分类(来源:2007年版的《军用电子元器件合格产品目录》)电阻最可靠的元件之一失效模式:开路、机械损伤、接点损坏、短路、绝缘击穿、焊接点老化造成的电阻值漂移量超过容差电位器失效模式:接触不良、滑动噪声大、开路等二极管集成电路失效模式:漏电或短路,击穿特性劣变,正向压降劣变,开路可高阻失效机理:电迁移,热载流子效应,与时间相关的介质击穿(TDDB),表面氧化层缺陷,绝缘层缺陷,外延层缺陷声表面波器件MEMS...
SiC功率模块封装技术及展望近几十年来,以新发展起来的第 3 代宽禁带功率半导体材料碳化硅(SiC)为基础的功率半导体器件,凭借其优异的性能备受人们关注。...
第18部分:电离辐照(总剂量)GB/T4937.19-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分:芯片剪切强度GB/T4937.201-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输GB/T4937.20-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响GB/T4937.21...
第19部分:芯片剪切强度2019/1/119GB/T 4937.20-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响2019/1/120GB/T 4937.201-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输2019/1/121GB/T 4937.21-2018半导体器件 机械和气候试验方法...
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