GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance

GBT26068-2010, GB26068-2010

被代替

GB/T 26068-2010 发布历史

GB/T 26068-2010由国家质检总局 CN-GB 发布于 2011-01-10，并于 2011-10-01 实施，于 2019-11-01 废止。

GB/T 26068-2010 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法的最新版本是哪一版？

最新版本是 GB/T 26068-2018 。

GB/T 26068-2010 发布之时，引用了标准

• GB/T 11446.1 电子级水*， 2013-12-31 更新
• GB/T 13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程*， 2014-12-31 更新
• GB/T 14264 半导体材料术语
• GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法*， 2018-12-28 更新
• GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
• GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
• GB/T 6616 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法*， 2023-08-06 更新
• GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
• YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

* 在 GB/T 26068-2010 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

GB/T 26068-2010的历代版本如下：

• 2019年 GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
• 2011年 GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05•cm～1Ω•cm之间。 3 分析工艺过程、检查沾污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下，例如通过对比某特定工艺前后载流子符合寿命测试值，可以识别引入沾污的工序，识别某些个别的杂质种类。

标准号

GB/T 26068-2010

别名

GBT26068-2010
GB26068-2010

发布

2011年

发布单位

国家质检总局

替代标准

GB/T 26068-2018

当前最新

GB/T 26068-2018

 

 

引用标准

GB/T 11446.1 GB/T 13389 GB/T 14264 GB/T 1550 GB/T 1552 GB/T 1553-2009 GB/T 6616 GB/T 6618 SEMI MF1388 SEMI MF1530 SEMI MF978 YS/T 679-2008

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