试验方法第4部分:甲醛的去除
ISO 22197-5:2013 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——半导体光催化材料空气净化性能试验方法第5部分:甲硫醇的去除
ISO 22197-5-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分:甲硫醇的清除
ISO 22197-4-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分:甲醛的清除
ISO 13125-2013 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).半导体光催化材料抗真菌作用试验方法
ISO 13125:2013 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——半导体光催化材料抗真菌活性的试验方法
ISO 10677:2011 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——测试半导体光催化材料的紫外光源
ISO 22197-3-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第3部分:甲苯的清除
ISO 22197-2-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第2部分:乙醛的清除
ISO 22197-2:2011 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——半导体光催化材料空气净化性能试验方法第2部分:乙醛的去除
ISO 22197-3:2011 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——半导体光催化材料空气净化性能试验方法第3部分:甲苯的去除
ISO 10676-2010 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法
ISO 10676:2010 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——通过测定活性氧形成能力测定半导体光催化材料净水性能的试验方法
ISO 27448:2009 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——半导体光催化材料自清洁性能的试验方法——水接触角的测量
ISO 27447-2009 精细陶瓷.(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的抗菌活性用测试方法
ISO 27447:2009 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——半导体光催化材料抗菌活性的试验方法
ISO 22197-1-2007 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除

陕西省市场监督管理局，关于新型半导体材料的标准

DB61/T 1250-2019 Sic（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范

英国标准学会，关于新型半导体材料的标准

BS ISO 19810-2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料自清洁性能的试验方法. 水接触角测量
BS ISO 19722-2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 采用溶氧消耗法测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
BS ISO 22197-1-2016 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.一氧化氮的移除
BS ISO 22197-1-2016 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.一氧化氮的移除
BS ISO 18071-2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
BS ISO 18071-2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
BS ISO 19635-2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料抑藻活性的试验方法
BS EN 62047-21-2014 半导体器件. 微型机电装置. 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
BS ISO 18061-2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
BS ISO 18061-2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
BS ISO 17094-2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗菌活性的试验方法
BS ISO 17094-2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗菌活性的试验方法
BS PD CEN/TS 16599-2014 光催化. 半导体材料光催化性能试验的辐照条件以及此类条件的测量
BS EN 62047-11-2013 半导体器件. 微型机电装置. 微型机电装置用无需支撑物材料线性热膨胀系数试验方法
BS ISO 14605-2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下使用的半导体光催化材料的测试光源
BS EN 62047-18-2013 半导体器件.微型机电装置.薄膜材料的弯曲测试方法
BS ISO 22197-5-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲硫醇的清除
BS ISO 22197-4-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲醛的清除
BS ISO 22197-5-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲硫醇的清除
BS ISO 13125-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料抗真菌作用试验方法
BS ISO 22197-4-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲醛的清除
BS ISO 13125-2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料抗真菌作用试验方法
BS EN 62047-14-2012 半导体装置.微型电机装置.金属薄膜材料的成形极限测量方法
BS EN 62047-12-2011 半导体装置.微型机电装置.使用MEMS结构的共振,薄膜材料的弯曲挠度试验方法
BS EN 62047-10-2011 半导体装置.微电子机械装置.MEMS材料的微型柱压缩试验
BS ISO 10677-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级技术陶瓷).半导体光催化材料测试用紫外光源
BS ISO 10677-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级技术陶瓷).半导体光催化材料测试用紫外光源
BS ISO 22197-3-2011 精制陶瓷(优质陶器,先进工艺陶器).半导体光催化材料的空气净化性能试验方法.甲苯的移除
BS ISO 22197-2-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法乙醛的脱除
BS ISO 22197-3-2011 精制陶瓷(优质陶器,先进工艺陶器).半导体光催化材料的空气净化性能试验方法.甲苯的移除
BS ISO 22197-2-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法乙醛的脱除
BS ISO 10676-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).用形成活性氧的能力测量半导体光催化材料的水净化性能的试验方法
BS ISO 10676-2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).用形成活性氧的能力测量半导体光催化材料的水净化性能的试验方法
BS EN 62047-6-2010 半导体装置.微机电装置.薄膜材料的轴向疲劳试验方法
BS ISO 27448-2009 细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的自洁性能用试验方法.水接触角度的测量
BS ISO 27448-2009 细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的自洁性能用试验方法.水接触角度的测量
BS ISO 22197-1-2008 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.一氧化氮的移除
BS EN 60749-39-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.半导体器件用有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
BS EN 62047-2-2006 半导体器件.微型机电器件.薄膜材料的拉伸试验方法

德国标准化学会，关于新型半导体材料的标准

DIN ISO 22197-1-2016 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除(ISO 22197-1-2007)
DIN 50451-3-2014 半导体工艺用材料测试. 液体中痕量元素测定. 第3部分: 使用电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) 测定高纯度硝酸中的31种元素
DIN 50451-6-2014 半导体工艺用材料测试. 液体中痕量元素测定. 第6部分: 测定含有氢氟酸的高纯度氟化铵溶液蚀刻混合物和高纯度氟化铵溶液 (NH4F) 中的36种元素
DIN EN 62047-11-2014 半导体器件. 微型机电装置. 第11部分:微型机电装置用无需支撑物材料线性热膨胀系数试验方法 (IEC 62047-11-2013); 德文版本EN 62047-11-2013
DIN EN 62047-18-2014 半导体器件. 微型机电装置. 第18部分:薄膜材料的弯曲试验方法 (IEC 62047-18-2013); 德文版本EN 62047-18-2013
DIN 51456-2013 半导体技术用材料的试验. 使用电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) 通过水分析解决方案的多元素测定进行硅晶片的表面分析
DIN EN 62047-14-2012 半导体装置.微电机装置.第14部分:金属薄膜材料的成型极限测量方法(IEC 62047-14-2012).德文版本EN 62047-14-2012
DIN EN 62047-12-2012 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法(IEC 62047-12-2011).德文版本EN 62047-12-2011
DIN EN 62047-10-2012 半导体器件.微电子机械器件.第10部分:MEMES材料微极压缩试验(IEC 62047-10-2011).德文版本 EN 62047-10-2011
DIN EN 62047-6-2010 半导体器件. 微电机设备. 第6部分: 薄膜材料的轴向疲劳试验方法（IEC 62047-6: 2009）; 德文版本EN 62047-6: 2010
DIN 50451-5-2010 半导体工艺用材料测试.液体中痕量元素测定.第5部分:在每千克微克和每千克豪微克范围之内的痕量元素测定用样品和样品制备装置的材料选择及其适用性试验指南
DIN 50452-2-2009 半导体技术用材料的试验.液体中粒子分析的试验方法.第2部分:利用光学粒子计数器测定粒子
DIN 50455-1-2009 半导体技术用材料的试验.表征光阻剂方法.第1部分:涂层厚度的光学法测定
DIN 50451-4-2007 半导体工艺用材料测试.液体中痕量元素测定.用电感耦合等离子体质谱测定法测定纯净水中34中微量元素
DIN EN 62047-2-2007 半导体装置.微型电机装置.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法
DIN EN 60749-39-2007 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:测量用于半导体元件的有机材料的湿气扩散性和水溶解性
DIN 50451-1-2003 半导体工艺材料检验.液体中痕量元素测定.用原子吸收光谱测定法测定硝酸溶剂中银、金、钙、铜、铁、钾和钠的含量
DIN 50451-2-2003 半导体工艺材料测试.液体中痕量元素测定.第2部分:用等离子感应发射分光光度测定法测定氢氟酸中钴(Co)、铬(Cr)、铜(Ca)、铁(Fe)和镍(Ni)的含量
DIN 50450-9-2003 半导体工艺材料测试.载气和掺杂气体杂质测定.第9部分:用气相色谱法测定气态氯化氢中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳、氢和C<下标1>-C<下标3>-烃类含量
DIN 50451-3-2003 半导体工艺用材料测试.液体中痕量元素测定.第3部分:用电感耦合等离子体质谱法测定硝酸中铝(AL)、钴(Co)、铜(Cu)、钠(Na)、镍(Ni)和锌(Zn)的含量
DIN 50454-1-2000 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓
DIN 50455-2-1999 半导体技术用材料的试验.表征光敏抗蚀剂的方法.第2部分:阳极光敏抗蚀剂的光敏度的测定
DIN 50456-3-1999 半导体工艺技术用材料的试验.电子元件模塑化合物材料的特性表示法.第3部分:阳离子杂质的测定
DIN 50441-4-1999 半导体工艺用材料的试验.半导体圆片几何尺寸的测定.第4部分:圆片直径,直径变化量,扁片直径,扁片长度和扁片厚度
DIN 50441-2-1998 半导体工艺材料的试验.半导体芯片几何尺寸的测量.第2部分:棱角剖面的试验
DIN 50440-1998 半导体工艺材料的试验.硅单晶中载流子寿命的测量.用光电导法在微小喷射时测量复合载流子寿命
DIN 50449-2-1998 半导体工艺材料试验.通过红外线吸收测定半导体中杂质含量.第2部分:砷化镓中的硼
DIN 50448-1998 半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定
DIN 50449-1-1997 半导体工艺用材料的检验.通过红外线吸收测定Ⅲ-Ⅴ-连接半导体杂质含量.第1部分:砷化镓中的碳素
DIN 50441-1-1996 半导体工艺材料试验.半导体片几何尺寸测量.第1部分:厚度和厚度变化
DIN 50452-1-1995 半导体工艺用材料的检验.液体中粒子分析的试验方法.第1部分:粒子的显微镜测定
DIN 50452-3-1995 半导体工艺材料的检验.液体中颗粒分析的试验方法.第3部分:光学粒子计数器校正
DIN 50446-1995 半导体工艺材料的检验.硅晶体外延层缺陷种类和缺陷密度的测定
DIN 50438-1-1995 半导体工艺材料检验.用红外吸收法测量硅的杂质含量.第1部分:氧
DIN 50456-2-1995 半导体工艺材料的试验.电子元件用模塑化合物的特性表示法.第2部分:用压力萃取法测定电离子杂质
DIN 50447-1995 半导体工艺材料的检验.用涡流法无接点测量半导体层的表面电阻
DIN 50454-2-1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第2部分:铟磷化物
DIN 50454-3-1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物
DIN 50450-4-1993 半导体工艺材料的检验.运载气体和掺杂剂气体中杂质的测定.用气相色谱法测定氮气中C1－C3烃类化合物
DIN 50445-1992 半导体工艺材料检验.用涡流法无接触测定电阻率.均匀掺杂半导体片
DIN 50455-1-1991 半导体工艺材料的检验.表示光致抗蚀剂特性的方法.第1部分:用光学测量法对涂层厚度的测定
DIN 50450-3-1991 半导体工艺材料的检验.载运气体和混合气体中杂质的测定.第3部分:用火焰电离检验测器测定氢(下标2)、氧(下标2)、氮(下标2)、氩、氦中的甲烷杂质
DIN 50450-2-1991 半导体工艺材料的检验.载运气体和混合气体中杂质的测定.第2部分:用原电池测定氮(下标2)、氩、氦、氖、氢(下标2)中的氧杂质
DIN 50452-2-1991 半导体工艺材料的检验.液体中颗粒分析的试验方法.第2部分:用光学粒子计数器对颗粒的测定
DIN 50453-2-1990 半导体工艺材料的检验.蚀刻混合剂浸蚀率的测定.第2部分:二氧化硅涂层.光学法
DIN 50453-1-1990 半导体工艺材料的检验.蚀刻混合剂浸蚀率的测定.第1部分:单晶硅测重法
DIN 50443-1-1988 半导体工艺使用材料的检验.第1部分:用X射线外形测量法检测半导体单晶硅中晶体缺陷和不均匀性
DIN 50431-1988 半导体材料的试验.用探针直线排列的四探针/直流法测量单晶硅或锗单晶体的电阻率
DIN 50435-1988 半导体材料试验:采用四探针/直流法测量硅片和锗片电阻率的径向变化
DIN 50450-1-1987 半导体工艺材料的检验.载运气体和添加剂气体中杂质的测定.用五氧化二磷电池测定氢、氧、氮、氩和氦中的水杂质
DIN 50434-1986 半导体工艺材料的检验.对(111)和(100)表面采用蚀刻技术的单晶硅的晶体结构缺陷的测定
DIN 50441-3-1985 半导体工艺材料的检验.第3部分:半导体切片几何尺寸的测量.第3部分:用多射线干涉法测定抛光切片的平面偏差
DIN 50439-1982 半导体技术材料的试验.用电容--电压法和水银接点确定单晶层半导体材料中掺杂剂的浓度分布曲线
DIN 50438-2-1982 半导体工艺材料的检验.第2部分:用红外线吸收法测量硅中杂质含量.碳
DIN 50433-3-1982 半导体工艺材料的检验.第3部分:采用劳埃反向散射法测定单晶体取向
DIN 50442-1-1981 半导体无机材料的检验.圆形单晶体半导体薄片表面结构的测定.第1部分:切割和研磨的薄片
DIN 50437-1979 半导体无机材料的试验.用红外线干涉法测量硅外延生长层的的厚度
DIN 50433-2-1976 无机半导体材料的检验.第2部分:采用反射光影法测定单晶体取向
DIN 50433-1-1976 无机半导体材料的检验.第1部分:采用X射线衍射现象对单晶体取向的测定

日本工业标准调查会，关于新型半导体材料的标准

JIS C5630-18-2014 半导体器件. 微型机电装置. 第18部分: 薄膜材料的弯曲试验方法
JIS C5630-12-2014 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法
JIS C5630-12-2014 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法
JIS R1750-2012 精细陶瓷.室内光环境下测试半导体光催化材料用光源
JIS R1750-2012 精细陶瓷.室内光环境下测试半导体光催化材料用光源
JIS C5630-6-2011 半导体器件.微电机装置.第6部分:薄膜材料的轴向疲劳测试方法
JIS C5630-6-2011 半导体器件.微电机装置.第6部分:薄膜材料的轴向疲劳测试方法
JIS C5630-2-2009 半导体器件.微型机电器件.第2部分:薄膜材料的拉伸测试方法

欧洲标准化委员会，关于新型半导体材料的标准

PD CEN/TS 16599-2014 光催化.半导体材料光催化性能的辐照条件及这些条件的测定

韩国标准，关于新型半导体材料的标准

KS L ISO 10676-2012 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法
KS L ISO 27447-2011 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的抗菌活性用测试方法
KS L ISO 27447-2011 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的抗菌活性用测试方法
KS L ISO 22197-1-2008 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除
KS L ISO 22197-1-2008 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除
KS C IEC 60749-39-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体器件使用的有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
KS C IEC 60749-39-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体器件使用的有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量

欧洲电工标准化委员会，关于新型半导体材料的标准

EN 62047-10-2011 半导体器件.微型电机装置.第10部分:微型电机系统(MEMS)材料的微柱压缩试验
EN 62047-12-2011 半导体器件.微型电机装置.第12部分:用微型电机系统(MEMS)结构谐振进行薄膜材料的弯曲疲劳试验方法
EN 62047-2-2006 半导体器件微电机器件.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法 IEC 62047-2:2006
EN 60749-39-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元器件用有机材料湿气扩散率和水溶率的测试 IEC 60749-39-2006

美国国家标准学会，关于新型半导体材料的标准

ANSI/ASTM D3004-2008 压塑交联和热塑性半导体导管和绝缘防护材料用规范

行业标准-电子，关于新型半导体材料的标准

SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
SJ/Z 3206.13-1989 半导体材料发射光谱分析方法通则
SJ/T 11067-1996 红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语

美国材料与试验协会，关于新型半导体材料的标准

ASTM F42-93(1997) 非本征半导体材料导电类型的标准试验方法

澳大利亚标准协会，关于新型半导体材料的标准

AS/NZS 1660.2.2-1998 电缆、包皮和导体的测试方法绝缘、挤压半导体屏蔽和非金属外壳人造橡胶、XLPE和XLPVC材料的特定方法
AS/NZS 1660.2.3-1998 电缆、包皮和导体的测试方法绝缘、挤压半导体屏蔽和非金属外壳 PVC和卤素热塑性塑料材料的特定方法
AS/NZS 1660.2.4-1998 电缆、包皮和导体的测试方法绝缘、挤压半导体屏蔽和非金属外壳聚乙烯和聚丙烯材料的特定方法