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원격 반도체 박막

모두 221항목의 원격 반도체 박막와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 원격 반도체 박막와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 금속 재료 테스트, 반도체 개별 장치, 절연유체, 콘덴서, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 반도체 소재, 진공 기술, 그래픽 기호, 판막, 주파수 제어 및 선택을 위한 압전 및 유전체 장치, 전자 디스플레이 장치.


General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 원격 반도체 박막

  • GB/T 6616-2023 반도체 웨이퍼의 저항률 및 반도체 필름의 면저항을 테스트하기 위한 비접촉 와전류 방법
  • GB/T 6616-1995 반도체 실리콘 웨이퍼 저항률 및 실리콘 박막 시트 저항 측정을 위한 비접촉 와전류 방법
  • GB/T 6616-2009 반도체 실리콘 웨이퍼 저항률 및 실리콘 박막 시트 저항 테스트 방법 비접촉 와전류 방법

ECIA - Electronic Components Industry Association, 원격 반도체 박막

  • 401-1973 전력 반도체 응용 분야용 종이/박막 유전체 커패시터

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 원격 반도체 박막

British Standards Institution (BSI), 원격 반도체 박막

  • BS IEC 62951-4:2019 반도체 소자 유연 및 신축성 반도체 소자 유연한 반도체 소자 기판 위의 유연한 전도성 필름의 피로 평가
  • BS IEC 62951-6:2019 반도체 소자의 유연한 전도성 필름 및 신축성 있는 반도체 소자의 면저항 시험 방법
  • BS IEC 62951-7:2019 유연한 유기 반도체 필름 봉지의 장벽 특성을 특성화하기 위한 유연하고 신축성 있는 반도체 장치 테스트 방법
  • BS IEC 62951-1:2017 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 반도체 장치 유연 및 신축성 반도체 장치 굽힘 테스트 방법
  • BS EN 62047-3:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장비, 인장 테스트용 필름 표준 시편
  • BS IEC 62951-3:2018 반도체 소자 확대에 따른 유연기판의 박막 트랜지스터 특성에 대한 반도체 소자 유연성 및 신축성 평가 원문보기 KCI 원문보기 인용
  • BS EN 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • BS EN 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 인장 시험 방법
  • BS EN 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 MEMS 재료에 대한 포아송 비 테스트 방법
  • BS EN 62047-6:2010 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 축 피로 테스트 방법
  • BS EN 62047-22:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 전기 기계 인장 테스트 방법
  • BS IEC 62047-29:2017 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치의 실온에서 독립형 전도성 필름의 전기기계적 완화 테스트 방법
  • BS EN 62374:2008 반도체 장치용 게이트 유전체 필름의 시간 의존 유전 파괴(TDDB) 테스트
  • BS EN 62374:2007 반도체 장치 게이트 유전막의 시간 의존적 유전 파괴(TDDB) 테스트
  • BS IEC 60748-23-5:2003 반도체 소자 집적회로 하이브리드 집적회로 및 박막 구조 생산라인 인증 자격 승인 프로세스
  • BS IEC 62047-37:2020 반도체소자 미세전자기계소자 센서용 MEMS 압전필름의 환경시험 방법
  • BS IEC 62047-30:2017 반도체 장치 미세 전자기계 장치 MEMS 압전 필름 전기 기계 변환 특성 측정 방법
  • BS EN 62047-14:2012 반도체 소자, 마이크로 모터 소자, 금속박막재료의 성형한계 측정방법.
  • 19/30404655 DC BS EN IEC 63229 반도체 장치용 탄화규소 기판의 질화갈륨 에피택셜 필름의 결함 분류
  • BS EN 62047-8:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 필름의 인장 특성을 측정하기 위한 스트립 굽힘 테스트 방법.
  • BS IEC 62047-36:2019 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치 및 MEMS 압전 필름에 대한 환경 및 절연 내력 테스트 방법
  • BS QC 760200:1997 전자 부품의 품질 평가를 위한 조정 시스템 반도체 장치의 성능 기반 승인 절차를 위한 하위 사양 집적 회로 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로
  • BS QC 760100:1997 전자 부품 반도체 소자의 품질 평가를 위한 조정 시스템 자격 승인 프로세스에 따른 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 집적 회로 하위 사양
  • BS IEC 60748-23-1:2002 반도체 장치 집적 회로 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증 일반 사양
  • BS EN 62047-17:2015 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막의 기계적 특성을 측정하기 위한 벌징 테스트 방법.
  • BS QC 760201:1997 전자 부품의 품질 평가를 위한 조정 시스템 반도체 소자 집적 회로 공백 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 세부 사양 성능 기반 승인 프로세스
  • BS QC 760101:1997 전자 부품 반도체 소자의 품질 평가를 위한 조정 시스템 자격 승인 프로세스를 기반으로 한 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 집적 회로 공백 세부 사양
  • BS IEC 60748-23-5:2004 반도체 장치 집적 회로 23-5부: 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증 적합성 인증 절차
  • BS IEC 60748-23-4:2002 반도체 장치 집적 회로 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증 빈 세부 사양
  • BS EN 62047-12:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, MEMS 구조의 공명 및 박막 재료의 굽힘 편향 테스트 방법.
  • BS IEC 60748-23-3:2002 반도체 장치 집적 회로 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증 제조업체 자체 감사 체크리스트 및 보고서
  • BS IEC 60748-23-2:2002 반도체 장치 집적 회로 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증 내부 육안 검사 및 특수 테스트
  • 18/30383935 DC BS EN IEC 62047-37 반도체 장치 마이크로 전자 기계 장치 파트 37 센서 응용 분야를 위한 환경 테스트 방법 MEMS 압전 필름
  • BS EN 62047-16:2015 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, MEMS 박막 웨이퍼의 곡률에서 잔류 응력을 결정하는 테스트 방법 및 캔틸레버 빔 편향 방법

International Electrotechnical Commission (IEC), 원격 반도체 박막

  • IEC 62951-4:2019 반도체 장치 유연하고 신축성이 있는 반도체 장치 4부: 유연한 반도체 장치 기판 위의 유연한 전도성 필름의 피로 평가
  • IEC 62951-6:2019 반도체 장치 유연하고 신축성이 있는 반도체 장치 6부: 유연한 전도성 필름의 면저항 테스트 방법.
  • IEC 62951-1:2017 반도체 장치 유연하고 신축성이 있는 반도체 장치 1부: 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 인장 시험 방법
  • IEC 62951-3:2018 반도체 소자 - 플렉서블 및 신축성 반도체 소자 - 3부: 돌출된 유연한 기판의 박막 트랜지스터 특성 평가
  • IEC 60748-20:1988/AMD1:1995 수정안 1 - 반도체 장치 집적 회로 파트 20: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 일반 사양
  • IEC 62374:2007 반도체 장치 게이트 유전막의 시간 의존적 유전 파괴(TDDB) 테스트
  • IEC 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • IEC 62047-3:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장비, 3부: 인장 시험용 박막 표준 시험편
  • IEC 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • IEC 60748-22-1:1991 반도체 장치 집적 회로 22부, 섹션 1: 성능 승인 절차가 적용되는 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 빈 세부 사양.
  • IEC 62047-6:2009 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
  • IEC 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법
  • IEC 62047-29:2017 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 29: 실온에서 독립 전도성 필름에 대한 전기 기계적 완화 테스트 방법
  • IEC 62047-22:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 22부: 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 전기 기계 인장 시험 방법
  • IEC 62047-14:2012 반도체 장치, 미세 전자기계 장치, 파트 14: 금속 필름 재료의 형성 한계 측정 방법
  • IEC 62047-37:2020 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 37부: 센서용 MEMS 압전 필름의 환경 테스트 방법
  • IEC 62047-30:2017 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 30: MEMS 압전 필름의 전기 기계 변환 특성 측정 방법
  • IEC 62047-36:2019 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 36부: MEMS 압전 필름의 환경 및 절연 내력에 대한 테스트 방법
  • IEC 62047-17:2015 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 파트 17: 박막의 기계적 특성 측정을 위한 팽윤 테스트 방법
  • IEC 62047-8:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치 8부: 박막의 인장 특성을 측정하기 위한 스트립 굽힘 테스트 방법.
  • IEC 60748-23-1:2002 반도체 장치 집적 회로 23-1부: 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증 일반 사양
  • IEC 60748-23-5:2003 반도체 장치 집적 회로 23-5부: 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증 자격 승인
  • IEC 62047-12:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치 12부: MEMS 구조 공진을 이용한 박막 재료의 굽힘 피로 시험 방법
  • IEC 60748-23-4:2002 반도체 장치 집적 회로 23-4부: 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증 빈 세부 사양
  • IEC 60748-21:1997 반도체 장치 집적 회로 21부: 자격 및 승인 절차가 적용되는 필름 집적 회로 및 하이브리드 필름 집적 회로에 대한 사양
  • IEC 60748-23-2:2002 반도체 장치 집적 회로 23-2부: 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증 내부 검토 및 특별 테스트
  • IEC 62047-16:2015 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 16부: MEMS 필름의 잔류 응력을 결정하기 위한 테스트 방법 웨이퍼 곡률 및 캔틸레버 편향 방법
  • IEC 60748-23-3:2002 반도체 장치 집적 회로 23-3부: 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증 생산자 자체 감사 체크리스트 및 보고서
  • IEC 60748-22-1:1997 반도체 소자 집적회로 제22-1부: 성능 승인 절차 대상인 필름 집적회로 및 하이브리드 필름 집적회로에 대한 빈 세부 사양

American National Standards Institute (ANSI), 원격 반도체 박막

  • ANSI/EIA 401:1973 전력 반도체 소자용 종이 유전체 및 종이/필름 유전체 커패시터

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 원격 반도체 박막

  • KS C IEC 62951-1:2022 반도체 장치 유연하고 신축성이 있는 반도체 장치 1부: 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 굽힘 테스트 방법
  • KS C IEC 60748-20:2021 반도체 장치 집적 회로 20부: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로의 일반 사양
  • KS C IEC 60748-20-1:2003 반도체 장치 집적 회로 20부: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 일반 사양.
  • KS C IEC 60748-20:2003 반도체 장치 집적 회로 20부: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 일반 사양
  • KS C IEC 60748-20:2019 반도체 장치 - 집적 회로 - 파트 20: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 일반 사양
  • KS C IEC 60748-2-20:2019 반도체 장치 - 집적 회로 - 파트 20: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 일반 사양
  • KS C IEC 62047-18:2016 반도체 장치 "Microelectromechanical Devices" 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • KS C IEC 62047-22:2016 반도체 장치 "Microelectromechanical Devices" 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • KS C IEC 62047-18-2016(2021) 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • KS C IEC 62047-22-2016(2021) 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • KS C IEC 62047-8:2015 반도체 장치 "Microelectromechanical devices" 8부: 필름의 인장 특성 측정을 위한 스트립 굽힘 테스트 방법
  • KS C IEC 60748-20-1-2003(2019) 반도체 장치 - 집적 회로 - 파트 20: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 일반 사양 - 파트 1: 내부 육안 검사 요구 사항
  • KS C IEC 62047-8-2015(2020) 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 8: 필름으로 구부러진 스트립의 인장 특성 측정을 위한 테스트 방법
  • KS C IEC 60748-23-1:2004 반도체 장치 집적 회로 23-1부: 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증 일반 사양
  • KS C IEC 60748-23-1-2004(2019) 반도체 장치 집적 회로 23-1부: 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증을 위한 일반 사양
  • KS C IEC 60748-23-3:2004 반도체 장치 집적 회로 23-3부: 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인 인증 생산자 자체 감사 체크리스트 및 보고서
  • KS C IEC 60748-23-3-2004(2019) 반도체 장치 집적 회로 파트 23-3: 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 생산 라인에 대한 인증 제조업체 자체 감사 체크리스트 및 보고서

KR-KS, 원격 반도체 박막

  • KS C IEC 62951-1-2022 반도체 장치 유연하고 신축성이 있는 반도체 장치 1부: 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 굽힘 테스트 방법
  • KS C IEC 60748-20-2021 반도체 장치 집적 회로 20부: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로의 일반 사양
  • KS C IEC 60748-2-20-2019 반도체 장치 - 집적 회로 - 파트 20: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 일반 사양
  • KS C IEC 60748-20-2019 반도체 장치 - 집적 회로 - 파트 20: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 일반 사양
  • KS C IEC 62047-18-2016 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 18: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • KS C IEC 62047-22-2016 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 18: 박막 재료의 굽힘 시험 방법

Danish Standards Foundation, 원격 반도체 박막

  • DS/IEC 748-20:1990 반도체 장치 집적 회로 20부: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 일반 사양
  • DS/IEC 748-21:1993 반도체 장치. 집적 회로. 파트 21: 인증 승인 절차에 따른 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 하위 사양
  • DS/EN 62047-2:2007 반도체 장치 미세 전자기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • DS/EN 62047-3:2007 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 3: 인장 시험용 필름 표준 시편
  • DS/EN 62047-18:2013 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • DS/EN 62047-6:2010 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
  • DS/IEC 748-21-1:1993 반도체 장치. 집적 회로. 파트 21: 섹션 1: 인증 승인 절차에 따른 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 빈 세부 사양
  • DS/IEC 748-22-1:1993 반도체 장치. 집적 회로. 22부: 섹션 1: 성능 승인 프로세스에 따른 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 빈 세부 사양
  • DS/EN 62047-14:2012 반도체소자 및 미세전자기계소자 14부: 금속박막재료의 형성한계 측정방법
  • DS/EN 62047-8:2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 8부: 필름의 인장 특성 측정을 위한 스트립 굽힘 테스트 방법
  • DS/EN 62047-12:2012 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 12부: MEMS 구조 공명을 이용한 박막 재료의 굽힘 피로 테스트 방법

Group Standards of the People's Republic of China, 원격 반도체 박막

  • T/GVS 005-2022 반도체 장비용 절대전압 정전용량형 박막 진공게이지 비교방법 시험규격

CZ-CSN, 원격 반도체 박막

  • CSN IEC 748-20:1993 반도체 장비. 집적 회로. 20부: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로의 일반 사양

Association Francaise de Normalisation, 원격 반도체 박막

  • NF C86-433:1988 반도체 장치, 전자 부품에 대한 통일된 품질 검토 시스템, 박막 저항기 회로(승인 절차), 하위 사양
  • NF EN 62374:2008 반도체 장치 - 게이트 유전체 필름의 시간 의존 유전체 파괴 테스트(TDDB)
  • NF C86-434:1988 반도체 장치 전자 부품에 대한 통일된 품질 평가 시스템 박막 저항기 회로(승인 절차) 사양 CECC 64 201
  • NF EN 62047-2:2006 반도체 장치 미세 전자기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • NF EN 62047-18:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • NF C86-411:1987 반도체 장치 전자 부품에 대한 통일된 품질 평가 시스템 박막 하이브리드 집적 회로 하위 사양
  • NF C96-017*NF EN 62374:2008 반도체 장치의 게이트 유전체 필름에 대한 시간 의존 유전 파괴(TDDB) 테스트
  • NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • NF EN 62047-3:2006 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 3부: 인장 테스트용 표준 필름 시편
  • NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 반도체 장치 및 미세 전자기계 장비 제3부: 인장 시험용 필름 표준 시험편
  • NF EN 62047-6:2010 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
  • NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법
  • NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 반도체 소자용 미세 전자기계 소자 6부: 박막 재료의 축방향 피로 시험 방법
  • NF EN 62047-21:2014 반도체 장치 미세 전자기계 장치 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법
  • NF C96-050-22*NF EN 62047-22:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 22부: 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 전기 기계 인장 시험 방법
  • NF EN 62047-22:2014 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 22부: 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 전기 기계 인장 시험 방법
  • NF C86-412:1987 반도체 장치전자 부품에 대한 통합 품질 평가 시스템박막 하이브리드 집적 회로빈 세부 사양
  • NF C86-413:1987 반도체 장치 전자 부품에 대한 통일된 품질 평가 시스템 박막 하이브리드 집적 회로 기능 승인 하위 표준
  • NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 반도체소자 미세전자기계소자 14부: 금속박막재료의 형성한계 측정방법
  • NF C96-050-17*NF EN 62047-17:2015 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 파트 17: 박막의 기계적 특성을 측정하기 위한 범프 테스트 방법
  • NF EN 62047-17:2015 반도체소자 미세전자기계소자 17부: 박막의 기계적 성질 측정을 위한 돌출부 시험방법
  • NF C96-050-8*NF EN 62047-8:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치 8부: 강철 스트립 굽힘 테스트 방법을 통한 필름의 인장 특성 측정.
  • NF C86-430:1988 반도체 장치 전자 부품의 통일된 품질 평가 시스템 고정 필름 저항기가 있는 회로 일반 사양
  • NF EN 62047-8:2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 8부: 필름의 인장 특성 측정을 위한 스트립 굽힘 테스트 방법
  • NF C86-414:1987 반도체 장치전자 부품에 대한 통합 품질 평가 시스템박막 하이브리드 집적 회로기능 승인..빈 세부 사양
  • NF C86-431:1988 반도체 장치 전자 부품에 대한 통합 품질 평가 시스템 고정 필름 저항기가 있는 회로 하위 사양 사양 CECC 64 100
  • NF C86-432:1988 반도체 장치 전자 부품에 대한 통일된 품질 평가 시스템 박막 저항기가 있는 회로 빈 세부 사양 사양 CECC 64 100
  • NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 12부: MEMS 구조 공진을 이용한 박막 재료의 굽힘 피로 테스트 방법.
  • NF C96-050-16*NF EN 62047-16:2015 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 16부: MEMS 필름의 잔류 응력 결정을 위한 테스트 방법 웨이퍼 곡률 및 캔틸레버 편향 방법
  • NF EN 62047-16:2015 반도체 장치, 미세 전자기계 장치, 파트 16: MEMS 필름의 잔류 응력 측정을 위한 테스트 방법, 웨이퍼 곡률 및 캔틸레버 편향 방법

German Institute for Standardization, 원격 반도체 박막

  • DIN EN 62374:2008-02 반도체 장치 - 게이트 유전체 필름의 시간 의존 유전체 파괴(TDDB) 테스트
  • DIN EN 62047-2:2007-02 반도체 장치 미세 전자기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • DIN EN 62374:2008 반도체 장치 게이트 유전막의 시간 의존적 유전 파괴(TDDB) 테스트
  • DIN EN 62047-18:2014-04 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 18: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • DIN EN 62047-3:2007-02 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 3: 인장 시험용 필름 표준 시편
  • DIN EN 62047-3:2007 반도체 장치, 미세 전자 기계 장비, 3부: 인장 시험용 필름 표준 시험편
  • DIN EN 62047-2:2007 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • DIN EN 62047-6:2010-07 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
  • DIN EN 62047-17:2015-12 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 파트 17: 박막의 기계적 특성을 측정하기 위한 범프 테스트 방법
  • DIN EN 62047-14:2012-10 반도체소자 미세전자기계소자 14부: 금속박막재료의 형성한계 측정방법
  • DIN EN 62047-22:2015-04 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 22부: 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 전기 기계 인장 시험 방법(IEC 62047-22:2014)
  • DIN EN 62047-8:2011-12 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 8부: 필름의 인장 특성 측정을 위한 스트립 굽힘 테스트 방법
  • DIN EN 62047-21:2015-04 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법(IEC 62047-21:2014)
  • DIN EN 62047-12:2012-06 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 12부: MEMS 구조 공명을 이용한 박막 재료의 굽힘 피로 시험 방법
  • DIN EN 62047-22:2015 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 22: 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 전기 기계 인장 테스트 방법(IEC 62047-22:2014), 독일어 버전 EN 62047-22:2014
  • DIN EN 62047-21:2015 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법(IEC 62047-21:2014), 독일 버전 EN 62047-21:2014
  • DIN EN 62047-18:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 파트 18: 박막 재료의 굽힘 테스트 방법(IEC 62047-18-2013), 독일어 버전 EN 62047-18-2013
  • DIN EN 62047-6:2010 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법(IEC 62047-6: 2009), 독일어 버전 EN 62047-6: 2010
  • DIN EN 62047-8:2011 반도체 장비 마이크로 전자기계 장비 8부: 필름의 인장 특성 측정을 위한 스트립 굽힘 테스트 방법(IEC 62047-8-2011) 독일어 버전 EN 62047-8-2011
  • DIN EN 62047-14:2012 반도체 장치 마이크로 전자기계 장치 14부: 금속 필름 재료의 형성 한계 측정 방법(IEC 62047-14-2012) 독일어 버전 EN 62047-14-2012
  • DIN EN 62047-16:2015-12 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 16부: MEMS 필름의 잔류 응력 결정을 위한 테스트 방법 - 웨이퍼 곡률 및 캔틸레버 편향 방법
  • DIN EN 62047-12:2012 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 12부: MEMS 구조 공명을 이용한 박막 재료의 굽힘 피로 테스트 방법(IEC 62047-12-2011) 독일 버전 EN 62047-12-2011

Defense Logistics Agency, 원격 반도체 박막

  • DLA DSCC-DWG-89100 REV B-2002 고정 필름 시트 플랜지 마운트 단일 채널 TAB 고출력 10W 반도체 장치
  • DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 실리콘 모놀리식 원격 터미널 다중 프로토콜 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89971-1992 실리콘 모놀리식, 원격 범용 주변 장치 인터페이스, 고성능 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88628 REV E-2007 실리콘 모놀리식 버스 컨트롤러 원격 터미널 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89577 REV J-2007 실리콘 모놀리식 칩, 버스 컨트롤러, 원격 터미널 및 디스플레이, 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89501 REV D-2007 실리콘 모놀리식 버스 컨트롤러 원격 터미널 다중 프로토콜 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 원격 반도체 박막

  • QC 760200-1992 반도체 장치 집적 회로 파트 22: 역량 승인 프로세스(IEC 748-22 ED 1)를 기반으로 하는 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 하위 사양
  • QC 760000-1988 반도체 장치 집적 회로 파트 20: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 일반 사양(IEC 748-20 ED 1)
  • QC 760101-1991 반도체 장치 집적 회로 파트 21: 섹션 1: 자격 승인 절차(IEC 748-21-1 ED 1)에 따른 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 빈 세부 사양
  • QC 760201-1991 반도체 장치 집적 회로 파트 22: 섹션 1: 성능 승인 프로세스(IEC 748-22-1 ED l)를 기반으로 하는 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 공백 상세 사양
  • QC 760100-1997 반도체 장치 집적 회로 파트 21: 자격 승인 절차에 기반한 박막 집적 회로에 대한 하위 사양(ED 2; IEC 60748-21:1997 ED 2)
  • QC 760000-1990 반도체 장치 집적 회로 파트 20: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 일반 사양(IEC 748-20:1988; AMD 6754; 1991년 9월; AMD 9331 1997년 1월 15일)
  • QC 763000-1994 반도체 장치 집적 회로 파트 20: 박막 집적 회로 및 하이브리드 박막 집적 회로에 대한 일반 사양 섹션 1: 내부 육안 검사 요구 사항(IEC 748-20-1 ED 1)

United States Navy, 원격 반도체 박막

  • NAVY QPL-15508-13-2006 멤브레인 작동 원격 작동 밸브(150 및 250P.SIWP 140도 F 최대 유체 시스템)

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), 원격 반도체 박막

  • EN 62374:2007 반도체 장치 게이트 유전막의 시간 의존적 유전 파괴(TDDB) 테스트
  • EN 62047-18:2013 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • EN 62047-3:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 파트 3: 인장 시험용 필름 표준 시험편
  • EN 62047-21:2014 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 21부: 박막 MEMS 재료에 대한 푸아송 비 테스트 방법
  • EN 62047-6:2010 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
  • EN 62047-22:2014 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 22부: 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 전기 기계 인장 시험 방법
  • EN 62047-14:2012 반도체소자 및 미세전자기계소자 14부: 금속박막재료의 형성한계 측정방법
  • EN 62047-2:2006 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법 IEC 62047-2:2006
  • EN 62047-17:2015 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 파트 17: 박막의 기계적 특성을 측정하기 위한 범프 테스트 방법
  • EN 62047-8:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 파트 8: 박막의 인장 특성 측정을 위한 스트립 굽힘 테스트.
  • EN 62047-16:2015 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 16: MEMS 필름의 잔류 응력 측정을 위한 테스트 방법 웨이퍼 곡률 및 캔틸레버 편향 방법
  • EN 62047-12:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치 12부: 미세 전자 기계 시스템(MEMS) 구조 공진을 사용한 박막 재료의 굽힘 피로 테스트 방법.

ES-UNE, 원격 반도체 박막

  • UNE-EN 62047-18:2013 반도체 장치 미세 전자기계 장치 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • UNE-EN 62047-3:2006 반도체 장치 미세 전자기계 장치 3부: 인장 시험용 필름 표준 시편
  • UNE-EN 62047-6:2010 반도체 장치 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
  • UNE-EN 62047-21:2014 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송 비 테스트 방법
  • UNE-EN 62047-22:2014 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 22부: 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 전기 기계 인장 시험 방법
  • UNE-EN 62047-17:2015 반도체소자 미세전자기계소자 17부: 박막의 기계적 성질 측정을 위한 범프 테스트 방법
  • UNE-EN 62047-14:2012 반도체소자 미세전자기계소자 14부: 금속박막재료의 형성한계 측정방법
  • UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법(IEC 62047-2:2006).
  • UNE-EN 62047-2:2006 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법(IEC 62047-2:2006).
  • UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법(IEC 62047-2:2006).
  • UNE-EN 62047-8:2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 8부: 필름의 인장 특성 측정을 위한 스트립 굽힘 테스트 방법
  • UNE-EN 62047-12:2011 반도체소자 미세전자기계소자 12부: MEMS 구조공진을 이용한 박막재료의 굽힘피로시험방법
  • UNE-EN 62047-16:2015 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 16부: MEMS 필름의 잔류 응력을 결정하는 테스트 방법 웨이퍼 곡률 및 캔틸레버 편향 방법

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 원격 반도체 박막

  • JIS C 5630-3:2009 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 3부: 인장 시험용 필름 표준 시편
  • JIS C 5630-2:2009 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
  • JIS C 5630-18:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • JIS C 5630-6:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
  • JIS C 5630-12:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치 12부: MEMS 구조 공진을 이용한 박막 재료의 굽힘 피로 시험 방법

Lithuanian Standards Office , 원격 반도체 박막

  • LST EN 62374-2008 반도체 장치 게이트 유전막의 시간 의존 절연 파괴(TDDB) 테스트(IEC 62374:2007)
  • LST EN 62047-3-2007 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 3: 인장 시험용 필름 표준 시편(IEC 62047-3:2006)
  • LST EN 62047-2-2007 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법(IEC 62047-2:2006)
  • LST EN 62047-6-2010 반도체 장치 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법(IEC 62047-6:2009)
  • LST EN 62047-14-2012 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 14: 금속 박막 재료의 형성 한계 측정 방법(IEC 62047-14:2012)
  • LST EN 62047-8-2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 8부: 필름의 인장 특성 측정을 위한 스트립 굽힘 시험 방법(IEC 62047-8:2011)
  • LST EN 62047-12-2011 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 12부: MEMS 구조 공명을 이용한 박막 재료의 굽힘 피로 시험 방법(IEC 62047-12:2011)

未注明发布机构, 원격 반도체 박막

  • DIN EN 62047-21 E:2012-11 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법
  • DIN EN 62047-18 E:2011-06 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 파트 18: 박막 재료의 굽힘 테스트 방법
  • DIN EN 62047-22 E:2012-11 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 22부: 유연한 기판의 전도성 박막에 대한 전기 기계 인장 시험 방법
  • BS IEC 60748-23-5:2003(2004) 반도체 장치 - 집적 회로 - 파트 23-5: 하이브리드 집적 회로 및 박막 구조 - 생산 라인 자격 - 자격 승인 프로세스
  • DIN EN 62047-17 E:2011-06 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 파트 17: 박막의 기계적 특성을 측정하기 위한 벌지 테스트 방법
  • DIN EN 62047-16 E:2012-11 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 16부: MEMS 필름의 잔류 응력 결정을 위한 테스트 방법 - 웨이퍼 곡률 및 캔틸레버 빔 편향 방법

American Society for Testing and Materials (ASTM), 원격 반도체 박막

  • ASTM F1711-96(2016) 4점 프로브 방법을 사용하여 평면 패널 디스플레이 제조에 사용되는 박막 도체의 시트 저항을 측정하는 표준 사례
  • ASTM F1844-97(2002) 비접촉 와전류 측정기를 사용하여 평면 패널 디스플레이 제조에 사용되는 박막 도체의 내구성을 측정하기 위한 표준 사례
  • ASTM F1844-97 비접촉 와전류 측정기를 사용하여 평면 패널 디스플레이 제조에 사용되는 박막 도체의 내구성을 측정하기 위한 표준 사례
  • ASTM F1844-97(2008) 비접촉 와전류 측정기를 사용하여 평면 패널 디스플레이 제조에 사용되는 박막 도체의 내구성을 측정하기 위한 표준 사례

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 원격 반도체 박막

  • GB/T 11498-2018 반도체 장치 집적 회로 파트 21: 필름 집적 회로 및 하이브리드 필름 집적 회로에 대한 하위 사양(승인 절차 적용)
  • GB/T 13062-2018 반도체 장치 집적 회로 파트 21-1: 필름 집적 회로 및 하이브리드 필름 집적 회로에 대한 공백 상세 사양(자격 승인 프로세스 사용)




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