Sauerstoffgehalt von Halbleitern

Für die Sauerstoffgehalt von Halbleitern gibt es insgesamt 500 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Sauerstoffgehalt von Halbleitern die folgenden Kategorien: Halbleitermaterial, Diskrete Halbleitergeräte, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, nichtmetallische Mineralien, Optoelektronik, Lasergeräte, Umfangreiche elektronische Komponenten, Kernenergietechnik, Chemikalien, Anwendungen der Informationstechnologie, Elektrische und elektronische Prüfung, Ventil, Isoliermaterialien, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Kohle, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Leitermaterial, Prüfung von Metallmaterialien, Optik und optische Messungen, Luftqualität, analytische Chemie, Kraftstoff, Bergbau und Ausgrabung, Telekommunikationsendgeräte, Strahlungsmessung, Glasfaserkommunikation, Ferrolegierung, Anorganische Chemie, Isolierflüssigkeit, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Explosionsgeschützt, Mechanische Komponenten für elektronische Geräte, Textilprodukte, Struktur und Strukturelemente.

HU-MSZT, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

MNOSZ 700-16.lap-1955 Nachweis des Nickelgehalts in Halbleitern
MNOSZ 700-19.lap-1955 STMicroelectronics Pitch-Inhalte
MNOSZ 700-18.lap-1956 Nachweis des Chlorgehalts in Halbleitern
MNOSZ 700-15.lap-1955 Bestimmung des Sulfatgehalts in STMicroelectronics
MSZ 7200/5-1985 Messmethoden für Hochleistungshalbleiterwerkzeuge
MSZ 700/41.lap-1961 STMicroelectronics-Tests. Bestimmen Sie schnell den Gesamtschwefelgehalt
MSZ KGST 1200-1978 Definition von Eisenerz, Konzentrat, Zuschlagstoff und Gehalt an Calciumoxid und Magnesiumoxid
MSZ KGST 1872-1979 Volumenbestimmung des Natriumcarbidgehalts in industriellem Natriumhydroxid
MSZ 3782-1982 Verwenden Sie zur Analyse 30 %ige salpetrige Säure. Wasserstoffperoxid. flüssig
MSZ 21456/5-1986 Erkennung von Luftverschmutzung durch Gase. Bestimmung des Schwefeldioxidgehalts
MSZ KGST 1243-1978 Bestimmung des Aluminiumoxidgehalts durch Bauxit und volumetrische Methode

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
EN IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Teil 3: Stoßgetriebene piezoelektrische Energiegewinnung für Kraftfahrzeugsensoren
EN 60749-7:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
EN 61788-9:2005 Supraleitung Teil 9: Messungen für massive Hochtemperatur-Supraleiter – Eingeschlossene Flussdichte von großkörnigen Oxid-Supraleitern
EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
EN 60747-5-3:2001 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente Messmethoden (Enthält Änderung A1: 2002)

RU-GOST R, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

GOST 26239.7-1984 Halbleitersilizium. Methode zur Bestimmung von Sauerstoff, Kohlenstoff und Stickstoff
GOST 7619.5-1981 Fluorit. Methode zur Bestimmung von Sesquioxiden
GOST R 50471-1993 Halbleiter-Fotoemitter. Messmethode für Halbwertswinkel
GOST 18986.10-1974 Halbleiterdioden. Methoden zur Messung der Induktivität
GOST 18986.12-1974 Halbleiter-Tunneldioden. Verfahren zur Messung der negativen Leitfähigkeit der intrinsischen Diode
GOST 18986.11-1984 Halbleiterdioden. Methoden zur Messung des Gesamtserien-Äquivalentwiderstands
GOST 18986.15-1975 Referenzdioden. Methode zur Messung der Stabilisierungsspannung
GOST 18986.24-1983 Halbleiterdioden. Messmethode der Durchbruchspannung
GOST 24461-1980 Leistungshalbleitergeräte. Prüf- und Messmethoden
GOST 2408.3-1995 Fester Brennstoff. Methoden zur Bestimmung des Sauerstoffgehalts
GOST 19834.0-1975 Halbleiteremitter. Methoden zur Messung von Parametern. Allgemeine Grundsätze
GOST 18986.23-1980 Zener-Dioden. Methoden zur Messung der spektralen Rauschdichte
GOST 26222-1986 Halbleiterdetektoren für ionisierende Strahlung. Methoden zur Parametermessung
GOST R IEC 748-11-1-2001 Integrierte Schaltkreise für Halbleiterbauelemente. Teil 11. Abschnitt 1. Interne visuelle Prüfung für integrierte Halbleiterschaltungen, ausgenommen Hybridschaltungen
GOST 18986.14-1985 Halbleiterdioden. Methoden zur Messung von Differenz- und Steigungswiderständen
GOST 18986.22-1978 Referenzdioden. Methoden zur Messung des Differenzwiderstands
GOST 19656.5-1974 Halbleiter-UHF-Mischer und Detektordioden. Messmethoden für das Ausgangsrauschverhältnis
GOST 19834.4-1979 Halbleiter, die Infrarotdioden abstrahlen. Methoden zur Messung der Strahlungsleistung
GOST 18986.8-1973 Halbleiterdioden. Methode zur Messung der Reverse-Recovery-Zeit
GOST 19656.0-1974 Halbleiter-UHF-Dioden. Messmethoden elektrischer Parameter. Allgemeine Bedingungen
GOST 18986.17-1973 Referenzdioden. Methode zur Messung des Temperaturkoeffizienten der Arbeitsspannung
GOST 19834.2-1974 Halbleiteremitter. Methoden zur Messung der Strahlungsintensität und Strahldichte
GOST 19656.4-1974 Halbleiter-UHF-Mischdioden. Messmethoden für Umwandlungsverluste

Defense Logistics Agency, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS, HEX-SPANNUNGSPEGELVERSCHALTER FÜR TTL-ZU-CMOS- ODER CMOS-ZU-CMOS-BETRIEB, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 4-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94532-1994 MIKROSCHALTUNG, CMOS, 64-BIT-MIKROPROZESSOR
DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96736-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, HOCHGESCHWINDIGKEIT 8-BIT BIDIREKTIONALER CMOS/TTL-SCHNITTSTELLEN-PEGELKONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 MIKROSCHALTUNG, CMOS, VIERFACH-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, EXKLUSIVES NOR-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBARER SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ZWEIDIMENSIONALER KONVOLVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96674 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETER CMOS, ANALOGER 4-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DUAL BINÄRER AUFWÄRTSZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 MIKROKREISE, DIGITAL, CMOS, QUAD D LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ENCODER-DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94533-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16 x 16 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-06208-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, TAKTGENERATOR-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, QUAD 2-EINGANG UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, QUAD 2-EINGANG UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DUAL 4-EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DUAL 4-EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, STATISCHES VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, GEPUFFERTES DREIFACH-NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, HEX-INVERTER-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89638-1989 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS-STROMMODUS-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS 64-BIT-AUSGANGSKORRELATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94642-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, VERBESSERTE MULTIFUNKTIONALE PERIPHERIE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 MIRCOCIRCUIT, DIGITAL, CMOS, ASYNCHRON, SERIELLER CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL, RS232, TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CHMOS, 16-BIT-MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92331-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, KOORDINATENTRANSFORMATOR, 16X16 BIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, UNIVERSAL SERIELLER CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT, MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BUS-TRANSCEIVER, DIFFERENTIAL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, TESTBUS-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DOPPEL-MOSFET-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETER ADVANCED CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, 10-BIT-BUS/MOS-SPEICHERTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 128 X 8-BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 MIKROSCHALTUNGEN, LINEAR, MOSFET-TREIBER, DUAL POWER
DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 3-BIS-8-ZEILEN-DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARER INTERVALL-TIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARE PERIPHERIESCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 MIKROSCHALTUNG, NMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, MOS-TAKTTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79017-1979 MIKROKREISE, CMOS, UNIVERSELLER ASYNCHRONER EMPFÄNGER/SENDER, MONOLITHISCHES SILIKON-GATE
DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, NAND-GATE MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DIGITALER SIGNALPROZESSOR MIT FESTPUNKT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, NIEDRIGE LEISTUNG, PULSWEITENMODULATOR, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, MIKROPROZESSOR-ÜBERWACHUNGSSCHALTUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94537-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-BIT-SPEICHERVERARBEITUNGSEINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ECHTZEITUHR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-KASKADIERBARES ALU, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, PHASE-LOCKED-LOOP-FILTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94745-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 256K X 1-BIT SERIELLE KONFIGURATION PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS-UNTERBRECHUNGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, HOCHLEISTUNGS-MIKROCONTROLLER AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, VIERFACHER BILATERALER SCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8x8 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 12 x 10-BIT-MATRIX-MULTIPLIKATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 MIKROKREISE, DIGITAL, NMOS, 256 x 4 STATISCHER RAM (SRAM) MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SINGLE-POWER-MOSFET-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL 4-EINGÄNGE NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, VIERFACH, 2 EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 10-BIS-4-ZEILEN-PRIORITÄTSENCODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, OKTAL-VERRIEGELTER BUSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 MIKROKREISE, DIGITALES CMOS, QUAD 3-STATE R/S LATCHES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77035-1977 MIKROKREISE, DIGITAL, CMOS, 4-BIT-LATCH, 4-BIS-16-ZEILEN-DECODER
DLA SMD-5962-77056-1977 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, HEX, OPEN DRAIN, N-KANAL-PUFFER
DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 14-STUFIGER BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 12-STUFIGER BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SERIELLE CONTROLLER-SCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARER INTERRUPT-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, MIKROPROZESSOR, DIGITAL, N-KANAL, 16-BIT-MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 12-BIT-BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03251-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, RESOLVER-ZU-DIGITAL-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90997-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CHMOS-BUS-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94517 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BREITBAND, VERSTÄRKER MIT VARIABLER VERSTÄRKERUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS 8-BIT A/D-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89652-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, QUAD-DUAL-PORT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 Mikroschaltkreise, linear, CMOS, 14 Bit, Analog-Digital-Wandler, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 16-BIT, ANALOG-DIGITAL-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS 12-BIT ANALOG-DIGITAL-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89695-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL-JK-FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92026-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, FIXPOINT-PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94709-1994 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, BANG-BANG-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87744-1987 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 1M (64K X 16) BIT, NMOS, UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92103-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, FLOATING POINT PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89954 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DOPPELSYNCHRONER ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, UNIVERSELLER ASYNCHRONER EMPFÄNGER SENDER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90543 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARER DMA-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85528-1986 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUS-ARBITER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93008-1994 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 16K X 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93109-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, EINGEBETTETER PROZESSOR MIT HOHER INTEGRATION, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8x8 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 96-BIT-FLOATING-POINT-DUAL-PORT-PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 32K x 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, A/D-KONVERTER, 12-BIT, CMOS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS-ARINC-BUS-SCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, PRÄZISIONSTIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator MIT ENABLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT INVERTIERTEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, QUAD 2-EINGANG NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE, NOR-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84046 REV F-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, QUAD 2-EINGANG EXKLUSIV-ODER-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, QUAD 2-EINGANG POSITIV UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85030 REV H-2007 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, LINEAR, PRÄZISIONSSPANNUNGSREFERENZEN, DÜNNSCHICHT
DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 1-BIS-64-BIT-VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, QUAD-NAND-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL-4-EINGANG-NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2K X 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 4K X 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS-VIDEO-MULTIPLEXER/VERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94542-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT-KOPROZESSOR FÜR LOKALES NETZWERK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94567-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, X 9 GESTALTETE FIFOS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, UNIVERSAL INTERRUPT CONTROLLER, N-KANAL MOS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89665-1989 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, 9-BIT-BREITGEPUFFERTE REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL-MIKROPOWER-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89715 REV B-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BILD-RESAMPLING-SEQUENCER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 MIKROSCHALTUNG, HOCHLEISTUNGS-CMOS-BUSPUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89726 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, E/A-ERWEITERTER MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, EE-PROGRAMMIERBARE ARRAY-LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92106-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ADRESSPROZESSOR 2, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS, NUMERISCHER DATENPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90518 REV A-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS-PROGRAMMIERBARER BITRATEN-GENERATOR AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-88599-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, ZEITSTEUEREINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT-MIKROPROZESSOR MIT HOHER INTEGRATION, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, VIERFACH-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-16 BIT PARALLELSCHNITTSTELLE/TIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, QUAD, SPDT-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93182 REV D-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SCHIENE-ZU-SCHIENE, VIERFACH-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93255 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS QUAD, SPST-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96803-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS-HEX-WECHSELRICHTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95652 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT DREI EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-MAGNITUDENKPARATOR, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84090 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, VIERFACH-DREISTAUS-BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84092 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DOPPELTER 2-ZEILEN-BIS 4-ZEILEN-DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77055 REV B-1981 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS DUAL, NACHTRIGGERBARER/RÜCKSETZBARER MONOSTABLER MULTIVIBRATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, HEX D FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS, 16-BIT-MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91513-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS UND-ODER-INVERT-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, CMOS, 4K X 9 PARALLEL SYNCHRONES FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16 x 16 BIT PARALLELMULTIPLIKATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, EINMALIG PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94564-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 24-BIT ALLGEMEINER DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 8-BIT-VIDEO-D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 12-BIT-CMOS, SCHNELLER A/D-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL, CMOS, 12-BIT, D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, GRAFIKSYSTEMPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94608-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 12-BIT KASKADIERBARER MULTIPLIER-SOMMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89716 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 4 X 16-BIT MULTILEVEL PIPELINE REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL, CMOS, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90504 REV C-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BINÄRER FILTER UND TEMPLATE MATCHER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88568-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, NMOS, EINZELKOMPONENTEN, 8-BIT-MIKROCOMPUTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 5000 GATE PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY 4000 GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROZESSOR-SCHNITTSTELLENSCHALTUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92284-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT-RISC-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92305 REV E-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 10000 GATE PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, OKTAL-PI-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON

German Institute for Standardization, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

DIN 50438-1:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption – Teil 1: Sauerstoff
DIN EN 62417:2010-12 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
DIN 50449-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 2: Bor in Galliumarsenid
DIN EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
DIN 50447:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Schichtwiderstands von Halbleiterschichten mit der Wirbelstrommethode
DIN 50449-1:1997 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 1: Kohlenstoff in Galliumarsenid
DIN 50441-1:1996 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 1: Dicke und Dickenschwankung
DIN EN 62373:2007 Vorspannungstemperaturstabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006
DIN EN 60749-7:2012 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase (IEC 60749-7:2011); Deutsche Fassung EN 60749-7:2011
DIN EN 62373:2007-01 Vorspannungstemperaturstabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006
DIN 50441-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 2: Prüfung des Kantenprofils
DIN 43653:1976 Sicherungen mit hoher Schaltleistung für Halbleiterwandler
DIN EN 60749-7:2012-02 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase (IEC 60749-7:2011); Deutsche Fassung EN 60749-7:2011 / Hinweis: DIN EN 60749-7 (2003-04) bleibt weiterhin gültig...
DIN 50450-9:2003 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik - Bestimmung von Verunreinigungen in Trägergasen und Dotierstoffgasen - Teil 9: Bestimmung von Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenmonoxid, Kohlendioxid, Wasserstoff und CC-Kohlenwasserstoffen in gasförmigen Hydr
DIN 51722-1:1990-07 Prüfung fester Brennstoffe; Bestimmung des Stickstoffgehalts; Halbmikro-Kjeldahl-Methode
DIN EN 14756:2007 Bestimmung der Grenzsauerstoffkonzentration (LOC) für brennbare Gase und Dämpfe; Englische Fassung der DIN EN 14756:2007-02
DIN 50443-1:1988 Prüfung von Materialien zur Verwendung in der Halbleitertechnologie; Erkennung von Kristalldefekten und Inhomogenitäten in Silizium-Einkristallen mittels Röntgentopographie
DIN 51726:2004 Prüfung fester Brennstoffe – Bestimmung des Carbonat-Kohlendioxidgehalts

British Standards Institution (BSI), Sauerstoffgehalt von Halbleitern

BS EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
BS IEC 60747-8-4:2004 Diskrete Halbleiterbauelemente – Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschaltanwendungen
13/30264596 DC BS EN 60747-14-7. Halbleiterbauelemente. Teil 14-7. Halbleitersensor. Durchflussmesser
BS EN 62830-3:2017 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Vibrationsbasierte elektromagnetische Energiegewinnung
BS IEC 62830-1:2017 Halbleiterbauelemente. Halbleitergeräte zur Energiegewinnung und -erzeugung – Vibrationsbasierte piezoelektrische Energiegewinnung
BS IEC 62830-7:2021 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Triboelektrische Energiegewinnung im linearen Gleitmodus
BS IEC 62373-1:2020 Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Schneller BTI-Test für MOSFET
BS IEC 62830-3:2017 Halbleitergeräte – Halbleitergeräte zur Energiegewinnung und -erzeugung. - Teil 3: Vibrationsbasierte elektromagnetische Energiegewinnung
BS EN IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente. Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Stoßgetriebene piezoelektrische Energiegewinnung für Kraftfahrzeugsensoren
BS EN 60749-7:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
BS IEC 62830-2:2017 Halbleitergeräte – Halbleitergeräte zur Energiegewinnung und -erzeugung. - Teil 2: Thermokraftbasierte thermoelektrische Energiegewinnung
BS EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
BS EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
BS EN 62007-2:2000 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Messmethoden
BS IEC 62830-5:2021 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Prüfverfahren zur Messung der von flexiblen thermoelektrischen Geräten erzeugten Leistung
BS IEC 62830-4:2019 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Test- und Bewertungsmethoden für flexible piezoelektrische Energiegewinnungsgeräte
BS IEC 63275-1:2022 Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren – Testverfahren für die Instabilität der Vorspannungstemperatur
18/30381548 DC BS EN 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
17/30366375 DC BS IEC 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
BS EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Messmethoden
14/30296894 DC BS EN 62830-1. Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Teil 1. Vibrationsbasierte piezoelektrische Energiegewinnung
18/30380675 DC BS EN IEC 62830-7. Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Teil 7. Triboelektrische Energiegewinnung im linearen Gleitmodus
BS EN 61788-9:2005 Supraleitung – Teil 9: Messungen für massive Hochtemperatur-Supraleiter – Eingeschlossene Flussdichte von großkörnigen Oxid-Supraleitern
18/30355426 DC BS EN 62830-5. Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Teil 5. Prüfverfahren zur Messung der von flexiblen thermoelektrischen Geräten erzeugten Leistung
BS IEC 62830-6:2019 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Test- und Bewertungsmethoden für triboelektrische Energiegewinnungsgeräte im vertikalen Kontaktmodus
BS EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
BS IEC 60747-14-11:2021 Halbleitergeräte – Halbleitersensoren. Testverfahren für auf Oberflächenwellen basierende integrierte Sensoren zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
BS ISO 17299-5:2014 Textilien. Bestimmung der Deo-Eigenschaft. Verfahren zur Messung eines Metalloxid-Halbleitersensors
PD ES 59008-4-1:2001 Datenanforderungen für Halbleiterchips. Spezifische Anforderungen und Empfehlungen. Test und Qualität
BS EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
BS EN 14756:2006 Bestimmung der Grenzsauerstoffkonzentration (LOC) für brennbare Gase und Dämpfe
BS EN 14756:2007 Bestimmung der Grenzsauerstoffkonzentration (LOC) für brennbare Gase und Dämpfe
20/30406230 DC BS IEC 63275-1. Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid. Teil 1. Testmethode für Bias-Temperaturinstabilität

Group Standards of the People's Republic of China, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

T/CECA 35-2019 Metalloxid-Halbleiter-Gassensor
T/QGCML 743-2023 Spezifikationen für den Anodisierungsprozess von Halbleiterausrüstungsteilen
T/CASAS 006-2020 Die allgemeine Spezifikation für Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren
T/CASAS 015-2022 Power-Cycling-Testverfahren für Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (SiC-MOSFET)
T/CNIA 0143-2022 Hochreine Harzgefäße für die Spurenverunreinigungsanalyse von Halbleitermaterialien

Association Francaise de Normalisation, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

NF C80-203*NF EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs).
NF EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionenprüfung für Metalloxid-Feldeffekthalbleitertransistoren (MOSFETs)
NF C86-010:1986 Halbleiterbauelemente. Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Diskrete Halbleiterbauelemente. Allgemeine Spezifikation.
NF EN IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Teil 3: Gewinnung piezoelektrischer Stoßenergie für Automobilsensoren
NF C96-051*NF EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
NF M03-051:2002 Brennbare mineralische Feststoffe – Berechnung der Sauerstoffgehalte pro Differenz
NF EN 62373:2006 Prüfung der Vorspannungstemperaturstabilität für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
NF C96-022-7*NF EN 60749-7:2012 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase.
NF EN 60749-7:2012 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des inneren Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
NF C31-888-9*NF EN 61788-9:2005 Supraleitung – Teil 9: Messungen für massive Hochtemperatur-Supraleiter – Eingeschlossene Flussdichte von großkörnigen Oxid-Supraleitern.
NF EN 61788-9:2005 Supraleitung – Teil 9: Messungen für massive Hochtemperatur-Supraleiter – Restflussdichte grobkörniger Oxid-Supraleiter
NF C96-069-3*NF EN IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Teil 3: Stoßgetriebene piezoelektrische Energiegewinnung für Kraftfahrzeugsensoren
NF C86-503:1986 Halbleiterbauelemente. Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren und Fototransistor-Arrays. Blanko-Bauartspezifikation CECC 20 003.

International Electrotechnical Commission (IEC), Sauerstoffgehalt von Halbleitern

IEC 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
IEC 60747-8-4:2004 Diskrete Halbleiterbauelemente – Teil 8-4: Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschaltanwendungen
IEC 62830-2:2017 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 2: Thermoelektrische Energiegewinnung auf Basis von Thermoenergie
IEC 62830-3:2017 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 3: Vibrationsbasierte elektromagnetische Energiegewinnung
IEC 62373-1:2020 Halbleiterbauelemente – Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Teil 1: Schneller BTI-Test für MOSFET
IEC 62830-1:2017 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 1: Vibrationsbasierte piezoelektrische Energiegewinnung
IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Teil 3: Stoßgetriebene piezoelektrische Energiegewinnung für Kraftfahrzeugsensoren
IEC 60749-7/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
IEC 62830-7:2021 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 7: Triboelektrische Energiegewinnung im linearen Gleitmodus
IEC 62830-5:2021 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 5: Prüfverfahren zur Messung der erzeugten Leistung flexibler thermoelektrischer Bauelemente
IEC 60749-7:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
IEC 60749-7:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
IEC 63275-1:2022 Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die Zuverlässigkeit von diskreten Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 1: Prüfverfahren für die Instabilität der Vorspannungstemperatur
IEC 61788-9:2005 Supraleitung – Teil 9: Messungen für massive Hochtemperatur-Supraleiter – Eingeschlossene Flussdichte von großkörnigen Oxid-Supraleitern
IEC 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
IEC 63275-2:2022 Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 2: Testverfahren für bipolare Verschlechterung aufgrund des Body-Diode-Betriebs
IEC 60749-39:2021 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden

Professional Standard - Electron, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

SJ 20744-1999 Allgemeine Regel der Infrarot-Absorptionsspektralanalyse für die Verunreinigungskonzentration in Halbleitermaterialien
SJ 20025-1992 Allgemeine Spezifikation für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ 20026-1992 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ 20079-1992 Testmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ/T 9533-1993 Qualitätsstandard für diskrete Halbleiterbauelemente
SJ/T 9534-1993 Qualitätsstandard für integrierte Halbleiterschaltungen
SJ/T 11487-2015 Berührungsloses Messverfahren für den spezifischen Widerstand halbisolierender Halbleiterwafer
SJ/T 10705-1996 Standardverfahren zur Prüfung der Oberflächenqualität von Halbleiter-Anschlussdrähten
SJ/T 11824-2022 Testmethode für äquivalente Kapazität und Spannungsänderungsrate für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET).
SJ/T 2658.7-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarot-emittierende Dioden. Teil 7: Strahlungsfluss
SJ 2355.6-1983 Methode zur Messung des Lichtstroms von lichtemittierenden Geräten

Danish Standards Foundation, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

DS/EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
DS/EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
DS/EN 60749-7:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase

ES-UNE, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

UNE-EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (Befürwortet von AENOR im September 2010.)
UNE-EN IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Teil 3: Stoßgetriebene piezoelektrische Energiegewinnung für Kraftfahrzeugsensoren (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im August 2018.)
UNE-EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Von AENOR im November 2006 gebilligt.)
UNE-EN 60749-7:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase (Genehmigt von AENOR im Dezember 2011.)
UNE-EN 61788-9:2005 Supraleitung – Teil 9: Messungen für massive Hochtemperatur-Supraleiter – Eingeschlossene Flussdichte von großkörnigen Oxid-Supraleitern (Befürwortet von AENOR im November 2005.)

Lithuanian Standards Office , Sauerstoffgehalt von Halbleitern

LST EN 62417-2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010)
LST EN 62373-2006 Bias-Temperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006)
LST EN 60749-7-2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase (IEC 60749-7:2011)

CZ-CSN, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

CSN 35 8754-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messung der Kurzschlussausgangsadmittanz
CSN 35 8773-1977 Messung von Halbleiterbauelementen. Thyristoren. Messung des Sperrstroms und Rückwärtssperrstroms.
CSN 35 8756-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren Messung von y-Parametern
CSN 35 8740-1973 Halbleitergeräte. Transistor. Messung der Sättigungsspannung
CSN 35 8732-1964 Halbleiterdioden. Messung des Vorwärtsstroms
CSN 44 1350-1974 Bestimmung von Sauerstoff in festen Brennstoffen
CSN 35 8742-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messung von Abschaltströmen
CSN 35 8736-1964 Halbleiterdioden. Messung der Kapazität zwischen den Elektroden
CSN 35 1603-1983 Leistungshalbleitergeräte. Allgemeine Messmethoden
CSN 35 8770-1970 Thyristoren. Methode zur Messung der Durchlassspannung
CSN 35 8734-1975 Halbleitergeräte. Dioden. Messung des Rückstroms.
CSN 35 8759-1977 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Methoden zur Messung von Schaltzeiten
CSN 35 8749-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messung des Absolutwerts der Kurzschluss-Vorwärtsübertragungsadmittanz
CSN 35 8767-1982 Halbleiterdioden Methoden zur Messung elektrischer Parameter
CSN 35 8850 Cast.1-1984 Halbleiterstrahler. Hauptparameter von Messmethoden
CSN 35 8737-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden. Messung der Differential-Rosistanoe
CSN 35 8772-1970 Thyristoren. Methode zur Messung des Haltestroms
CSN 35 8760-1973 Seraleiter. Stabilisierungsdioden. Messung des Spannungstemperaturkoeffizienten
CSN 35 8735-1964 Halbleiterdioden. Messung von Gleichströmen und Spannungen
CSN 35 8769-1983 Halbleiter-Zener-Dioden. Methoden zur Messung elektrischer Parameter
CSN 35 8768-1983 Halbleiterschaltdioden. Methoden zur Messung elektrischer Parameter
CSN 35 8761-1973 Halbleiterbauelemente. Fototransistoren Fotodioden. Messung des fotoelektrischen Stroms
CSN 35 8762-1973 Halbleiterbauelemente. Fototransistoren Fotodioden. Messung des Dunkelstroms
CSN 35 8752-1976 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messmethoden für die gemeinsame Basis-Ausgangskapazität.
CSN 35 8766-1976 Halbleitergeräte. Schaltdioden. Messung der Vorwärtsspannung.
CSN 35 8731-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden Messung der Gleichstrom-Durchlassspannung
CSN 35 8850 Cast.2-1984 Halbleiter-Strahlungsdetektoren. Hauptparameter von Messmethoden
CSN 35 8763-1973 Halbleiterbauelemente. Dioden. Messung o? Sperrdurchbruchspannung
CSN 35 8785-1975 Halbleiterbauelemente. Varicaps. Messung des thermischen Kapazitätskoeffizienten.
CSN 35 8733-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden. Messung der Rückspannung (Arbeitsspannung)
CSN 35 8764-1976 Halbleitergeräte. Schaltdioden. Messung o? Reverse-Recovery-Zeit.
CSN 35 8765-1976 Halbleiterbauelemente. Schaltdioden. Messung der Reverse-Recovery-Gebühr.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Sauerstoffgehalt von Halbleitern

ASTM UOP649-10 Gesamtsauerstoff in festen, halbfesten und hochsiedenden flüssigen Kohlenwasserstoffen durch Pyrolyse
ASTM F1893-98(2003) Leitfaden zur Messung des Burnouts der ionisierenden Dosisleistung von Halbleiterbauelementen
ASTM F1893-98 Leitfaden zur Messung des Burnouts der ionisierenden Dosisleistung von Halbleiterbauelementen
ASTM F616M-96 Standardtestmethode zur Messung des MOSFET-Drain-Leckstroms (metrisch)
ASTM F616M-96(2003) Standardtestmethode zur Messung des MOSFET-Drain-Leckstroms (metrisch)
ASTM F1893-18 Leitfaden zur Messung der Überlebensfähigkeit ionisierender Dosisleistung und des Burnouts von Halbleiterbauelementen
ASTM F1893-11 Leitfaden zur Messung der Überlebensfähigkeit ionisierender Dosisleistung und des Burnouts von Halbleiterbauelementen

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

GB/T 15652-1995 Allgemeine Spezifikation für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
GB/T 15653-1995 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
GB/T 11685-2003 Messverfahren für Halbleiter-Röntgendetektorsysteme und Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
GB/T 21115-2007(英文版) Messung der Levitationskraft von massivem Oxid-Supraleiter
GB/T 5201-2012 Testverfahren für Detektoren geladener Halbleiterteilchen
GB/T 42676-2023 Röntgenbeugungsmethode zur Prüfung der Qualität von Halbleitereinkristallen
GB/T 21115-2007 Messung der Levitationskraft von massivem Oxid-Supraleiter
GB/T 14144-1993 Testmethode zur Bestimmung der radialen interstitiellen Sauerstoffschwankung in Silizium
GB/T 14144-2009 Prüfverfahren zur Bestimmung der radialen interstitiellen Sauerstoffschwankung in Silizium
GB/T 1557-2006 Die Methode zur Bestimmung des interstitiellen Sauerstoffgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption
GB/T 41853-2022 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung

YU-JUS, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

JUS H.F8.121-1986 Gase. Sauerstoff. Bestimmung des Sauerstoffgehalts. Absorptionsmethode
JUS N.R1.470-1985 Halbleiterbauelemente. Referenzmessmethoden
JUS H.F8.125-1986 Gase. Bestimmung des Sauerstoffgehalts Kolorimetrische Methode
JUS H.G8.050-1983 Reagenzien, Wasserstoffperoxid. Bestimmung des Wasserstoffperoxidgehalts. Volumetrische Methode
JUS H.G8.284-1987 Reagenzien. Kupfer(ll)oxid. Bestimmung des Kupfer(ll)oxid-Gehalts. Volumetrische Methode
JUS H.F8.122-1986 Gase. Bestimmung des Sauerstoffgehalts. Gaschromatographische Methode
JUS H.F8.191-1986 Gase. Bestimmung von Kohlenmonoxid. Absorptionsmethode
JUS H.B8.654-1983 Wasserstoffperoxid für den industriellen Einsatz. Bestimmung des Wasserstoffperoxidgehalts. Volumetrische Methode
JUS H.F8.190-1989 Gase. Bestimmung von Kohlenmonoxid. Auswahl an Metfioden
JUS H.F8.151-1986 Gase. Bestimmung des Kohlendioxidgehalts. Absorptionsmethode
JUS H.F8.150-1989 Gase. Bestimmung von Kohlendioxid. Auswahl der Methoden
JUS H.F8.180-1989 Gase. Bestimmung von Schwefeldioxid. Auswahl der Methoden
JUS H.G8.410-1991 Reagenzien. Natriumhydrogenoxid. Bestimmung des Natriumhydroxid- und Carbonatgehalts. Volumetrische Methode
JUS H.F8.152-1986 Gase. Bestimmung des Kohlendioxidgehalts. Gaschromatographisches MethctC/
JUS H.G8.509-1991 Reagenzien. Kaliumhydroxid. Bestimmung von Kaliumhydroxid- und Carbonatgehalten. Volumetrische Methode

PH-BPS, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

PNS IEC 62830-2:2021 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 2: Thermoelektrische Energiegewinnung auf Basis von Thermoenergie
PNS IEC 62373-1:2021 Halbleiterbauelemente – Bias-Temperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Teil 1: Schneller BTI-Test für MOSFET
PNS IEC 62830-4:2021 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 4: Test- und Bewertungsmethoden für flexible piezoelektrische Energiegewinnungsgeräte

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Sauerstoffgehalt von Halbleitern

KS C 2607-1974(2000) TESTMETHODEN VON HALBLEITERN
KS C 2607-1980 TESTMETHODEN VON HALBLEITERN
KS C IEC 60749-7:2004 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
KS C IEC 60749-7:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
KS C 6563-1996(2016) Hauptmessmethoden für Halbleiter-Drucksensorelemente
KS C 6563-1996(2021) Hauptmessmethoden für Halbleiter-Drucksensorelemente
KS C 6520-2021 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften mittels Plasma
KS C IEC 60748-2-5:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise Teil 2: Digitale integrierte Schaltkreise Abschnitt 5 – Blanko-Detailspezifikation für komplementäre digitale integrierte MOS-Schaltkreise (Serie 4 000B und 4 000UB)
KS C IEC 60748-2-4:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 2: Digitale integrierte Schaltkreise – Abschnitt 4: Familienspezifikation für komplementäre digitale integrierte MOS-Schaltkreise, Serien 4 000 B und 4 000 UB
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden

PL-PKN, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

PN T01208-03-1992 Halbleiterbauelemente, Bipolartransistoren, Messmethoden
PN T01303-03-1991 Halbleitergeräte. Integrierte Schaltkreise. Analoge integrierte Schaltkreise. Messmethoden

U.S. Military Regulations and Norms, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
ARMY MIL-M-63530-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
ARMY MIL-M-63320 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGÜLTIGE LOGIK)
ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 MILITÄRSPEZIFIKATION MIKROKREIS, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
ARMY MIL-I-48632-1986 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
ARMY MIL-I-48634-1986 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCO/DLA MULTICHIP CMOS
ARMY MIL-M-48646-1986 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCO/DLA MULTICHIP CMOS
ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGÜLTIGE LOGIK)
ARMY MIL-M-63321 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGÜLTIGE LOGIK)
ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
ARMY MIL-M-63324 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE

工业和信息化部, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

SJ/T 9014.8.2-2018 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 8-2: Detaillierte Blankospezifikation für Superjunction-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren
YB/T 4908.6-2021 Bestimmung des Sauerstoff- und Stickstoffgehalts in Vanadium-Aluminium-Legierungen durch Inertgasfusions-Infrarotabsorptionsverfahren und Wärmeleitfähigkeitsverfahren

Society of Automotive Engineers (SAE), Sauerstoffgehalt von Halbleitern

SAE AMS2315A-1980 BESTIMMUNG DES FREIEN FERRITGEHALTS
SAE AMS2315-1963 KOSTENLOSE FERRITGEHALT-Methode zur Bestimmung des Prozentsatzes
SAE AIR1921-1994 FUNKENZÜNDER-HALBLEITERWIDERSTANDSMESSUNG UNTER VERWENDUNG KONTROLLIERTER ENERGIEPEGEL

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

GB/T 40789-2021 Gasanalyse – Automatische Online-Messsysteme für den Gehalt an Kohlenmonoxid, Kohlendioxid und Sauerstoff – Bestimmung von Leistungsmerkmalen
GB/T 1557-2018 Testverfahren zur Bestimmung des interstitiellen Sauerstoffgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption
GB/T 41040-2021 COTS-Halbleiterteile für Raumfahrtanwendungen – Anforderungen zur Qualitätssicherung

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

JEDEC JEB5-A-1970 Messmethoden für Halbleiter-Logik-Gating-Mikroschaltungen
JEDEC JEB15-1969 Terminologie und Messmethoden für bistabile Halbleiter-Mikroschaltungen
JEDEC EIA-318-B-1996 Messung der Sperrverzögerungszeit für Halbleitersignaldioden [Ersetzt: JEDEC 318-1]
JEDEC JESD286-B-2000 Standard zur Messung der Vorwärtsschalteigenschaften von Halbleiterdioden

ESDU - Engineering Sciences Data Unit, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

ESDU 02002 A-2005 Wärmeleitfähigkeit von Flüssigkeiten: Sauerstoffhaltige aromatische Verbindungen.

IN-BIS, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

IS 4400 Pt.4-1981 Messmethoden für Halbleiterbauelemente Teil IV Transistoren
IS 4400 Pt.1-1967 Messmethoden für Halbleiterbauelemente Teil Ⅰ Allgemeine Grundsätze
IS 4400 Pt.10-1983 Messmethoden für Halbleiterbauelemente Teil 10 Feldeffekttransistoren
IS 12737-1988 Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Sauerstoffgehalt von Halbleitern

JIS K 0315:2022 Verfahren zur Messung reduzierender Spurengase mittels Halbleiter-Spurengasmessgeräten
JIS H 7313:2007 Supraleitung – Messungen für massive Hochtemperatur-Supraleiter – Eingeschlossene Flussdichte von großkörnigen Oxid-Supraleitern
JIS K 0301:1998 Methoden zur Bestimmung von Sauerstoff im Rauchgas
JIS K 0301:2016 Methoden zur Bestimmung von Sauerstoff im Rauchgas
JIS B 7983:1994 Kontinuierliche Analysatoren für Sauerstoff im Rauchgas
JIS K 0098:1998 Methoden zur Bestimmung von Kohlenmonoxid im Rauchgas
JIS K 0098:2016 Methoden zur Bestimmung von Kohlenmonoxid im Rauchgas

IPC - Association Connecting Electronics Industries, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

IPC TM-650 5.1.412-1975 Analyse von Epoxidharz auf Feststoffgehalt

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

CNS 8104-1981 Methode zur Messung der linearen MOSFET-Schwellenspannung
CNS 8106-1981 Methode zur Messung der MOSFET-Sättigungsschwellenspannung
CNS 13805-1997 Methode zur Messung der Photolumineszenz optoelektronischer Halbleiterwafer

Association of German Mechanical Engineers, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

VDI/VDE 3713 Blatt 8-1995 Technische Beschaffungsspezifikation – Epoxidharz-Verkapselungsmittel für Halbleiterchips

CU-NC, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

NC 66-13-1984 Elektronik. Qualitätsspezifikationen für Wärmeableiter für Halbleiter
NC 24-22-1984 Anorganische chemische Produkte. Flüssiges Natriumhydroxid. Bestimmung des Inhalts von Sodlum Hydrox?de

RO-ASRO, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

STAS 10954-1977 HALBLEITER-GLEICHRICHTER Allgemeine technische Anforderungen an die Qualität
STAS 12124/1-1982 Halbleiterbauelemente BIPOLARTRANZISTOREN Methoden zur Messung elektrischer statischer Parameter
STAS 12124/3-1983 Halbleiterbauelemente FIFL D-EFFECT TRANZISTORS Methoden zur Messung elektrischer statischer Parameter
STAS 12124/4-1983 Halbleiterbauelemente FELDEFFEKTRANZISTOREN Methoden zur Messung elektrischer statischer Parameter

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Sauerstoffgehalt von Halbleitern

IEEE 641-1987 STANDARDDEFINITIONEN UND CHARAKTERISIERUNG VON METALLNITRIDOXID-HALBLEITER-ARRAYS

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

EN 60749-7:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
EN 60749:1999 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden (Enthält Änderungen A1: 2000 und A2: 2001)

Indonesia Standards, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

SNI 13-4125-1996 Code zur Messung von Kohlendioxidgas im Untertagebergbau
SNI 19-1432-1989 Abgase, Prüfverfahren für den Stickstoffdioxidgehalt
SNI 19-2877-1992 Abgase, Prüfverfahren für den Gehalt an Cyanidwasserstoff

Professional Standard - Post and Telecommunication, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

YD/T 682-1994 Qualitätsbewertungskriterien für Halbleiter-Gleichrichteranlagen für die Kommunikation

KR-KS, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

KS C IEC 60749-7-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase

未注明发布机构, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

DIN 50450-9 E:2020-11 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik - Bestimmung von Verunreinigungen in Trägergasen und Dotierstoffgasen - Teil 9: Bestimmung von Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenmonoxid, Kohlendioxid, Wasserstoff und CC-Kohlenwasserstoffen in gasförmigen Hydr
DIN 50450-9:2021-07 Testing of materials for semiconductor technology - Determination of impurities in carrier gases and dopant gases - Part 9: Determination of oxygen, nitrogen, carbonmonoxide, carbondioxide, hydrogen and C<(Index)1>-C<(Index)3>-hydrocarbons in gaseous hydr

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Sauerstoffgehalt von Halbleitern

ANSI/IEEE Std 641-1987 IEEE-Standarddefinitionen und Charakterisierung von Metallnitrid-Oxid-Halbleiter-Arrays

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

GB/T 4702.17-2016 Chrommetall─Bestimmung des Sauerstoff-, Stickstoff- und Wasserstoffgehalts─Inertgasfusions-Thermo-Infrarot-Detektionsverfahren und Leitfähigkeitsverfahren
GB/T 30537-2014 Supraleitung – Messungen für Massen-Hochtemperatur-Supraleiter – Eingeschlossene Flussdichte von großkörnigen Oxid-Supraleitern

Sichuan Provincial Standard of the People's Republic of China, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

DB51/T 2043-2015 Bestimmung des Sauerstoff- und Stickstoffgehalts in Vanadium-Aluminium-Legierungs-Inertgas-Fusions-Infrarot-Absorptionsverfahren und Wärmeleitfähigkeitsverfahren

Professional Standard - Petrochemical Industry, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

SH/T 0341-1992 Methode zur Bestimmung des Aluminiumoxidgehalts im Katalysatorträger

SE-SIS, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

SIS SS 18 71 67-1984 Feste mineralische Brennstoffe – Bestimmung des Kohlendioxidgehalts – Gravimetrisches Verfahren

Professional Standard - Aerospace, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

QJ 10004-2008 Methode zur Prüfung der Gesamtdosisstrahlung von Halbleiterbauelementen für Raumfahrtanwendungen

GM North America, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

GM GM6078M-1989 Festfilm-Schmierstoffbeschichtungen, harzgebundenes MOS2 und PTFE

VN-TCVN, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

TCVN 4920-2007 Feste mineralische Brennstoffe.Bestimmung des Karbonatkohlenstoffgehalts.Gravimetrische Methode

SAE - SAE International, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

SAE AIR1921-1985 Messung des Halbleiterwiderstands von Funkenzündern unter Verwendung kontrollierter Energieniveaus

International Organization for Standardization (ISO), Sauerstoffgehalt von Halbleitern

ISO/TS 17915:2013 Optik und Photonik. Messverfahren von Halbleiterlasern zur Sensorik
ISO 991:1976 Kaliumhydroxid für industrielle Zwecke – Bestimmung des Carbonatgehalts – Gasvolumetrische Methode
ISO 980:1976 Natriumhydroxid für industrielle Zwecke – Bestimmung des Carbonatgehalts – Gasvolumetrische Methode
ISO 17915:2018 Optik und Photonik – Messverfahren von Halbleiterlasern für die Sensorik
ISO 925:1980 Feste mineralische Brennstoffe; Bestimmung des Kohlendioxidgehalts; Gravimetrische Methode

Professional Standard - Building Materials, Sauerstoffgehalt von Halbleitern

JC/T 2133-2012 Bestimmung von Verunreinigungen in Kieselsol für Polierlösungen in der Halbleiterindustrie. Atomemissionsspektrometrische Methode mit induktiv gekoppeltem Plasma

European Committee for Standardization (CEN), Sauerstoffgehalt von Halbleitern

EN 14756:2006 Bestimmung der Grenzsauerstoffkonzentration (LOC) für Gase und Dämpfe