SJ/T 11471-2014
发光二极管外延片测试方法
Measurement methods for epitaxial wafers of light-emitting diodes
SJT11471-2014, SJ11471-2014
SJ/T 11471-2014 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- SJ/T 11471-2014
- 别名
- SJT11471-2014
SJ11471-2014 - 发布
- 2014年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ/T 11471-2014
- 引用标准
- GB/T 14140.2-1993 GB/T 1426.4-2009 GB/T 18907-2002 GB/T 20229 GB/T 20307-2006 GB/T 25915.1-2010 GB/T 6619 GB/T 6620 GB/T 6624-2009 GB/T 8758-2006 GB/T 8760-2006 JB/T 7503 SJ/T 11394-2009 SJ/T 11395-2009 SJ/T 11399-2009 SJ/T 11470-2014
- 本标准规定了可见光发光二极管外延片(以下简称外延片)的几何参数、表面缺陷、结构参数及光电参数的测试方法。本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铝镓铟磷系及铝镓铟氮系外延片。
SJ/T 11471-2014相似标准
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