31.080.01 半导体器分立件综合 标准查询与下载
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Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 13: Salt atmosphere
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 2018-09-17
- 实施
- 2019-01-01 00:00:00.0
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 20-1: Handling, packing, labelling and shipping of surface-mount devices sensitive to the combined effect of moisture and soldering heat
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 2018-09-17
- 实施
- 2019-01-01 00:00:00.0
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 19: Die shear strength
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 2018-09-17
- 实施
- 2019-01-01 00:00:00.0
The rule of type designation for discrete semiconductor devices
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 2017-05-12
- 实施
- 2017-12-01 00:00:00.0
GB/T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验，适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。
Semiconductor devices.Mechanical and climatic tests methods.Part 3:External visual examination
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 2012-11-05
- 实施
- 2013-02-15
GB/T4937 的本部分规定了强加速稳态湿热试验C(HAST)方法,用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。 2 强加速稳态湿热试验(HAST) ————般说明
Semiconductor devices.Mechanical and climatic test methods.Part 4:Damp heat,steady state,highly accelerated stress test(HAST)
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 2012-11-05
- 实施
- 2013-02-15
本部分规定了微波集成电路放大器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。
Semiconductor devices Part 16-1 Microwave integrated circuits Amplifiers
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 2007-02-09
- 实施
- 2007-09-01
本标准给出了以下门类分立器件的标准： ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管（用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等） ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管（用于谐波发生器、放大器等） ——体效应二极管（用于振荡器、放大器等） ——双极型晶体管（用于放大器、振荡器等） ——场效应晶体管（用于放大器、振荡器等）
Semiconductor devices. discrete devices. Part 4: Microwave devices
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 2006-10-10
- 实施
- 2007-02-01
本规范构成国际电工委员会电子元器件质量评定体系（IECQ）的一部分。 本规范是半导体器件（分立器件和集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路）的总规范。 本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序，并给出了下述方面的总原则： ——电特性测试方法； ——气候和机械试验； ——耐久性试验。
Semiconductor devices. Part 10: Generic specification for discrete devices and integrated circuits
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 2006-10-10
- 实施
- 2007-02-01
本标准规定了测量绝压、表压和差压的半导体传感器的要求。
Semiconductor devices. Part 14-3: Semiconductor sensors. Pressure sensors
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 2006-08-23
- 实施
- 2007-02-01
本标准描述了有关传感器规范的基本条款，这些条款适用于由半导体材料制造的传感器，也适用于由其他材料（例如绝缘或铁电材料）所制造的传感器。
Semiconductor devices. Part 14-1: Semiconductor sensors. General and classification
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 2006-08-23
- 实施
- 2007-02-01
本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号。本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有关技术资料。
Letter symbols for discrete semiconductor devices
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 2001-11-05
- 实施
- 2002-06-01
本规范适用于除光电子器件之外的半导体分充器件。
Semiconductor devices Sectional specification for discrete devices
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 1999-08-02
- 实施
- 2000-03-01
IEC747标准包括如下内容： --分立器件和集成电路的通用标准； --为完善分立器件标准用的补充标准。
Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 1: General
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L40
- 发布
- 1998-11-17
- 实施
- 1999-06-01
Draft BS EN 63378-6 ED1. Thermal standardization on semiconductor packages - Part 6. Thermal resistance and capacitance model for transient temperature prediction at junction and measurement points
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- 发布
- 2024-04-30
- 实施
- 2024-04-30
本文件规定了半导体器件加工的缩略语、一般要求、加工工艺、标识、记录、包装和贮存。
Semiconductor device processing specification
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- C356
- 发布
- 2024-04-20
- 实施
- 2024-04-30
本文件规定了半导体光学晶圆的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于半导体光学晶圆，主要包括图案化黑铬板产品、多通道光谱传感器产品、TGV产品等。
Semiconductor optical wafer
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- C398
- 发布
- 2024-04-09
- 实施
- 2024-04-24
X射线实时成像技术是一种由X射线接收装置和监视器来代替传统射线照相中的胶片得到X射线图像的无损检测技术。使用X射线接收装置将不可见的X射线转换为数字或模拟信号，经图像成像及处理后呈现在显示器上。利用X射线穿透不同物质时呈现出不同程度衰减的原理，在X射线图像中显示出明暗度差异。图像处理系统克服因为X射线源和X射线探测器不同及焊接层材料密度不同、厚度不均等原因导致的图像明暗度有差异，图层不好分割的困难，将图像分割为焊盘和空洞两个图层。图像处理系统计算出空洞图层中空洞面积与焊盘图层中焊盘面积的比值，即焊接层的空洞率，达到DBC基板一次焊接和二次焊接层焊接质量检测的目的。
X-ray real-time imaging detection method for IGBT module welding quality
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- C356
- 发布
- 2024-03-01
- 实施
- 2024-03-15
Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods - Steady-state temperature humidity bias life test
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- 发布
- 2024-02-29
- 实施
- 2024-02-29
IEC 63287-1:2021 gives guidelines for reliability qualification plans of semiconductor integrated circuit products. This document is not intended for military- and space-related applications. NOTE 1 The manufacturer can use flexible sample sizes to reduce cost and maintain reasonable reliability by this guideline adaptation based on EDR-4708, AEC Q100, JESD47 or other relevant document can also be applicable if it is specified. NOTE 2 The Weibull distribution method used in this document is one of several methods to calculate the appropriate sample size and test conditions of a given reliability project. This first edition of IEC 63287-1 cancels and replaces the first edition of IEC 60749-43 published in 2017. This edition constitutes a technical revision. This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition: the document has been renamed and renumbered to distinguish it from the IEC 60749 (all parts); a new section concerning the concept of "family" has been added with appropriate renumbering of the existing text.
Semiconductor devices - Generic semiconductor qualification guidelines - Part 1: Guidelines for IC reliability qualification
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- 发布
- 2024-01-31
- 实施
