GB/T 20230-2022
磷化铟单晶
Indium phosphide single crystal
GBT20230-2022, GB20230-2022
- 标准号
- GB/T 20230-2022
- 别名
- GBT20230-2022
GB20230-2022 - 发布
- 2022年
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
- 当前最新
- GB/T 20230-2022
- 引用标准
- GB/T 13388 GB/T 14264 GB/T 1555 GB/T 19921 GB/T 26067 GB/T 2828.1-2012 GB/T 32278 GB/T 4326 GB/T 6618 GB/T 6624
- 被代替标准
- GB/T 20230-2006
- 本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片。
GB/T 20230-2022相似标准
推荐
浅析适用于射频微波等高频电路的半导体材料及工艺 -1
根据这个思路，中科院半导体所的有关科研人员采取了三个步骤来制备非掺杂半绝缘磷化铟衬底：首先用液封直拉法拉制高纯低阻非掺杂磷化铟单晶(表面为低阻)，然后将其切割成一定厚度的晶片并封装在石英管内，最后在合适的气氛条件下进行高温退火处理。研究人员分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行了数十次退火比较实验。...
2015年国家工程技术中心在新材料领域中的发展情况
国家稀散金属工程中心 开展磷化铟衬底材料的制备与装备 研究，突破了高化学配比的磷化铟多晶材料合成、大尺寸高质量磷化铟单晶研制、高取向晶向精度 的磷化铟晶片加工、高平整度高洁净度磷化铟晶片加工等技术，具备了较完整的产业链和批量生产 各种规格型号磷化铟衬底材料的条件。...
半导体材料的应用介绍
绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。...
半导体材料的制备方法
绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80％的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300 毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。...