ASTM F2182-11
测定在磁共振成像中靠近被植入物导致发热的无线电频率的标准试验方法

Standard Test Method for Measurement of Radio Frequency Induced Heating Near Passive Implants During Magnetic Resonance Imaging

被代替

标准号

ASTM F2182-11

发布

2011年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F2182-11a

当前最新

ASTM F2182-19e2

 

 

引用标准

ASTM F2052 ASTM F2119 ASTM F2213 ASTM F2503

适用范围

该测试方法描述了用于评估与涉及植入物的特定射频辐射频率的 MR 程序相关的 RF 引起的温升的测试程序。加热测量进行两次，一次使用植入物，然后在没有植入物的同一位置重复测量。这两项测量可估算植入物的局部 SAR 和局部额外温升。如果存在与植入物相关的显着温升，则结果可以用作计算模型的输入以估计患者体内的温升。然后可以将测试结果和计算模型结果的组合提供给监管机构和医生，以评估在MR扫描期间带有植入物的患者的安全性。
1.1 本测试方法涵盖磁共振成像 (MRI) 过程中对无源医疗植入物及其周围环境或其周围的射频 (RF) 感应加热的测量。
1.2 该测试方法是确定无源植入物的存在是否可能对 MR 手术期间植入植入物的患者造成伤害所需的方法之一。其他应解决的安全问题包括磁感应位移力和扭矩。
1.3 对于给定的比吸收率 (SAR)，射频引起的温升量将取决于射频频率，而射频频率又取决于 MR 系统的静磁场强度。由于可能会产生额外的热量，特别是当植入物尺寸接近或超过体模内部射频场波长的四分之一时，在一种静态磁场强度下进行的测量得出的结论不适用于其他场强和频率。虽然该测试方法的重点是 1.5 T 或 3 Tesla 圆柱孔 MR 系统，但开放式 MR 系统中植入物的 RF 引起的温升可以通过对本文描述的方法进行适当修改来评估。
1.4 该测试方法假设测试是在完全位于体内的设备上进行的。对于其他植入条件（例如，外部固定装置、经皮针、导管或系留装置，如消融探针），需要对该测试方法进行修改。
1.5 本测试方法适用于 IEC 标准 60601-2-33 第 2.2.103 节定义的全身磁共振设备。 2.0，具有第 2.2.100 节中定义的全身射频发射线圈。假设射频线圈具有正交激励。
1.6 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。
1.7 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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