半导体 氧化
本专题涉及半导体 氧化的标准有27条。
国际标准分类中，半导体 氧化涉及到半导体分立器件、集成电路、微电子学、电子元器件综合。
在中国标准分类中，半导体 氧化涉及到半导体三极管、半导体分立器件综合、半导体集成电路、半导体分立器件、、敏感元器件及传感器、电工绝缘材料及其制品。
欧洲电工标准化委员会，关于半导体 氧化的标准
- EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
英国标准学会，关于半导体 氧化的标准
- BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
- BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
- 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
- 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
法国标准化协会，关于半导体 氧化的标准
- NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
国际电工委员会，关于半导体 氧化的标准
- IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
丹麦标准化协会，关于半导体 氧化的标准
- DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
德国标准化学会，关于半导体 氧化的标准
- DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
- DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
ES-UNE，关于半导体 氧化的标准
- UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
美国国防后勤局，关于半导体 氧化的标准
- DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 硅单片128 X 8比特随机存取记忆体,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94532-1994 64位微处理器,氧化物半导体微型电路
- DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 硅单片无栅氧化物半导体数字微型电路
立陶宛标准局，关于半导体 氧化的标准
- LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
PH-BPS，关于半导体 氧化的标准
- PNS IEC 62373-1:2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验
中国团体标准，关于半导体 氧化的标准
- T/CECA 35-2019 金属氧化物半导体气体传感器
行业标准-电子，关于半导体 氧化的标准
- SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
- SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
- SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
国家质检总局，关于半导体 氧化的标准
- GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范
- GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
(美国)军事条例和规范，关于半导体 氧化的标准
- ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
