离子溅射法 金

本专题涉及离子溅射法 金的标准有15条。

国际标准分类中，离子溅射法 金涉及到分析化学、半导体材料。

在中国标准分类中，离子溅射法 金涉及到化学助剂基础标准与通用方法、基础标准与通用方法、化学、半金属与半导体材料综合、光学计量仪器。

美国材料与试验协会，关于离子溅射法 金的标准

• ASTM E1162-11(2019) 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
• ASTM E1162-11 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
• ASTM E1162-06 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
• ASTM E1162-2006 报告次级离子质谱法(SIMS)中溅射深度截面数据的标准实施规程
• ASTM E1438-1991(2001) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
• ASTM E1438-1991(1996) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
• ASTM E1162-87(1996) 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
• ASTM E1162-87(2001) 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
• ASTM E1162-1987(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
• ASTM E1162-1987(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据

国际标准化组织，关于离子溅射法 金的标准

• ISO 22415:2019 表面化学分析.二次离子质谱法.有机材料氩团簇溅射深度剖面测定屈服体积的方法
• ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
• ISO 17109:2015 表面化学分析 - 深度分析 - X射线光电子能谱法中的溅射速率测定方法 俄歇电子能谱和二次离子质谱法使用单层和多层薄膜的溅射深度分析

英国标准学会，关于离子溅射法 金的标准

• BS ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
• BS ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法

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