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Sistema de prueba de semiconductores

Sistema de prueba de semiconductores, Total: 499 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Sistema de prueba de semiconductores son: ingeniería de energía nuclear, Dispositivos semiconductores, Optoelectrónica. Equipo láser, Comunicaciones de fibra óptica., Circuitos integrados. Microelectrónica, Desarrollo de software y documentación del sistema., químicos inorgánicos, Mediciones de radiación, pruebas de metales, Medidas lineales y angulares., Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Materiales semiconductores, Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Vocabularios, Símbolos gráficos, Aplicaciones de la tecnología de la información., Componentes electrónicos en general., Circuitos impresos y placas., Componentes para equipos eléctricos., Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Redes de transmisión y distribución de energía., Calidad, Sistemas y operaciones espaciales., Pruebas eléctricas y electrónicas., Sistemas de automatización industrial, Resistencias, Tratamiento superficial y revestimiento., Materiales aislantes, Alambres y cables eléctricos., Metrología y medición en general., Agricultura y silvicultura, Fluidos aislantes, Tecnología de vacío, Idiomas utilizados en la tecnología de la información., Plástica, Protección contra el fuego, Productos de caucho y plástico..

Professional Standard - Electron, Sistema de prueba de semiconductores

SJ 20233-1993 Reglamento de verificación del sistema de prueba de dispositivos discretos semiconductores modelo IMPACT-II
SJ/T 2215-2015 Métodos de medición para fotoacopladores de semiconductores.
SJ 2749-1987 Método de medición para diodos láser semiconductores.
SJ 2214.1-1982 Procedimientos generales de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ/T 11394-2009 Métodos de medición de diodos emisores de luz semiconductores.
SJ 20788-2000 Método de medición de la impedancia térmica de diodos semiconductores.
SJ 2355.1-1983 Procedimientos generales de medición para dispositivos emisores de luz.
SJ 2215.1-1982 Procedimientos generales de medición para fotoacopladores semiconductores.
SJ 20787-2000 Método de medición de la resistencia térmica de puentes rectificadores semiconductores.
SJ/T 11399-2009 Métodos de medición para chips de diodos emisores de luz.
SJ/T 11405-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición
SJ 2355.5-1983 Método de medición de la intensidad luminosa y del ángulo de semiintensidad de los dispositivos emisores de luz.
SJ 2065-1982 Método de prueba para horno de difusión para la fabricación de dispositivos semiconductores.
SJ 2355.6-1983 Método de medición del flujo luminoso de dispositivos emisores de luz.
SJ 2355.4-1983 Métodos de medición de la capacitancia de unión de dispositivos emisores de luz.
SJ/T 2214-2015 Métodos de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ 2355.3-1983 Método de medición de corriente inversa de dispositivos emisores de luz.
SJ 2355.2-1983 Método de medición de la caída de tensión directa de dispositivos emisores de luz.
SJ/T 10482-1994 Método de prueba para caracterizar niveles profundos de semiconductores mediante técnicas de capacitancia transitoria.
SJ 20026-1992 Métodos de medición para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
SJ 2214.3-1982 Método de medición de corriente oscura de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.5-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.8-1982 Método de medición del voltaje de corriente oscura de fototransistores semiconductores.
SJ 2658.1-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores. Reglas generales.
SJ 2658.4-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de capacitancia
SJ 2355.7-1983 Método de medición de la longitud de onda de emisión máxima y el ancho de banda de radiación espectral de dispositivos emisores de luz.
SJ 2658.13-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para el coeficiente de temperatura de potencia óptica de salida
SJ 2214.2-1982 Método de medición de la tensión directa de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.7-1982 Método de medición del voltaje de saturación de fototransistores semiconductores.
SJ 2214.10-1982 Método de medición de la corriente luminosa de fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ 2658.2-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la caída de tensión directa
SJ 2658.3-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de tensión invertida
SJ 2215.6-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.8-1982 Método de medición del voltaje de saturación de salida de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ/T 11818.1-2022 Diodos semiconductores emisores de UV Parte 1: Métodos de prueba
SJ 2658.7-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición del flujo radiante
SJ 2658.10-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para banda ancha modulada
SJ 2658.12-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la longitud de onda de emisión máxima y la mitad del ancho espectral
SJ 2215.14-1982 Método de medición del voltaje de aislamiento de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores
SJ 2757-1987 Método de medición por reflexión infrarroja de la concentración de portadores de carga en semiconductores fuertemente dopados.
SJ 2215.3-1982 Método de medición de la corriente directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2214.4-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotodiodos semiconductores.
SJ 2215.4-1982 Método de medición de corriente inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.10-1982 Método de medición de la relación de transferencia de corriente continua de fotoacopladores de semiconductores.
SJ 2215.12-1982 Método de medición de la capacitancia de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores.
SJ/T 10735-1996 Circuitos integrados semiconductores Principios generales de métodos de medición para circuitos TTL
SJ/T 10736-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para circuitos HTL
SJ/T 10737-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para circuitos ECL
SJ/T 10741-2000 Circuitos integrados semiconductores Principios generales de métodos de medición para circuitos CMOS.
SJ/T 10741-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para circuitos CMOS.
SJ 2215.2-1982 Método de medición de la tensión directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.13-1982 Método de medición de la resistencia de aislamiento de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores
SJ 2658.6-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la potencia óptica de salida
SJ 2658.8-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de radiancia normal
SJ 2658.9-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la distribución espacial de intensidad y el ángulo de radiación de intensidad media
SJ 2658.5-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de resistencia en serie directa
SJ 2658.11-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de las características de respuesta al pulso
SJ/T 10880-1996 Circuitos de audio integrados semiconductores: principios generales de los métodos de medición para decodificadores estéreo.
SJ/T 10804-2000 Circuitos integrados semiconductores. Principios generales de los métodos de medición para traductores de nivel.
SJ/T 10805-2000 Circuitos integrados semiconductores. Principios generales de métodos de medida para comparadores de tensión.
SJ 2215.5-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.9-1982 Método de medición de la corriente de corte inversa de transistores fotoacopladores semiconductores.
SJ/T 10882-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para amplificadores lineales.
SJ/T 10803-1996 Circuitos integrados semiconductores utilizados como circuitos de interfaz. Principios generales de los métodos de medición para circuitos de línea.
SJ/T 11820-2022 Requisitos técnicos y métodos de medición para equipos de prueba de parámetros de CC de dispositivos semiconductores discretos.
SJ 2214.9-1982 Método de medición del tiempo de subida y bajada del pulso de fotodiodos y fototransistores semiconductores.
SJ/T 10739-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para memorias de acceso aleatorio MOS.

British Standards Institution (BSI), Sistema de prueba de semiconductores

BS EN IEC 63364-1:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para sistemas IoT: método de prueba de detección de variaciones de sonido
BS EN 62007-2:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
BS EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1. Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para sistema IOT. Parte 1. Método de prueba de detección de variaciones de sonido.
BS IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
BS IEC 62951-7:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para caracterizar el rendimiento de barrera de la encapsulación de película delgada para semiconductores orgánicos flexibles.
BS IEC 62951-6:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para la resistencia laminar de películas conductoras flexibles
BS IEC 62373-1:2020 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET): prueba BTI rápida para MOSFET
BS EN 60191-4:2014 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Sistema de codificación y clasificación en formas de contornos de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
BS EN 60191-4:2014+A1:2018 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores: sistema de codificación y clasificación en formas de contornos de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
BS IEC 62951-1:2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba de flexión para películas delgadas conductoras sobre sustratos flexibles
14/30297227 DC BS EN 62880-1. Dispositivos semiconductores. Fiabilidad a nivel de oblea para dispositivos semiconductores. Método de prueba de migración de tensión de cobre.
22/30443678 DC BS EN 60749-34-1. Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Parte 34-1. Prueba de ciclo de energía para módulo semiconductor de potencia
BS EN 62007-1:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica: clasificaciones y características esenciales
BS IEC 63275-1:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio - Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización
18/30381548 DC BS EN 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
17/30366375 DC BSIEC 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
BS IEC 60747-18-3:2019 Dispositivos semiconductores. Biosensores semiconductores. Características de flujo de fluido de módulos de paquete de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes con sistema fluídico
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BS IEC 62951-9:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y extensibles: métodos de prueba de rendimiento de celdas de memoria resistivas de un transistor y una resistencia (1T1R)
BS IEC 62880-1:2017 Dispositivos semiconductores. Estándar de prueba de migración de tensión - Estándar de prueba de migración de tensión de cobre
BS ISO 18257:2016 Sistemas espaciales. Circuitos integrados semiconductores para aplicaciones espaciales. Requerimientos de diseño
BS EN 60749-34:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Ciclo de potencia
BS EN 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Almacenamiento a alta temperatura.
PD ES 59008-4-1:2001 Requisitos de datos para matrices semiconductoras. Requisitos y recomendaciones específicas. Prueba y calidad
BS IEC 60747-18-1:2019 Dispositivos semiconductores. Biosensores semiconductores. Método de prueba y análisis de datos para la calibración de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes
BS EN 62047-3:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Pieza de prueba estándar de película delgada para ensayos de tracción
IEC TR 63357:2022 Dispositivos semiconductores. Hoja de ruta de estandarización del método de prueba de fallas para vehículos automotores
BS EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS IEC 62951-8:2023 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para determinar la capacidad de estiramiento, flexibilidad y estabilidad de la memoria resistiva flexible
BS IEC 62830-5:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para captación y generación de energía. Método de prueba para medir la energía generada a partir de dispositivos termoeléctricos flexibles.
BS EN 62047-4:2010
BS IEC 62830-4:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía: métodos de prueba y evaluación para dispositivos piezoeléctricos flexibles de recolección de energía.
BS EN IEC 60749-39:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN 60749-9:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Permanencia del marcado
BS EN 60749-3:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Examen visual externo.
BS IEC 63284:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad mediante conmutación de carga inductiva para transistores de nitruro de galio
BS EN 60749-29:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Prueba de agarre
20/30406230 DC BS IEC 63275-1. Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 1. Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización.
BS EN 60749-4:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos: calor húmedo, estado estacionario, prueba de esfuerzo altamente acelerada (HAST)
13/30284029 DC BS EN 60191-6-16. Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-16. Glosario de pruebas de semiconductores y zócalos precintados para BGA, LGA, FBGA y FLGA
PD IEC TR 60747-5-12:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de eficiencias LED.
19/30390371 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
18/30362458 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
18/30355426 DC BS EN 62830-5. Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para captación y generación de energía. Parte 5. Método de prueba para medir la energía generada a partir de dispositivos termoeléctricos flexibles.
BS EN 60749-26:2006 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD) - Modelo del cuerpo humano (HBM)
BS EN 60749-26:2014 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM)
18/30361905 DC BS EN 60747-18-3. Dispositivos semiconductores. Parte 18-3. Biosensores semiconductores. Características de flujo de fluido del módulo de paquete de sensor de matriz fotónica CMOS sin lentes con sistema fluídico
BS IEC 62526:2007 Estándar para extensiones del lenguaje de interfaz de prueba estándar (STIL) para entornos de diseño de semiconductores
BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
BS EN IEC 60749-17:2019 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Irradiación de neutrones

Association Francaise de Normalisation, Sistema de prueba de semiconductores

NF EN IEC 63364-1:2023 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistema IDO - Parte 1: Método de prueba de detección de variación acústica
NF EN 62415:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de electromigración de corriente constante
NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores semiconductores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET)
NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: métodos de medición.
NF EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de portadora caliente en transistores MOS
NF C53-228:1989 Convertidores de semiconductores. Interruptores para sistemas de energía ininterrumpida (interruptores vps).
NF EN 60749-44:2016 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 44: método de prueba para los efectos de un evento único (SEE) irradiado por un haz de neutrones para dispositivos semiconductores.
NF EN 60749-38:2008 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 38: método de prueba de error leve para dispositivos semiconductores con memoria.
NF EN 62418:2011 Dispositivos semiconductores: prueba de cavidades debido a tensiones de metalización
NF EN 60191-4/A1:2018 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación de formas de estructuras de paquetes para dispositivos semiconductores
NF EN 60191-4:2014 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación de formas de estructuras de paquetes para dispositivos semiconductores
NF EN 62007-2:2009 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos para aplicación en sistemas de fibra óptica - Parte 2: métodos de medición
NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores.
NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 44: método de prueba de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores.
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores.
NF C96-050-9*NF EN 62047-9:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 9: medición de la fuerza de unión de oblea a oblea para MEMS.
NF EN 60749-29:2012 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 29: prueba de pestillo.
NF C53-225:1985 Pruebas de válvulas semiconductoras para transmisión de energía CC de alta tensión.
NF EN 62047-11:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales autónomos para sistemas microelectromecánicos
NF C86-503:1986 Dispositivos semiconductores. Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Fototransistores, transistores fotodarlington y conjuntos de fototrasistores. Especificación de detalle en blanco CECC 20 003.
NF C83-282:1987 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Varistores de supresión de sobretensiones. Especificación seccional. Especificación detallada en blanco.
NF EN 60749-8:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 8: estanqueidad.
NF EN 60749-1:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 1: general.
NF EN 60749-21:2012 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 21: soldabilidad.
NF EN 60749-2:2002 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 2: baja presión atmosférica.
NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados en componentes semiconductores.
NF EN 62373:2006 Pruebas de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
NF C86-411:1987 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. SISTEMA ARMONIZADO DE EVALUACIÓN DE CALIDAD DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS. CIRCUITOS INTEGRADOS DE CINE Y HÍBRIDOS. ESPECIFICACIÓN SECCIONAL. (ESPECIFICACIÓN CECC 63 100).
NF EN 62047-12:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibraciones de resonancia de estructuras de sistemas microelectromecánicos (M...
NF EN 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: almacenamiento a alta temperatura.
NF EN 60749-25:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 25: ciclos de temperatura.
NF EN 60749-34:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: ciclos de energía.
NF EN IEC 60749-13:2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 13: atmósfera salina.
NF EN IEC 60749-17:2019 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 17: irradiación de neutrones.
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Sistema de prueba de semiconductores

GB/T 11685-2003 Procedimientos de medición para sistemas detectores de rayos X de semiconductores y espectrómetros de energía de rayos X de semiconductores.
GB/T 31359-2015 Métodos de prueba de láseres semiconductores.
GB/T 42835-2023 Sistema de circuito integrado semiconductor en chip (SoC)
GB/T 5201-1994 Procedimientos de prueba para detectores de partículas cargadas de semiconductores.
GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 13974-1992 Métodos de prueba para trazadores de curvas de dispositivos semiconductores.
GB/T 6616-2023 Método de corrientes parásitas sin contacto para probar la resistividad de las obleas semiconductoras y la resistencia de las láminas de películas semiconductoras
GB/T 42975-2023 Métodos de prueba de controladores de circuitos integrados de semiconductores.
GB/T 10236-2006 Guía para la compatibilidad y protección de los efectos de interferencia entre convertidores de semiconductores y el sistema de alimentación.
GB/T 42838-2023 Método de prueba de circuito Hall de circuito integrado de semiconductores
GB/T 43061-2023 Método de prueba del controlador PWM de circuito integrado semiconductor
GB/T 42676-2023 Método de difracción de rayos X para probar la calidad del monocristal semiconductor
GB/T 36477-2018 Circuito integrado semiconductor. Métodos de medición para memoria flash.
GB/T 4377-2018 Circuitos integrados semiconductores. Método de medición de reguladores de voltaje.
GB/T 15653-1995 Métodos de medición para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
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DLA MIL STD 750 1-2012 MÉTODO DE PRUEBA MÉTODOS DE PRUEBA AMBIENTALES ESTÁNDAR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 1: MÉTODOS DE PRUEBA 1000 HASTA 1999
DLA MIL STD 750 2-2012 MÉTODO DE PRUEBA MÉTODOS DE PRUEBA MECÁNICA ESTÁNDAR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 2: MÉTODOS DE PRUEBA 2001 HASTA 2999
DLA MIL STD 750 4 E-2012 MÉTODO DE PRUEBA MÉTODOS DE PRUEBA ELÉCTRICA DE DIODOS ESTÁNDAR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 4: MÉTODOS DE PRUEBA DEL 4000 AL 4999
DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 1-2013 MÉTODO DE PRUEBA MÉTODOS DE PRUEBA AMBIENTALES ESTÁNDAR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 1: MÉTODOS DE PRUEBA 1000 HASTA 1999
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