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Crecimiento de material semiconductor

Crecimiento de material semiconductor, Total: 226 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Crecimiento de material semiconductor son: Fluidos aislantes, Materiales semiconductores, Circuitos integrados. Microelectrónica, Condiciones y procedimientos de prueba en general., Herramientas de corte, pruebas de metales, Componentes electrónicos en general., Circuitos impresos y placas., Dispositivos de visualización electrónica., Dispositivos semiconductores, Vocabularios, Química analítica, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Alambres y cables eléctricos., Cerámica, Óptica y medidas ópticas., Tratamiento superficial y revestimiento., Materiales aislantes, Redes de transmisión y distribución de energía., Protección contra descargas eléctricas, Equipos eléctricos para trabajar en condiciones especiales., Componentes de tuberías y tuberías., Maquinaria rotativa, Productos de la industria química., Protección contra el fuego.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Crecimiento de material semiconductor

GB/T 14264-1993 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 31469-2015 Fluido de corte de materiales semiconductores.
GB/T 14844-1993 Designaciones de materiales semiconductores.
GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 4298-1984 El método de análisis de activación para la determinación de impurezas elementales en materiales semiconductores de silicio.
GB/T 3048.3-1994 Métodos de prueba para determinar las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Medición de la resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.
GB/T 3048.3-2007 Métodos de prueba para las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Parte 3: Prueba de resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.

Group Standards of the People's Republic of China, Crecimiento de material semiconductor

T/CEMIA 023-2021 Crisol de cuarzo para crecimiento de monosilicio semiconductor.
T/CEMIA 024-2021 Prácticas de fabricación de crisoles de cuarzo para el crecimiento del monosilicio semiconductor
T/CASME 798-2023 Specialized processing tools for semiconductor materials
T/SHDSGY 135-2023 Nueva tecnología de materiales de obleas de silicio semiconductores de energía
T/CNIA 0143-2022 Recipientes de resina ultrapura para análisis de trazas de impurezas de materiales semiconductores
T/ZJATA 0017-2023 Equipo de epitaxia por deposición química de vapor (CVD) para preparar materiales semiconductores de carburo de silicio

RO-ASRO, Crecimiento de material semiconductor

STAS 6360-1974 MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Terminología

HU-MSZT, Crecimiento de material semiconductor

MSZ 771/5-1979 ALPAKKA ?SR?ZNIKKEL ?TV?ZETEK Huzalok mechanikai tulajdonságai

Professional Standard - Electron, Crecimiento de material semiconductor

SJ/T 11775-2021 Sierra de varios hilos utilizada para materiales semiconductores
SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.

Indonesia Standards, Crecimiento de material semiconductor

SNI 19-0429-1989 Guía para muestreo de materiales líquidos y semisólidos.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Crecimiento de material semiconductor

GB/T 14844-2018 Designaciones de materiales semiconductores.
GB/T 1550-2018 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 36646-2018 Equipos para la preparación de materiales semiconductores de nitruro mediante epitaxia en fase vapor de hidruro.
GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis

German Institute for Standardization, Crecimiento de material semiconductor

DIN 50437:1979 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; medición del espesor de la capa epitaxial de silicio mediante el método de interferencia infrarroja
DIN 50447:1995 Ensayo de materiales para la tecnología de semiconductores: determinación sin contacto de la resistencia eléctrica de las capas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas
DIN 50445:1992 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación sin contacto de la resistividad eléctrica de láminas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas; obleas semiconductoras dopadas homogéneamente
DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
DIN 50448:1998
DIN 50439:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del perfil de concentración de dopantes de un material semiconductor monocristalino mediante el método capacitancia-voltaje y contacto con mercurio
DIN 50441-4:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 4: Diámetro del corte, variación del diámetro, diámetro plano, longitud plana, profundidad plana.
DIN 50441-2:1998 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 2: Ensayos del perfil de los bordes.
DIN SPEC 1994:2017-02 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de aniones en ácidos débiles
DIN 50442-1:1981 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la estructura superficial de láminas semiconductoras monocristalinas circulares; rebanadas cortadas y lapeadas
DIN 50449-2:1998
DIN 50454-2:1994 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de la densidad de los puntos de grabado de dislocación en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 2: Fosfuro de indio.
DIN 50454-3:1994
DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
DIN EN 60749-39:2007 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006
DIN EN 60749-39:2007-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006 / Nota: A ser r...
DIN EN 62047-2:2007-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-10:2012-03 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
DIN 50433-2:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante figura de reflexión óptica
DIN EN 62047-18:2014-04 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
DIN 50454-1:2000 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de dislocaciones en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 1: Arseniuro de galio.
DIN 50433-3:1982
DIN EN 62047-2:2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-6:2010-07 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009); Versión alemana EN 62047-6:2010
DIN 50441-3:1985 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; medición de las dimensiones geométricas de láminas de semiconductores; Determinación de la desviación de la planitud de rodajas pulidas mediante interferencia de haces múltiples.
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020 / No...
DIN 50433-1:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante difracción de rayos X
DIN 50452-1:1995-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones; Versión alemana CEN/TS 16599:2014
DIN EN 62047-14:2012-10 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica (IEC 62047-14:2012); Versión alemana EN 62047-14:2012
DIN 50435:1988 Pruebas de materiales semiconductores; determinación de la variación de la resistividad radial de láminas de silicio o germanio mediante el método de las cuatro sondas/corriente continua
DIN 50438-2:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del contenido de impurezas en silicio mediante absorción infrarroja; carbón
DIN 50452-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN 50452-3:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
DIN 50453-1:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; monocristales de silicio; método gravimétrico
DIN 50455-1:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
DIN 50455-2:1999-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Métodos para la caracterización de fotorresistentes - Parte 2: Determinación de la fotosensibilidad de fotorresistentes positivos
DIN EN 62047-21:2015-04 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada (IEC 62047-21:2014); Versión alemana EN 62047-21:2014
DIN 50434:1986 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; detección de defectos cristalinos en silicio monocristalino mediante técnicas de grabado en superficies {111} y {100}
DIN 50431:1988 Pruebas de materiales semiconductores; Medición de la resistividad de monocristales de silicio o germanio mediante el método de cuatro sondas/corriente continua con matriz colineal.
DIN 50452-3:1995-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
DIN 50456-3:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método para la caracterización de compuestos de moldeo para componentes electrónicos. Parte 3: Determinación de impurezas catiónicas.
DIN 50455-1:2009 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
DIN 50453-1:2023-08 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las tasas de grabado de mezclas de grabado. Parte 1: Monocristales de silicio, método gravimétrico.
DIN EN IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020
DIN EN IEC 60749-39:2023-10 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2021); Versión alemana EN IEC 60749-39:2022 / Nota: DIN...
DIN 50452-2:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 2: Determinación de partículas mediante contadores ópticos de partículas.
DIN 50451-3:2014-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de trazas de elementos en líquidos. Parte 3: Determinación de 31 elementos en ácido nítrico de alta pureza mediante ICP-MS.
DIN 50451-7:2018-04 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de trazas de elementos en líquidos. Parte 7: Determinación de 31 elementos en ácido clorhídrico de alta pureza mediante ICP-MS.
DIN 50451-6:2014-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Determinación de trazas de elementos en líquidos - Parte 6: Determinación de 36 elementos en una solución de fluoruro de amonio de alta pureza (NH<(Index)4>F) y en mezclas de grabado de amonio de alta pureza. ..
DIN 50453-2:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; revestimiento de dióxido de silicio; método óptico
DIN EN 62047-12:2012-06 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS (IEC 62047-12:2011); Versión alemana EN 62047-12:2011
DIN 50440:1998 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Medición de la vida útil del portador en monocristales de silicio - Vida útil del portador de recombinación con baja inyección mediante el método de fotoconductividad
DIN 50452-2:2009 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 2: Determinación de partículas mediante contadores ópticos de partículas.
DIN 50452-2:1991 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; método de prueba para análisis de partículas en líquidos; determinación de partículas con contadores ópticos de partículas
DIN 50451-4:2007 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Determinación de oligoelementos en líquidos - Parte 4: Determinación de 34 elementos en agua ultrapura mediante espectrometría de masas con plasma acoplado inductivamente (ICP-MS)
DIN 50450-4:1993 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de impurezas en gases portadores y gases dopantes; determinación de hidrocarburos CC en nitrógeno mediante cromatografía de gases

British Standards Institution (BSI), Crecimiento de material semiconductor

BS IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa. Materiales. tinta semiconductora
BS IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
BS EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
BS EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Electrónica impresa. Parte 203. Materiales. tinta semiconductora
BS EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
BS EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
BS EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
BS EN IEC 60749-39:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 39. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis. Condiciones de irradiación para probar propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
BS IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas
BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 19635:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS EN 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS
BS ISO 27447:2019 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS EN 50267-2-2:1999 Métodos de prueba comunes para cables en condiciones de incendio - Pruebas de gases desprendidos durante la combustión de materiales de cables - Procedimientos - Determinación del grado de acidez de los gases de los materiales midiendo el pH y la conductividad - Determinación del grado de

International Electrotechnical Commission (IEC), Crecimiento de material semiconductor

IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa - Parte 203: Materiales - Tinta semiconductora
IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables. Parte 5: Método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
IEC 60749-39:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
IEC 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
IEC 62047-6:2009 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
IEC 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
IEC 62047-10:2011/COR1:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS; Corrección 1
IEC 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 31: Método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas
IEC 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS

Building Officials and Code Administrators International(U.S.), Crecimiento de material semiconductor

BOCA ARTICLE 18 NFPC COMM-1990 Instalaciones de fabricación de semiconductores que utilizan materiales de producción peligrosos
BOCA ARTICLE 18 NFPC-1990 Instalaciones de fabricación de semiconductores que utilizan materiales de producción peligrosos octava edición

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Crecimiento de material semiconductor

DB61/T 1250-2019 Especificación general para dispositivos discretos semiconductores de material Sic (carburo de silicio)

American Society for Testing and Materials (ASTM), Crecimiento de material semiconductor

ASTM D3004-02 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D3004-97 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D3004-08(2020) Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores extruidos termoplásticos y reticulados
ASTM D6095-99 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-05 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-06 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-12 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-12(2023) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-12(2018) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6097-16 Método de prueba estándar para la resistencia relativa al crecimiento de árboles con agua ventilada en materiales aislantes dieléctricos sólidos
ASTM F637-85(1994)e1 Especificación estándar para formato, propiedades físicas y métodos de prueba para portadores de cinta comprobables de 19 y 35 mm para dispositivos semiconductores unidos a portadores de cinta perimetral

RU-GOST R, Crecimiento de material semiconductor

GOST 22622-1977 Materiales semiconductores. Términos y definiciones

American National Standards Institute （ANSI), Crecimiento de material semiconductor

ANSI/ASTM D3004:2008 Especificación para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ANSI/ASTM D6095:2012 Método de prueba para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Crecimiento de material semiconductor

KS C 6520-2021 Componentes y materiales del proceso semiconductor. Medición de las características de desgaste por plasma.
KS C 6520-2019 Componentes y materiales del proceso semiconductor. Medición de las características de desgaste por plasma.
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 62047-18:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-18-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS L ISO 27447-2011(2016) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 27447-2011(2021) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 27447:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores

Association Francaise de Normalisation, Crecimiento de material semiconductor

NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
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JIS R 1712:2022 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) -- Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores
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UNE-EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)
UNE-EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de ensayo de flexión de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)
UNE-EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)
UNE-EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en junio de 2010.)
UNE-EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de ensayo del coeficiente de Poisson de materiales MEMS de película fina (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)
UNE-EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 14: Método de medida del límite de formación de materiales de película metálica (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)
UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de ensayo de fatiga por flexión de materiales de película delgada mediante vibración resonante de estructuras MEMS (Ratificada por AENOR en febrero de 2012.)

KR-KS, Crecimiento de material semiconductor

KS C IEC 62047-18-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 27447-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 14605-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., Crecimiento de material semiconductor

T-32-645-2012 Método de prueba para establecer la compatibilidad de la resistividad del volumen de componentes que bloquean el agua con materiales de protección semiconductores extruidos

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), Crecimiento de material semiconductor

ICEA T-32-645-2012 MÉTODO DE PRUEBA PARA ESTABLECER LA COMPATIBILIDAD DE RESISTIVIDAD DE VOLUMEN DE COMPONENTES BLOQUEADORES DE AGUA CON MATERIALES DE PROTECCIÓN SEMICONDUCTORES EXTRUIDOS

European Committee for Standardization (CEN), Crecimiento de material semiconductor

PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.

Lithuanian Standards Office , Crecimiento de material semiconductor

LST EN 60749-39-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006).
LST EN 62047-10-2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011).
LST EN 61479-2002 Vivir trabajando. Cubiertas de conductores flexibles (mangueras de línea) de material aislante (IEC 61479:2001)
LST EN 62047-2-2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006).
LST EN 62047-6-2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009).
LST EN 61479-2002/A1-2002 Vivir trabajando. Cubiertas de conductores flexibles (mangueras de línea) de material aislante (IEC 61479:2001/A1:2002)
LST EN 62047-14-2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica (IEC 62047-14:2012).

Standard Association of Australia （SAA）, Crecimiento de material semiconductor

AS/NZS 1660.2.3:1998 Métodos de ensayo para cables, cordones y conductores eléctricos - Aislamientos, pantallas semiconductoras extruidas y fundas no metálicas - Métodos específicos para PVC y materiales termoplásticos libres de halógenos
AS/NZS 1660.2.2:1998 Métodos de prueba para cables, cordones y conductores eléctricos - Aislamientos, pantallas semiconductoras extruidas y fundas no metálicas - Métodos específicos para materiales elastoméricos, XLPE y XLPVC

AT-OVE/ON, Crecimiento de material semiconductor

OVE EN IEC 60749-39:2020 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV) (versión en inglés)

International Organization for Standardization (ISO), Crecimiento de material semiconductor

ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 19635:2016 Cerámicas finas (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de ensayo para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 27447:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 14605:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
ISO 27447:2009 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores

IEC - International Electrotechnical Commission, Crecimiento de material semiconductor

IEC 62047-31:2017 Dispositivos semiconductores – Dispositivos microelectromecánicos – Parte 31: Método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas (Edición 1.0)