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半导体为什么氧化
本专题涉及半导体为什么氧化的标准有11条。
国际标准分类中，半导体为什么氧化涉及到。
在中国标准分类中，半导体为什么氧化涉及到。
(美国)军事条例和规范，关于半导体为什么氧化的标准
- ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 晶体振荡器(XO):方波为0.05兆赫-10兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.0兆赫-85兆赫的高速互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.544赫兹-125兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为0.75赫兹-200兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1赫兹-100兆赫的1.8伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
