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一、半导体光催化氧化

本专题涉及一、半导体光催化氧化的标准有500条。

国际标准分类中，一、半导体光催化氧化涉及到表面处理和镀涂、陶瓷、空气质量、半导体分立器件、涂料配料、化工产品、集成电路、微电子学、电子元器件综合、半导体材料、阀门、金属矿、电工和电子试验、技术制图、电子设备用机械构件、电线和电缆、绝缘材料、光纤通信、电学、磁学、电和磁的测量、航空航天制造用材料、纺织产品、电气工程综合、地质学、气象学、水文学。

在中国标准分类中，一、半导体光催化氧化涉及到催化剂、半导体分立器件综合、特种陶瓷、无机化工原料、、催化剂基础标准与通用方法、半导体三极管、半导体集成电路、敏感元器件及传感器、电工绝缘材料及其制品、日用玻璃、陶瓷、搪瓷、塑料制品综合、计算机应用、阀门、场效应器件、光通信设备、微电路综合、电子测量与仪器综合、航空与航天用金属铸锻材料、半导体分立器件、稀有金属及其合金分析方法、工业气体与化学气体、电子设备用导线、电缆、气象学、电缆及其附件、元素半导体材料、基础标准与通用方法。


法国标准化协会，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • XP CEN/TS 16599:2014 光催化 确定照射条件以测试半导体材料的光催化性能
  • XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 光催化 用于测试半导体材料光催化性能的辐照条件和这些条件的测量
  • NF ISO 10677:2011 技术陶瓷 用于测试半导体光催化材料的紫外光源
  • NF ISO 14605:2013 技术陶瓷 在室内照明环境中测试半导体光催化材料的光源
  • NF EN 16980-1:2021 光催化 连续通量方法 第1部分：光催化材料空气中一氧化氮(NO)降解的测定
  • NF B44-212-1*NF EN 16980-1:2021 光催化 连续流动试验方法 第1部分：光催化材料对空气中一氧化氮（NO）降解的测定
  • NF ISO 22197-4:2021 技术陶瓷 空气净化用半导体光催化材料性能测试方法 第4部分：除甲醛
  • NF B44-103*NF ISO 10677:2011 细瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）测试半导体光催化材料所用的紫外光源
  • NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
  • NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
  • NF ISO 22197-5:2021 技术陶瓷 空气净化用半导体光催化材料性能试验方法 第5部分：甲硫醇的去除
  • NF B44-105*NF ISO 14605:2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷) - 室内照明环境下使用的半导体光催化材料的测试光源
  • NF B44-101-4:2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷) - 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法 - 第4部分: 甲醛的清除
  • NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验
  • NF EN 60811-410/A1:2017 电缆和光缆 非金属材料的试验方法 第410部分：杂项试验 绝缘导体铜催化氧化降解的测量试验方法
  • NF EN 60811-410:2012 电缆和光缆 非金属材料的试验方法 第410部分：杂项试验 绝缘导体铜催化氧化降解的测量试验方法
  • NF B44-101-5:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分:甲硫醇的清除
  • NF B44-101-5*NF ISO 22197-5:2021 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第5部分: 甲硫醇的清除
  • NF B44-101-4*NF ISO 22197-4:2021 精细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第4部分: 甲醛的清除
  • NF EN 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
  • NF ISO 18560-1:2014 技术陶瓷 室内照明环境下采用试验箱法测量净化空气用半导体光催化材料性能的试验方法 第1部分：消除...
  • NF C32-011-410/A1*NF EN 60811-410/A1:2017 电缆和光纤电缆 非金属材料的试验方法 第410部分：杂项试验 聚烯烃绝缘导体铜催化氧化降解的试验方法
  • NF C96-013-6:2005 半导体器件的机械标准化.第6部分:表面安装半导体器件封装轮廓图绘制的一般规则

欧洲标准化委员会，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • PD CEN/TS 16599:2014 光催化.半导体材料光催化性能的辐照条件及这些条件的测定
  • CEN/TS 16599:2014 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
  • EN 16980-1:2021 光催化连续流动试验方法第1部分：光催化材料降解空气中一氧化氮（NO）的测定
  • PD CEN/TS 16980-1:2016 光催化-连续流动试验方法-第1部分:光催化材料对空气中一氧化氮(NO)降解的测定

日本工业标准调查会，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • JIS R 1708:2016 精细陶瓷（Advanced ceramics、advanced technical ceramics） 用溶解氧消耗量测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
  • JIS R 1750:2012 精细陶瓷.室内光环境下测试半导体光催化材料用光源
  • JIS R 1712:2022 精细陶瓷（高级陶瓷、高级技术陶瓷） 半导体光催化材料抗藻活性试验方法

英国标准学会，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • BS PD CEN/TS 16599:2014 光催化. 半导体材料光催化性能试验的辐照条件以及此类条件的测量
  • BS ISO 22197-1:2016 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 去除一氧化氮
  • BS ISO 19722:2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 采用溶氧消耗法测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
  • BS ISO 22197-1:2008 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.一氧化氮的移除
  • BS EN 16980-1:2021 光催化 连续流测试方法 光催化材料降解空气中一氧化氮（NO）的测定
  • BS PD CEN/TS 16980-1:2016 光催化. 连续流试验方法. 利用光催化材料测定空气中的一氧化氮(NO)降解
  • BS ISO 17168-1:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能测试方法一氧化氮的去除
  • BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
  • 20/30405589 DC BS EN 16980-1 光催化 连续流测试方法 第1部分.光催化材料降解空气中一氧化氮（NO）的测定
  • BS ISO 10677:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级技术陶瓷).半导体光催化材料测试用紫外光源
  • BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
  • BS ISO 10676:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).用形成活性氧的能力测量半导体光催化材料的水净化性能的试验方法
  • BS ISO 27447:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料抗菌活性测试方法
  • BS ISO 22197-2:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能测试方法去除乙醛
  • BS ISO 22197-4:2021 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 除甲醛
  • BS ISO 22601:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 总有机碳（TOC）定量分析测定半导体光催化材料苯酚氧化分解性能的试验方法
  • BS ISO 10676:2010 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 活性氧形成能力测定半导体光催化材料净水性能的测试方法
  • BS ISO 13125:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料抗真菌作用试验方法
  • BS ISO 19635:2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料抑藻活性的试验方法
  • BS ISO 22197-3:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能测试方法甲苯的去除
  • BS ISO 22197-4:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲醛的清除
  • BS ISO 22197-3:2011 精制陶瓷(优质陶器,先进工艺陶器).半导体光催化材料的空气净化性能试验方法.甲苯的移除
  • BS ISO 22197-2:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法 乙醛的脱除
  • BS ISO 22197-5:2021 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 脱除甲硫醇
  • BS ISO 14605:2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下使用的半导体光催化材料的测试光源
  • BS ISO 22197-5:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲硫醇的清除
  • BS IEC 63275-1:2022 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法
  • BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
  • BS EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
  • BS EN 60811-410:2012+A1:2017 电力和光纤电缆 非金属材料的测试方法 杂项测试 聚烯烃绝缘导体铜催化氧化降解的试验方法
  • BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
  • BS ISO 17168-2:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能测试方法乙醛去除
  • BS ISO 17168-4:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能测试方法除甲醛
  • BS EN 60191-6:2010 半导体器件的机械标准化 表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
  • BS EN 60191-6:2005 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
  • BS EN 60191-6:2004 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
  • BS EN 60191-6:2009 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
  • BS ISO 24448:2023 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）。用于测试室内照明环境下使用的半导体光催化材料的LED光源
  • BS ISO 17168-5:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能测试方法甲硫醇的去除
  • 21/30425873 DC BS ISO 22197-4 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 第四部分：去除甲醛
  • BS ISO 17168-3:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能测试方法甲苯的去除
  • BS IEC 60747-5-13:2021 半导体器件 光电子设备 LED封装的硫化氢腐蚀试验
  • BS ISO 27447:2009 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).半导电光催化材料抗菌活性的试验方法
  • BS ISO 18061:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
  • BS ISO 17299-5:2014 纺织品 除臭剂性能的测定 金属氧化物半导体传感器方法
  • 21/30425876 DC BS ISO 22197-5 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 第5部分 甲硫醇的脱除
  • 20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第2部分. 体二极管工作造成的双极退化的测试方法
  • BS ISO 27448:2009 细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的自洁性能用试验方法.水接触角度的测量
  • BS ISO 17094:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗菌活性的试验方法
  • BS ISO 18560-1:2014 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 在室内光环境下使用试验室法对半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 甲醛的清除
  • 21/30403033 DC BS EN ISO 24448。精细陶瓷（高级陶瓷、先进技术陶瓷）。用于测试室内照明环境下使用的半导体光催化材料的LED光源
  • 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第1部分.偏置温度不稳定性测试方法
  • BS EN 60811-410:2012 电缆和光缆.非金属材料试验方法.各类试验.聚烯烃绝缘导线的铜催化氧化降解用试验方法
  • BS EN 60191-6-10:2003 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.P-VSON的尺寸
  • 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
  • 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
  • BS ISO 22551:2020 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料细菌消减率的测定用于估计抗菌活性的半干法……

德国标准化学会，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
  • DIN 19279:2018-01 表面的光催化活性 光催化活性表面上一氧化氮的光催化沉积速度的测定
  • DIN ISO 22197-1:2018-12 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）-半导体光催化材料空气净化性能的测试方法-第1部分：一氧化氮的去除
  • DIN ISO 22197-1:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）半导体光催化材料空气净化性能试验方法第1部分：一氧化氮去除（ISO 22197-1:2016）
  • DIN EN 16980-1:2021-12 光催化连续流动试验方法第1部分：光催化材料降解空气中一氧化氮（NO）的测定
  • DIN ISO 22197-1:2016 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除(ISO 22197-1-2007)
  • DIN EN 16980-1:2020 光催化连续流动试验方法第1部分：光催化材料对空气中一氧化氮（NO）降解的测定
  • DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
  • DIN EN 16980-1:2021 光催化. 连续流动试验方法. 第1部分: 光催化材料对空气中一氧化氮(NO)降解的测定; 德文版本EN 16980-1-2021
  • DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
  • DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
  • DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
  • DIN EN 60191-6:2010-06 半导体器件机械标准化第6部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
  • DIN 50450-9:2003 半导体工艺材料测试.载气和掺杂气体杂质测定.第9部分:用气相色谱法测定气态氯化氢中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳、氢和C<下标1>-C<下标3>-烃类含量
  • DIN EN 60191-6-8:2002-05 半导体器件机械标准化第6-8部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
  • DIN EN 60191-6-2:2002-09 半导体器件机械标准化第6-2部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
  • DIN EN 60191-6-6:2002-02 半导体器件机械标准化第6-6部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
  • DIN EN 60191-6-3:2001-06 半导体器件机械标准化第6-3部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
  • DIN EN 60191-6-1:2002-08 半导体器件机械标准化第6-1部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
  • DIN EN 60191-6-5:2002-05 半导体器件机械标准化第6-5部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
  • DIN 50453-2:1990 半导体工艺材料的检验.蚀刻混合剂浸蚀率的测定.第2部分:二氧化硅涂层.光学法

国际标准化组织，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • ISO 19722:2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 采用溶氧消耗法测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
  • ISO 22197-1:2016 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能试验方法. 第1部分: 一氧化氮净化
  • ISO 22197-1:2007 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除
  • ISO 17168-1:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第1部分：一氧化氮的去除
  • ISO 10676:2010 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法
  • ISO 13125:2013 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).半导体光催化材料抗真菌作用试验方法
  • ISO 19635:2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料抑藻活性的试验方法
  • ISO 27447:2019 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.半导体光催化材料抗菌活性的试验方法
  • ISO 27447:2009 精细陶瓷.(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的抗菌活性用测试方法
  • ISO 22601:2019 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.通过定量分析总有机碳（TOC）测定半导体光催化材料苯酚氧化分解性能的试验方法
  • ISO 22197-3:2019 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第3部分:去除甲苯
  • ISO 22197-2:2019 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
  • ISO 10677:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).检测半导光催化材料用紫外线源
  • ISO 22197-2:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第2部分:乙醛的清除
  • ISO 22197-3:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第3部分:甲苯的清除
  • ISO 22197-4:2021 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第5部分: 甲醛的清除
  • ISO 22197-5:2021 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第5部分: 甲硫醇的清除
  • ISO 22197-4:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分:甲醛的清除
  • ISO 22197-5:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分:甲硫醇的清除
  • ISO 24448:2023 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 用于测试室内照明环境下使用的半导体光催化材料的LED光源
  • ISO 18061:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
  • ISO 17094:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗菌活性的试验方法
  • ISO 19810:2023 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内光照环境下半导体光催化材料自洁性能试验方法 水接触角的测量
  • ISO 17168-2:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第2部分：乙醛的去除
  • ISO 17168-3:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第3部分：甲苯的去除
  • ISO 17168-4:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第4部分：甲醛去除
  • ISO 17299-5:2014 纺织品. 除臭性能的测定. 第5部分: 金属氧化物半导体传感器法
  • ISO 17168-5:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分：甲硫醇的去除

AENOR，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • UNE-ISO 22197-1:2012 精细陶瓷（高级陶瓷、高级技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 第1部分：去除一氧化氮
  • UNE 127197-1:2013 评估浸泡在预制混凝土产品中的半导体光催化材料的空气净化性能的测试方法应用 第1部分：一氧化氮的去除
  • UNE 83321:2017 EX 具有光催化活性的混凝土 光催化材料对空气中一氧化氮（NO）降解的测定 连续流测试法
  • UNE-EN 60811-410:2012 电缆和光纤电缆 非金属材料的试验方法 第410部分：杂项试验 聚烯烃绝缘导体铜催化氧化降解的试验方法

韩国科技标准局，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • KS L ISO 22197-1:2018 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第1部分:去除一氧化氮
  • KS L ISO 22197-1:2008 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除
  • KS L ISO 22197-1:2022 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第1部分:一氧化氮的去除
  • KS L ISO 17168-1:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第1部分:去除一氧化氮
  • KS L ISO 10676:2012 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法
  • KS L ISO 27447-2011(2016) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）半导体光催化材料抗菌活性试验方法
  • KS L ISO 27447-2011(2021) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－半导体光催化材料抗菌活性试验方法
  • KS L ISO 10676-2012(2022) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－用活性氧形成能力测定半导体光催化材料净水性能的试验方法
  • KS L ISO 27447:2011 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的抗菌活性用测试方法
  • KS L ISO 22197-2:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
  • KS L ISO 22197-3:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第3部分:去除甲苯
  • KS L ISO 22197-4:2020 精细陶瓷（高级陶瓷 高级技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第4部分:去除甲醛
  • KS L ISO 10676-2012(2017) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）用活性氧形成能力测定法测定半导体光催化材料净水性能的试验方法
  • KS L ISO 22197-5:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第5部分:去除甲硫醇
  • KS C IEC 60811-410:2021 电缆和光缆.非金属材料的试验方法.第410部分:杂项试验.聚烯烃绝缘导体铜催化氧化降解的试验方法
  • KS L ISO 27448-2011(2021) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－半导体光催化材料自清洁性能试验方法－水接触角的测量
  • KS L ISO 27448-2011(2016) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）半导体光催化材料自清洁性能试验方法水接触角的测定
  • KS C IEC 60811-410:2016 电气和光纤电缆 - 试验方法非金属材料 - 410部分:其它试验 - 用于聚烯烃绝缘导体的铜催化氧化降解试验方法
  • KS L ISO 17168-2:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
  • KS L ISO 17168-3:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第3部分:去除甲苯
  • KS L ISO 17168-4:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第4部分:去除甲醛

KR-KS，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • KS L ISO 22197-1-2018 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第1部分:去除一氧化氮
  • KS L ISO 22197-1-2022 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第1部分:一氧化氮的去除
  • KS L ISO 17168-1-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第1部分:去除一氧化氮
  • KS L ISO 10677-2023 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工艺陶瓷）半导体光催化材料测试用紫外光源
  • KS L ISO 27447-2023 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）半导体光催化材料抗菌活性试验方法
  • KS L ISO 14605-2023 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工艺陶瓷）室内照明环境下半导体光催化材料测试用光源
  • KS L ISO 22197-2-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
  • KS L ISO 22197-4-2020 精细陶瓷（高级陶瓷 高级技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第4部分:去除甲醛
  • KS L ISO 22197-3-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第3部分:去除甲苯
  • KS L ISO 22197-5-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第5部分:去除甲硫醇
  • KS C IEC 60811-410-2021 电缆和光缆.非金属材料的试验方法.第410部分:杂项试验.聚烯烃绝缘导体铜催化氧化降解的试验方法
  • KS C IEC 60811-410-2016 电气和光纤电缆 - 试验方法非金属材料 - 410部分:其它试验 - 用于聚烯烃绝缘导体的铜催化氧化降解试验方法
  • KS L ISO 17168-2-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
  • KS L ISO 17168-4-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第4部分:去除甲醛
  • KS L ISO 17168-3-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第3部分:去除甲苯

美国国防后勤局，关于一、半导体光催化氧化的标准

欧洲电工标准化委员会，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
  • EN 60191-6:2009 半导体器件机械标准化第6部分：表面贴装半导体器件封装外形图制作的一般规则
  • EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006

中国团体标准，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • T/CECA 35-2019 金属氧化物半导体气体传感器
  • T/QGCML 743-2023 半导体设备零部件阳极氧化工艺规范
  • T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
  • T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
  • T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

CH-SNV，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • SN EN 16980-1-2021 光催化连续流动试验方法第1部分：光催化材料降解空气中一氧化氮（NO）的测定

丹麦标准化协会，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • DS/EN 16980-1:2021 光催化《连续流动试验方法》第1部分：光催化材料降解空气中一氧化氮（NO）的测定
  • DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
  • DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试
  • DS/EN 60191-6:2010 半导体器件机械标准化第6部分：表面贴装半导体器件封装外形图制作的一般规则
  • DS/EN 60811-410:2012 电缆和光纤电缆 非金属材料的试验方法 第410部分：杂项试验 聚烯烃绝缘导体铜催化氧化降解的试验方法

IT-UNI，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • UNI EN 16980-1-2021 光催化连续流动试验方法第1部分：光催化材料降解空气中一氧化氮（NO）的测定

ES-UNE，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • UNE-EN 16980-1:2022 光催化连续流动测试方法第1部分：光催化材料降解空气中一氧化氮（NO）的测定
  • UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
  • UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
  • UNE-EN 60191-6:2009 半导体器件机械标准化--第6部分：表面贴装半导体器件封装外形图编制的一般规则
  • UNE-HD 60364-7-718:2014/A12:2018 电力和光纤电缆。非金属材料的试验方法。第410部分：杂项试验。聚烯烃绝缘导体铜催化氧化降解的试验方法
  • UNE-EN 60811-410:2012/A1:2018 电力和光纤电缆 非金属材料的试验方法 第410部分：杂项试验 聚烯烃绝缘导体铜催化氧化降解的试验方法

工业和信息化部，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • HG/T 5702-2020 单体烯烃中一氧化碳低温净化催化剂活性试验方法
  • HG/T 5703-2020 单体烯烃中一氧化碳低温净化催化剂物理性能试验方法
  • SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

国际电工委员会，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
  • IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
  • IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
  • IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
  • IEC 60811-410:2012+AMD1:2017 CSV 电缆和光缆.非金属材料的试验方法.第410部分:杂项试验.聚烯烃绝缘导体铜催化氧化降解的试验方法
  • IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
  • IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
  • IEC 60191-6:1990 半导体器件的机械标准化 第6部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
  • IEC 60191-6:2004 半导体器件的机械标准化.第6部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
  • IEC 60191-6:2009 半导体器件的机械标准化.第6部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
  • IEC 60191-6/AMD1:1999 半导体器件的机械标准化 第6部分:绘制表面安装半导体器件封装外形图的一般规则 修改1

行业标准-电子，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
  • SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
  • SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
  • SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法

国家质检总局，关于一、半导体光催化氧化的标准

(美国)军事条例和规范，关于一、半导体光催化氧化的标准

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • IEEE 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的标准定义和表征

立陶宛标准局，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
  • LST EN 62373-2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试（IEC 62373:2006）
  • LST EN 60811-410-2012 电缆和光纤电缆 非金属材料的试验方法 第410部分：杂项试验 聚烯烃绝缘导体铜催化氧化降解的试验方法（IEC 60811-410:2012）

美国电气电子工程师学会，关于一、半导体光催化氧化的标准

RU-GOST R，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • GOST 25733-1983 矾土.α一氧化铝晶体施光测定法
  • GOST IEC 60811-410-2015 电缆和光缆. 非金属材料的试验方法. 第410部分. 杂项试验. 聚烯泾绝缘导体铜催化氧化降解的试验方法

台湾地方标准，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
  • CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法

行业标准-化工，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • HG/T 5702～5703-2020 单体烯烃中一氧化碳低温净化催化剂活性试验方法和物理性能试验方法（2020）

PH-BPS，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • PNS IEC 62373-1:2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验

NL-NEN，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • NEN 2039-1979 空气质量．烟和排出气体．一氧化二氮的化学发光法测定

美国通用公司（北美），关于一、半导体光催化氧化的标准

  • GM GM6078M-1989 固体膜润滑剂涂层树脂粘合的金属氧化物半导体和聚四氟乙烯

行业标准-有色金属，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • YS/T 514.9-2009 高钛渣、金红石化学分析方法.第9部分:氧化钙、氧化镁、一氧化锰、磷、三氧化二铬和五氧化二钒量的测定.电感耦合等离子体发射光谱法

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • EN 60811-410:2012 电缆和光纤电缆 非金属材料的试验方法 第410部分：杂项试验 聚烯烃绝缘导体铜催化氧化降解的试验方法

AT-OVE/ON，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • OVE EN IEC 63275-2:2021 半导体器件-碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法-第2部分：体二极管操作引起的双极退化测试方法（IEC 47/2680/CDV）（英文版）

BE-NBN，关于一、半导体光催化氧化的标准

行业标准-气象，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • QX/T 273-2015 大气一氧化碳监测方法.红外气体滤光相关法

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于一、半导体光催化氧化的标准

  • JEDEC JEP184-2021 电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏压温度不稳定性评估指南

一、半导体光催化氧化，半导体 光催化 氧化，半导体光催化氧化，半导体 光催化氧化，光催化氧化半导体，半导体光催化活性一般如何，半导体 一氧化氮。

 

可能用到的仪器设备

 

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