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Semiconductor de espectro UV

Semiconductor de espectro UV, Total: 127 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Semiconductor de espectro UV son: Óptica y medidas ópticas., Química analítica, Materiales semiconductores, químicos inorgánicos, Optoelectrónica. Equipo láser, Circuitos integrados. Microelectrónica, Cerámica, Componentes electrónicos en general., Dispositivos semiconductores, Física. Química, Mediciones de radiación, Combustibles, pruebas de metales.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Semiconductor de espectro UV

GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis
GB/T 24370-2021 Nanotecnologías: caracterización del punto cuántico coloidal de calcogenuro de cadmio: espectroscopia de absorción UV-Vis
GB/T 37186-2018 Análisis de gases—Determinación de dióxido de azufre y óxidos de nitrógeno—Espectroscopia de absorción óptica diferencial ultravioleta

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Semiconductor de espectro UV

KS D 2717-2008(2018) Evaluación de la relación metálica/semiconductora de hollines de nanotubos de carbono de pared simple mediante espectroscopia de absorción UV-VIS-NIR
KS D 2717-2008 Evaluación de la relación metálica/semiconductora de hollines de nanotubos de carbono de pared simple mediante espectroscopia de absorción UV-VIS-NIR
KS C IEC 60748-2-9:2002 Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017) Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022) Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS

Association Francaise de Normalisation, Semiconductor de espectro UV

NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF EN 17178:2019 Productos derivados del petróleo líquidos: determinación del contenido de azufre volátil en gases licuados del petróleo mediante espectroscopía de fluorescencia ultravioleta
NF EN 2714-008:2007 Serie aeroespacial - Cables eléctricos, monoconductores y multiconductores para uso general - Temperaturas de funcionamiento entre -55 oC y 260 oC - Parte 008: blindados (trenzados) y enfundados, marcables con láser UV - Norma de producto

Professional Standard - Electron, Semiconductor de espectro UV

SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.
SJ/T 11818.1-2022 Diodos semiconductores emisores de UV Parte 1: Métodos de prueba
SJ/T 11818.2-2022 Diodos emisores de UV semiconductores, parte 2: especificaciones del chip
SJ/T 11818.3-2022 Diodos semiconductores emisores de UV Parte 3: Especificaciones del dispositivo
SJ 2684-1986 Dimensiones físicas del dispositivo emisor de luz de semiconductor
SJ 2247-1982 Describe las dimensiones de los dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
SJ 2750-1987 Dimensiones exteriores de diodos láser semiconductores
SJ 2658.12-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la longitud de onda de emisión máxima y la mitad del ancho espectral
SJ/T 11401-2009 Programa en serie para diodos emisores de luz semiconductores.
SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
SJ 2658.1-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores. Reglas generales.
SJ 2355.7-1983 Método de medición de la longitud de onda de emisión máxima y el ancho de banda de radiación espectral de dispositivos emisores de luz.
SJ/T 2658.12-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 12: Longitud de onda de emisión máxima y ancho de banda radiante espectral.
SJ 2658.6-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la potencia óptica de salida
SJ 50033/110-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz infrarroja tipo GR9413.
SJ 53930/1-2002 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos tipo GR8813
SJ 2658.4-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de capacitancia
SJ 2658.2-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la caída de tensión directa
SJ 2658.3-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de tensión invertida
SJ 2658.7-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición del flujo radiante
SJ 2658.10-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para banda ancha modulada
SJ 2658.13-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para el coeficiente de temperatura de potencia óptica de salida
SJ/T 2658.16-2016 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 16: Eficiencia de conversión fotoeléctrica.
SJ 50923/2-1995 Especificación detallada para la caja metálica tipo G2-01B-M1,G2-01B-Z1 para dispositivos semiconductores fotosensibles
SJ 2658.8-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de radiancia normal
SJ 2658.5-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de resistencia en serie directa
SJ 2658.11-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de las características de respuesta al pulso
SJ 50923/1-1995 Especificación detallada para los tipos A6-02A-M2（Z2）y A6-01B-M1（Z1）caja metálica para fotoacopladores semiconductores
SJ 2658.9-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la distribución espacial de intensidad y el ángulo de radiación de intensidad media
SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Semiconductor de espectro UV

GB/T 29856-2013 Caracterización de nanotubos de carbono semiconductores de pared simple mediante espectroscopia de fotoluminiscencia en el infrarrojo cercano
GB/T 24370-2009 Caracterización de nanocristales de puntos cuánticos de CdSe. Espectroscopia de absorción UV-Vis.
GB/T 17574.9-2006 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Parte 2-9: Circuitos integrados digitales. Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS.
GB/T 26070-2010 Caracterización del daño subsuperficial en obleas semiconductoras compuestas pulidas mediante el método de espectroscopia de diferencia de reflectancia

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Semiconductor de espectro UV

CNS 13805-1997 Método de medición de fotoluminiscencia de obleas semiconductoras optoelectrónicas

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Semiconductor de espectro UV

GJB/Z 41.3-1993 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB 33/15-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos semiconductor tipo BT401
GJB 8190-2015 Especificaciones generales para fuentes de luz semiconductoras de estado sólido para iluminación exterior de aeronaves.

KR-KS, Semiconductor de espectro UV

KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
KS D 2717-2008(2023) Evaluación de la relación metálica/semiconductora de hollines de nanotubos de carbono de pared simple mediante espectroscopia de absorción UV-VIS-NIR

British Standards Institution (BSI), Semiconductor de espectro UV

BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS IEC 60747-14-11:2021 Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores. Método de prueba de sensores integrados basados en ondas acústicas de superficie para medir ultravioleta, iluminación y temperatura.
BS PD ISO/TS 17466:2015 Uso de espectroscopía de absorción UV-Vis en la caracterización de puntos cuánticos coloidales de calcogenuro de cadmio.
PD ISO/TS 17466:2015 Uso de espectroscopía de absorción UV-Vis en la caracterización de puntos cuánticos coloidales de calcogenuro de cadmio.
BS EN 17178:2019 Productos petrolíferos líquidos. Determinación del contenido total de azufre volátil en gases licuados de petróleo mediante espectroscopía de fluorescencia ultravioleta.
19/30390371 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
18/30362458 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
BS IEC 60747-5-15:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana basado en la espectroscopia de electrorreflectancia.
BS IEC 60747-5-16:2023 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana de diodos emisores de luz basados en GaN basado en la espectroscopia de fotocorriente
BS QC 790106:1995 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Circuitos integrados digitales. Especificación detallada en blanco. MOS luz ultravioleta borrable eléctricamente programable sólo lectura...
21/30440970 DC BS EN IEC 60747-5-16. Dispositivos semiconductores - Parte 5-16. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana basado en la espectroscopia de fotocorriente.
20/30422995 DC BS EN IEC 60747-5-15. Dispositivos semiconductores. Parte 5-15. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana basado en la espectroscopia de electrorreflectancia.
BS IEC 63068-3:2020 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia - Método de prueba para defectos mediante fotoluminiscencia

American Society for Testing and Materials (ASTM), Semiconductor de espectro UV

ASTM G177-03(2020) Tablas estándar para distribuciones espectrales ultravioleta solares de referencia: hemisféricas en 37° Superficie inclinada
ASTM G177-03(2012) Tablas estándar para distribuciones espectrales ultravioleta solares de referencia: hemisférica en 37 grados; Superficie inclinada
ASTM G177-03 Tablas estándar para distribuciones espectrales ultravioleta solares de referencia: hemisféricas en 37 superficies inclinadas
ASTM G177-03e1 Tablas estándar para distribuciones espectrales ultravioleta solares de referencia: hemisféricas en 37 superficies inclinadas
ASTM G177-03(2008)e1 Tablas estándar para distribuciones espectrales ultravioleta solares de referencia: hemisférica en 37x00B0; Superficie inclinada

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Semiconductor de espectro UV

JEDEC JEP78-1969 Curvas de respuesta espectral relativa para detectores infrarrojos semiconductores

IN-BIS, Semiconductor de espectro UV

IS 12737-1988 PROCEDIMIENTOS DE PRUEBA ESTÁNDAR PARA ESPECTRÓMETROS DE ENERGÍA DE RAYOS X DE SEMICONDUCTOR

International Organization for Standardization (ISO), Semiconductor de espectro UV

ISO/TS 17466:2015 Uso de espectroscopía de absorción UV-Vis en la caracterización de puntos cuánticos coloidales de calcogenuro de cadmio.
ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores

RU-GOST R, Semiconductor de espectro UV

GOST 19834.3-1976 Emisores semiconductores. Métodos para medir la distribución relativa de energía espectral y el ancho de banda espectral.
GOST 20766-1975 Detectores de espectrómetros semiconductores de radiación ionizante. Tipos y parámetros básicos.
GOST 29115-1991 Conjuntos de detectores de radiación gamma para espectrometría. Métodos de medición de parámetros básicos.

PH-BPS, Semiconductor de espectro UV

PNS ISO/TS 17466:2021 Uso de espectroscopía de absorción UV-Vis en la caracterización de puntos cuánticos coloidales de calcogenuro de cadmio.

German Institute for Standardization, Semiconductor de espectro UV

DIN EN 17178:2018 Productos derivados del petróleo líquidos - Determinación del contenido total de azufre volátil en gases licuados del petróleo mediante espectroscopia de fluorescencia ultravioleta; Versión alemana e inglesa prEN 17178:2018
DIN EN 17178:2019-12 Productos derivados del petróleo líquidos - Determinación del contenido total de azufre volátil en gases licuados del petróleo mediante espectroscopia de fluorescencia ultravioleta; Versión alemana EN 17178:2019

ES-UNE, Semiconductor de espectro UV

UNE-EN 17178:2020 Productos derivados del petróleo líquidos: determinación del contenido total de azufre volátil en gases licuados del petróleo mediante espectroscopía de fluorescencia ultravioleta

Defense Logistics Agency, Semiconductor de espectro UV

DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS UV BORRABLE, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE
DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, PROGRAMABLE BORRABLE UV, DISPOSITIVO LÓGICO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91772-1993
DLA SMD-5962-93248-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, BORRABLE UV, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, MEMORIA, CMOS BORRABLE UV, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, BORRABLE ULTRAVIOLETA, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 MICROCIRCUITOS, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 8K X 8 UV BORRABLE PROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91584-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89476-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93245-1993 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, MEMORIA, CMOS, TENSIÓN EXTENDIDA, BORRABLE UV, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM DE 32K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 4K X 8 UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 262, 144 BITS (32K X 8) PROM BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 MICROCIRCUITOS, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 64K X 8 UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 64K X 16 UV EPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM 128K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 2K X 8, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93122-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 2K X 16 BITS MÁQUINA DE ESTADOS UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 2K X 8, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE REGISTRADO ASÍNCRONO BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 8K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 512K X 8-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92071-1994 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 64K X 8-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92140-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 128K X 16-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 256K X 8-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89538 REV A-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 16K X 8 UV EPROM, APAGADO, SILICIO MONOLÍTICO

PL-PKN, Semiconductor de espectro UV

PN-EN 17178-2020-01 P Productos líquidos del petróleo. Determinación del contenido total de azufre volátil en gases licuados del petróleo mediante espectroscopía de fluorescencia ultravioleta.

RO-ASRO, Semiconductor de espectro UV

STAS 12258/6-1987 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES OPTOELECTRÓNICOS DIODOS EMM1TING INFRARROJOS Terminología y características esenciales

International Electrotechnical Commission (IEC), Semiconductor de espectro UV

IEC 60747-14-11:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 14-11: Sensores semiconductores. Método de prueba de sensores integrados basados en ondas acústicas de superficie para medir ultravioleta, iluminación y temperatura.
IEC 60747-5-15:2022 Dispositivos semiconductores - Parte 5-15: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba del voltaje de banda plana basado en la espectroscopia de electrorreflectancia
IEC 60747-5-16:2023 Dispositivos semiconductores - Parte 5-16: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba del voltaje de banda plana de diodos emisores de luz basados en GaN basado en la espectroscopia de fotocorriente
IEC 60748-2-9:1994 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Parte 2: Circuitos integrados digitales; Sección 9: Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Semiconductor de espectro UV

IEEE 1131-1987 DIMENSIONES ESTÁNDAR DE LA TAPA EXTREMA DEL CRIOSTATO PARA ESPECTRÓMETROS DE RAYOS GAMMA DE SEMICONDUCTOR DE GERMANIO

European Committee for Standardization (CEN), Semiconductor de espectro UV

CWA 17857:2022 Sistema adaptador basado en lentes para acoplar fibra óptica a láseres semiconductores infrarrojos

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Semiconductor de espectro UV

ANSI/IEEE Std 1131-1987 Dimensiones de la tapa del extremo del criostato estándar IEEE para espectómetros de rayos gamma semiconductores de germanio

Professional Standard - Building Materials, Semiconductor de espectro UV

JC/T 2133-2012 Determinación de impurezas en sol de sílice para solución de pulido en la industria de semiconductores. Método espectrométrico de emisión atómica de plasma acoplado inductivamente

AENOR, Semiconductor de espectro UV

UNE 73350-2:2003 Procedimiento para la determinación de la radiactividad ambiental. Equipo de medicion. Parte 2: Espectrometría alfa mediante sensores semiconductores.

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Semiconductor de espectro UV

PQC 8 ISSUE 1-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada en blanco: Fotoacopladores de ambiente o de caja con categoría de nivel de evaluación de salida de fototransistor I@II o III