T/IAWBS 003-2017由中国团体标准 CN-TUANTI 发布于 2017-12-20,并于 2018-04-18 实施。
T/IAWBS 003-2017在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
本标准规定了碳化硅(4H-SiC)外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容-电压法。 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量,要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。载流子浓度测量范围为:1×1014 cm-3 ~5×1017 cm-3。 本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。
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