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氧化亚钴 半导体

本专题涉及氧化亚钴 半导体的标准有500条。

国际标准分类中，氧化亚钴 半导体涉及到半导体分立器件、集成电路、微电子学、电子元器件综合、半导体材料、阀门、电工和电子试验、金属材料试验、光纤通信、电学、磁学、电和磁的测量、航空航天制造用材料、纺织产品、有色金属、电气工程综合、滤波器。

在中国标准分类中，氧化亚钴 半导体涉及到半导体分立器件综合、、半导体三极管、半导体集成电路、敏感元器件及传感器、电工绝缘材料及其制品、场效应器件、阀门、半金属及半导体材料分析方法、半导体分立器件、光通信设备、微电路综合、电子测量与仪器综合、航空与航天用金属铸锻材料、计算机应用、重金属及其合金分析方法、基础标准与通用方法、电力半导体器件、部件、计算机设备。

欧洲电工标准化委员会，关于氧化亚钴 半导体的标准

• EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
• EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006

美国国防后勤局，关于氧化亚钴 半导体的标准

• DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-94532-1994 64位微处理器,氧化物半导体微型电路
• DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 硅单片无栅氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
• DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 硅单片六反相器氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 硅单片四重虚拟开关,氧化物半导体微型电路
• DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 硅单片异或门高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 硅单片总线控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 硅单片可调稳压器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 硅单片量值比较器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 硅单片,二维卷积器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 硅单片双重升计数器氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 硅单片四重D锁存器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 硅单片译码器-解码器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94533-1994 硅单片,32位微处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 硅单块 16X16倍增器互补金属氧化物半导体,微型电路
• DLA SMD-5962-06208-2006 硅单片数字信号处理机氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 硅单片,16比特微处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 硅单片时钟发生驱动器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 硅单片3重3输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 硅单片双重4输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 硅单片双重4输入或栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 硅单片静态移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 硅单片3重与非门缓冲,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 硅单片六位反相缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89638-1989 硅单片,氧化物半导体电流方式控制器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 硅单片,64位输出相关仪,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94642-1994 硅单片,扩展多功能外围,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 硅单片,同步串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 硅单片,RS232型双重收发器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 硅单片,16位微型控制器,氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92331-1993 硅单片,16X16位坐标变换器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 硅单片,通用串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 硅单片,16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 硅单片,差动总线收发器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
• DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 硅单片3-8线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 硅单片可编程间隔计时器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 硅单片可编程序外围接口,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 硅单块 总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路
• DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 硅单片金属氧化半导体时钟脉冲驱动器,数字微型电路
• DLA SMD-5962-79017-1979 硅单片通用异步接收器/发送器,氧化物半导体微型电路
• DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 硅单片,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 硅单片定点双信息处理器氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 硅单片,低功率脉宽调制器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 硅单片,微处理器监督电路,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-94537-1994 硅单片,8位记忆处理单元,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 硅单块 真实时钟,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 硅单片,16位可级联运算器,氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 硅单片,锁相环路文件,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
• DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 硅单片沟道金属氧化物半导体中断发生器数字微电路
• DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 硅单片,高性能微型控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 硅单片,四重双向转换开关,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 硅单块 8X8倍增器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 硅单片,12 X 10位矩阵乘数,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 硅单片128 X 8比特随机存取记忆体,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
• DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 硅单片,可擦除程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 硅单片,两重4输入无门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 硅单片,两重2输入或门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 硅单片,三重3输入与门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 硅单片10-4优先编码器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 硅单片八位锁存总线驱动器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 硅单片四重三态R/S锁存器氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77035-1977 4-16行译码器,4比特锁存器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77056-1977 六位N沟道开路漏极缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 硅单片12级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 硅单片串联控制器接口,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 硅单片12比特二进制计数器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-03251-2004 硅单片解算器至数字变换器氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
• DLA SMD-5962-94517 REV C-2004 硅单片,宽带增益可变扬声器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 硅单片,8位交流/直流转变器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 硅单块 八进制高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89652-1990 硅单片,四冲双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 硅单片,14位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 硅单片,16位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 硅单片,12位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89695-1990 硅单片,双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92026-1992 硅单块 定点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87744-1987 硅单片1M(64K X 16) BIT,沟道金属氧化物半导体,UVEPROM数字微电路
• DLA SMD-5962-92103-1992 硅单块 浮点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89954 REV A-2007 硅单片,双重同步计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 硅单片,通用异步接收发送器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90543 REV D-2006 硅单片,存储票接存取控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 硅单片信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-85528-1986 硅单块 总线调停器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93008-1994 硅单片,16K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93109-1993 硅单片,高集成嵌入式处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 硅单片8 X 8乘数互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 硅单片,96位浮点双口处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 硅单片,32K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 硅单片,12位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 硅单块 互补金属氧化物半导体总线界面直线式微型电路
• DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 硅单片精密定时器互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 硅单片256 X 4静态记忆体复位沟道金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
• DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 硅单片,两重4输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84046 REV F-2002 硅单片,两重2输入异或门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 硅单片,两重2输入正与门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85030 REV H-2007 硅单片可编程中断控制器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 硅单片1至64比特移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 硅单片,四重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 硅单片,两重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 硅单片,2K X 9先进先出型氧化物半导体,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 硅单片,4K X 9先进先出型氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 硅单片,视频多路复用器/扬声器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-94542-1994 硅单片,32位局域网络协处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94567-1996 硅单片,X 9时控先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 硅单块 八进制总线接收器,互补金属氧化物半导体,微型电路
• DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,万能中断控制器微型电路
• DLA SMD-5962-89665-1989 硅单片,9位宽缓冲寄存器,氧化物半导体高速数字微型电路
• DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 硅单片,双重低功率运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89715 REV B-1998 硅单片,图象重采样序列发生器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
• DLA SMD-5962-89726 REV D-2006 硅单片,I/O扩大的微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 硅单块 多路调制器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 硅单片,EE可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-92106-1993 硅单块 地址处理器2,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 硅单片数字数据处理器沟道金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90518 REV A-1992 硅单片,可编程比特速率发生器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88599-1988 硅单片时序控制组件互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 硅单片,32位高集成微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 硅单片四方模拟开关互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 硅单片,8-16位并行接口/限时器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 硅单片,四重单刀双投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-93182 REV D-2004 硅单片,轨到轨四重运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-93255 REV A-2002 硅单片,四重单刀单投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体与非硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96803-1996 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体 硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 硅单片微处理器优化数字信号处理互补型金属氧化物半导体微电路
• DLA SMD-5962-84090 REV D-2005 硅单片双重三态双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84092 REV D-2002 硅单片双重2至4线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77055 REV B-1981 可再触发可重调单稳多谐振荡器氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 硅单片六位D型双稳多谐振荡器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 硅单片,16位微型控制器,沟道金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-91513-1993 硅单块 是或倒转门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 硅单片,4K X 9并行同步先进先出,氧化物半导体记忆微型电路
• DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 硅单片,16 X 16位并行多路复用器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 硅单片,一次可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-94564-1994 硅单片,24位通用数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 硅单片,8位视频直流/交流转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 硅单片,12位高速交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 硅单片,12位直流/交流转变器,双重氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 硅单块 图像系统处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-94608-1994 硅单片,12位可级联乘法器加法器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89716 REV B-1996 硅单片,4 X 16-BIT多级廉线寄存器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 硅单片,可编程逻辑阵列,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 硅单块 操作放大器,互补金属氧化物半导体,双直线式微型电路
• DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
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• DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 硅单片高性能奇偶总线收发器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 静电噪声的随机数字存储存储器混合互补金属氧化物半导体微电路
• DLA SMD-5962-88637 REV C-2005 硅单片字段可编程门阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-90590 REV B-2002 硅单片,有明沟输入的六位反向器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90622 REV D-2007 硅单片,4M X 1动态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-92312 REV A-2006 硅单片,4M X 4动态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 硅单块 4比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88655-1989 硅单片八进制D型触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90704-1990 硅单块 16比特数字单一处理器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88699-1988 16通道/差分8通道互补型金属氧化物半导体模拟复用器线性微电路
• DLA SMD-5962-90715 REV B-2007 硅单块 互补金属氧化物半导体4K X9先进先出,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 硅单块 八比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88733 REV D-1997 硅单片16 X 16位乘法器累加器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90803 REV C-2007 硅单块 互补金属氧化物半导体8K X8比特程序,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-86821 REV C-2004 二十进制到十进制译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89445 REV A-2006 硅单片可编程N分计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90888-1993 硅单块 曼彻斯特编码和解码器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 硅单块 8比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89483 REV D-1996 硅单片四方通用滤波器数据块互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-89516-1989 硅单片双串行输入/输出控制器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89518 REV A-2002 硅单片A/D转换跑道/搁置8位互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 硅单块 8比特量值比较器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-93225-1994 硅单片,64K X 4静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93247 REV A-1995 硅单片,电可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-87518 REV D-2005 硅单块 可编程序中断控制器N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87519 REV A-1991 硅单块 通用接口总线控制器N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89533-1989 硅单片10位扬声器收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体二元比率乘数硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96615 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT闭锁装置硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重排外与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96672 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体可编程定时器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96694 REV A-1996 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体1K X 4静态随机存储器微电路
• DLA SMD-5962-96695 REV A-1996 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体1K X 4静态随机存储器微电路
• DLA SMD-5962-96701 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,四重双向开关硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96816-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96820 REV B-1999 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96822-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96825-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体16-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,明渠六角硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95824-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90525 REV C-2008 由互补金属氧化物半导体制成的单硅数字微电路,带通用异步收发器
• DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 硅单片,寄存的8K X 8位可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-96817 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96821 REV C-2003 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96823 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 硅单块 8KX8紫外可擦除可程序化只读存储器,氧化物半导体数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-94557 REV A-1994 硅单片,1MX 8电可擦除可程序化随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 硅单片装有置位复位键的J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77047 REV G-2005 硅单片二进制-四分之一译码器/信号分离器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77048 REV F-2005 硅单片二进制-四分之一译码器/信号分离器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85133-1986 硅单块 80比特扩展数字处理器,高性能金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-84036 REV G-2005 硅单片,16千比特静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-04211-2004 硅单片三态输出16比特总线收发器高级氧化物半导体的数字微型电路
• DLA SMD-5962-89577 REV J-2007 硅单片,总线控制器,远程终端及显示器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 硅单片,四重串联接口8位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-91603 REV A-1998 硅单块 4态同步双向计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87625 REV B-2006 硅单块 双4输入多路复用器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 硅单块 双极金属氧化物半导体技术中断接口闩锁设备,直线型微型电路
• DLA SMD-5962-89709 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,三重三输入是门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89710 REV C-2004 硅单片,锁存的8及16通道模拟多路复用器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-91692 REV A-2002 硅单块 交直流转换器,20 KHZ16比特互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-91740-1992 硅单块 16比特数字到模拟倍增转换器,互补金属氧化物半导体,微型电路
• DLA SMD-5962-91762 REV B-1993 硅单块 4X8比特多级流水线寄存器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89843 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,三重输入非与门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92124 REV A-2004 硅单块 倒转转换控制器,低功率互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-92153 REV M-2006 硅单块 32K X8静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95525-1995 带电可消除编程分压计互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89946 REV A-2006 硅单片,4位同步十进升值/降值计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路

中国团体标准，关于氧化亚钴 半导体的标准

• T/CECA 35-2019 金属氧化物半导体气体传感器
• T/QGCML 743-2023 半导体设备零部件阳极氧化工艺规范
• T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
• T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
• T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

英国标准学会，关于氧化亚钴 半导体的标准

• BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
• BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
• BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
• BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
• BS EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
• BS IEC 63275-1:2022 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法
• 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
• 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
• BS ISO 17299-5:2014 纺织品 除臭剂性能的测定 金属氧化物半导体传感器方法
• 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第1部分.偏置温度不稳定性测试方法
• 20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第2部分. 体二极管工作造成的双极退化的测试方法

法国标准化协会，关于氧化亚钴 半导体的标准

• NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
• NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
• NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验
• NF EN 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试

国际电工委员会，关于氧化亚钴 半导体的标准

• IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
• IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
• IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
• IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
• IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
• IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法

丹麦标准化协会，关于氧化亚钴 半导体的标准

• DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
• DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试

德国标准化学会，关于氧化亚钴 半导体的标准

• DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
• DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
• DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
• DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试

ES-UNE，关于氧化亚钴 半导体的标准

• UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
• UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试

行业标准-电子，关于氧化亚钴 半导体的标准

• SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
• SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
• SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
• SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法

国家质检总局，关于氧化亚钴 半导体的标准

• GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范
• GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
• GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

立陶宛标准局，关于氧化亚钴 半导体的标准

• LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
• LST EN 62373-2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试（IEC 62373:2006）

(美国)军事条例和规范，关于氧化亚钴 半导体的标准

• ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
• ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
• ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63320 A-1981 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48632-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48634-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63321 A-1981 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
• ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
• ARMY MIL-M-63324 A-1981 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
• ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于氧化亚钴 半导体的标准

• IEEE 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的标准定义和表征

台湾地方标准，关于氧化亚钴 半导体的标准

• CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
• CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法

工业和信息化部，关于氧化亚钴 半导体的标准

• SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
• YS/T 1416-2021 氧化亚镍化学分析方法 铜、铁、锌、钙、镁、钠、钴、镉、锰和硫含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法

美国电气电子工程师学会，关于氧化亚钴 半导体的标准

• ANSI/IEEE Std 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的 IEEE 标准定义和表征

PH-BPS，关于氧化亚钴 半导体的标准

• PNS IEC 62373-1:2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验

美国通用公司（北美），关于氧化亚钴 半导体的标准

• GM GM6078M-1989 固体膜润滑剂涂层树脂粘合的金属氧化物半导体和聚四氟乙烯

美国材料与试验协会，关于氧化亚钴 半导体的标准

• ASTM F996-98 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
• ASTM F996-98(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
• ASTM F996-10 利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
• ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
• ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)

AT-OVE/ON，关于氧化亚钴 半导体的标准

• OVE EN IEC 63275-2:2021 半导体器件-碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法-第2部分：体二极管操作引起的双极退化测试方法（IEC 47/2680/CDV）（英文版）
• OVE EN IEC 63275-1:2021 半导体器件 碳化硅分立式金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法（IEC 47/2679/CDV）（英文版）

国际标准化组织，关于氧化亚钴 半导体的标准

• ISO 17299-5:2014 纺织品. 除臭性能的测定. 第5部分: 金属氧化物半导体传感器法

韩国科技标准局，关于氧化亚钴 半导体的标准

• KS C IEC 60748-2-5:2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB
• KS C IEC 60748-2-4:2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB

欧洲电工电子元器件标准，关于氧化亚钴 半导体的标准

• CECC 90 104- 125 ISSUE 1-1981 BS CECC 90 104-125;带(B)缓冲输出腔体封装封装的硅互补式金属氧化物半导体(英文)
• CECC 90 104- 145 ISSUE 1-1986 CEI CECC 90 104-145;带(B)缓冲输出腔体封装和非腔体封装的硅互补式金属氧化物半导体(英文)

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于氧化亚钴 半导体的标准

• JEDEC JEP184-2021 电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏压温度不稳定性评估指南

本站其他标准专题： 氧化亚钴 半导体，氧化亚钴，磷化 钴 半导体，钴 半导体 光催化，四氧化三钴 半导体，四氧化三钴半导体，半导体四氧化三钴，半导体 四氧化三钴，四氧化三钴+ 半导体，四氧化三钴间接半导体。

 

可能用到的仪器设备