31.080.01 半导体器分立件综合 标准查询与下载

GSO IEC 60191-6-13:2024 半导体器件的机械标准化 第6-13部分：细间距球栅阵列 (FBGA) 和细间距焊盘栅格阵列 (FLGA) 开顶式插座设计指南

IEC 60191-6-13:2016 specifies a design guideline of open-top-type semiconductor sockets for Fine-pitch Ball Grid Array (FBGA) and Fine-pitch Land Grid Array (FLGA). In particular, this part of IEC 60191 establishes the outline drawings and dimensions of the open-top-type test and burn-in sockets applied to FBGA and FLGA. This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition: a) BGA package nominal length and width have been newly expanded to 43 mm and 43 mm, respectively. Accordingly, six socket sizes have been added to the socket group numbers 1, 2 and 3, and twenty-two socket sizes have been added to the socket group number 4.

Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6-13: Design guideline of open-top-type sockets for Fine-pitch Ball Grid Array (FBGA) and Fine-pitch Land Grid Array (FLGA)

T/SLEIA 0003-2024 光电耦合器可靠性评价方法

本文件规定了用于光电耦合器件（以下简称器件）可靠性评价的低频噪声参数、评价方法及方法应用。

Optocoupler reliability evaluation method

IEC 60749-5:2023 PRV

23/30478757 DC BS EN IEC 63287-3 半导体器件 通用半导体资格指南 第3部分：功率半导体模块可靠性资格计划指南

BS EN IEC 63287-3. Semiconductor devices. Generic semiconductor qualification guidelines - Part 3. Guidelines for reliability qualification plans for power semiconductor module

T/CASAS 031-2023 面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放 模块测试方法

T/CASAS 031—2023《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》描述了氮化镓功放模块的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，本文件根据我国三大运营市场需求和入网测试指南，借鉴3GPP TS 37.104 V16.5.0等国际通信协议，并结合了近几年科研人员在氮化镓功放领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对氮化镓功放性能指标的测试方法进行了详细的规定。

est method of Sub-6GHz GaN power amplifier for 5G base station application

T/CASAS 030-2023 GaN毫米波前端芯片测试方法

T/CASAS 030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》描述了GaN毫米波前端芯片的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，结合了近几年科研人员在毫米波氮化镓前端芯片领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对毫米波氮化镓前端芯片性能指标的测试方法进行了详细的规定，包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测试工具及仪表等。

Measurement methods on GaN millimeter Wave front-end MMIC

T/CASAS 029-2023 Sub-6GHz GaN射频器件微波特性测试方法

T/CASAS 029—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》描述了Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的详细测试方法。本文件适用于共源组成方式的GaN 射频器件，其它组成方式仅供参考。制定Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的测试方法以及相关规范，对研发生产、性能评估、量产测试和应用评价等具有重要指导意义。

Test method for microwave characteristics of Sub-6GHz GaN radio-frequency devices

T/CASAS 028-2023 Sub-6GHz GaN射频器件可靠性筛选和验收方法

T/CASAS 028—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法》描述了Sub-6GHz GaN射频产品的可靠性筛选和验收方法和详细要求，对提升产品质量、系统可靠性及稳定性具有重要意义。

Reliability screening and acceptance method for Sub-6GHz GaN radio-frequency devices

T/CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法

T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaN HEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaN HEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100 〖cm〗^2?(V?s)～20000 〖cm〗^2?(V?s)。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InP HEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘。

Two—dimensional electron gas mobility of RF GaN HEMT epitaxial wafers—Non—contact Hall measurement method

GSO IEC 60749-20:2023 半导体器件 机械和气候测试方法 第20部分：塑料封装 SMD 耐湿气和焊接热综合影响的能力

IEC 60749-20:2020 is available as IEC 60749-20:2020 RLV which contains the International Standard and its Redline version, showing all changes of the technical content compared to the previous edition.IEC 60749-20:2020 provides a means of assessing the resistance to soldering heat of semiconductors packaged as plastic encapsulated surface mount devices (SMDs). This test is destructive. This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition: - incorporation of a technical corrigendum to IEC 60749-20:2008 (second edition ); - inclusion of new Clause 3; - inclusion of explanatory notes.

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 20: Resistance of plastic encapsulated SMDs to the combined effect of moisture and soldering heat

T/SHDSGY 077-2023 车规功率器件可靠性测试标准

本文件规定了术语和定义、仪器设备、程序、故障判断、安全要求。 本文件适用于车规功率器件可靠性测试标准。

Standard for Reliability Testing of Vehicle Power Devices

T/CVIA 118-2023 光场显示器的单目立体视觉测量方法

本文件规定了多视点光场显示器的单目立体视觉的测量方法。

Monocular Stereo Vision Measurement Method for Light Field Display

IEC 63287-2:2023 半导体器件 可靠性鉴定计划指南 第2部分：任务概况的概念

Semiconductor devices - Guidelines for reliability qualification plans - Part 2: Concept of mission profile

23/30469486 DC BS EN IEC 63378-2 半导体封装的热标准化 第 2 部分：用于稳态分析的分立半导体封装的 3D 热仿真模型

BS EN IEC 63378-2. Thermal standardization on semiconductor packages - Part 2. 3D thermal simulation models of discrete semiconductor packages for steady-state analysis

23/30469010 DC BS EN IEC 63378-3 半导体封装的热标准化 第 3 部分：用于瞬态分析的分立半导体封装的热电路仿真模型

BS EN IEC 63378-3. Thermal standardization on semiconductor packages - Part 3. Thermal circuit simulation models of discrete semiconductor packages for transient analysis

T/CIE 145-2022 辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法

本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱测试辐射诱生缺陷的方法和程序。 本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。

Deep Level Transient Spectroscopy Testing Method for Radiation-Induced Defects

T/IAWBS 006-2022 碳化硅混合模块产品测试方法

本标准针对由硅IGBT和碳化硅二极管组成的混合功率模块，参考GB/T 29332、IEC 60747-2和BS EN60747-15，以及国外主流功率半导体模块制造商产品的技术要求，同时结合混合模块的应用需求，对器件的术语、符号、基本额定值和特性以及测试方法进行详细规定和要求。 并在在原有创新性的基础上，本次修订又创新性的提出了最高和最低允许工作结温的定义和测试方法，在国内尚属首次。

Test methods for hybrid silicon carbide modules

T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范

本文件使用范围为三相智能电表及小型线路终端用氮化镓场效应晶体管。 氮化镓具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗辐射能力等一系列优点，在电网中的三相智能电表及小型线路终端有广阔的应用前景。随着电网业务需求的不断扩展，新一代三相智能电表及小型线路终端的正在推广使用，且逐渐替代传统三相智能电表及小型线路终端，市场需求量巨大。相比传统三相智能电表及小型线路终端，新一代三相智能电表及小型线路终端内部的电源转换模组通过使用氮化镓材料开关器件替换传统的使用硅(Si)基材料开关器件，提高了电源转换效率，减少了电力消耗、降低了电源温度，获得了更好的稳定性，同时也在使用中节省更多的电力投入，在应用的场景中降低线损。 然而由于材料、工艺、器件结构等相对不成熟，氮化镓器件尚处于产业化推广阶段。对于进一步提高击穿电压、降低导通电阻、提高器件安全可靠性，是将氮化镓功率器件应用于三相智能电表及小型线路终端的核心。目前，业内尚未针对在三相智能电表及小型线路终端使用氮化镓功率器件的标准。且因行业内各单位的测试仪器型号不同，抽样标准、测试条件、操作方法等条件也各有不同，使得产业内从业人员在使用氮化镓器件过程中，难以在较统一的条件下比较氮化镓性能。希望借此标准的制定，有效规范氮化镓器件在电网行业内的应用，推动氮化镓功率器件的产业化发展。 

Technical specification for gallium nitride field effect transistor used in line terminal units and triphase electricity meters

BS EN IEC 60749-37:2022 半导体器件 机械和气候测试方法 使用加速度计的板级跌落测试方法

1   Scope This part of IEC 60749 provides a test method that is intended to evaluate and compare drop performance of surface mount electronic components for handheld electronic product applications in an accelerated test environment, where excessive flexure of a circuit board causes product failure. The purpose is to standardize the test board and test methodology to provide a reproducible assessment of the drop test performance of surface-mounted components while producing the same failure modes normally observed during product level test. This document aims at prescribing a standardized test method and reporting procedure. This is not a component qualification test and is not meant to replace any system level drop test that is sometimes used to qualify a specific handheld electronic product . The standard is not meant to cover the drop test required to simulate shipping and handling-related shock of electronic components or PCB assemblies. These requirements are already addressed in test methods such as IEC 60749‑10. The method is applicable to both area array and perimeter-leaded surface mounted packages. This test method uses an accelerometer to measure the mechanical shock duration and magnitude applied which is proportional to the stress on a given component mounted on a standard board. The test method described in IEC 60749‑40 uses strain gauge to measure the strain and strain rate of a board in the vicinity of a component . The customer specification states which test method is to be used.

Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods. Board level drop test method using an accelerometer

KS C IEC 60747-14-10:2022 半导体器件.第14-10部分:半导体传感器.可穿戴葡萄糖传感器的性能评估方法

Semiconductor devices — Part 14-10: Semiconductor sensors — Performance evaluation methods for wearable glucose sensors