ZH
RU
EN

Principios de prueba de semiconductores

Principios de prueba de semiconductores, Total: 500 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Principios de prueba de semiconductores son: Circuitos integrados. Microelectrónica, Dispositivos semiconductores, Optoelectrónica. Equipo láser, Desarrollo de software y documentación del sistema., químicos inorgánicos, Mediciones de radiación, pruebas de metales, Medidas lineales y angulares., Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Materiales semiconductores, Comunicaciones de fibra óptica., Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Vocabularios, Componentes electrónicos en general., ingeniería de energía nuclear, Componentes para equipos eléctricos., Redes de transmisión y distribución de energía., Pruebas eléctricas y electrónicas., Sistemas de automatización industrial, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Materiales aislantes, Alambres y cables eléctricos., Tecnología de vacío, Idiomas utilizados en la tecnología de la información., Plástica, Protección contra el fuego, Productos de caucho y plástico., Aplicaciones de la tecnología de la información., Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Sistemas y operaciones espaciales., ingenieria electrica en general, Óptica y medidas ópticas., Acústica y mediciones acústicas., Cerámica, Química analítica, Agricultura y silvicultura, Análisis del tamaño de partículas. tamizado.

SE-SIS, Principios de prueba de semiconductores

SIS SEN 01 26 51-1969 Símbolos para diagramas eléctricos Semiconductores.
SIS SS IEC 617-5:1987 Símbolos gráficos para diagramas: semiconductores y tubos de electrones.
SIS SS-IEC 749:1991 Dispositivos semiconductores: métodos de prueba mecánicos y climáticos.
SIS SS IEC 333:1986 Instrumentación nuclear: procedimientos de prueba para detectores de partículas cargadas de semiconductores.
SIS SS IEC 700:1984 Electrónica de potencia. Válvulas semiconductoras para transmisión de potencia CC de alto voltaje. Pruebas.

Professional Standard - Electron, Principios de prueba de semiconductores

SJ/T 10735-1996 Circuitos integrados semiconductores Principios generales de métodos de medición para circuitos TTL
SJ/T 10736-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para circuitos HTL
SJ/T 10737-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para circuitos ECL
SJ/T 10741-2000 Circuitos integrados semiconductores Principios generales de métodos de medición para circuitos CMOS.
SJ/T 10741-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para circuitos CMOS.
SJ/T 10804-2000 Circuitos integrados semiconductores. Principios generales de los métodos de medición para traductores de nivel.
SJ/T 10805-2000 Circuitos integrados semiconductores. Principios generales de métodos de medida para comparadores de tensión.
SJ/T 10882-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para amplificadores lineales.
SJ/T 10803-1996 Circuitos integrados semiconductores utilizados como circuitos de interfaz. Principios generales de los métodos de medición para circuitos de línea.
SJ/T 10880-1996 Circuitos de audio integrados semiconductores: principios generales de los métodos de medición para decodificadores estéreo.
SJ/T 10739-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para memorias de acceso aleatorio MOS.
SJ/T 10738-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de los métodos de medición para amplificadores operacionales (de tensión)
SJ/T 10800-1996 Circuitos integrados semiconductores utilizados como circuitos de interfaz. Principios generales de los métodos de medición para amplificadores de detección.
SJ/T 10802-1996 Circuitos integrados semiconductores utilizados como circuitos de interfaz. Principios generales de los métodos de medición para controladores periféricos.
SJ/T 10805-1996 Circuitos integrados semiconductores utilizados como circuitos de interfaz. Principios generales de los métodos de medición de comparadores de voltaje.
SJ/T 10804-1996 Circuitos integrados semiconductores utilizados como circuitos de interfaz: principios generales de métodos de medición para traductores de nivel.
SJ/T 10806-1996 Circuitos integrados semiconductores utilizados como circuitos de interfaz. Principios generales de los métodos de medición para controladores de pantalla.
SJ/T 11005-1996 Circuitos integrados de TV semiconductores: principios generales de métodos de medición para circuitos de canales de audio.
SJ/T 11006-1996 Circuitos integrados de TV semiconductores: principios generales de los métodos de medición para circuitos de barrido horizontal y vertical.
SJ/T 10401-1993 Principios generales de métodos de medición para estabilizadores de velocidad de motores de circuitos integrados de audio semiconductores.
SJ/T 10740-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para memorias de acceso aleatorio bipolares.
SJ/T 10402-1993 Principios generales de métodos de medición para selectores automáticos de música de circuitos integrados de audio semiconductores.
SJ/T 10400-1993 Principios generales de los métodos de medición para ecualizadores gráficos de circuitos integrados de audio semiconductores.
SJ/T 11004-1996 Circuitos integrados de TV semiconductores: principios generales de los métodos de medición para circuitos de canales de imágenes.
SJ/T 10879-1996 Circuitos de audio integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para preamplificadores de audio
SJ/T 10427.1-1993 Principios generales de los métodos de medición del convertidor FM para circuitos integrados de audio semiconductores.
SJ/T 10427.2-1993 Principios generales de los métodos de medición de amplificadores de frecuencia intermedia para circuitos integrados de audio semiconductores.
SJ/T 10881-1996 Circuitos de audio integrados semiconductores: principios generales de los métodos de medición para decodificadores estéreo.
SJ/T 10801-1996 Circuitos integrados semiconductores utilizados como circuitos de interfaz. Principios generales de los métodos de medición para controladores de memoria magnética.
SJ/T 11007-1996 Circuitos integrados de TV semiconductores: principios generales de los métodos de medición para circuitos de procesamiento de señales de video y señales de crominancia.
SJ/T 2215-2015 Métodos de medición para fotoacopladores de semiconductores.
SJ 2749-1987 Método de medición para diodos láser semiconductores.
SJ 2214.1-1982 Procedimientos generales de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ/T 11394-2009 Métodos de medición de diodos emisores de luz semiconductores.
SJ 20788-2000 Método de medición de la impedancia térmica de diodos semiconductores.
SJ 2355.1-1983 Procedimientos generales de medición para dispositivos emisores de luz.
SJ 2215.1-1982 Procedimientos generales de medición para fotoacopladores semiconductores.
SJ 20787-2000 Método de medición de la resistencia térmica de puentes rectificadores semiconductores.
SJ/T 11399-2009 Métodos de medición para chips de diodos emisores de luz.
SJ/T 10818-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de los métodos de medición para convertidores D/A y A/D de circuitos no lineales.
SJ 2355.5-1983 Método de medición de la intensidad luminosa y del ángulo de semiintensidad de los dispositivos emisores de luz.
SJ 2065-1982 Método de prueba para horno de difusión para la fabricación de dispositivos semiconductores.
SJ 2355.6-1983 Método de medición del flujo luminoso de dispositivos emisores de luz.
SJ 2355.4-1983 Métodos de medición de la capacitancia de unión de dispositivos emisores de luz.
SJ/T 2214-2015 Métodos de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ 2355.3-1983 Método de medición de corriente inversa de dispositivos emisores de luz.
SJ 2355.2-1983 Método de medición de la caída de tensión directa de dispositivos emisores de luz.
SJ/T 10482-1994 Método de prueba para caracterizar niveles profundos de semiconductores mediante técnicas de capacitancia transitoria.
SJ 20026-1992 Métodos de medición para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
SJ 2214.3-1982 Método de medición de corriente oscura de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.5-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.8-1982 Método de medición del voltaje de corriente oscura de fototransistores semiconductores.
SJ 2658.1-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores. Reglas generales.
SJ 2658.4-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de capacitancia
SJ 2355.7-1983 Método de medición de la longitud de onda de emisión máxima y el ancho de banda de radiación espectral de dispositivos emisores de luz.
SJ 2214.2-1982 Método de medición de la tensión directa de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.7-1982 Método de medición del voltaje de saturación de fototransistores semiconductores.
SJ 2214.10-1982 Método de medición de la corriente luminosa de fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ 2658.2-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la caída de tensión directa
SJ 2658.3-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de tensión invertida
SJ 20233-1993 Reglamento de verificación del sistema de prueba de dispositivos discretos semiconductores modelo IMPACT-II
SJ 2215.6-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.8-1982 Método de medición del voltaje de saturación de salida de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ/T 11818.1-2022 Diodos semiconductores emisores de UV Parte 1: Métodos de prueba
SJ 2658.7-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición del flujo radiante
SJ 2658.10-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para banda ancha modulada
SJ 2658.12-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la longitud de onda de emisión máxima y la mitad del ancho espectral
SJ 2215.14-1982 Método de medición del voltaje de aislamiento de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores
SJ 2757-1987 Método de medición por reflexión infrarroja de la concentración de portadores de carga en semiconductores fuertemente dopados.
SJ 2215.3-1982 Método de medición de la corriente directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2214.4-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotodiodos semiconductores.
SJ 2215.4-1982 Método de medición de corriente inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.10-1982 Método de medición de la relación de transferencia de corriente continua de fotoacopladores de semiconductores.
SJ 2215.12-1982 Método de medición de la capacitancia de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores.
SJ 2215.2-1982 Método de medición de la tensión directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.13-1982 Método de medición de la resistencia de aislamiento de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores
SJ 2658.6-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la potencia óptica de salida
SJ 2658.8-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de radiancia normal
SJ 2658.9-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la distribución espacial de intensidad y el ángulo de radiación de intensidad media
SJ 2658.5-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de resistencia en serie directa
SJ 2658.11-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de las características de respuesta al pulso
SJ 2215.5-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.9-1982 Método de medición de la corriente de corte inversa de transistores fotoacopladores semiconductores.
SJ/T 11820-2022 Requisitos técnicos y métodos de medición para equipos de prueba de parámetros de CC de dispositivos semiconductores discretos.
SJ 2214.9-1982 Método de medición del tiempo de subida y bajada del pulso de fotodiodos y fototransistores semiconductores.
SJ 2658.13-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para el coeficiente de temperatura de potencia óptica de salida
SJ 2215.7-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa colector-emisor de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.11-1982 Método de medición del retraso de la subida y bajada del pulso y el tiempo de almacenamiento de fotoacopladores semiconductores.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Principios de prueba de semiconductores

GB/T 14028-1992 Principios generales de los métodos de medición de interruptores analógicos para circuitos integrados semiconductores.
GB/T 14030-1992 Principios generales de los métodos de medición de circuitos temporizadores para circuitos integrados de semiconductores.
GB 14030-1992 Principios básicos de los métodos de prueba de circuitos basados en el tiempo de circuitos integrados de semiconductores.
GB 14028-2018 Principios básicos de los métodos de prueba de interruptores analógicos de circuitos integrados de semiconductores.
GB/T 6798-1996 Circuitos integrados semiconductores. Principios generales de los métodos de medición de comparadores de voltaje.
GB/T 4377-1996 Circuitos integrados semiconductores. Principios generales de los métodos de medición del regulador de voltaje.
GB/T 14031-1992 Principios generales de los métodos de medición del bucle de fase analógico para circuitos integrados semiconductores.
GB/T 14032-1992 Principios generales de los métodos de medición de bucles digitales de fase bloqueada para circuitos integrados semiconductores.
GB/T 14029-1992 Principios generales de los métodos de medición del multiplicador analógico para circuitos integrados semiconductores.
GB 14029-1992 Principios básicos de los métodos de prueba de multiplicadores analógicos de circuitos integrados de semiconductores.
GB 14031-1992 Principios básicos de los métodos de prueba de bucles de bloqueo de fase analógicos de circuitos integrados de semiconductores.
GB 14032-1992 Principios básicos de los métodos de prueba de bucles digitales de fase bloqueada para circuitos integrados de semiconductores.
GB/T 15136-1994 Principios generales de los métodos de medición para relojes de cuarzo y circuitos de vigilancia de circuitos integrados semiconductores.
GB/T 14115-1993 Principios generales de los métodos de medición de amplificadores Sample/Hold para circuitos integrados semiconductores.
GB 3442-1986 Principios básicos de los métodos de prueba de amplificadores operacionales (voltaje) de circuitos integrados de semiconductores.
GB/T 6800-1986 Principios generales de los métodos de medición de amplificadores de potencia de audio para circuitos integrados de audio semiconductores.
GB/T 12843-1991 Principio general de los métodos de medición de parámetros de microprocesadores y circuitos de interfaz periféricos para circuitos integrados de semiconductores.
GB 12843-1991 Principios básicos de los métodos de prueba de parámetros eléctricos para microprocesadores de circuitos integrados semiconductores y circuitos de interfaz periféricos.
GB/T 31359-2015 Métodos de prueba de láseres semiconductores.
GB/T 14114-1993 Principios generales de los métodos de medición de convertidores V/F y F/V para circuitos integrados semiconductores.
GB/T 5201-1994 Procedimientos de prueba para detectores de partículas cargadas de semiconductores.
GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 13974-1992 Métodos de prueba para trazadores de curvas de dispositivos semiconductores.
GB/T 6616-2023 Método de corrientes parásitas sin contacto para probar la resistividad de las obleas semiconductoras y la resistencia de las láminas de películas semiconductoras
GB/T 42975-2023 Métodos de prueba de controladores de circuitos integrados de semiconductores.
GB/T 42838-2023 Método de prueba de circuito Hall de circuito integrado de semiconductores
GB/T 43061-2023 Método de prueba del controlador PWM de circuito integrado semiconductor
GB/T 42676-2023 Método de difracción de rayos X para probar la calidad del monocristal semiconductor
GB/T 36477-2018 Circuito integrado semiconductor. Métodos de medición para memoria flash.
GB/T 4377-2018 Circuitos integrados semiconductores. Método de medición de reguladores de voltaje.
GB/T 15653-1995 Métodos de medición para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
GB/T 43040-2023 Método de prueba del convertidor CA/CC del circuito integrado de semiconductores
GB/T 42970-2023 Métodos de prueba de circuitos de codificación y decodificación de vídeo de circuitos integrados semiconductores.
GB/T 14862-1993 Métodos de prueba de resistencia térmica de unión a caja de paquetes para circuitos integrados de semiconductores
GB/T 8446.2-1987 Método de medición de la resistencia térmica y la diferencia de presión del fluido de entrada-salida del disipador de calor para un dispositivo semiconductor de potencia
GB/T 42848-2023 Método de prueba para sintetizador de frecuencia digital directo de circuito integrado semiconductor.
GB 35007-2018 Método de prueba de circuito de señal diferencial de bajo voltaje de circuito integrado semiconductor
GB/T 43226-2023 Método de prueba en el dominio del tiempo de error suave de un solo evento para circuitos integrados de semiconductores utilizados en aplicaciones aeroespaciales
GB/T 8446.2-2004 Disipador de calor para dispositivos semiconductores de potencia Parte 2: Método de medición de la resistencia térmica y diferencia de presión del fluido de entrada-salida

AT-ON, Principios de prueba de semiconductores

ONORM E 1005-1987 Símbolos gráficos para diagramas; símbolos para semiconductores y tubos de electrones

HU-MSZT, Principios de prueba de semiconductores

MSZ 700/36.lap-1961 SZENEK VIZSG?LATA NYERS AKNASZ?N VIZSG?LATA A SZ?NB?NY?SZATBAN
MSZ 700/23.lap-1965 SZENEK VIZSG?LATA Feketeszenek kokszol hatóságának meghatározása dilatométerrel
MSZ 700/24.lap-1965 SZENEK VIZSG?LATA Feketeszenek plasztometrikus mutatószámának meghatározása Szapozsnyikov szerint
MNOSZ 700-8.lap-1955 SZENEK VIZSGALATA A KARBON- ?S Hl DROG?NTARTALOM MEGHAT?ROZ?SA
MSZ 700/27.lap-1962 SZENEK VIZSG?LATA Gyulladáspont meghatározása
MSZ 700/26.lap-1961 SZENEK VIZSG?LATA Gyors módszer a hamu meghatározására
MSZ 700/41.lap-1961 SZENEK VIZSG?LATA ?sszes kéntartalom gyors meghatározása kalori méterbombában
MNOSZ 700-3.lap-1955 SZENEK VIZSG?LATA AZ ELEMZ?SI MINTA ELK?SZ?T?SE A LABORAT?RIUMI MINT?B?L

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Principios de prueba de semiconductores

JEDEC JEP140-2002 Medición de temperatura de termopar con cuentas de paquetes de semiconductores
JEDEC JESD22-B108A-2003 Prueba de coplanaridad para dispositivos semiconductores de montaje superficial
JEDEC JESD22-B108B-2010 Prueba de coplanaridad para dispositivos semiconductores de montaje superficial
JEDEC JESD57-1996 Procedimientos de prueba para la medición de efectos de un solo evento en dispositivos semiconductores debido a la irradiación de iones pesados
JEDEC JESD390A-1981 Procedimiento de prueba estándar para mediciones de margen de ruido para microcircuitos de activación lógica de semiconductores
JEDEC JESD51-14-2010 Método de prueba de interfaz dual transitoria para la medición de la unión de resistencia térmica a la caja de dispositivos semiconductores con flujo de calor a través de un solo camino

CZ-CSN, Principios de prueba de semiconductores

CSN 35 1540-1979 Pruebas de convertidores de semiconductores de potencia.
CSN IEC 617-5:1993 Símbolos gráficos para diagramas. Parte 5: Semiconductores y tubos de electrones.
CSN IEC 749:1994 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos.
CSN 35 6575 Z1-1997 Procedimientos de prueba estándar para espectrómetros de energía de rayos X de semiconductores
CSN 35 1601-1980 Dispositivos semiconductores de potencia. Requisitos técnicos generales. Métodos de prueba
CSN IEC 596:1994 Definiciones de términos de métodos de prueba para detectores de radiación semiconductores y recuento de centelleo
CSN 35 6553 Z1-1997 ZESILOVA?EAP?EDZESILOVA?E POLOVODI?OV?CH DETEKTOR? IONIZUJ?C?HO Z??EN? Metodología zku?ební

RO-ASRO, Principios de prueba de semiconductores

STAS 11066/2-1980 TIRISTORES Métodos de prueba
STAS 6693/2-1975 Dispositivos semiconductores TRANSISTORES Métodos para medir propiedades eléctricas.

IN-BIS, Principios de prueba de semiconductores

IS 7412-1974 PRUEBAS DE VIDA DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
IS 9816-1981 REQUISITOS GENERALES Y CLASIFICACIÓN DE PRUEBAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
IS 12641-1989 PROCEDIMIENTOS DE PRUEBAS AMBIENTALES PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS
IS 12737-1988 PROCEDIMIENTOS DE PRUEBA ESTÁNDAR PARA ESPECTRÓMETROS DE ENERGÍA DE RAYOS X DE SEMICONDUCTOR

Defense Logistics Agency, Principios de prueba de semiconductores

DLA MIL-STD-750 F CHANGE 1-2013 MÉTODOS DE PRUEBA PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DLA MIL-STD-750 F-2012 MÉTODO DE PRUEBA ESTÁNDAR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DLA MIL STD 750 3-2012 MÉTODO DE PRUEBA MÉTODOS DE PRUEBA ELÉCTRICA DE TRANSISTORES ESTÁNDAR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 3: MÉTODOS DE PRUEBA 3000 A 3999
DLA MIL STD 750 1-2012 MÉTODO DE PRUEBA MÉTODOS DE PRUEBA AMBIENTALES ESTÁNDAR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 1: MÉTODOS DE PRUEBA 1000 HASTA 1999
DLA MIL STD 750 2-2012 MÉTODO DE PRUEBA MÉTODOS DE PRUEBA MECÁNICA ESTÁNDAR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 2: MÉTODOS DE PRUEBA 2001 HASTA 2999
DLA MIL STD 750 4 E-2012 MÉTODO DE PRUEBA MÉTODOS DE PRUEBA ELÉCTRICA DE DIODOS ESTÁNDAR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 4: MÉTODOS DE PRUEBA DEL 4000 AL 4999
DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 1-2013 MÉTODO DE PRUEBA MÉTODOS DE PRUEBA AMBIENTALES ESTÁNDAR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 1: MÉTODOS DE PRUEBA 1000 HASTA 1999
DLA MIL-STD-750-2 CHANGE 3-2013 MÉTODO DE PRUEBA MÉTODOS DE PRUEBA MECÁNICA ESTÁNDAR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 2: MÉTODOS DE PRUEBA 2001 HASTA 2999
DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 2-2013 MÉTODO DE PRUEBA MÉTODOS DE PRUEBA AMBIENTALES ESTÁNDAR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 1: MÉTODOS DE PRUEBA 1000 HASTA 1999
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DE BUS DE PRUEBA, SILICIO MONOLÍTICO

Group Standards of the People's Republic of China, Principios de prueba de semiconductores

T/SHDSGY 113-2022 Software de prueba de semiconductores frontales de radiofrecuencia
T/ZACA 041-2022 Equipo de prueba de dispositivos semiconductores de señal mixta
T/CASAS 011.1-2021 Cualificación de pruebas para dispositivos de potencia en aplicaciones automotrices
T/CASAS 011.2-2021 Cualificación de pruebas para módulos de potencia en aplicaciones automotrices
T/GVS 005-2022 Especificación de prueba para el método de contraste del vacuómetro de diafragma de capacitancia de presión absoluta en equipos semiconductores

YU-JUS, Principios de prueba de semiconductores

JUS N.R1.500-1980 Dispositivos semiconductores. Aceptación. Pruebas electricas
JUS N.C0.036-1980 Pruebas de cordones y cables flexibles. Mediciones de resistencia de aislamiento, resistencia de capas semiconductoras y resistencia superficial.

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Principios de prueba de semiconductores

IEEE 660-1986 Lenguaje de patrones de prueba de memoria de semiconductores
IEEE No 256-1963 Procedimiento de prueba IEEE para diodos semiconductores
IEEE Std 660-1986 Estándar IEEE para lenguaje de patrones de prueba de memoria de semiconductores
IEEE Std 300-1988 Procedimientos de prueba estándar IEEE para detectores de partículas cargadas de semiconductores
ANSI/IEEE Std 300-1982 Procedimientos de prueba estándar IEEE para detectores de partículas cargadas de semiconductores
ANSI/IEEE Std 759-1984 Procedimientos de prueba estándar IEEE para espectrómetros de energía de rayos X de semiconductores
IEEE Std C62.35-1987 Especificaciones de prueba estándar IEEE para dispositivos de protección contra sobretensiones de semiconductores de unión de avalanchas
IEEE No 300-1969*USAS N42.1-1969 Procedimiento de prueba estándar de EE. UU. y IEEE para detectores de radiación semiconductora (para radiación ionizante)
IEEE 300-1969 Procedimiento de prueba estándar de EE. UU. y IEEE para detectores de radiación semiconductora (para radiación ionizante)
IEEE Unapproved Draft Std PC62.35/D11, Aug 2007 Borrador de especificaciones de prueba estándar del IEEE para dispositivos semiconductores de protección contra sobretensiones de unión de avalanchas
IEEE Std C62.35-2010 Métodos de prueba estándar IEEE para componentes de dispositivos semiconductores de protección contra sobretensiones de unión de avalanchas
IEEE Std C62.35- 2010 Métodos de prueba estándar IEEE para componentes de dispositivos semiconductores de protección contra sobretensiones de unión de avalanchas
IEEE 1450.1-2005 Estándar IEEE para extensiones del lenguaje de interfaz de prueba estándar (STIL) (IEEE Std 1450?999) para entornos de diseño de semiconductores Documento de IEEE Computer Society; Fe de erratas: 20/12/2005
IEEE Unapproved Draft Std P62.32_D12, Nov 2009 Borrador de métodos de prueba estándar del IEEE para componentes de dispositivos semiconductores de protección contra sobretensiones de unión de avalancha

RU-GOST R, Principios de prueba de semiconductores

GOST 29106-1991 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Parte 1. Generalidades
GOST 24461-1980 Dispositivos semiconductores de potencia. Métodos de prueba y medición.

British Standards Institution (BSI), Principios de prueba de semiconductores

BS EN IEC 63364-1:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para sistemas IoT: método de prueba de detección de variaciones de sonido
BS IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
BS IEC 62951-7:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para caracterizar el rendimiento de barrera de la encapsulación de película delgada para semiconductores orgánicos flexibles.
BS IEC 62951-6:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para la resistencia laminar de películas conductoras flexibles
BS IEC 62373-1:2020 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET): prueba BTI rápida para MOSFET
BS IEC 62951-1:2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba de flexión para películas delgadas conductoras sobre sustratos flexibles
14/30297227 DC BS EN 62880-1. Dispositivos semiconductores. Fiabilidad a nivel de oblea para dispositivos semiconductores. Método de prueba de migración de tensión de cobre.
22/30443678 DC BS EN 60749-34-1. Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Parte 34-1. Prueba de ciclo de energía para módulo semiconductor de potencia
BS IEC 63275-1:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio - Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización
18/30381548 DC BS EN 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
17/30366375 DC BSIEC 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
BS IEC 60747-14-11:2021 Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores. Método de prueba de sensores integrados basados en ondas acústicas de superficie para medir ultravioleta, iluminación y temperatura.
BS IEC 62951-9:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y extensibles: métodos de prueba de rendimiento de celdas de memoria resistivas de un transistor y una resistencia (1T1R)
BS IEC 62880-1:2017 Dispositivos semiconductores. Estándar de prueba de migración de tensión - Estándar de prueba de migración de tensión de cobre
21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1. Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para sistema IOT. Parte 1. Método de prueba de detección de variaciones de sonido.
BS EN 60749-34:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Ciclo de potencia
BS EN 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Almacenamiento a alta temperatura.
PD ES 59008-4-1:2001 Requisitos de datos para matrices semiconductoras. Requisitos y recomendaciones específicas. Prueba y calidad
BS IEC 60747-18-1:2019 Dispositivos semiconductores. Biosensores semiconductores. Método de prueba y análisis de datos para la calibración de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes
BS EN 62047-3:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Pieza de prueba estándar de película delgada para ensayos de tracción
IEC TR 63357:2022 Dispositivos semiconductores. Hoja de ruta de estandarización del método de prueba de fallas para vehículos automotores
BS EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS IEC 62951-8:2023 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para determinar la capacidad de estiramiento, flexibilidad y estabilidad de la memoria resistiva flexible
BS IEC 62830-5:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para captación y generación de energía. Método de prueba para medir la energía generada a partir de dispositivos termoeléctricos flexibles.
BS IEC 62830-4:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía: métodos de prueba y evaluación para dispositivos piezoeléctricos flexibles de recolección de energía.
BS EN IEC 60749-39:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN 60749-9:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Permanencia del marcado
BS EN 60749-3:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Examen visual externo.
BS IEC 63284:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad mediante conmutación de carga inductiva para transistores de nitruro de galio
BS EN 60749-29:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Prueba de agarre
20/30406230 DC BS IEC 63275-1. Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 1. Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización.
BS EN 60749-4:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos: calor húmedo, estado estacionario, prueba de esfuerzo altamente acelerada (HAST)
13/30284029 DC BS EN 60191-6-16. Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-16. Glosario de pruebas de semiconductores y zócalos precintados para BGA, LGA, FBGA y FLGA
PD IEC TR 60747-5-12:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de eficiencias LED.
19/30390371 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
18/30362458 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
18/30355426 DC BS EN 62830-5. Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para captación y generación de energía. Parte 5. Método de prueba para medir la energía generada a partir de dispositivos termoeléctricos flexibles.
BS EN IEC 60749-30:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos: preacondicionamiento de dispositivos de montaje en superficie no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad
BS EN 60749-26:2006 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD) - Modelo del cuerpo humano (HBM)
BS EN 60749-26:2014 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM)
BS IEC 62526:2007 Estándar para extensiones del lenguaje de interfaz de prueba estándar (STIL) para entornos de diseño de semiconductores
BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
BS EN IEC 60749-17:2019 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Irradiación de neutrones
BS IEC 62830-6:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía: métodos de prueba y evaluación para dispositivos triboeléctricos de recolección de energía en modo de contacto vertical.
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 39. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN IEC 60749-26:2018 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM)
20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0. Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2. Método de prueba para la degradación bipolar mediante diodo corporal en funcionamiento.
BS EN 60749-16:2003 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Detección de ruido de impacto de partículas (PIND)
BS IEC 62047-32:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: método de prueba para la vibración no lineal de resonadores MEMS
20/30423207 DC BS EN IEC 62951-9. Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables. Parte 9. Métodos de prueba de rendimiento de celdas de memoria resistivas de un transistor y una resistencia (1T1R)
20/30409285 DC BS IEC 63284. Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad bajo tensión mediante conmutación de carga inductiva para transistores de nitruro de galio

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Principios de prueba de semiconductores

JIS K 0315:2022 Método para medir gases traza reductores mediante equipos de medición de gases traza de tipo semiconductor
JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
JIS C 5630-3:2009 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 3: Pieza de prueba estándar de película delgada para pruebas de tracción
JIS Z 8823-1:2001 Determinación de la distribución del tamaño de partículas mediante métodos de sedimentación líquida centrífuga. Parte 1: Principios y directrices generales.

Danish Standards Foundation, Principios de prueba de semiconductores

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Principios de prueba de semiconductores

EN 62415:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de electromigración de corriente constante
EN 60749-29:2003 Dispositivos semiconductores Métodos de prueba mecánicos y climáticos Parte 29: Prueba de enganche
EN 60749-34:2004 Dispositivos semiconductores Métodos de prueba mecánicos y climáticos Parte 34: Ciclos de energía
EN 60749-26:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 26: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM).

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Principios de prueba de semiconductores

KS C 6045-1991(2001) MÉTODOS DE PRUEBA PARA DIODOS RECTIFICADORES SEMICONDUCTOR
KS M 1804-2008(2018) Método de prueba de ácido fluorhídrico para semiconductores.
KS C 6045-1986 MÉTODOS DE PRUEBA PARA DIODOS RECTIFICADORES SEMICONDUCTOR
KS C 6565-2002 Métodos de prueba de sensores de aceleración de semiconductores.
KS C 6565-2002(2017) Métodos de prueba de sensores de aceleración de semiconductores.
KS C 6520-2008 Componentes y materiales del proceso semiconductor－Medición de las características de desgaste por plasma.
KS C IEC 60759-2009(2019) Procedimientos de prueba estándar para espectrómetros de energía de rayos X de semiconductores
KS C IEC 62526-2015(2020) Estándar para extensiones del lenguaje de interfaz de prueba estándar (STIL) para entornos de diseño de semiconductores
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 62526:2015 Estándar para extensiones del lenguaje de interfaz de prueba estándar (STIL) para entornos de diseño de semiconductores
KS C IEC 60749-21:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 21: Soldabilidad.
KS C IEC 60749-2:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 2: Baja presión de aire.
KS C IEC 60749-13:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 13: Atmósfera salina.
KS C IEC 60749-34:2006 Dispositivos semiconductores-Métodos de prueba mecánicos y climáticos-Parte 34: Ciclos de energía
KS C IEC 60749-6:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
KS C IEC 60749-22:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 22: Fuerza de unión.
KS C IEC 60749-34:2017 Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 34: Ciclos de energía
KS C IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores

Association Francaise de Normalisation, Principios de prueba de semiconductores

NF EN 62415:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de electromigración de corriente constante
NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores semiconductores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET)
NF EN IEC 63364-1:2023 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistema IDO - Parte 1: Método de prueba de detección de variación acústica
NF EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de portadora caliente en transistores MOS
NF EN 60749-44:2016 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 44: método de prueba para los efectos de un evento único (SEE) irradiado por un haz de neutrones para dispositivos semiconductores.
NF EN 60749-38:2008 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 38: método de prueba de error leve para dispositivos semiconductores con memoria.
NF EN 62418:2011 Dispositivos semiconductores: prueba de cavidades debido a tensiones de metalización
NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 44: método de prueba de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores.
NF EN 60749-29:2012 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 29: prueba de pestillo.
NF C53-225:1985 Pruebas de válvulas semiconductoras para transmisión de energía CC de alta tensión.
NF EN 60749-8:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 8: estanqueidad.
NF EN 60749-1:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 1: general.
NF EN 60749-21:2012 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 21: soldabilidad.
NF EN 60749-2:2002 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 2: baja presión atmosférica.
NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados en componentes semiconductores.
NF EN 62373:2006 Pruebas de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
NF EN IEC 60749-30:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 30: preacondicionamiento de componentes de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad.
NF EN 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: almacenamiento a alta temperatura.
NF EN 60749-25:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 25: ciclos de temperatura.
NF EN 60749-34:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: ciclos de energía.
NF EN IEC 60749-13:2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 13: atmósfera salina.
NF EN IEC 60749-17:2019 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 17: irradiación de neutrones.
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF EN 62047-3:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 3: probetas estandarizadas de película delgada para ensayos de tracción.
NF C96-022-26*NF EN IEC 60749-26:2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 26: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM).
NF EN IEC 60749-26:2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 26: Pruebas de susceptibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM).
NF EN 62374:2008 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta
XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
NF EN 60749-32/A1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 32: inflamabilidad de los dispositivos encapsulados en plástico (caso de una causa externa de ignición).
NF EN 60749-32:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 32: inflamabilidad de los dispositivos encapsulados en plástico (caso de una causa externa de ignición).
NF EN 60749-31:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 31: inflamabilidad de los dispositivos encapsulados en plástico (caso de una causa interna de ignición).

ES-UNE, Principios de prueba de semiconductores

UNE-EN 62415:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayo de electromigración en corriente constante (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
UNE-EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayos de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
UNE-EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayo de portadora caliente en transistores MOS (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
UNE-EN 62418:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayo de vacío de tensión de metalización (Ratificada por AENOR en octubre de 2010.)
UNE-EN 60749-38:2008 Dispositivos semiconductores- Métodos de ensayo mecánicos y climáticos- Parte 38: Método de ensayo de error suave para dispositivos semiconductores con memoria (Ratificada por AENOR en septiembre de 2008.)
UNE-EN IEC 63364-1:2023 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistema IOT - Parte 1: Método de prueba de detección de variación del sonido (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en marzo de 2023.)
UNE-EN 60749-44:2016 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 44: Método de ensayo de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores (Ratificada por AENOR en diciembre de 2016.)
UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 44: Método de ensayo de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores (Ratificada por AENOR en diciembre de 2016.)
UNE-EN 60749-29:2011 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 29: Ensayo de enganche (Ratificada por AENOR en noviembre de 2011.)
UNE-EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en marzo de 2022.)
UNE-EN 60191-6-16:2007 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-16: Glosario de pruebas de semiconductores y zócalos precintados para BGA, LGA, FBGA y FLGA (IEC 60191-6-16:2007). (Ratificada por AENOR en octubre de 2007.)
UNE-EN IEC 60749-13:2018 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 13: Atmósfera salina (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en mayo de 2018.)
UNE-EN 60749-21:2011 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 21: Soldabilidad (Ratificada por AENOR en noviembre de 2011.)
UNE-EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)
UNE-EN IEC 60749-30:2020 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos no herméticos de montaje superficial previo a los ensayos de fiabilidad (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en noviembre de 2020.)
UNE-EN IEC 60749-17:2019 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 17: Irradiación de neutrones (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en junio de 2019.)
UNE-EN IEC 60749-12:2018 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 12: Vibración, frecuencia variable (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en abril de 2018.)
UNE-EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)
UNE-EN 62047-3:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 3: Probeta estándar de película delgada para ensayos de tracción (IEC 62047-3:2006) (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN IEC 60749-26:2018 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 26: Ensayos de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD) - Modelo del cuerpo humano (HBM) (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en mayo de 2018.)
UNE-EN 62374-1:2010 Dispositivos semiconductores -- Parte 1: Ensayo de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas (Ratificada por AENOR en marzo de 2011.)

German Institute for Standardization, Principios de prueba de semiconductores

DIN EN 62415:2010-12 Dispositivos semiconductores - Prueba de electromigración de corriente constante (IEC 62415:2010); Versión alemana EN 62415:2010
DIN EN 62417:2010-12 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
DIN EN 62416:2010-12 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS (IEC 62416:2010); Versión alemana EN 62416:2010
DIN 50448:1998
DIN EN 62418:2010-12 Dispositivos semiconductores: prueba de vacío de tensión de metalización (IEC 62418:2010); Versión alemana EN 62418:2010
DIN 50441-2:1998 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 2: Ensayos del perfil de los bordes.
DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
DIN 50441-5:2001 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 5: Términos de forma y desviación de planitud.
DIN EN 60749-44:2017-04 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 44: Método de prueba de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores (IEC 60749-44:2016); Versión alemana EN 60749-44:2016
DIN EN 60749-38:2008-10 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 38: Método de prueba de error leve para dispositivos semiconductores con memoria (IEC 60749-38:2008); Versión alemana EN 60749-38:2008
DIN SPEC 1994:2017-02 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de aniones en ácidos débiles
DIN EN 60749-29:2012-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 29: Prueba de enganche (IEC 60749-29:2011); Versión alemana EN 60749-29:2011 / Nota: DIN EN 60749-29 (2004-07) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 12 de mayo de 2014.
DIN EN 60191-6-16:2007-11 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-16: Glosario de pruebas de semiconductores y zócalos precintados para BGA, LGA, FBGA y FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Versión alemana EN 60191-6-16:2007 / Nota: A sustituir por DIN EN 60191-6-16 (2013-...
DIN 50449-2:1998
DIN EN 60749-39:2007-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006 / Nota: A ser r...
DIN EN 60749-8:2003-12 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 8: Sellado (IEC 60749-8:2002 + Corr. 1:2003 + Corr. 2:2003); Versión alemana EN 60749-8:2003 / Nota: Bajo ciertas condiciones, DIN EN 60749 (2002-09) sigue siendo válida junto con esta norma...
DIN EN 60749-21:2012-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 21: Soldabilidad (IEC 60749-21:2011); Versión alemana EN 60749-21:2011 / Nota: DIN EN 60749-21 (2005-06) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2014-05-12.
DIN EN IEC 60749-13:2018-10 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 13: Atmósfera salina (IEC 60749-13:2018); Versión alemana EN IEC 60749-13:2018 / Nota: DIN EN 60749-13 (2003-04) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 22 de marzo de 2021.
DIN EN 62373:2007-01 Prueba de estabilidad de la temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62373:2006); Versión alemana EN 62373:2006
DIN 50452-1:1995-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN EN IEC 60749-30:2023-02 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad (IEC 60749-30:2020); Versión alemana EN IEC 60749-30:2020 / Nota: DIN EN 60749-30 (2011-12) permanece...
DIN EN 60749-34:2011-05 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía (IEC 60749-34:2010); Versión alemana EN 60749-34:2010 / Nota: DIN EN 60749-34 (2004-10) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2013-12-01.
DIN EN 60749-25:2004-04 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 25: Ciclos de temperatura (IEC 60749-25:2003); Versión alemana EN 60749-25:2003 / Nota: Bajo ciertas condiciones, DIN EN 60749 (2002-09) sigue siendo válida junto con esta norma hasta 2006-0...
DIN EN 60749-27:2013-04 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 27: Prueba de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo de máquina (MM) (IEC 60749-27:2006 + A1:2012); Versión alemana EN 60749-27:2006 + A1:2012 / Nota: DIN EN 60749-27 (2007-01) re...
DIN EN 60749-6:2017-11 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura (IEC 60749-6:2017); Versión alemana EN 60749-6:2017 / Nota: DIN EN 60749-6 (2003-04) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2020-04-07.
DIN EN 60749-22:2003-12 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 22: Fuerza de unión (IEC 60749-22:200 + Corr. 1:2003); Versión alemana EN 60749-22:2003 / Nota: Bajo ciertas condiciones, DIN EN 60749 (2002-09) sigue siendo válida junto con esta norma hasta...
DIN EN IEC 60749-12:2018-07 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 12: Vibración, frecuencia variable (IEC 60749-12:2017); Versión alemana EN IEC 60749-12:2018 / Nota: DIN EN 60749-12 (2003-04) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2021-01-17.
DIN EN 60749-39:2007 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006
DIN 50450-2:1991-03 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de impurezas en gases portadores y gases dopantes; determinación de impureza de oxígeno en N<(Index)2>, Ar, He, Ne y H<(Index)2> mediante el uso de una celda galvánica
DIN 50453-3:2001 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las tasas de grabado de mezclas de grabado. Parte 3: Aluminio, método gravimétrico.
DIN EN 62374:2008-02 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta (IEC 62374:2007); Versión alemana EN 62374:2007
DIN EN 62374-1:2011-06 Dispositivos semiconductores. Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas (IEC 62374-1:2010); Versión alemana EN 62374-1:2010 + AC:2011
DIN EN 60749-36:2003-12 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 36: Aceleración, estado estacionario (IEC 60749-36:2003); Versión alemana EN 60749-36:2003 / Nota: Bajo ciertas condiciones, DIN EN 60749 (2002-09) sigue siendo válida junto con esta norma hasta...
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020 / No...

工业和信息化部, Principios de prueba de semiconductores

SJ/T 2749-2016 Métodos de prueba de diodos láser semiconductores
SJ/T 10805-2018 Método de prueba del comparador de voltaje de circuito integrado semiconductor
SJ/T 11702-2018 Método de prueba de interfaz periférica serie de circuito integrado semiconductor
SJ/T 11706-2018 Método de prueba de matriz de puertas programables en campo de circuito integrado semiconductor
SJ/T 11577-2016 Guía de aplicación "Métodos de prueba de diodos emisores de luz semiconductores" SJ/T 11394-2009

International Electrotechnical Commission (IEC), Principios de prueba de semiconductores

IEC 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
IEC 63364-1:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistemas IoT - Parte 1: Método de prueba para la detección de variaciones de sonido
IEC 60749-44:2016 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 44: Método de prueba de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores.
IEC 60333:1993 Instrumentación nuclear; detectores de partículas cargadas de semiconductores; procedimientos de prueba
IEC 62951-9:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores flexibles y extensibles - Parte 9: Métodos de prueba de rendimiento de celdas de memoria resistivas de un transistor y una resistencia (1T1R)
IEC 62830-5:2021 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para recolección y generación de energía - Parte 5: Método de prueba para medir la energía generada a partir de dispositivos termoeléctricos flexibles
IEC 62880-1:2017 Dispositivos semiconductores. Norma de prueba de migración de tensión. Parte 1: Norma de prueba de migración de tensión del cobre.
IEC 60749-39:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-13:2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 13: Atmósfera salina.
IEC 60147-2:1963 Clasificaciones y características esenciales de los dispositivos semiconductores y principios generales de los métodos de medición. Parte 2: Principios generales de los métodos de medición.
IEC 60596:1978 Definiciones de términos de métodos de prueba para detectores de radiación semiconductores y recuento de centelleo
IEC 60749-34:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía.
IEC 60747-14-11:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 14-11: Sensores semiconductores. Método de prueba de sensores integrados basados en ondas acústicas de superficie para medir ultravioleta, iluminación y temperatura.
IEC 60749-30:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad.
IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Principios de prueba de semiconductores

GB/T 1550-2018 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 39771.2-2021 Seguridad de la radiación óptica de los LED. Parte 2: Métodos de medición.
GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis

Professional Standard - Aerospace, Principios de prueba de semiconductores

QJ 259-1977 dispositivo
QJ 257-1977 Método de prueba de circuito digital integrado TTL de semiconductores
QJ 1528-1988 Método de prueba de base de tiempo de circuito integrado semiconductor
QJ/Z 32-1977 Métodos de prueba para amplificadores de comparación integrados de semiconductores.
QJ 260-1977 dispositivo
QJ 1460-1988 Método de prueba para amplificador de banda ancha de circuito integrado semiconductor.
QJ 2491-1993 Métodos de prueba para amplificadores operacionales en circuitos integrados semiconductores.
QJ 1526-1988 dispositivo
QJ 2660-1994 Método de prueba para modulador de ancho de pulso de fuente de alimentación conmutada de circuito integrado semiconductor
QJ 3293-2008 Requisitos de gestión de seguridad para la prueba de ensamblaje final de misiles sólidos
QJ 3044-1998 Método de prueba del convertidor D/A y del convertidor A/D del circuito integrado de semiconductores

TR-TSE, Principios de prueba de semiconductores

TS 2643-1977 Procedimientos de prueba para detectores bemiconductores de radiación ionizante
TS 2552-1977 Clasificaciones y características esenciales de los dispositivos seraiconductores y principios generales de los métodos de medición Parte 2: Principios generales de los métodos de medición
TS 3433-1979 PROCEDIMIENTOS DE PRUEBA PARA AMPLIFICADORES Y PREAMPLIFICADORES PARA DETECTORES DE SEMICONDUCTOR PARA RADIACIONES IONIZANTES

Lithuanian Standards Office , Principios de prueba de semiconductores

LST EN 62417-2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010)
LST EN 62415-2010 Dispositivos semiconductores: prueba de electromigración de corriente constante (IEC 62415:2010)
LST EN 62416-2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS (IEC 62416:2010)
LST EN 60749-38-2008 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 38: Método de prueba de error leve para dispositivos semiconductores con memoria (IEC 60749-38:2008).
LST EN 62418-2010 Dispositivos semiconductores: prueba de vacío de tensión de metalización (IEC 62418:2010)
LST EN 60749-29-2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 29: Prueba de enganche (IEC 60749-29:2011)
LST EN 60191-6-16-2007 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-16: Glosario de pruebas de semiconductores y zócalos precintados para BGA, LGA, FBGA y FLGA (IEC 60191-6-16:2007)
LST EN 60749-39-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006).
LST EN 62373-2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET) (IEC 62373:2006)
LST EN IEC 60749-30:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad (IEC 60749-30:2020)
LST EN 60749-30-2005 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad (IEC 60749-30:2005)

Professional Standard - Post and Telecommunication, Principios de prueba de semiconductores

YD/T 701-1993 Método de prueba para el ensamblaje de diodos láser semiconductores.
YD/T 2001.2-2011 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: métodos de medición.

ECIA - Electronic Components Industry Association, Principios de prueba de semiconductores

EIA CB-5:1969 Procedimiento de prueba recomendado para dispositivos semiconductores de disipación térmica

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Principios de prueba de semiconductores

EN 62418:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de vacío de tensión de metalización
EN 60749-44:2016 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 44: Método de prueba de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores.
EN 60749-29:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 29: Prueba de enganche.
EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
EN IEC 60749-30:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad.
EN 60749-34:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía.
EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
EN 60749-26:2014 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 26: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM).
EN IEC 60749-26:2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 26: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM).
HD 396-1979 Definiciones de términos de métodos de prueba para detectores de radiación de semiconductores y recuento de centelleo

American National Standards Institute （ANSI), Principios de prueba de semiconductores

ANSI/IEEE 300:1988 Procedimientos de prueba para detectores de partículas cargadas de semiconductores
ANSI/ASTM D6095:2012 Método de prueba para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ANSI/UL 2360-2004 Métodos de prueba para determinar las características de combustibilidad de los plásticos utilizados en la construcción de herramientas semiconductoras

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Principios de prueba de semiconductores

ECA CB 5-1969 Procedimiento de prueba recomendado para dispositivos semiconductores de disipación térmica
ECA CB 5-1-1971 Procedimiento de prueba recomendado para dispositivos semiconductores de disipación térmica Anexo a CB5

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Principios de prueba de semiconductores

GB/T 14028-2018 Circuitos integrados semiconductores: método de medición de interruptores analógicos.
GB/T 35006-2018 Circuitos integrados semiconductores: método de medición del convertidor de nivel.
GB/T 36005-2018 Métodos de medición de la seguridad radiológica óptica para equipos y sistemas de iluminación semiconductores.
GB/T 35007-2018 Circuitos integrados semiconductores: método de medición de circuitos de señalización diferencial de bajo voltaje.

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Principios de prueba de semiconductores

DB52/T 1104-2016 Método de prueba transitorio para la resistencia térmica de la caja de unión de dispositivos semiconductores.

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Principios de prueba de semiconductores

IEEE 425-1957 CÓDIGO DE PRUEBA para TRANSISTORES DEFINICIONES DE SEMICONDUCTOR y SÍMBOLOS DE LEITER
IEEE 300-1988 Procedimientos de prueba estándar para detectores de partículas cargadas de semiconductores
IEEE 300-1982 PROCEDIMIENTOS DE PRUEBA ESTÁNDAR PARA DETECTORES DE PARTÍCULAS CARGADAS DE SEMICONDUCTOR
IEEE C62.35-1987 Especificaciones de prueba estándar para dispositivos semiconductores de protección contra sobretensiones de unión de avalanchas
IEEE PC62.35/D1-2018 Proyecto de norma para métodos de prueba para componentes de dispositivos de protección contra sobretensiones semiconductores de avalancha de silicio
IEEE C62.35-2010 Métodos de prueba estándar para componentes de dispositivos semiconductores de protección contra sobretensiones de unión de avalancha

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Principios de prueba de semiconductores

JJG(电子) 04008-1987 Reglamento de verificación de prueba para el probador de tubos semiconductores de doble base QE1A
JJG(电子) 310002-2006 Especificación para la verificación de probadores de parámetros de CC para dispositivos semiconductores discretos
JJG(电子) 310003-2006 Especificación para la verificación de probadores de parámetros de condensadores para dispositivos semiconductores discretos.
JJG(电子) 04023-1989 Especificación para la verificación del probador tf de triodo semiconductor de alta potencia modelo BJ2970

Professional Standard - Machinery, Principios de prueba de semiconductores

JB/T 6307.1-1992 Método de prueba para el módulo semiconductor de potencia Par de brazos del diodo rectificador
JB/T 6307.2-1992 Método de prueba para diodos rectificadores de puente monofásicos de módulos semiconductores de potencia
JB/T 6307.3-1992 Método de prueba para módulo semiconductor de potencia, diodo rectificador de puente trifásico
JB/T 4219-1999 Designación de tipo de equipos de medición para dispositivos semiconductores de potencia.
JB/T 6307.4-1992 Método de prueba para módulo semiconductor de potencia Brazo y par de brazos de transistor bipolar
JB/T 6307.5-1994 Métodos de prueba del módulo semiconductor de potencia Transistores bipolares Puente monofásico y puente trifásico

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Principios de prueba de semiconductores

GJB 9147-2017 Métodos de prueba de amplificador operacional de circuito integrado de semiconductores.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Principios de prueba de semiconductores

ASTM E1161-95 Método de prueba estándar para el examen radiológico de semiconductores y componentes electrónicos
ASTM D4325-20 Métodos de prueba estándar para cintas de caucho semiconductoras y eléctricamente aislantes no metálicas
ASTM F637-85(1994)e1 Especificación estándar para formato, propiedades físicas y métodos de prueba para portadores de cinta comprobables de 19 y 35 mm para dispositivos semiconductores unidos a portadores de cinta perimetral
ASTM D6095-12(2018) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-12(2023) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-06 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-12 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Principios de prueba de semiconductores

CNS 6802-1980 Procedimiento de prueba estándar para mediciones de margen de ruido para microcircuitos de activación lógica de semiconductores
CNS 8104-1981 Método para medir el voltaje de umbral lineal MOSFET
CNS 8106-1981 Método para medir el voltaje umbral saturado de MOSFET
CNS 5751-1980 Método de prueba de densidad aparente de cerámicas para dispositivos electrónicos y aplicaciones de semiconductores

CU-NC, Principios de prueba de semiconductores

NC 34-54-1987

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, Principios de prueba de semiconductores

JJF 1895-2021 Especificación de calibración para dispositivos semiconductores Equipos de prueba de parámetros de baja frecuencia y CC

未注明发布机构, Principios de prueba de semiconductores

BS IEC 62526:2007(2010) Estándar para extensiones del lenguaje de interfaz de prueba estándar (STIL) para entornos de diseño de semiconductores

ZA-SANS, Principios de prueba de semiconductores

SANS 6281-1:2007 Métodos de prueba para cables eléctricos aislados con papel impregnado Parte 1: Ensayos sobre papel aislante y semiconductor
SANS 6284-2:2007

AENOR, Principios de prueba de semiconductores

UNE-EN 60749-2:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 2: Baja presión de aire.
UNE-EN 60749-30:2005/A1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad.
UNE-EN 60749-30:2005 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad.
UNE-EN 60749-12:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 12: Vibración de frecuencia variable.
UNE-EN 60749-10:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 10: Choque mecánico.

KR-KS, Principios de prueba de semiconductores

KS C IEC 60749-2-2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 2: Baja presión de aire.
KS C IEC 60749-21-2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 21: Soldabilidad.
KS C IEC 60749-13-2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 13: Atmósfera salina.
KS C IEC 60749-22-2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 22: Fuerza de unión.
KS C IEC 60749-6-2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.

European Committee for Standardization (CEN), Principios de prueba de semiconductores

HD 396 S1-1979 Definiciones de términos de métodos de prueba para detectores de radiación semiconductores y recuento de centelleo

Underwriters Laboratories (UL), Principios de prueba de semiconductores

UL 2360-2000 Métodos de prueba para determinar las características de combustibilidad de los plásticos utilizados en la construcción de herramientas semiconductoras

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Principios de prueba de semiconductores

DB13/T 5120-2019 Especificaciones para la prueba de rendimiento de CC de chips láser semiconductores FP y DFB para comunicación óptica

AT-OVE/ON, Principios de prueba de semiconductores

OVE EN IEC 63275-2:2021 Dispositivos semiconductores - Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio - Parte 2: Método de prueba para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo del cuerpo (IEC 47/2680/CDV) (versión en inglés)

Professional Standard - Building Materials, Principios de prueba de semiconductores

JC/T 2133-2012 Determinación de impurezas en sol de sílice para solución de pulido en la industria de semiconductores. Método espectrométrico de emisión atómica de plasma acoplado inductivamente

Professional Standard - Agriculture, Principios de prueba de semiconductores

NY/T 1860.4-2010 Orientación sobre la determinación de las propiedades físico-químicas de los plaguicidas. Parte 4: Estabilidad técnica del material.

PL-PKN, Principios de prueba de semiconductores

PN-EN IEC 60749-30-2021-05 E Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad (IEC 60749-30:2020)