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Sauerstoffhalbleiter

Für die Sauerstoffhalbleiter gibt es insgesamt 357 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Sauerstoffhalbleiter die folgenden Kategorien: Diskrete Halbleitergeräte, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Umfangreiche elektronische Komponenten, Ventil, Halbleitermaterial, Elektrische und elektronische Prüfung, Glasfaserkommunikation, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Textilprodukte, Filter.


European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Sauerstoffhalbleiter

  • EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
  • EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)

Defense Logistics Agency, Sauerstoffhalbleiter

British Standards Institution (BSI), Sauerstoffhalbleiter

  • BS EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
  • BS EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
  • BS IEC 62373-1:2020 Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Schneller BTI-Test für MOSFET
  • 18/30381548 DC BS EN 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
  • 17/30366375 DC BS IEC 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
  • BS IEC 60747-8-4:2004 Diskrete Halbleiterbauelemente – Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschaltanwendungen
  • BS ISO 17299-5:2014 Textilien. Bestimmung der Deo-Eigenschaft. Verfahren zur Messung eines Metalloxid-Halbleitersensors

Association Francaise de Normalisation, Sauerstoffhalbleiter

  • NF C80-203*NF EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs).
  • NF EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionenprüfung für Metalloxid-Feldeffekthalbleitertransistoren (MOSFETs)
  • NF C96-051*NF EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
  • NF EN 62373:2006 Prüfung der Vorspannungstemperaturstabilität für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)

International Electrotechnical Commission (IEC), Sauerstoffhalbleiter

  • IEC 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
  • IEC 62373-1:2020 Halbleiterbauelemente – Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Teil 1: Schneller BTI-Test für MOSFET
  • IEC 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
  • IEC 60747-8-4:2004 Diskrete Halbleiterbauelemente – Teil 8-4: Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschaltanwendungen

Danish Standards Foundation, Sauerstoffhalbleiter

  • DS/EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
  • DS/EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)

German Institute for Standardization, Sauerstoffhalbleiter

  • DIN EN 62417:2010-12 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
  • DIN EN 62373:2007 Vorspannungstemperaturstabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006
  • DIN EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
  • DIN EN 62373:2007-01 Vorspannungstemperaturstabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006

ES-UNE, Sauerstoffhalbleiter

  • UNE-EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (Befürwortet von AENOR im September 2010.)
  • UNE-EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Von AENOR im November 2006 gebilligt.)

Group Standards of the People's Republic of China, Sauerstoffhalbleiter

  • T/CECA 35-2019 Metalloxid-Halbleiter-Gassensor
  • T/CASAS 006-2020 Die allgemeine Spezifikation für Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren
  • T/CASAS 015-2022 Power-Cycling-Testverfahren für Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (SiC-MOSFET)

Lithuanian Standards Office , Sauerstoffhalbleiter

  • LST EN 62417-2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010)
  • LST EN 62373-2006 Bias-Temperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006)

Professional Standard - Electron, Sauerstoffhalbleiter

  • SJ 20025-1992 Allgemeine Spezifikation für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
  • SJ 20026-1992 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
  • SJ 20079-1992 Testmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
  • SJ/T 11824-2022 Testmethode für äquivalente Kapazität und Spannungsänderungsrate für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET).

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Sauerstoffhalbleiter

  • GB/T 15652-1995 Allgemeine Spezifikation für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
  • GB/T 15653-1995 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern

U.S. Military Regulations and Norms, Sauerstoffhalbleiter

PH-BPS, Sauerstoffhalbleiter

  • PNS IEC 62373-1:2021 Halbleiterbauelemente – Bias-Temperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Teil 1: Schneller BTI-Test für MOSFET

RU-GOST R, Sauerstoffhalbleiter

  • GOST 26239.7-1984 Halbleitersilizium. Methode zur Bestimmung von Sauerstoff, Kohlenstoff und Stickstoff

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Sauerstoffhalbleiter

  • CNS 8104-1981 Methode zur Messung der linearen MOSFET-Schwellenspannung
  • CNS 8106-1981 Methode zur Messung der MOSFET-Sättigungsschwellenspannung

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Sauerstoffhalbleiter

  • IEEE 641-1987 STANDARDDEFINITIONEN UND CHARAKTERISIERUNG VON METALLNITRIDOXID-HALBLEITER-ARRAYS

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Sauerstoffhalbleiter

  • ANSI/IEEE Std 641-1987 IEEE-Standarddefinitionen und Charakterisierung von Metallnitrid-Oxid-Halbleiter-Arrays

GM North America, Sauerstoffhalbleiter

  • GM GM6078M-1989 Festfilm-Schmierstoffbeschichtungen, harzgebundenes MOS2 und PTFE

International Organization for Standardization (ISO), Sauerstoffhalbleiter

  • ISO 17299-5:2014 Textilien – Bestimmung der Deodorant-Eigenschaft – Teil 5: Metalloxid-Halbleiter-Sensormethode

工业和信息化部, Sauerstoffhalbleiter

  • SJ/T 9014.8.2-2018 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 8-2: Detaillierte Blankospezifikation für Superjunction-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren




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