SJ/T 11396-2009
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
The sapphire substrates for nitride based light-emitting diode
SJ/T 11396-2009 发布历史
本标准规定了外延氮化镓的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片的技术要求、测试方法、检验检测、标志、包装运输和贮存等内容。 本标准适用于制备半导体发光二极管的外延氮化镓的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片。
SJ/T 11396-2009由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2009-11-17，并于 2010-01-01 实施。
SJ/T 11396-2009 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
SJ/T 11396-2009 发布之时，引用了标准
- GB/T 1031-1995 表面粗糙度 参数及其数值
- GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
- GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
- GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序 第1部分;按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
- GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
- GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法
- GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
- GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法
- GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
- GB/T 14264-1993 半导体材料术语
- SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
SJ/T 11396-2009的历代版本如下：
- 2009年11月17日 SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
- 标准号
- SJ/T 11396-2009
- 发布日期
- 2009年11月17日
- 实施日期
- 2010年01月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H83
- 国际标准分类号
- 29.045
- 发布单位
- CN-SJ
- 引用标准
- GB/T 1031-1995 GB/T 1554-1995 GB/T 1555 GB/T 2828.1-2003 GB/T 6618 GB/T 6619 GB/T 6620 GB/T 6621 GB/T 6624 GB/T 14264-1993 SJ 20744-1999
- 适用范围
- 本标准规定了外延氮化镓的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片的技术要求、测试方法、检验检测、标志、包装运输和贮存等内容。 本标准适用于制备半导体发光二极管的外延氮化镓的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片。