ASTM E2245-05
用光学干涉仪测量反射薄膜残余应力的标准试验方法

Standard Test Method for Residual Strain Measurements of Thin, Reflecting Films Using an Optical Interferometer


标准号
ASTM E2245-05
发布
2005年
发布单位
美国材料与试验协会
替代标准
ASTM E2245-11
当前最新
ASTM E2245-11(2018)
 
 
残余应变测量有助于 MEMS 器件的设计和制造。残余应变值用于杨氏模量计算。1.1 该测试方法涵盖了测量薄膜中压缩残余应变的程序。它仅适用于薄膜,例如微机电系统 (MEMS) 材料中的薄膜,可以使用干涉仪对其进行成像。不接受接触底层的固定光束的测量。1.2 本测试方法使用非接触式光学干涉仪,能够获取地形 3-D 数据集。它是在实验室中进行的。1.3 本标准并...

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