T/CNIA 0118-2021由中国团体标准 CN-TUANTI 发布于 2021-03-19,并于 2021-09-01 实施。
T/CNIA 0118-2021在国际标准分类中归属于: 71.040.40 化学分析。
T/CNIA 0118-2021 电子工业用高纯氢氟酸中痕量杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法的最新版本是哪一版?
最新版本是 T/CNIA 0118-2021 。
本文件规定了电感耦合等离子体质谱法测定电子工业用高纯氢氟酸中杂质元素(铝、锑、砷、钡、硼、镉、钙、铬、铜、铁、铅、锂、镁、锰、镍、钾、钠、锡、钛、钒、锌)含量的方法。 本文件适用于电子工业用高纯氢氟酸中痕量杂质元素含量的测定,测定范围为0.001μg/kg~10.000μg/kg。标准工作曲线法适用于各痕量杂质元素含量>0.100μg/kg;标准加入法适用于各痕量杂质元素含量≤0.100μg/kg。
SJ/T 11554-2015用电感耦合等离子体发射光谱法测定氢氟酸中金属元素的含量本 标准规定了采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)测定氢氟酸中金属元素的试验方法。...
辉光质谱法测定高纯铝中钾、锂、钠、钍、铀、镁、钙、铬、铁、镍、锌、硅、锡、磷等痕量杂质推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会北京有色金属研究总院 39YSFFZT3964-2010高纯铌化学分析方法 痕量杂质元素的测定 电感耦合等离子体质谱法推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会北京有色金属研究总院 40YSFFZT3965-2010高纯铌化学分析方法 痕量杂质元素的测定...
正因为这些优点,使ICP-MS分析技术广泛应 用于半导体工业用高纯材料的痕量杂质分析中.主要进行的高纯材料分析1. IC硅片表面杂质分析2. 光伏多晶硅、单晶硅杂质分析3. 三氯氢硅、四氯化硅: ICP.MS法测定高纯四氯化硅中们、V、cr、‘ Co、Ni、Cu、Pb、Zn、Mn九种金属元素.4....
金属元素分析是指对金属元素的含量、组成、成分及其它性质进行测定的方法。主要包括对金属中金属元素的总量,包括铜、铝、铅、锌、镉等的测定,对金属元素含量及其成分的分析。金属元素分析主要是用来分析金属中所含的各种元素。常用的方法有:原子吸收光谱法;原子荧光光谱法;电感耦合等离子体发射光谱法;质谱法;X射线荧光光谱法等。...
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