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Pruebas de semiconductores UV

Pruebas de semiconductores UV, Total: 248 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Pruebas de semiconductores UV son: Dispositivos semiconductores, Óptica y medidas ópticas., Materiales semiconductores, Cerámica, Química analítica, Alambres y cables eléctricos., Optoelectrónica. Equipo láser, Circuitos integrados. Microelectrónica, Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Calidad del aire, Redes de transmisión y distribución de energía., Dibujos tecnicos, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Calidad del agua, Metrología y medición en general., Componentes electrónicos en general., Mediciones de radiación, Combustibles, Acústica y mediciones acústicas., Fluidos aislantes, Pinturas y barnices, Lámparas y equipos relacionados., Metales no ferrosos.

Professional Standard - Electron, Pruebas de semiconductores UV

SJ/T 11818.1-2022 Diodos semiconductores emisores de UV Parte 1: Métodos de prueba
SJ/T 11818.2-2022 Diodos emisores de UV semiconductores, parte 2: especificaciones del chip
SJ/T 11818.3-2022 Diodos semiconductores emisores de UV Parte 3: Especificaciones del dispositivo
SJ 2658.1-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores. Reglas generales.
SJ 2757-1987 Método de medición por reflexión infrarroja de la concentración de portadores de carga en semiconductores fuertemente dopados.
SJ 2658.4-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de capacitancia
SJ 20233-1993 Reglamento de verificación del sistema de prueba de dispositivos discretos semiconductores modelo IMPACT-II
SJ/T 2658.1-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos.Parte 1: Generalidades
SJ 2658.2-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la caída de tensión directa
SJ 2658.3-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de tensión invertida
SJ 2658.7-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición del flujo radiante
SJ 2658.10-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para banda ancha modulada
SJ/T 2658.4-2015 Método de medición para diodos emisores de infrarrojos semiconductores. Parte 4: Capacitancia total
SJ 2658.6-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la potencia óptica de salida
SJ 2658.8-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de radiancia normal
SJ 2658.12-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la longitud de onda de emisión máxima y la mitad del ancho espectral
SJ/T 2658.2-2015 Método de medición para diodos emisores de infrarrojos semiconductores. Parte 2: tensión directa
SJ/T 2658.5-2015 Método de medición para diodos emisores de infrarrojos semiconductores. Parte 5: Resistencia de conexión en serie
SJ/T 2658.6-2015 Método de medición para diodos emisores de infrarrojos semiconductores.Parte 6: Potencia radiante
SJ/T 2658.7-2015 Método de medición para diodos emisores de infrarrojos semiconductores. Parte 7: Flujo radiante
SJ/T 2658.8-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos.Parte 8: Intensidad radiante
SJ/T 2658.10-2015 Método de medición para diodos emisores de infrarrojos semiconductores. Parte 10: Ancho de banda de modulación
SJ/T 2658.11-2015 Método de medición para diodos emisores de infrarrojos semiconductores. Parte 11: Tiempo de respuesta
SJ 2658.9-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la distribución espacial de intensidad y el ángulo de radiación de intensidad media
SJ 2658.5-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de resistencia en serie directa
SJ 2658.11-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de las características de respuesta al pulso
SJ/T 10802-1996 Circuitos integrados semiconductores utilizados como circuitos de interfaz. Principios generales de los métodos de medición para controladores periféricos.
SJ/T 2658.16-2016 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 16: Eficiencia de conversión fotoeléctrica.
SJ/T 2658.9-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 9: Distribución espacial de la intensidad radiante y el ángulo de media intensidad.
SJ 2658.13-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para el coeficiente de temperatura de potencia óptica de salida
SJ/T 2658.13-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 13: Coeficiente de temperatura para la potencia radiante.
SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
SJ/T 2658.3-2015 Método de medición para diodos emisores de infrarrojos semiconductores. Parte 3: voltaje inverso y corriente inversa
SJ/T 2658.12-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 12: Longitud de onda de emisión máxima y ancho de banda radiante espectral.

Association Francaise de Normalisation, Pruebas de semiconductores UV

NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF EN IEC 63364-1:2023 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistema IDO - Parte 1: Método de prueba de detección de variación acústica
NF EN 60749-3:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 3: examen visual externo.
NF C96-022-3*NF EN 60749-3:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 3: examen visual externo.
NF EN 60191-6-21:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-21: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes para dispositivos semiconductores de montaje superficial - Métodos de medición de dimensiones...
NF EN 60191-6-20:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-20: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes para dispositivos semiconductores de montaje superficial - Métodos de medición de dimensiones...
NF EN 60191-6-4:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-4: reglas generales para la preparación de planos de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Métodos de medición para las dimensiones del paquete...
NF EN 60191-6-3:2001 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-3: reglas generales para la preparación de esquemas de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Métodos de medición para paquetes cuádruples planos...
NF EN 60749-16:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 16: Detección del ruido de impacto de partículas (PIND).
NF C96-013-6-21*NF EN 60191-6-21:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-21: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes esquemáticos pequeños (SOP).
NF C96-013-6-20*NF EN 60191-6-20:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-20: reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes de conductores J (SOJ) de contorno pequeño
NF C96-022-16*NF EN 60749-16:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 16: detección del ruido de impacto de partículas (PIND).
NF C96-013-6-4*NF EN 60191-6-4:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-4: reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de matriz de rejilla de bolas (BGA)

British Standards Institution (BSI), Pruebas de semiconductores UV

BS IEC 60747-14-11:2021 Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores. Método de prueba de sensores integrados basados en ondas acústicas de superficie para medir ultravioleta, iluminación y temperatura.
BS EN 60749-3:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Examen visual externo.
18/30362458 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
19/30390371 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS EN IEC 63364-1:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para sistemas IoT: método de prueba de detección de variaciones de sonido
21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1. Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para sistema IOT. Parte 1. Método de prueba de detección de variaciones de sonido.
BS EN 60191-6-21:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Reglas generales para la elaboración de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie. Métodos de medición de las dimensiones de los paquetes de contorno pequeño (SOP)
BS IEC 63068-2:2019 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia. Método de prueba de defectos mediante inspección óptica.
BS EN 60191-6-20:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Reglas generales para la elaboración de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie. Métodos de medición de las dimensiones de los bultos de plomo J (SOJ) de contorno pequeño
BS EN 60191-6-4:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de matriz de rejilla de bolas (BGA)
BS EN 60191-6-3:2001 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Reglas generales para la elaboración de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie. Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes planos cuádruples (QFP)
23/30472390 DC BS EN 60747-16-11 Dispositivos semiconductores - Parte 16-11. Circuitos integrados de microondas - Detectores de potencia
BS QC 790106:1995 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Circuitos integrados digitales. Especificación detallada en blanco. MOS luz ultravioleta borrable eléctricamente programable sólo lectura...
BS ISO 22066:2020 Calidad del agua. Determinación de cianuro total. Método que utiliza inyección de flujo segmentado, análisis de digestión ultravioleta en línea por difusión de gas y detección amperométrica.
BS ISO 6923:2023 Pinturas y barnices. Determinación del contenido de diisocianato monomérico en materiales de recubrimiento y productos similares mediante cromatografía líquida de alta resolución con detección ultravioleta (HPLC-UV)

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Pruebas de semiconductores UV

JEDEC JESD22-B118-2011 Inspección visual externa de la parte posterior de matrices y obleas semiconductoras
JEDEC JEP78-1969 Curvas de respuesta espectral relativa para detectores infrarrojos semiconductores

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Pruebas de semiconductores UV

GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis
GB/T 37141.2-2018 Guía para la detección de imágenes UV de equipos eléctricos en regiones de gran altitud. Parte 2: Líneas de transmisión

HU-MSZT, Pruebas de semiconductores UV

MNOSZ 700-16.lap-1955 EXAMEN DEL CARBÓN Y DETERMINACIÓN DEL CONTENIDO DE NITRÓGENO
MNOSZ 700-18.lap-1956 SZENEK VIZSGALATA KL?RTARTALOM MEGHAT?ROZ?SA
MSZ 7200/2-1984 NAGYTELJES?TM?NY? F?LVEZET? ESZK?Z?K ?ltalános m?szaki k?vetelmények és vizsgálatok

German Institute for Standardization, Pruebas de semiconductores UV

DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
DIN EN 60749-3:2018-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 3: Examen visual externo (IEC 60749-3:2017); Versión alemana EN 60749-3:2017 / Nota: DIN EN 60749-3 (2003-04) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2020-04-07.
DIN 50447:1995 Ensayo de materiales para la tecnología de semiconductores: determinación sin contacto de la resistencia eléctrica de las capas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas
DIN 50445:1992 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación sin contacto de la resistividad eléctrica de láminas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas; obleas semiconductoras dopadas homogéneamente
DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
DIN EN 60749-3:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 3: Inspección visual externa (IEC 60749-3:2002); Versión alemana EN 60749-3:2002
DIN 50449-2:1998
DIN 50438-2:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del contenido de impurezas en silicio mediante absorción infrarroja; carbón
DIN 50442-1:1981 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la estructura superficial de láminas semiconductoras monocristalinas circulares; rebanadas cortadas y lapeadas
DIN 50454-2:1994 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de la densidad de los puntos de grabado de dislocación en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 2: Fosfuro de indio.
DIN 50454-3:1994
DIN EN 60191-6-21:2011-03 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-21: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes esquemáticos pequeños (SOP) (IEC 6019...
DIN 50437:1979 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; medición del espesor de la capa epitaxial de silicio mediante el método de interferencia infrarroja
DIN EN 60191-6-20:2011-03 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-20: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes de conductores J (SOJ) de contorno pequeño (I...
DIN EN 60191-6-3:2001 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-3: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Métodos de medición de las dimensiones de los paquetes planos quat (QFP) (IEC 60191-6-3:2000);
DIN EN 60191-6-4:2004-01 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-4: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de matriz de rejilla de bolas (BGA) (IEC 60191-6-4:20...
DIN 50433-2:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante figura de reflexión óptica
DIN 50441-3:1985 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; medición de las dimensiones geométricas de láminas de semiconductores; Determinación de la desviación de la planitud de rodajas pulidas mediante interferencia de haces múltiples.
DIN EN 60749-16:2003-09 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 16: Detección de ruido de impacto de partículas (PIND) (IEC 60749-16:2003); Versión alemana EN 60749-16:2003
DIN EN 60191-6-20:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-20: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes de conductores J (SOJ) de contorno pequeño (IEC
DIN EN 60191-6-21:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-21: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes esquemáticos pequeños (SOP) (IEC 60191-6
DIN 50454-1:2000 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de dislocaciones en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 1: Arseniuro de galio.
DIN 50433-3:1982
DIN 50433-1:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante difracción de rayos X
DIN EN 60191-6-4:2004 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-4: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie. Métodos de medición para las dimensiones del paquete de matriz de rejilla de bolas (BGA) (IEC 60191-6-4:2003)
DIN 50453-1:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; monocristales de silicio; método gravimétrico
DIN EN IEC 63364-1:2023-10 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistemas IOT - Parte 1: Método de prueba de detección de variación del sonido (IEC 47/2742/CDV:2021); Versión en alemán e inglés prEN IEC 63364-1:2021 / Nota: Fecha de emisión 2023-09-29
DIN 50452-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN 50434:1986 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; detección de defectos cristalinos en silicio monocristalino mediante técnicas de grabado en superficies {111} y {100}

International Organization for Standardization (ISO), Pruebas de semiconductores UV

ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 20179:2005 Calidad del agua - Determinación de microcistinas - Método mediante extracción en fase sólida (SPE) y cromatografía líquida de alta resolución (HPLC) con detección ultravioleta (UV)

International Electrotechnical Commission (IEC), Pruebas de semiconductores UV

IEC 60747-14-11:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 14-11: Sensores semiconductores. Método de prueba de sensores integrados basados en ondas acústicas de superficie para medir ultravioleta, iluminación y temperatura.
IEC 60749-3:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 3: Examen visual externo.
IEC 60749-3:2002 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 3: Examen visual externo.
IEC 60749-3:2002/COR1:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 3: Examen visual externo.
IEC 63364-1:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistemas IoT - Parte 1: Método de prueba para la detección de variaciones de sonido
IEC 60191-6-21:2010
IEC 60191-6-20:2010
IEC 60748-2-9:1994 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Parte 2: Circuitos integrados digitales; Sección 9: Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
IEC 60191-6-3:2000 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-3: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes planos cuádruples (QFP)

Group Standards of the People's Republic of China, Pruebas de semiconductores UV

T/SZBSIA 007-2022 Especificación de prueba de unión de matrices de semiconductores
T/CIE 120-2021 Método de detección del caballo de Troya del hardware del circuito integrado semiconductor
T/CZSBDTHYXH 001-2023 Defectos de oblea Equipo de inspección óptica automática
T/CSA 004-2010 Pruebas in situ e implementación de aceptación de iluminación LED para carreteras y túneles para una demostración experimental de iluminación de estado sólido

KR-KS, Pruebas de semiconductores UV

KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
KS C IEC 60749-3-2019 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 3: Examen visual externo.
KS C IEC 60749-3-2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 3: Examen visual externo.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Pruebas de semiconductores UV

KS D 2717-2008(2018) Evaluación de la relación metálica/semiconductora de hollines de nanotubos de carbono de pared simple mediante espectroscopia de absorción UV-VIS-NIR
KS C IEC 60749-3:2019 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 3: Examen visual externo.
KS C IEC 60748-11-1:2004 Dispositivos semiconductores －Circuitos integrados－Parte 11－1: Examen visual interno de circuitos integrados semiconductores, excluidos los circuitos híbridos
KS C IEC 60749-3:2002 Dispositivos semiconductores discretos－Métodos de prueba mecánicos y climáticos－Parte 3:Examen visual externo
KS C IEC 60749-3:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 3: Examen visual externo.
KS C IEC 60749-16-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 16: Detección de ruido de impacto de partículas (PIND)
KS C IEC 60749-16-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 16: Detección de ruido de impacto de partículas (PIND)
KS C IEC 60748-2-9:2002 Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017) Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022) Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS

SE-SIS, Pruebas de semiconductores UV

SIS SS IEC 759:1986 Instrumentación nuclear. Procedimientos de prueba para espectrómetros de energía de rayos X de semiconductores.
SIS SS IEC 333:1986 Instrumentación nuclear: procedimientos de prueba para detectores de partículas cargadas de semiconductores.
SIS SS IEC 596:1981 Instrumentación nuclear: definiciones de los términos de los métodos de prueba para detectores de radiación semiconductores y recuento de centelleo
SIS SS IEC 340:1981 Instrumentación nuclear. Procedimientos de prueba de amplificadores y preamplificadores de detectores de semiconductores para radiaciones ionizantes.

TR-TSE, Pruebas de semiconductores UV

TS 2643-1977 Procedimientos de prueba para detectores bemiconductores de radiación ionizante

AENOR, Pruebas de semiconductores UV

UNE-EN 60749-3:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 3: Examen visual externo.
UNE-EN 60749-16:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 16: Detección de ruido de impacto de partículas (PIND)

ES-UNE, Pruebas de semiconductores UV

UNE-EN 60749-3:2017 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 3: Examen visual externo (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en julio de 2017.)
UNE-EN IEC 63364-1:2023 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistema IOT - Parte 1: Método de prueba de detección de variación del sonido (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en marzo de 2023.)
UNE-EN 60191-6-21:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-21: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes esquemáticos pequeños (SOP) (Respaldar...
UNE-EN 60191-6-20:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-20: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes de conductores J (SOJ) de contorno pequeño (...
UNE-EN 60191-6-4:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-4: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de matriz de rejilla de bolas (BGA) (Respaldado por AEN...
UNE-EN 60191-6-3:2000 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-3: Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes planos cuádruples (QFP) (Respaldado por AEN...

American Society for Testing and Materials (ASTM), Pruebas de semiconductores UV

ASTM F584-06 Práctica estándar para la inspección visual de cables semiconductores
ASTM F584-06e1 Práctica estándar para la inspección visual de cables semiconductores
ASTM D8234-19 Método de prueba estándar para aniones en agua con alto contenido iónico mediante cromatografía iónica utilizando conductividad suprimida en tándem y detección UV
ASTM D5904-02(2017) Método de prueba estándar para carbono total, carbono inorgánico y carbono orgánico en agua mediante detección ultravioleta, oxidación de persulfato y conductividad de membrana
ASTM D7620-10(2020) Método de prueba estándar para la determinación del azufre total en combustibles líquidos a base de hidrocarburos mediante inyección continua, oxidación del aire y detección de fluorescencia ultravioleta
ASTM D5997-15 Método de prueba estándar para el monitoreo en línea de carbono total, carbono inorgánico en agua mediante ultravioleta, oxidación de persulfato y detección de conductividad de membrana
ASTM D5997-96(2005) Método de prueba estándar para el monitoreo en línea de carbono total, carbono inorgánico en agua mediante ultravioleta, oxidación de persulfato y detección de conductividad de membrana
ASTM D5997-96(2009) Método de prueba estándar para el monitoreo en línea de carbono total, carbono inorgánico en agua mediante ultravioleta, oxidación de persulfato y detección de conductividad de membrana
ASTM D6317-98(2009) Método de prueba estándar para la determinación de niveles bajos de carbono total, carbono inorgánico y carbono orgánico en agua mediante detección de conductividad de membrana, oxidación de persulfato y ultravioleta
ASTM D6317-98(2004) Método de prueba estándar para la determinación de niveles bajos de carbono total, carbono inorgánico y carbono orgánico en agua mediante detección de conductividad de membrana, oxidación de persulfato y ultravioleta
ASTM D6317-98 Método de prueba estándar para la determinación de niveles bajos de carbono total, carbono inorgánico y carbono orgánico en agua mediante detección de conductividad de membrana, oxidación de persulfato y ultravioleta
ASTM D5997-96(2000) Método de prueba estándar para el monitoreo en línea de carbono total, carbono inorgánico en agua mediante ultravioleta, oxidación de persulfato y detección de conductividad de membrana
ASTM D5904-96 Método de prueba estándar para carbono total, carbono inorgánico y carbono orgánico en agua mediante detección ultravioleta, oxidación de persulfato y conductividad de membrana
ASTM D5904-02 Método de prueba estándar para carbono total, carbono inorgánico y carbono orgánico en agua mediante detección ultravioleta, oxidación de persulfato y conductividad de membrana
ASTM D5904-02(2009) Método de prueba estándar para carbono total, carbono inorgánico y carbono orgánico en agua mediante detección ultravioleta, oxidación de persulfato y conductividad de membrana
ASTM E1447-05 Método de prueba estándar para la determinación de hidrógeno en titanio y aleaciones de titanio mediante el método de detección de infrarrojos/conductividad térmica por fusión de gas inerte

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DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, PROGRAMABLE BORRABLE UV, DISPOSITIVO LÓGICO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91772-1993
DLA SMD-5962-93248-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, BORRABLE UV, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, MEMORIA, CMOS BORRABLE UV, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, BORRABLE ULTRAVIOLETA, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 MICROCIRCUITOS, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 8K X 8 UV BORRABLE PROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91584-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
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DLA SMD-5962-93245-1993 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, MEMORIA, CMOS, TENSIÓN EXTENDIDA, BORRABLE UV, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
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DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 262, 144 BITS (32K X 8) PROM BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 MICROCIRCUITOS, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 64K X 8 UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
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DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM 128K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 2K X 8, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93122-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 2K X 16 BITS MÁQUINA DE ESTADOS UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 2K X 8, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE REGISTRADO ASÍNCRONO BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 8K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 512K X 8-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92071-1994 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 64K X 8-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92140-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 128K X 16-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 256K X 8-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89538 REV A-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 16K X 8 UV EPROM, APAGADO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS REGISTRADO UVEPROM 32K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84190 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CANAL N, MOS MICROCOMPUTADORA DE 8 BITS CON UVEPROM DE 32 K-BIT, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91624-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS ALIMENTACIÓN CONMUTADA 8K X 8-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90930 REV A-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 8K X 8-BIT UVEPROM DE DIAGNÓSTICO REGISTRADO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, UNIDAD DE DETECCIÓN Y CORRECCIÓN DE ERRORES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88613 REV B-1991 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, UNIDAD DE DETECCIÓN Y CORRECCIÓN DE ERRORES DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
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EN 60191-6-20:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-20: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes de conductores J (SOJ) de contorno pequeño
EN 60749-3:2002 Dispositivos semiconductores Métodos de prueba mecánicos y climáticos Parte 3: Examen visual externo
EN 60191-6-4:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores Parte 6-4: Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de matriz de rejilla de bolas (BGA)
EN 60191-6-3:2000 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-3: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes planos cuádruples (QFP)

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GB/T 37141.1-2022 Guía para la detección de imágenes UV de equipos eléctricos en regiones de gran altitud. Parte 1: Subestaciones
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AS/NZS 1660.2.2:1998 Métodos de prueba para cables, cordones y conductores eléctricos - Aislamientos, pantallas semiconductoras extruidas y fundas no metálicas - Métodos específicos para materiales elastoméricos, XLPE y XLPVC
AS/NZS 1660.2.3:1998 Métodos de ensayo para cables, cordones y conductores eléctricos - Aislamientos, pantallas semiconductoras extruidas y fundas no metálicas - Métodos específicos para PVC y materiales termoplásticos libres de halógenos

国家质量监督检验检疫总局, Pruebas de semiconductores UV

SN/T 3480.4-2016 Requisitos técnicos para la inspección de juegos completos de equipos para la industria eléctrica y electrónica importada Parte 4: Equipos de prueba y embalaje de semiconductores