金属氧化物半导体

本专题涉及金属氧化物半导体的标准有993条。

国际标准分类中，金属氧化物半导体涉及到电子元器件综合、半导体分立器件、纺织产品、集成电路、微电子学、数据存储设备、电学、磁学、电和磁的测量、无线通信、阀门、航空航天制造用材料、光纤通信、信息技术应用、滤波器、电工和电子试验。

在中国标准分类中，金属氧化物半导体涉及到敏感元器件及传感器、半导体分立器件、场效应器件、基础标准与通用方法、半导体三极管、半导体分立器件综合、半导体集成电路、计算机外围设备、电子测量与仪器综合、计算机应用、广播、电视发送与接收设备、微电路综合、阀门、航空与航天用金属铸锻材料、光通信设备、电力半导体器件、部件、系统设备接口、电工绝缘材料及其制品、计算机设备。

国家质检总局，关于金属氧化物半导体的标准

• GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
• GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范

国际电工委员会，关于金属氧化物半导体的标准

• IEC 63275-2-2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
• IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
• IEC 63275-1-2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
• IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
• IEC 62373-1-2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
• IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
• IEC 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfets）的移动离子测试
• IEC 62417-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
• IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）的偏温稳定性试验
• IEC 62373-2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
• IEC 60747-8-4-2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
• IEC 61523-2-2002 延迟计算和功率计算标准.第2部分:互补金属氧化物半导体(CMOS)专用集成电路(ASIC)程序库用配套延迟计算规范

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于金属氧化物半导体的标准

• JEDEC JEP184-2021 电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏压温度不稳定性评估指南

，关于金属氧化物半导体的标准

• PNS IEC 62373-1-2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验

工业和信息化部，关于金属氧化物半导体的标准

• SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

国际标准化组织，关于金属氧化物半导体的标准

• ISO 17299-5:2014 纺织及印刷业;；除臭剂性能的测定第5部分:金属氧化物半导体传感器法
• ISO 17299-5-2014 纺织品. 除臭性能的测定. 第5部分: 金属氧化物半导体传感器法

美国材料与试验协会，关于金属氧化物半导体的标准

• ASTM F996-2011 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界面性能产生的电离辐射感生金属氧化物半导体场应晶体管临界电压偏移分量的标准试验方法
• ASTM F996-2010 利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
• ASTM F996-1998(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
• ASTM F996-1998 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
• ASTM F616M-1996(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
• ASTM F616M-1996 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)

德国标准化学会，关于金属氧化物半导体的标准

• DIN EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
• DIN EN 61523-2-2003 延时和功率计算标准.第2部分:互补金属氧化物半导体(CMOS)专用集成电路(ASIC)程序库用预设计延时计算规范

法国标准化协会，关于金属氧化物半导体的标准

• NF C80-203-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
• NF C82-100-2-2003 延迟计算和功率计算标准.第2部分:互补金属氧化物半导体(CMOS)专用集成电路(ASIC)程序库用配套延迟计算规范

英国标准学会，关于金属氧化物半导体的标准

• BS EN 62416-2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
• BS EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
• BS IEC 60747-8-4-2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
• BS QC 790130-1992 电子元器件质量评估协调体系.半导体器件.集成电路.空白详细规范.54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列的高密度互补金属氧化物半导体(HCMOS)数字集成电路

欧洲电工标准化委员会，关于金属氧化物半导体的标准

• EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

(美国)军事条例和规范，关于金属氧化物半导体的标准

• ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1赫兹-100兆赫的1.8伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为0.75赫兹-200兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 晶体振荡器(XO):方波为0.05兆赫-10兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.0兆赫-85兆赫的高速互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/30 D-2008 晶体振荡器(XO):450千赫-100兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.544赫兹-125兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-M-64034 NOTICE 1-1997 B级命令输出(SCO)同步器单块集成微电路和互补金属氧化物半导体集成电路
• ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
• ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-I-48331 A NOTICE 2-1997 互补金属氧化物半导体制数字集成电路.具时基和特殊用途功能的铁制硅整流发电机
• ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
• ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-I-48331 A VALID NOTICE 1-1988 互补金属氧化物半导体制数字集成电路.具时基和特殊用途功能的铁制硅整流发电机
• ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
• ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-I-48632-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48634-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
• ARMY MIL-M-64034-1986 B级命令输出(SCO)同步器单块集成微电路和互补金属氧化物半导体集成电路
• ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
• ARMY MIL-I-48331 A (2)-1982 互补金属氧化物半导体制数字集成电路.具时基和特殊用途功能的铁制硅整流发电机
• ARMY MIL-M-63321 A-1981 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63320 A-1981 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63324 A-1981 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
• ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-I-48331 A-1979 互补金属氧化物半导体制数字集成电路.具时基和特殊用途功能的铁制硅整流发电机

美国国防后勤局，关于金属氧化物半导体的标准

• DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的18比特总线收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入
• DLA DSCC-DWG-85006 REV E-2008 1.0安,60伏的直流光隔密封固态继电器,采用互补金属氧化物半导体输入
• DLA SMD-5962-90525 REV C-2008 由互补金属氧化物半导体制成的单硅数字微电路,带通用异步收发器
• DLA SMD-5962-91697 REV E-2008 数字单硅片微电路,由互补高性能金属氧化物半导体结构组成,带单芯片8比特微控制器并配有32字节的可擦可编程只读存储器
• DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 数字单硅片微电路,由双极互补金属氧化物半导体结构组成,带八进制总线收发器及三台输出寄存器,与晶体管-晶体管逻辑兼容
• DLA DSCC-VID-V62/03612 REV B-2008 单硅片数字微电路,由互补金属氧化物半导体构成,带具备三个接口的电缆收发器/优判器
• DLA SMD-5962-94762 REV B-2008 数字记忆单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带电可擦可编程逻辑装置
• DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
• DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
• DLA SMD-5962-86009 REV D-2008 数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带二元二进制计数器
• DLA SMD-5962-95813 REV F-2008 线性单硅片微电路,由抗辐射的互补金属氧化物半导体结构组成,带双刀双绑模拟开关
• DLA SMD-5962-92272 REV D-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带配备有串联电阻器的16比特三态输出收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入及限定电压摆幅输出
• DLA SMD-5962-94760 REV B-2008 数字记忆单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带电可擦可编程逻辑装置
• DLA SMD-5962-96569 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入 硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96547 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,双重2行到4行解码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95820 REV A-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体静态时钟控制器或发生器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94673 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或25欧姆线路激励器串联电阻器,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88610 REV F-2007 硅单片2K X 16双端口静态存取存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,16-BIT接收器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发自主式自动导航系统,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体紫外线擦除数字存储微电路
• DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线接收器双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87760 REV H-2007 硅单片TTL输入兼容八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-87552 REV J-2007 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-95841 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体,16-BIT母线接收器和三状态输出寄存器,晶体管输入 硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89501 REV D-2007 硅单片总线控制器远程终端多协议互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-95606 REV A-2007 先进双极互补金属氧化物半导体,八进制无线电收发器或线路激励器三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 硅单片远程终端多协议互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88628 REV E-2007 硅单片总线控制器远程终端互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90803 REV C-2007 硅单块 互补金属氧化物半导体8K X8比特程序,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT母线接口和双稳态多谐振荡器转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-92156 REV J-2007 硅单块 800门场可编程门阵列,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体16-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 硅单块 紫外擦拭可编程逻辑设备,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入和三态输出的八进制接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91760 REV D-2007 硅单块 一次可编程逻辑设备,双互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-92141 REV B-2007 硅单块 逐步增加转换控制器,低功率固定或可调试,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-92127 REV C-2007 硅单块 转换控制器,逐步减低正5瓦特可调试输出,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-90964 REV B-2007 硅单块 1200门场可编程门阵列,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-96572 REV D-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,八角三状态输出母线接收器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96571 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,八角缓冲器和线路三状态线路驱动器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87758 REV G-2007 硅单片八进制双向收发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-95713 REV B-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体可编程计时器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90869 REV C-2007 硅单块 互补金属氧化物半导体64K X 8电压消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体紫外线擦除数字存储微电路
• DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带预设置和清除的双D型双稳态多谐振荡器触发器,高级互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体三状态输出9-BIT母线接口D类闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-96813 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,六角倒相施密特触发器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-87555 REV F-2007 硅单块 带三态输出八进制D型透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87614 REV G-2007 硅单块 四列二输入或门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88520 REV E-2007 硅单片双D型阳性边缘触发器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-87615 REV E-2007 硅单块 四列二输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96538 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体四重2输入排外硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87624 REV C-2007 硅单块 施米特触发器,六进制转换器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87612 REV E-2007 硅单块 四列二输入非与门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87622 REV E-2007 硅单块 八选一译码器或去复用器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88545 REV C-2007 硅单片64K X 4低功耗静态存取存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-95813 REV E-2007 反射变硬互补金属氧化物半导体双重单刀双掷开关硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89540 REV C-2007 硅单片2K X 8可编程序只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-95718 REV B-2007 数字的互补金属氧化物半导体闭锁阻抗优先级中段控制器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87549 REV F-2007 硅单块 四列二输入是非门,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 硅单块 八进制高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 硅单片8K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-88740 REV D-2007 硅单片2K X 8静态RAM 互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-90831 REV A-2007 硅单块 互补金属氧化物半导体8K X 8比特记名诊断的可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91508 REV C-2007 硅单块 16K X 8双门静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-90715 REV B-2007 硅单块 互补金属氧化物半导体4K X9先进先出,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-90969 REV B-2007 硅单块 第功率电压比较器,四列互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-88636 REV C-2007 硅单片1K X 8调节可编程序只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-91546 REV B-2007 硅单块 一次可编程逻辑阵列,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91677 REV A-2007 硅单块 8K X 9双门先进先出,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置的八比特诊断式自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95761 REV A-2007 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出缓冲器或时钟驱动器,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96594 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入方形2输入非与门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96596 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96593 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-91585 REV C-2006 硅单块 1K X9平行先进先出,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-87651 REV C-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体1K X8可编程序只读存储器,数字主存储器微型电路
• DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 硅单块 64K X8紫外线消除式可程序化只读存储器,,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88713 REV A-2006 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-87531 REV D-2006 硅单块 平行512 X9先进先出,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-88670 REV D-2006 硅单片可编程阵列逻辑一次性可编程互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-87513 REV C-2006 硅单块4K X1和1K X4静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主存储器微型电路
• DLA SMD-5962-95812 REV C-2006 反射变硬互补金属氧化物半导体双重双刀单掷开关硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-92155 REV A-2006 硅单块 记名的32K X 8比特程序,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-86875 REV D-2006 硅单块 1KX8双口静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91607 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置和一般输入输出插脚的八比特万能转换或储存自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91604 REV A-2006 硅单块 带三态输出的四列2输入多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 硅单片TTL兼容三态输出八进制D调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-92153 REV M-2006 硅单块 32K X8静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91606 REV A-2006 硅单块 带三态输出的10比特D缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95694 REV D-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体超电压多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-92132 REV D-2006 硅单块 64K X4动态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-86859 REV B-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体16比特X4静态随机存取存储器数字主体储存器微型电路
• DLA SMD-5962-89445 REV A-2006 硅单片可编程N分计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 硅单块 144比特(32KX8)紫外可擦拭程序262互补金属氧化物半导体,数字主存储器微型电路
• DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 硅单片TTL兼容输入14阶段二元计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-87611 REV D-2006 硅单块 三倍三输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 硅单块 带锁和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,1选8译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-87625 REV B-2006 硅单块 双4输入多路复用器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 硅单片TTL兼容八进制透明锁存三态快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-87628 REV D-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制不可倒转的D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96891 REV D-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体32K X 8-BIT可编程序的只读存储器,硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 硅单块 可锁的晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87646 REV B-2006 硅单块 六进制接触回弹消除器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91555 REV B-2006 硅单块 带三态输入的八进制记名收发器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体紫外可编程逻辑阵列,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91553 REV A-2006 硅单块 带三态输出的八进制总线接收器和自动记录器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96588 REV B-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,八角三状态输出透明闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-91577 REV C-2006 硅单块 带直/交流,脉宽调制和可擦与可编程只读存储的8比特微型控制器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91576 REV C-2006 硅单块 带8比特可擦与可编程只读存储的互补高性能金属氧化物半导体结构微控制器,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96589 REV B-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,八角三状态输出透明闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-91542 REV E-2006 硅单块 8比特可擦可编程序只读存储器微控制器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 硅单块 2K X8注册的紫外线消除式可程序化只读存储器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89536 REV F-2006 硅单片1K X 9先进先出互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体64X 16比特紫外线扩展可编程序只读存储器,数字主体存储器微型电路
• DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制记名的无线电收发机,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90938 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带开放式控制器输出的八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85152 REV F-2006 硅单块 256KX1动态随机存取存储器N沟道金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-96586 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或线路驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体4-BIT二元全加速晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96587 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或线路驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94704 REV C-2006 512 X 18 X 2时钟先入先出双数字储存器互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带非倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,明确八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 硅单片16千比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-95643 REV D-2006 数字256K X 16互补金属氧化物半导体录像随机存储器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-81039 REV G-2006 硅单片16千(2048 X 8)比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-96584 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加速硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96582 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,9-BIT奇偶发生器或监测器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,9-BIT奇偶发生器或监测器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重S-R闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95521 REV B-2006 10,000 GATE可编程逻辑陈列互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96509 REV A-2006 数字互补金属氧化物半导体512 X 18 X 2先入先出硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87809 REV B-2006 硅单片八进制数反转总线收发器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 128K X 8-BIT数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95617 REV B-2006 互补金属氧化物半导体256K X 1-BIT连续配置可编程序的只读存储器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89497 REV B-2006 硅单片256K X 4 视频内存互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-89514 REV A-2006 硅单片并行输入/输出控制器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96877 REV C-2006 互补金属氧化物半导体,128K X 8静态随机存储器,硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双2比特双稳定易被识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,可预设置的同步4比特二进制升值或降值计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制施米特触发器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带主重设置八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89524 REV B-2006 硅单片64K X 4静态存取存储器OE 互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 四重互补金属氧化物半导体线路激励器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入非倒转六进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96873 REV A-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,8K X 8-BIT可编程序的只读存储器,硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-89532 REV C-2006 硅单片双异步接收器/发送器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96580 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重S-R闭锁装置,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95624 REV C-2006 混合数字的512K X 32-BIT,静电噪声随机存取存储器互补金属氧化物半导体微电路
• DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带设置和重设置的双J-K双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86705 REV F-2006 硅单块4X4比特静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主体存储器微型电路
• DLA SMD-5962-89523 REV C-2006 硅单片64K X 4平行先进先出互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-91612 REV B-2006 硅单块 256K X4静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体256K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-85125 REV C-2006 硅单块 带三态输出的八输入数据选择器和多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-94664 REV A-2006 数字微电路磁墨水字符识别功率定相锁定环硅单片电路互补金属氧化物半导体
• DLA SMD-5962-96592 REV B-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双十进制波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体512K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的双1选4数据收集器和多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 硅单片TTL兼容8位普遍移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86061 REV D-2006 硅单块 4列2输入多路复用器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96651 REV D-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,类似体多路器或信号分离器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-88757 REV B-2006 硅单片TTL兼容输入锁相环与压控振荡器高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-87647 REV B-2006 硅单块 四列2输入是非门,开路漏极输出,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87593 REV C-2006 硅单块 256 X8比特随机存取存储器,N沟道金属氧化物半导体,数字主存储器微型电路
• DLA SMD-5962-87680 REV C-2006 硅单块 14步二进制计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96591 REV B-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-90899 REV D-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体128K X 8比特动画电可擦可编程序只读存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-96590 REV C-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制D型易被识破的止动销,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88718 REV B-2006 硅单片十六进制逆变器与开漏输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 硅单片256 X 4静态记忆体复位互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体记名32K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-90930 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体8K X 8比特记名诊断紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-88682 REV B-2006 硅单片双程四线到1线数据选择器/多工器与三态输出快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86822 REV E-2006 硅单块 4直列16直列到译码器或多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88544 REV C-2006 硅单片256K X 1低功耗静态存取存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-96578 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,八角D双稳态多谐振荡器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88637 REV C-2005 硅单片字段可编程门阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96636 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体倒相六角缓冲器或转换器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96624 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体双重4部静态系列输入平行输出转换寄存器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体与非硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 双信道光耦合器金属氧化物半导体场效应晶体管电源的线性混合微型电路
• DLA SMD-5962-96528 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96526 REV C-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87518 REV D-2005 硅单块 可编程序中断控制器N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,万能中断控制器微型电路
• DLA SMD-5962-95791 REV C-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体八角D可重新设置双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95804 REV B-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重2到4行解码器或信号分离器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87550 REV E-2005 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 硅单片8 X 8乘数互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-95792 REV D-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体八角透明三状态输出闭锁装置硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95782 REV E-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95763 REV E-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置双重D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 硅单块 八进制总线接收器,互补金属氧化物半导体,微型电路
• DLA SMD-5962-88651 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入八进制透明锁存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-95727 REV D-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体3到8行译码器或信号分离器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87808 REV A-2005 硅单片4位同步向上/向下十年计数器异步复位高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-87805 REV A-2005 硅单片双多谐振荡器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87626 REV B-2005 硅单块 带主重设置六进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88556 REV A-2005 硅单片双杆四号定位类比多工器/解多工器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88672 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入4位二进制向上/向下计数器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88671 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入4位二进制向上/向下计数器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88576 REV A-2005 硅单片双4输入和通道超速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-87722 REV A-2005 硅单块 三倍三输出或门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87761 REV A-2005 硅单片TTL输入兼容双4输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-88706 REV D-2005 硅单片八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-87756 REV D-2005 硅单片八进制D型触发器与主复位互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87759 REV D-2005 硅单片TTL输入兼容八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-86032 REV H-2005 硅单块 32比特微处理器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90965 REV G-2005 硅单块 2000门场可编程门阵列,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-87754 REV A-2005 硅单片双抛三刀类比多工器/解多工器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96773 REV C-2005 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-87757 REV B-2005 硅单片TTL输入兼容十六进制D型触发器与主复位互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-96622 REV C-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体双重D类双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96645 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体四重低到高电压转换器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-87694 REV E-2005 硅单块 带三态输出的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 硅单块 图像系统处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-84190 REV E-2005 装有32千比特紫外线消除式可程序化只读存储器的8比特金属氧化物半导体微处理器,N沟道数字微型电路
• DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 硅单片信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86077 REV C-2005 硅单块 9比特奇偶宇称性发生器或效验器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96696 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体,8-BIT交流电和直流电转换器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-87691 REV A-2005 硅单块 8输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4选1译码器或多路分解器,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-78022 REV N-2005 硅单片2千字节X8微伏可擦可编程序只读存储器,沟道金属氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 硅单片65536 X 1比特动态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-87695 REV A-2005 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92093 REV C-2005 硅单块 操作放大器,互补金属氧化物半导体,四列直线式微型电路
• DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 硅单片数字数据处理器沟道金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-87575 REV B-2005 硅单块 多模式直接存储器存取控制器,N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87693 REV A-2005 硅单块 带三态输出的双4输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91640 REV C-2005 硅单块 互补金属氧化物半导体四列差异总线驱动器,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-86012 REV C-2005 硅单块 七态波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86011 REV C-2005 硅单块 译码计数器或分离器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-91639 REV C-2005 硅单块 互补金属氧化物半导体四列差异总线驱动器,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的3到8阵列译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85519 REV C-2005 硅单块 8比特可寻址锁存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96857 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或三状态输出驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96802 REV B-2005 互补金属氧化物半导体,六角施密特触发脉冲倒相器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-86884 REV B-2005 硅单块 3到8直列译码器或多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 硅单块 多路调制器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-87665 REV E-2005 硅单块 MIL-STD-1750微处理器,16比特互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96717 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路激励器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96568 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91501 REV D-2005 硅单块 32比特综合微型控制器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96575 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,双重4行到1行数据选择器或三状态多路器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 硅单块 真实时钟,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-93159 REV A-2005 硅单片,超大规模集成化多协议处理器,高密度互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87733 REV B-2005 硅单片J-K触发器与预设和明确高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八角双向的三状态输出母线,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 硅单片8位通用移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 硅单片紫外线擦除可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 硅单块 八比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95690 REV F-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体四重低噪音运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89462 REV B-2005 硅单片16位和8/16位微处理器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86826 REV C-2005 硅单块 4比特双向万能移位寄存器 高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96540 REV E-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,可设置的四重J-K双稳态多谐振荡器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 硅单片处理器接口电路互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89505 REV A-2005 硅单片内存管理数据块保护部件互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-87807 REV B-2005 硅单片八进制D型浮点解释(翻译)程序浮点八进制启动高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89463 REV D-2005 硅单片浮点运算的协处理器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96574 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,双重4行到1行数据选择器或三状态多路器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96576 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96530 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体六角非倒相缓冲器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89481 REV A-2004 硅单片12位乘法D/A转换器互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-94754 REV E-2004 数字的一次性可编程逻辑陈列互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 硅单片TTL兼容输入四方双输入与通道互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-95772 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95776 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输入行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96542 REV F-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重2输入与非施密特触发器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96595 REV C-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,8-BIT连续平行转换寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96556 REV D-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,8-BIT连续平行转换寄存器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88766 REV A-2004 硅单片输出扬声器参考12位互补型金属氧化物半导体数字类比转换数字线性微电路
• DLA SMD-5962-86828 REV C-2004 硅单块 带倒转三态输出的六边形D型缓冲器和驱动器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 硅单块 无缓冲六位变换电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-86821 REV C-2004 二十进制到十进制译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86812 REV C-2004 硅单块 六边形缓冲器或带倒转三态输出的驱动器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96558 REV C-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,8-BIT连续平行转换寄存器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87610 REV C-2004 硅单块 三倍三输入是非门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87623 REV B-2004 硅单块 双1选4译码器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,明渠六角硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90772 REV C-2004 硅单块 输入,三倍三输入正极是门,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87554 REV E-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双8选1译码器或多路分解器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 硅单片,16位微型控制器,沟道金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96603 REV D-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角施密特持发器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体 硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-86815 REV B-2004 硅单块 八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86814 REV B-2004 硅单块 八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95809 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96681 REV C-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT闭锁4到6行译码器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96797 REV C-2004 互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线三状态输出接收器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95786 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT连续或平行输出寄存器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95807 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步可预先调整的4-BIT二元计数器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95785 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT连续或平行输出寄存器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96551 REV C-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,双重4行到1行数据选择器或多路器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-86809 REV C-2004 硅单块 16比特微控制器N沟道金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-95780 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95787 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT连续或平行输出寄存器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95781 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95805 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入夺路传输硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95783 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入排外硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95784 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95626 REV E-2004 数字的反射互补金属氧化物半导体,8K X 8-BIT可擦除只读存储器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-92124 REV A-2004 硅单块 倒转转换控制器,低功率互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 硅单块 操作放大器,互补金属氧化物半导体,双直线式微型电路
• DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95719 REV C-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角反相施密特触发电路 硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96611 REV C-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体四重排外或与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 数字反射高速互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96524 REV E-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器施密特触发器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 硅单片数位类比转换器双12位互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 硅单片TTL兼容9位放大镜调节高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 硅单片TTL兼容10位放大镜调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-87702 REV D-2004 硅单块 12比特倍增数字到模拟转换器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 静电噪声的随机数字存储存储器混合互补金属氧化物半导体微电路
• DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 硅单块 8比特允许的量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89561 REV B-2004 硅单片同步预定二进制计数器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-96846 REV B-2004 互补金属氧化物半导体,单供应600KSPS12-BIT交流电或直流电转换器,硅单片电路数字线型微电路
• DLA SMD-5962-96544 REV C-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,3行到8行解码器或信号分离器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 硅单片精密定时器互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-90731 REV E-2004 硅单块 单刀单掷模拟开关,互补金属氧化物半导体四列,直线型微型电路
• DLA SMD-5962-91532 REV C-2004 硅单块 稳压器,低功率双互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,非同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88756 REV C-2004 硅单片TTL兼容输入8输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-90847 REV F-2004 硅单块 互补金属氧化物半导体1MEGX4动态随机存取存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-95793 REV C-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类三状态输出的阳性触发的稳态多谐振荡器 硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87700 REV B-2003 硅单块 8比特倍增数字到模拟转换器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96602 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体先入先出寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 硅单块 互补金属氧化物半导体总线界面直线式微型电路
• DLA SMD-5962-95621 REV C-2003 数字的反射互补金属氧化物半导体,可预先先调整的上下计数器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制易识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制总线接收器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96686 REV C-2003 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT三状态输出母线收发器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95603 REV C-2003 互补金属氧化物半导体,精密双重或四重微功率运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87629 REV D-2003 硅单块 带三态输出的非倒转八进制总线接收器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转行驱动线或缓冲器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95642 REV C-2003 先进互补金属氧化物半导体3.3伏特八进制母线无线电接收器,三状态输出和晶体管输出硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的倒转八进制行驱动线或缓冲器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96685 REV C-2003 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16BIT缓冲器或驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器 高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
• DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转八进制透明闩锁,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
• DLA SMD-5962-85128 REV D-2003 硅单块 带三态输出八进制D型止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-97542 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或三状态输出驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97543 REV C-2003 硅单片互补金属氧化物半导体,八角母线三状态接收器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特非倒相八角缓冲器或三状态输出驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-97574 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96630 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体二进制编码的十进制到十进制解码器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96644 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体双重2与非缓冲器或驱动器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96641 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96632 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重互补缓冲器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重排外与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96634 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重三部R或S闭锁装置硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96633 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重时钟D闭锁装置硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96635 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体低功率单稳多振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96652 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重双向转换开关硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-89557 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入八进制D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-88702 REV A-2003 硅单片八进制D型触发器的时钟互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-88704 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入四方2输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 硅单片TTL兼容10位D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-89556 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入八进制D型锁存器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-91697 REV D-2003 硅单块 带32K比特可擦除可编程只读存储器的8比特微控制器,互补高性能金属氧化物半导体结构单芯片,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86855 REV A-2003 硅单块 8比特带终端开关晶体管-晶体管逻辑电路和闭回路鉴定与报告兼容输入的并行输入串行输出移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86813 REV B-2003 硅单块 带三态输出的八进制D型止动销,高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-86825 REV B-2003 硅单块 带三态输出的四方D型止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-86716 REV D-2003 硅单块 高速四角形单刀单掷模拟开关,互补金属氧化物半导体直线型微型电路
• DLA SMD-5962-96809 REV B-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT缓冲器或驱动器和22欧姆串联电阻器三状态输出,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96780 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT母线接收器和同等22欧姆输出,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97575 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97576 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-86856 REV A-2003 硅单块 带三态输出和终端开关晶体管-晶体管逻辑电路和闭回路鉴定与报告兼容输入的八进制D型止动销 高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 硅单块 方形2输入和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86853 REV A-2003 硅单块 带预设置D型双稳态多谐振荡器触发器和带终端开关晶体管-晶体管逻辑电路闭回路鉴定与报告兼容输入的,高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-97573 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 硅单块 8比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86852 REV A-2003 硅单块 方形双输入或带晶体管-晶体管逻辑电路数字输入门的高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96812 REV A-2003 双极互补金属氧化物半导体,10-BIT扫描端口多支路标准1149.1接收器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96829 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或线型非倒相三状态兼容输入驱动器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96827 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,8-BIT诊断扫描寄存器,晶体管输入和有限输出电压摆动,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96880 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,倒相三状态输出16-BIT缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 双极互补金属氧化物半导体,16-BIT三端口母线三状态输出转换器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96890 REV A-2003 18-BIT低电压互补金属氧化物半导体通用母线三状态输出接收器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96775 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,16-BIT入射波开关母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-90908 REV A-2003 硅单块 带输出放大器的互补金属氧化物半导体8比特数字至模拟转换器,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT到9-BIT三状态输出母线收发器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,18-BIT母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 双极互补金属氧化物半导体,10-BIT母线三状态输出改变和转换,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96615 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT闭锁装置硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96637 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相六角缓冲器或转换器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-87701 REV C-2003 硅单块 8比特倍增数字到模拟转换器,双互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96628 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体并行二元计数器或分配器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-89550 REV E-2003 硅单片四方2输入独占或通道互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-96782 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,八角非倒相三状态输出缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96656 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT的D类寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96625 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体计数器或分配器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96605 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体六角D类双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96801 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,六角施密特触发脉冲倒相器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96623 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体8部静态转换寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96614 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重单稳多频振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96821 REV C-2003 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96609 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体14步并行二元计数器或驱动器和振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96818 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,八角母线三状态输出接收器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96608 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体可预先设置的上下计数器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-94663 REV G-2003 数字微电路连续的微码多方式智能终端和收发器硅互补金属氧化物半导体
• DLA SMD-5962-96629 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 硅单片双12位数位类比转换器微处理器兼容互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 硅单块 双极金属氧化物半导体技术中断接口闩锁设备,直线型微型电路
• DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 硅单片四方模拟开关互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-96564 REV B-2002 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89518 REV A-2002 硅单片A/D转换跑道/搁置8位互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-97525 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-97524 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-97523 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-97522 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-95588 REV A-2002 数字的互补金属氧化物半导体,带电可消除可编程逻辑装置硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96836 REV A-2002 互补金属氧化物半导体可编程与门排列2000门硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-95587 REV A-2002 数字的互补金属氧化物半导体,带电可消除可编程逻辑装置硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94763 REV A-2002 数字的互补金属氧化物半导体 带电可消除可编程逻辑装置硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91692 REV A-2002 硅单块 交直流转换器,20 KHZ16比特互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-94762 REV A-2002 数字的互补金属氧化物半导体 带电可消除可编程逻辑装置硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94760 REV A-2002 数字的互补金属氧化物半导体 带电可消除可编程逻辑装置硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94730 REV D-2002 数字的互补金属氧化物半导体可编程逻辑排列硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95845 REV C-2002 抗辐射互补金属氧化物半导体数字32K X 8静态噪声随机存储器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 硅单块 自动记录器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 硅单块 二进制计数器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 硅单块 移位寄存器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88606 REV C-2002 硅单片1/8解码器/解复用器与地址锁存器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86076 REV D-2002 硅单块 4比特同步二进制计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 硅单块 4比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85124 REV E-2002 硅单块 三态数据选择器和多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88516 REV D-2002 硅单片10超宽总线接口记数器高性能互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96886 REV B-2002 互补金属氧化物半导体,12-BIT类似体对数字转换器连续控制和11类似体输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型数字微电路
• DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 硅单片TTL兼容输入四方2输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-88771 REV A-2002 硅单片8输入普遍转向仓库调节共同平行输入/输出引脚互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 硅单片12位缓冲成倍增加数位类比转换器互补型金属氧化物半导体微电路
• DLA SMD-5962-96563 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 互补金属氧化物半导体,双重单刀单掷(开关)硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89551 REV A-2001 硅单片双 J-K正极边缘触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-91647 REV A-2001 硅单块 互补金属氧化物半导体双12比特或14比特系列交流直流转换器,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-92154 REV A-2001 硅单块 64K X 1静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-95506 REV A-2001 4K X 8平行同步先入先出互补金属氧化物半导体存储器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94707 REV A-2001 2K X 9平行同步的先入先出双数字储存器互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 抗辐射互补金属氧化物半导体母线控制器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-92078 REV H-2001 512KX8比特互补金属氧化物半导体,静态随机存取存储器,数字主储存器混合微型电路
• DLA SMD-5962-97526 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,3行到8行解码器或信号分离器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-86846 REV C-2001 硅单块 互补金属氧化物半导体64X5平行先进先出,数字微型电路
• DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-91757 REV A-2001 硅单块 256X8水平同步先进先出互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-92010 REV B-2001 硅单块 VME总线地址控制器,互补金属氧化物半导体,,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
• DLA SMD-5962-88759 REV A-2001 硅单片TTL兼容输入四方D型触发器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-96559 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,8-BIT连续平行转换寄存器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,4-BIT上下二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96570 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,八角缓冲器和线路三状态线路驱动器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96555 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,可预先设置同步4-BIT二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96562 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96565 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96560 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,4-BIT上下二元同步计数器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87592 REV B-2000 硅单块 1K X4高速静态随机存取存储器,N沟道金属氧化物半导体,数字主存储器微型电路
• DLA SMD-5962-95740 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相3到8行码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95738 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器和重新安排,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88703 REV B-2000 硅单片四方2输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-88754 REV B-2000 硅单片8投入普遍转向/存储调节三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95729 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4到16行译码器或信号分离器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95730 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元同步计时器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95728 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入多路器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95725 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95726 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95724 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95682 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95720 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入排外晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95681 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体十六进制反相施密特触发电路硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,10到4行优先编码器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95663 REV C-2000 抗辐射高速互补金属氧化物半导体数字的8-BIT连续或平行改变寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入排外硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制闭锁晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三重三输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95655 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制透明闭锁装置硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95656 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95654 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入排外的硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95652 REV C-2000 数字反射先进互补金属氧化物半导体三倍输出量与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95693 REV D-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体超电压多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95650 REV C-2000 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95651 REV C-2000 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 双极互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96724 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体八角三状态输出透明闭锁装置硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT奇偶校验,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八角双向的三状态输出母线,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96715 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出四重缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96721 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,错误监测和改正三状态输出电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的四重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96711 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,三状态输出错误监测和改正,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,8-BIT数量比较器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96707 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角双向的三状态输出母线收发器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96706 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96708 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,9-BIT奇偶发生器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96705 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出四重缓冲器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96704 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重J-K三状态输出缓冲器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96684 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体4X4多端口寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96702 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重精密单稳多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96701 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,四重双向开关硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96682 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体4X4多端口寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96680 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体双重4-BIT闭锁装置硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96679 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体类似体多路器或信号分离器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96678 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,8部分静态双向的并联行输入或输出母线寄存器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96676 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,同步可编程4-BIT计数器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96677 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2行到1行数据选择器或多路器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96675 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT可设计的闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96673 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重二元1到4解码器和信号分离器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96672 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体可编程定时器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96674 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,类似体4BIT数量比较器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96670 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制比率乘数硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重64阶段静态移位寄存器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96669 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重向上计数器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96667 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体双重4-BIT闭锁装置硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96666 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制到7分段译码器驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 互补金属氧化物半导体微功率定相锁环硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 双极互补金属氧化物半导体3.3伏特16-BIT三状态输出寄存转换器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96837-2000 互补金属氧化物半导体可编程与门排列8000门硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 互补金属氧化物半导体,超电压防护多路器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重波纹计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角阳性触发的D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95756 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可预先调整的同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95746 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,8-BIT三状态输出整体改变计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88690 REV A-2000 硅单片512 X 8可编程序只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT数量比较器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95753 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重2到4行码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95751 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95764 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95759 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线收发器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96820 REV B-1999 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95691 REV B-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95692 REV A-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 可编程陈列4000GATES互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95708 REV D-1999 数字的抗辐射互补金属氧化物半导体2K X 8-BIT可编程只读存储器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 双极的互补金属氧化物半导体,计时和等待状态发生器电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2门自动记录器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95744 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类阳性触发三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95731 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体同相八进制缓冲器或三状态输出行驱动器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95742 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的双重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96726 REV D-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八线缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96725 REV D-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体八角三状态输出透明闭锁装置晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95747 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角透明三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 互补金属氧化物半导体,16-BIT的25欧姆串联电阻器母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95779 REV B-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 硅单块 16X16倍增器互补金属氧化物半导体,微型电路
• DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 双极的互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角母线接收器和寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96811 REV A-1999 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特18-BIT母线三状态输出接收器扫描监测装置,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-87692 REV B-1999 硅单块 带三态输出的8输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的八进制接收器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92147 REV B-1998 硅单块 带非倒转三态输出的八进制缓冲器或驱动器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95789 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT平行通路改变寄存器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95788 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体同步4-BIT二元上下计数器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95790 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入多路器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95811 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95808 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步二进制编码的十进制上下计数器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95810 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95806 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制同步技计数器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95803 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相四重三状态输入缓冲器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95802 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95777 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95778 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96600 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体8步可预先设置的同步计数器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 硅单片微处理器优化数字信号处理互补型金属氧化物半导体微电路
• DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 硅单块 8比特量值比较器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95647 REV B-1998 先进互补金属氧化物半导体3.3 V,16-BIT电子数据采集设备D类双稳态多谐振荡器,三状态输出和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT透明的三状态输出D类闭锁装置,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97529-1998 低电压互补金属氧化物半导体,八角母线接收器和三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95775 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95771 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步二进制编码的十进制上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95743 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步可预先调整的4-BIT二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96604 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体10行到4行二进制编码的十进制解码器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95825 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体3行到8行解码器或信号分离器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95818 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT输入或输出端硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95814 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重 2输入排外硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91603 REV A-1998 硅单块 4态同步双向计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96616 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体旋转六角变极器或缓冲器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元波纹计时器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95767 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重2-BIT双稳透明闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96640 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体扩展4宽度2输入与非门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96639 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体双重2宽度2输入与非门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95628-1998 数字的互补金属氧化物半导体512 X 36 X 2时钟先入先出硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 互补金属氧化物半导体数字的三状态输入八进制D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94697 REV C-1998 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或25欧姆线路激励器串联电阻器,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95822 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体或无线电呼叫信号64K X 1-BIT静态随机存储器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89519 REV F-1998 硅单片MIL-STD-1750型指令集架构16位微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 双极的互补金属氧化物半导体,10-BIT母线接口D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95823 REV A-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体或无线电呼叫信号8K X 8静态随机存储器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96817 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96806 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或倒相三状态输出驱动器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96783 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角非倒相三状态输出缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96865 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角透明的D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96606 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体四角D类双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96648 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体十进制计数器或驱动器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96650 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体多功能可扩展8输入门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96649 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体4部平行输入输出转换寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96647 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体64部静态转换寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96642 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8部转换储存母线寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96620 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器或转换器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重与非门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96617 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体18部静态寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96626 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体可预先设置的分配器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重互补加法变极器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96613 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体二元比率乘数硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96610 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96598 REV C-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体32步静态左右转换寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95829 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器或转换器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96599 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT发生器或监测器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体发生器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96819 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,八角母线三状态输出接收器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96823 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97571-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97517-1997 抗辐射双互补金属氧化物半导体,32K X 8-BIT可编程只读存储器硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-96896-1997 双互补金属氧化物半导体,光学的铜接收器接口硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96895-1997 双互补金属氧化物半导体,光学的铜传播器接口硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96850 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或三状态输出驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97528-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96747-1997 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT双向的数据总线扫描路径选择器晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-94718 REV B-1997 先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或驱动放大器三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88733 REV D-1997 硅单片16 X 16位乘法器累加器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-97504-1997 互补金属氧化物半导体双8设备安全检查过滤器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-89552 REV A-1997 硅单片四方D型触发器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,双重阳性触发D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96601 REV A-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT双向的转换寄存器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97544-1997 抗辐射双互补金属氧化物半导体,8K X 8-BIT可编程随机存储器,硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-96657 REV A-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体可预先调整的上下计数器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-91516 REV A-1997 硅单块 带地址闩锁3到8线译码器或光学多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90996 REV B-1996 硅单块 12 X 12倍增器或蓄压器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 硅单块 8X8倍增器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96894-1996 互补金属氧化物半导体3.3伏特10BIT连续控制和11类输入数字转换器,硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-96862-1996 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96866-1996 互补金属氧化物半导体,八角透明的D类三状态输出闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96864-1996 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95625 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体,16-MEG用户配置电可擦除只读存储器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96822-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96816-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-91566 REV C-1996 硅单块 互补金属氧化物半导体单一芯片8比特微型控制器,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96803-1996 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96766 REV A-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体,256 X 8静态随机存储器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-86081 REV B-1996 硅单块 4096X4比特静态随机存取存储器,N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95646 REV A-1996 先进互补金属氧化物半导体20-BIT母线接口D类闭锁,三状态输出硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96694 REV A-1996 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体1K X 4静态随机存储器微电路
• DLA SMD-5962-96695 REV A-1996 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体1K X 4静态随机存储器微电路
• DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的缓冲器或钟驱动器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96825-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95578 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,已注册整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96807-1996 互补金属氧化物半导体,倒相三状态输出八角缓冲器或驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-91696 REV A-1996 硅单块 16 X 8比特双流水线寄存器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89483 REV D-1996 硅单片四方通用滤波器数据块互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,16-BIT母线三状态输出无线电收发机,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96786-1996 8-BIT双向互补金属氧化物半导体或转换器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-94713-1996 数字互补金属氧化物半导体带电可变反射编程逻辑装置硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94698-1996 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发和寄存器自主式自动导航系统,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96698-1996 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,18-BIT三状态输出收发机和寄存器扫描系统装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95714 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体数字的8-BIT母线收发器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96761-1996 双极的互补金属氧化物半导体,1行到8行时钟驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96697-1996 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,18-BIT三状态输出母线交换开关,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
• DLA SMD-5962-95715-1996 数字的互补金属氧化物半导体时钟驱动器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 硅单片A/D转换跑道/保留8位兼容微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-95824-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95821-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体高度可编程直接存储器存取控制器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96683-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体4BIT位运算硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-94744 REV B-1996 16-BIT闭锁无线电奇偶收发器,串联电阻器,晶体管输入和有线输出电压摆动互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88638 REV C-1996 硅单片可编程逻辑单元阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-96868-1996 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95612 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体 可编程逻辑电池陈列硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95610 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体 可编程逻辑电池陈列硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 数字互补金属氧化物半导体可编程电池排列硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95611 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体 可编程逻辑电池陈列硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 硅单块 八进制D型边沿触发的触发器,晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94734-1995 16 MEG X 1 DRAM数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-92009 REV B-1995 硅单块 VME总线地址控制器,互补金属氧化物半导体,,数字微型电路
• DLA SMD-5962-94750-1995 互补金属氧化物半导体串联存取受控网络,和并串联转换器晶体管兼容输出硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
• DLA SMD-5962-94733-1995 数字的互补金属氧化物半导体1200配置逻辑排列硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95525-1995 带电可消除编程分压计互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-92101 REV A-1995 硅单块 512X18平行先进先出,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-95614-1995 先进双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线无线电收发机扫描测试装置,三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95835-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95716-1995 数字的互补金属氧化物半导体八角闭塞装置母线驱动器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95836-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角触发D类三转台输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95717-1995 数字的互补金属氧化物半导体八角母线接收器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 硅单片56位数字信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96728-1995 抗辐射互补金属氧化物半导体静态16-BIT微处理器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95762-1995 快速互补金属氧化物半导体,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95570 REV B-1995 32-BIT植入的精简指令集计算机互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅单块 高性能双开关电容过滤器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-91594-1994 硅单块 8K X8静态随机存取存储器,双互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91746-1994 硅单块 倒转三态输出,带八进制缓冲器的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92071-1994 硅单块 互补金属氧化物半导体64K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 硅单片16位片状微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88574 REV A-1994 硅单片H互补型金属氧化物半导体8位输入或无通道数字微电路
• DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 硅单片误差检测与校正的单位互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88566 REV C-1994 硅单片双异步接收器/发送器沟道金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-91618-1994 硅单块 2K X 9平行先进先出,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-90799-1994 紫外可擦去同步记名的可编程序逻辑设备,数字主储存器微型电路,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91726-1994 硅单块 三态输出,带八进制缓冲器的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91725-1994 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输出,带八进制D型止动栓的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91568 REV A-1993 硅单块 1次可编程逻辑阵列,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-92069-1993 硅单块 4K X 9水平到系列先进先出,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91682-1993 硅单块128K X 8比特5瓦特编程电可擦可编程序只读存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-92057-1993 硅单块 1KX18平行先进先出,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-90888-1993 硅单块 曼彻斯特编码和解码器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-91624-1993 硅单块 互补金属氧化物半导体功率转换8K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91593-1993 硅单块 16K X4静态随机存取存储器,双互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91732-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,3到8线译码器或光学多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87704 REV C-1993 硅单块 9和10比特总线接收器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
• DLA SMD-5962-92106-1993 硅单块 地址处理器2,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91513-1993 硅单块 是或倒转门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90696-1993 硅单块 带别的输入输出256 X4静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-92104-1993 硅单块 地址处理器1,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91772-1993 硅单块 互补金属氧化物半导体,紫外可擦拭逻辑阵列,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-91762 REV B-1993 硅单块 4X8比特多级流水线寄存器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89538 REV A-1993 硅单片功率下降16K X 8紫外线可擦除可编程序只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-92122 REV B-1993 硅单块 32比特通流误差检测和校正装置,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91724-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,带三态输出的双互补金属氧化物半导体的八进制总线接收器和自动记录器,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 硅单片总线收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 紫外线擦除可编程逻辑器件互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90864 REV A-1993 硅单块 高速互补金属氧化物半导体多功能边缘的数字微型电路
• DLA SMD-5962-90727 REV A-1993 硅单块 数字互补金属氧化物半导体图形处理系统处理器,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字存储微电路
• DLA SMD-5962-91554 REV A-1992 硅单块 八进制记名收发器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89772-1992 硅单片,装有8位或16位外总线16位微型控制器,互补高性能金属氧化物半导体结构微型电路
• DLA SMD-5962-90963-1992 硅单块 16/19比特快速傅里叶变换控制器和运算器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 硅单片高性能奇偶总线收发器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 硅单块 互补金属氧化物半导体紫外可擦去同步记名的可编程序逻辑设备,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-89971-1992 硅单片,远程通用外围接口,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87734 REV B-1992 硅单片准备接口时钟发生器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-91605-1992 硅单块 平行D允许登记,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字微电路
• DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 硅单片TTL兼容计数器同步二元预定快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-91695-1992 硅单块 互补金属氧化物半导体可编程逻辑阵列(600门),数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 硅单块 浮点协同处理机,互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92121-1992 硅单块 电可擦拭可编程逻辑设备,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-90720 REV A-1992 硅单块 带三态输出8比特界面D型门闩线路,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87603 REV B-1992 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体9宽和10宽总线连接设备门闩线路,微型电路
• DLA SMD-5962-90901-1992 硅单块 八进制记名的收发器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89476-1992 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-90986-1992 硅单块 256K X 4图象随机存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-92026-1992 硅单块 定点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92140-1992 硅单块 互补金属氧化物半导体128K X 16比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-92103-1992 硅单块 浮点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91740-1992 硅单块 16比特数字到模拟倍增转换器,互补金属氧化物半导体,微型电路
• DLA SMD-5962-90976-1992 硅单块 带随机存取存储器芯片数据的8比特微控制器,互补高性能金属氧化物半导体结构单芯片,微型电路
• DLA SMD-5962-91584-1992 硅单块 紫外可擦拭编程逻辑阵列,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-92105-1992 硅单块 互补金属氧化物半导体8-宏单元电程序逻辑设备,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-87668 REV C-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,32比特微处理器数字微型电路
• DLA SMD-5962-87519 REV A-1991 硅单块 通用接口总线控制器N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 硅单片8位互补型金属氧化物半导体闪光转换器线性微电路
• DLA SMD-5962-91549-1991 硅单块 互补金属氧化物半导体允许误差程序可控只读存储器256 X 16,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-88775 REV A-1991 硅单片八进制缓冲器/线路驱动器互补型金属氧化物半导体快速微电路
• DLA SMD-5962-89446-1991 硅单片8位可变长度移位寄存器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90705-1991 硅单块 异步复位二-十进制译码计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90849-1991 硅单块 带重设置的双J-K触发器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88758-1991 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89492-1991 硅单片二元可再触发单稳态触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90858-1991 硅单块 互补金属氧化物半导体64K X 16静态随机存取存储器,数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 硅单块 互补金属氧化物半导体,可兼容时间钟,微处理器微型电路
• DLA SMD-5962-87713 REV A-1991 硅单块 系列控制器多协议高性能金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87732 REV B-1991 硅单片J-K触发器与预设和明确高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 硅单片沟道金属氧化物半导体中断发生器数字微电路
• DLA SMD-5962-91630-1991 硅单块 模拟多路转换器与多路分配器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88611 REV A-1991 硅单片K X 4静态存取存储器单独的输入/输出互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88613 REV B-1991 硅单片16位误码检测与校正部件互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86009 REV C-1991 硅单块 高速互补金属氧化物半导体,双二进制计数器数字微型电路
• DLA SMD-5962-89534 REV C-1991 硅单片80位数字处理器扩建工程互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90704-1990 硅单块 16比特数字单一处理器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-85525 REV B-1990 硅单块 8KX8静态随机存取存储器 互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路 取代DLA SMD-5962-38294 REV H,DLA SMD-5962-38294 REV G,DLA SMD-5962-38294 REV F,DLA SMD-5962-38294 REV E,DLA SMD-5962-38294 REV D,DL
• DLA SMD-5962-89951-1990 硅单片,256 X 4位非易失随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-88575-1989 硅单片10 -位扬声器总线接口锁存器与三态输出快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89533-1989 硅单片10位扬声器收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88652-1989 硅单片高速向前进行发电机高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88653-1989 硅单片缓冲收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88655-1989 硅单片八进制D型触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89508-1989 硅单片1/4译码器高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 硅单片256 X 4静态记忆体复位沟道金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89546-1989 硅单片可编程同步状态机互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88676-1989 硅单片2K X 8电可擦可编程序只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-88661-1989 硅单片9位扬声器总线收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89516-1989 硅单片双串行输入/输出控制器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86830 REV A-1989 硅单块 N沟道金属氧化物半导体8X8比特电压消除式可程序化只读存储器,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86862 REV B-1989 硅单块 万能移位寄存器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88674-1988 硅单片8位扬声器TTL兼容总线接口调节输入快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88675-1988 硅单片8位扬声器TTL兼容总线接口锁存器输入快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-86864-1988 可编程逻辑设备互补金属氧化物半导体可擦除数字微型电路
• DLA SMD-5962-88624-1988 硅单片TTL兼容可编程N计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88620-1988 硅单片2输入阳性闸门开漏输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-87753-1988 硅单片双抛四刀类比多工器/解多工器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88568-1988 硅单片8位微机单一组装沟道金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-87676 REV A-1988 硅单块 64K X4动态随机存取存储器N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88599-1988 硅单片时序控制组件互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-87641-1988 硅单块 闩锁设备,输入密封,双极金属氧化物半导体技术8比特,直线型微型电路
• DLA SMD-5962-87649-1988 硅单块 N 沟道金属氧化物半导体电压消除式可程序化只读存储器,32K X 8数字微型电路
• DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 硅单块 总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路
• DLA SMD-5962-86810 REV A-1988 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,双万能系列交流控制器数字微型电路
• DLA SMD-5962-88699-1988 16通道/差分8通道互补型金属氧化物半导体模拟复用器线性微电路
• DLA SMD-5962-86824 REV A-1987 硅单块 4比特计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86854-1987 硅单块 4比特二进制计数器 高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-87744-1987 硅单片1M(64K X 16) BIT,沟道金属氧化物半导体,UVEPROM数字微电路
• DLA SMD-5962-87685-1987 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,8比特微处理器芯片,微型电路
• DLA SMD-5962-87723-1987 硅单块 13输入是非门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85133-1986 硅单块 80比特扩展数字处理器,高性能金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85528-1986 硅单块 总线调停器,互补金属氧化物半导体数字微型电路

韩国标准，关于金属氧化物半导体的标准

• KS C IEC 60748-2-4-2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB
• KS C IEC 60748-2-5-2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB
• KS C IEC 60748-2-5-2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB
• KS C IEC 60748-2-4-2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB

行业标准-电子，关于金属氧化物半导体的标准

• SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
• SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
• SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法

欧洲电工电子元器件标准，关于金属氧化物半导体的标准

• CECC 90 109- 834 ISSUE 1-1989 数字集成电路;单片硅互补金属氧化物半导体,腔体封装或非腔体封装;54/74 HC 4028 BDC型十进制译码器 评定水平P,Y,L(英,法,德)
• CECC 90 109- 825 ISSUE 1-1989 数字集成电路;单片硅互补金属氧化物半导体,腔体封装或非腔体封装,类型,带3态输出的54/74 HCT 258选择器/多路转换器(英,法)
• CECC 90 109- 798 ISSUE 1-1987 数字集成电路,单片硅互补金属氧化物半导体,腔体封装或非腔体封装,54/74 HC 4046A型,带压控振荡器的锁相环路(英,法)
• CECC 90 104- 145 ISSUE 1-1986 CEI CECC 90 104-145;带(B)缓冲输出腔体封装和非腔体封装的硅互补式金属氧化物半导体(英文)
• CECC 90 104- 125 ISSUE 1-1981 BS CECC 90 104-125;带(B)缓冲输出腔体封装封装的硅互补式金属氧化物半导体(英文)

美国通用公司（北美），关于金属氧化物半导体的标准

• GM GM6078M-1989 固体膜润滑剂涂层树脂粘合的金属氧化物半导体和聚四氟乙烯

台湾地方标准，关于金属氧化物半导体的标准

• CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法
• CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法

本站其他标准专题： 金属氧化物半导体集成电路，互补金属氧化物半导体?，金属氧化物半导体场效应晶体管，金属氧化物吸附，金属氧化物电容，金属氧化物含量，金属氧化，金属氧化物 吸附，金属氧化物和检测，低维氧化物半导体，金属氧化物的检测，金属氧化物 电容，金属氧化物+ 电容，金属氧化物 含量，金属氧化物赝电容，土壤 金属氧化物，金属氧化池，金属氧化层，金属氧化物 赝电容，金属氧化物混相颜料。

 

可能用到的仪器设备