硅晶体管

本专题涉及硅晶体管的标准有553条。

国际标准分类中，硅晶体管涉及到半导体分立器件、集成电路、微电子学、无线通信、电学、磁学、电和磁的测量、光纤通信、阀门、整流器、转换器、稳压电源、电子元器件综合、光电子学、激光设备。

在中国标准分类中，硅晶体管涉及到场效应器件、半导体三极管、、、、、、、、、、、、、、半导体光敏器件、半导体二极管、半导体分立器件综合、广播、电视发送与接收设备、电子测量与仪器综合、光通信设备、阀门、电力半导体器件、部件、基础标准与通用方法、半导体发光器件、微波、毫米波二、三极管、电子元器件。

国家质检总局，关于硅晶体管的标准

GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范
GB 9520-1988 电子元器件详细规范 3DD200型硅NPN低频放大用管壳额定双极型晶体管(可供认证用)
GB 9509-1988 电子元器件详细规范 3DA1514型硅NPN环境额定高频放大晶体管(可供认证用)
GB 9521-1988 电子元器件详细规范 3DD325型硅NPN 环境额定低频放大晶体管(可供认证用)

美国材料与试验协会，关于硅晶体管的标准

ASTM E1855-20 使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
ASTM E1855-15 使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
ASTM E1855-2015 作为中子光谱传感器和位移破坏性监测器的2N2222A硅双极晶体管使用的标准试验方法
ASTM E1855-10 使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
ASTM E1855-2010 使用2N2222A硅双极晶体管作中子光谱传感器和位移损坏监控器的标准试验方法
ASTM E1855-05 使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
ASTM E1855-05e1 使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
ASTM E1855-2005 作为中子光谱传感器和位移损坏监测器的2N2222A硅双极晶体管的使用的标准试验方法
ASTM E1855-2005e1 作为中子光谱传感器和位移损坏监测器的2N2222A硅双极晶体管的使用的标准试验方法
ASTM E1855-04 使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
ASTM E1855-04e1 使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
ASTM E1855-2004e1 作为中子光谱传感器和位移损坏监测器的2N2222A硅双极晶体管使用的标准试验方法
ASTM E1855-2004 作为中子光谱传感器和位移损坏监测器的2N2222A硅双极晶体管使用的标准试验方法
ASTM E1855-96 使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
ASTM E1855-1996 作为中子光谱传感器和位移破坏性监测器的2N2222A硅双极晶体管使用的标准试验方法

工业和信息化部，关于硅晶体管的标准

SJ/T 1480-2016 半导体分立器件 3CG130型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
SJ/T 1477-2016 半导体分立器件 3CG120型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范
SJ/T 1472-2016 半导体分立器件 3CG110型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

行业标准-电子，关于硅晶体管的标准

SJ/T 2217-2014 硅光电晶体管技术规范
SJ 50033/175-2007 半导体分立器件3DA522型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ 50033/171-2007 半导体分立器件3DA518型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ 50033/174-2007 半导体分立器件3DA521型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ 50033/173-2007 半导体分立器件3DA520型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ 50033/172-2007 半导体分立器件3DA519型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ 50033/176-2007 半导体分立器件3DA523型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ 50033/170-2007 半导体分立器件3DA516型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ 50033/159-2002 半导体分立器件.3DG142型硅超高频低噪声晶体管.详细规范
SJ 50033/156-2002 半导体分立器件.3DA505型硅微波脉冲功率晶体管.详细规范
SJ 50033/160-2002 半导体分立器件.3DG122型硅超高频小功率晶体管.详细规范
SJ 50033/155-2002 半导体分立器件.3DG252型硅微波线性晶体管.详细规范
SJ 50033/157-2002 半导体分立器件.3DA506型硅微波脉冲功率晶体管.详细规范
SJ 50033/154-2002 半导体分立器件.3DG251型硅超高频低噪声晶体管.详细规范
SJ 50033/158-2002 半导体分立器件.3DG44型硅超高频低噪声晶体管.详细规范
SJ 50033/145-2000 半导体分立器件.3DA503型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ 50033/146-2000 半导体分立器件.3DA601型C波段硅双极型功率晶体管详细规范
SJ/T 11225-2000 电子元器件详细规范.3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管
SJ/T 11227-2000 电子元器件详细规范.3DA98型NPN硅高频大功率晶体管
SJ/T 11226-2000 电子元器件详细规范.3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管
SJ 50033/122-1997 半导体分立器件.CS3684～CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/121-1997 半导体分立器件.CS3458～CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/111-1996 半导体光电子器件GTI6型硅NPN光电晶体管详细规范
SJ 50033/96-1995 半导体分立器件.3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范
SJ 50033/95-1995 半导体分立器件.3DG144型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
SJ 50033/93-1995 半导体分立器件.3DG142型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
SJ 50033/94-1995 半导体分立器件.3DG143型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
SJ 50033/76-1995 半导体分立器件.3DG218型硅微波低噪声晶体管详细规范
SJ 50033/88-1995 半导体分立器件.CS6760和CS6762型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/82-1995 半导体分立器件.3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ 50033/83-1995 半导体分立器件.CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/74-1995 半导体分立器件.3DA325型硅微波功率晶体管详细规范
SJ 50033/85-1995 半导体分立器件.CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/75-1995 半导体分立器件.3DG135型硅超高频小功率晶体管详细规范
SJ 50033/87-1995 半导体分立器件.CS4091～CS4093型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/90-1995 半导体分立器件.3DK106型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ 50033/84-1995 半导体分立器件.CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管.详细规范
SJ 50033/89-1995 半导体分立器件.CS6768和CS6770型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/86-1995 半导体分立器件.CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/68-1995 半导体分立器件.BT51型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范
SJ 50033/77-1995 半导体分立器件.3DA331硅微波功率晶体管详细规范
SJ 50033/2-1994 半导体分立器件.3CK2904、3CK2904A、3CK2905和3CK2905A型PNP硅小功率开关晶体管详细规范
SJ 50033/31-1994 半导体分立器件.FH101型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
SJ 50033/34-1994 半导体分立器件.F1129型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
SJ 50033/33-1994 半导体分立器件.F1121型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
SJ 50033.40-1994 GT11型半导体硅NPN光敏晶体管详细规范
SJ 50033/38-1994 半导体分立器件.CS4856～CS4861型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
SJ 20059-1992 半导体分立器件.3DG111型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范
SJ 20061-1992 半导体分立器件.CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
SJ 20062-1992 半导体分立器件.3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管.详细规范
SJ 20063-1992 半导体分立器件.3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管.详细规范
SJ 20060-1992 半导体分立器件.3DG120型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范
SJ 20012-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
SJ 20016-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范
SJ 20013-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
SJ 20015-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG130型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范
SJ 20011-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
SJ 20014-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级3CG110型PNP硅小功率晶体管.详细规范
SJ/T 10052-1991 电子元器件详细规范.3CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管
SJ/T 10051-1991 电子元器件详细规范.3DA2688型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管
SJ/T 10050-1991 电子元器件详细规范.3DA1722型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管
SJ/T 10053-1991 电子元器件详细规范.3DD 313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管
SJ/T 10049-1991 电子元器件详细规范.3DA1162型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管
SJ 3124-1988 电子元器件详细规范.3DD1942型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管
SJ 3128-1988 电子元器件详细规范.3DD820型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管
SJ 3126-1988 电子元器件详细规范.3DD869型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管
SJ 3127-1988 电子元器件详细规范.3DD871型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管
SJ 3125-1988 电子元器件详细规范.3DD2027型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管
SJ 2702-1986 3DG458型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
SJ 2700-1986 3DG2060型NPN硅高频中功率晶体管详细规范
SJ 2699-1986 3DG388型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
SJ 2701-1986 3CX673型PNP硅小功率晶体管详细规范
SJ/T 10963-1996 电子元器件详细规范 3DG2271型硅NPN环境额定高频放大晶体管（可供认证用）
SJ 20307-1993 半导体分立器件FH646型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
SJ/T 11055-1996 电子元器件详细规范 4CS119型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
SJ/T 10970-1996 电子元器件详细规范 3DG3077型硅NPN环境额定高频放大晶体管（可供认证用）
SJ 20058-1992 半导体分立器件3DK105型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 10960-1996 电子元器件详细规范 3CG844型硅PNP环境额定高频放大晶体管
SJ/T 10956-1996 电子元器件详细规范 4CS122型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
SJ 20174-1992 半导体分立器件3DK2221（2221A、2222、2222A）型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 10962-1996 电子元器件详细规范 3DA1514型硅NPN环境额定高频放大晶体管（可供认证用）
SJ/T 10964-1996 电子元器件详细规范 3DD401型硅NPN管壳额定低频放大晶体管（可供认证用）
SJ 20306-1993 半导体分立器件FH181A型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
SJ 20057-1992 半导体分立器件3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 10966-1996 电子元器件详细规范 3DD100C型硅NPN管壳额定低频放大晶体管（可供认证用）
SJ 50033/166-2004 半导体分立器件3DA507型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ 20056-1992 半导体分立器件3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 10975-1996 电子元器件详细规范 3DG1825型硅NPN环境额定高频放大晶体管（可供认证用）
SJ 20176-1992 半导体分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
SJ/T 10965-1996 电子元器件详细规范 3CD546型硅NPN管壳额定低频放大晶体管（可供认证用）
SJ 20054-1992 半导体分立器件3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 10961-1996 电子元器件详细规范 3CG778型硅PNP环境额定高频放大晶体管（可供认证用）
SJ/T 10967-1996 电子元器件详细规范 3DD203型硅NPN管壳额定低频放大晶体管（可供认证用）
SJ/T 11057-1996 电子元器件详细规范 4CS142型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
SJ/T 10957-1996 电子元器件详细规范 4CS103型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
SJ 20177-1992 半导体分立器3CK3634～3CK3736型PNP硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 10971-1996 电子元器件详细规范 3DD204型硅NPN管壳额定低频放大晶体管（可供认证用）
SJ/T 11058-1996 电子元器件详细规范 4CS1421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
SJ 20175-1992 半导体分立器件3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管详细规范
SJ 50033/169-2004 半导体分立器件3DA510型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ/T 10972-1996 电子元器件详细规范 3DD207型硅NPN管壳额定低频放大晶体管（可供认证用）
SJ 50033/168-2004 半导体分立器件3DA509型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ/T 10973-1996 电子元器件详细规范 3DD200型硅NPN低频放大用管壳额定双极型晶体管（可供认证用）
SJ 20173-1992 半导体分立器件3DK2218（2218A、2219、2219A）型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ 50033/140-1999 半导体光电子器件 3DA502型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ/T 10969-1996 电子元器件详细规范 3DG2636型硅NPN环境额定高频放大晶体管（可供认证用）
SJ/T 10968-1996 电子元器件详细规范 3DD205A型硅NPN管壳额定高频放大晶体管（可供认证用）
SJ 50033/167-2004 半导体分立器件3DA508型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ 20308-1993 半导体分立器件FH1030型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
SJ 20055-1992 半导体分立器件3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 10974-1996 电子元器件详细规范 3DD325型硅NPN环境额定低频放大晶体管（可供认证用）
SJ/T 11056-1996 电子元器件详细规范 4CS1191型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）

美国国防后勤局，关于硅晶体管的标准

DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 半导体器件.N-通道高压场效应硅晶体管.型号2N7387和2N7387U1,JAN,JANTX,JANTXV和JANS
DLA MIL-PRF-19500/368 K (1)-2008 小功率硅三极管(NPN)晶体管半导体器件.型号:2N3439,2N3439L,2N3439UA,2N3439U4,2N3440,2N3440L,2N3440UA和2N3440U4,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHCB,JANKCB,JANHCC,JANKCC JANSM,JANSD,JANSP,JANSL,JANSR,JANSF,JANSG,JANSH
DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7405,2N7406,2N7407和2N7408,JANSD和JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7488T3,2N7489T3和2N7490T3,JANTXVR和JANSR
DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 半导体器件.N-通道场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)硅晶体管.型号:2N7485U3,2N7486U3和2N7487U3,JANTXVR和JANSR
DLA MIL-PRF-19500/502 E-2008 半导体装置,功率型NPN达灵顿晶体管,硅型号2N6058和2N6059,JAN,JANTX和JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/710 A-2008 半导体装置,PNP硅电源晶体管,型号2N6674T1,2N6674T3,2N6675T1和2N6675T3,JAN,JANTX和JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/370 G-2008 高功率半导体装置,PNP硅晶体管,型号2N3442,JAN,JANTX和JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/747-2008 半导体装置,场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N通道,硅,型号2N7504T2,JANTXVR,JANTXVF,JANTXVG,JANTXVH,JANSF,JANSG,JANSR和JANSH
DLA MIL-PRF-19500/357 K (1)-2008 半导体装置,PNP硅晶体管,放大器,型号2N3634到2N3637,2N3634UB到2N3637UB,2N3634L到2N3637L,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANSM,JANSD,JANSP,JANSL,JANSR,JANSF,JANSG,JANSH,JANHCA,JANKCA,ANKCAM,JANKCAD
DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 单片硅互补开关场效应晶体管驱动,耐辐射数字线性微电路
DLA MIL-M-38510/326 C VALID NOTICE 1-2008 单片硅多路分配器型小功率肖特基晶体管逻辑数字式微电路
DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 线性单稳态单硅数字微电路,为低功率双极肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带两个场效应晶体管
DLA MIL-M-38510/327 B VALID NOTICE 1-2008 单片硅计数器型小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的八总线缓冲门的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
DLA MIL-M-38510/322 C VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的六总线驱动器的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
DLA MIL-M-38510/306 E VALID NOTICE 1-2008 单稳态单硅双极微电路,为低功率肖肯特晶体管逻辑,带层叠移位储存器
DLA MIL-M-38510/325 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅可串接式双稳态多谐振荡器型小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的四总线缓冲门的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 单片硅高压集电极开路输出型配备缓冲器/驱动器的低功率晶体管晶体管逻辑数字式微电路
DLA MIL-PRF-19500/336 K-2008 2N3810,2N3810L,2N3810U,2N3811,2N3811L和2N3811U,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANSM,JANSD,JANSP,JANSL,JANSR,JANHCF,JANHCG,JANSH,JANHCA,JANHCB,JANKCA,JANKCB,JANKAM,JANKAPNP型双晶体管组合式硅半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/455 H-2008 半导体装置,NPN硅电源开关晶体管,型号2N5664,2N5665,2N5666,2N5666S,2N5666U3,2N5667和2N5667S,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANSM,JANSD,JANSP,JANSL,JANSR,JANSF,JANSG,JANSH,JANHC和JANKCA,JANKCB,JANKCAM,J
DLA MIL-PRF-19500/501 D-2008 半导体装置,达林顿晶体管,PNP,硅,电源,类型2N6051和2N6052,JAN,JANTX和JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 2N7292,2N7294,2N7296,和2N7298,JANTXVM,D,R,H 和JANSM,D和R型硅N通道耐辐射(仅总计量效应)场效应晶体管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/727 A-2008 半导体装置,硅NPN开关晶体管,类型2N5010到2N5015,2N5010S到2N5015S,2N5010U4到2N5015U4,JAN,JANTX,JANTXV和JANS
DLA MIL-PRF-19500/545 G-2008 2N5151,2N5153,2N5151L,2N5153L,2N5151U3和2N5153U3,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC,JANSM,JANSD,JANSP,JANSL,JANSR,JANSF,JANSG,JANSH,JANHCB,JANHCC,JANKCB,JANKCC,JAN型PNP硅电源晶体管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/544 G-2008 2N5152,2N5154,2N5152L,2N5154L,2N5152U3,2N5154U3,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANSM,JANSD,JANSP,JANSL,JANSR,JANSF,JANSG,JANSH,JANHCB,JANHCD,JANKCB,JANKCD,JANKCDM,JANKCDD,JANKCDPNPN型硅电源晶体管半导体装置
DLA SMD-5962-07218 REV A-2008 单片硅超高频NPN-PNP组合晶体管阵列耐辐射线性微电路
DLA MIL-PRF-19500/251 P-2008 半导体装置,NPN硅开关晶体管,型号2N2218,2N2218A,2N2218AL,2N2219,2N2219A和2N2219AL,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANSM,JANSD,JANSP,JANSL,JANSR,JANSF,JANSG和JANSH
DLA SMD-5962-90889 REV C-2008 微电路.单片硅晶体管-晶体管逻辑(TTL)兼容数字双极型四总线缓冲门
DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 微电路.电片硅数字双极晶体管-晶体管逻辑(TTL)同步4位加/减计数器
DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96547 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,双重2行到4行解码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 硅单块高速结型场效应晶体管,双操作增强器,直线型微型电路
DLA SMD-5962-94673 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或25欧姆线路激励器串联电阻器,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,16-BIT接收器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发自主式自动导航系统,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95841 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体,16-BIT母线接收器和三状态输出寄存器,晶体管输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线接收器双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95606 REV A-2007 先进双极互补金属氧化物半导体,八进制无线电收发器或线路激励器三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT母线接口和双稳态多谐振荡器转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-91519 REV C-2007 硅单块高速操作放大器,双精密结型场效应晶体管,直线式微型电路
DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 硅单块带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入和三态输出的八进制接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA MIL-PRF-19500/559 J-2007 JAN,JANTX,JANTXV和JANS 2N6989,2N6989U和2N6990型四个晶体管阵列转换式硅NPN单元化的半导体装置
DLA SMD-5962-86876 REV B-2007 硅单块升值或降值计数器,低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-86719 REV A-2007 硅单块 D型自动记录机器低功率肖特基晶体管-晶体管逻辑电路数字微型电路
DLA SMD-5962-86075 REV C-2007 硅单块移动装置,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-86708 REV A-2007 硅单块高速注册,肖特基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体三状态输出9-BIT母线接口D类闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带预设置和清除的双D型双稳态多谐振荡器触发器,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96813 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,六角倒相施密特触发器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-89776 REV B-2007 硅单片,四重NPN晶体管阵列,高速线性微型电路
DLA SMD-5962-98627 REV A-2007 微型电路,线型,双极改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,带清零信号和预置信号的双路正边沿触发D型触发器,单块硅
DLA SMD-5962-99532 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,低功率肖特基晶体管晶体管逻辑电路,10位计算器,单块硅
DLA SMD-5962-97632 REV A-2007 微型电路,数字型,改进低功率肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双路4线到1线数据选择器/多用复选择器,单块硅
DLA SMD-5962-97592 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,带清零信号和预置信号的改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双路正边沿触发D型触发器,单块硅
DLA SMD-5962-97593 REV B-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,六路反向器,单块硅
DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-95761 REV A-2007 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出缓冲器或时钟驱动器,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置的八比特诊断式自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 硅单块带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入方形2输入非与门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-97590 REV A-2007 微型电路,数字型,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,带三态输出的八路边沿触发D型触发器,单块硅
DLA SMD-5962-97591 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,8 位等值比较器,单块硅
DLA SMD-5962-97589 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,带三态输出的八路透明D型锁存器,单块硅
DLA SMD-5962-97588 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,四路2输入正或门,单块硅
DLA SMD-5962-97586 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,八路缓冲器W/低启动带三态非反向输出,单块硅
DLA SMD-5962-87598 REV A-2006 硅单块晶体管阵列高电流NPN,直线型微型电路
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-91607 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置和一般输入输出插脚的八比特万能转换或储存自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-91586 REV B-2006 硅单块 10-4线优先编码器,小功率肖特基晶体管晶体管逻辑,数字微型电路
DLA SMD-5962-91530 REV A-2006 硅单块六进制晶体管晶体管逻辑电路到发射极耦合逻辑的翻译器,发射极耦合逻辑,数字微型电路
DLA SMD-5962-90781 REV B-2006 硅单块三态缓冲器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-97559 REV A-2006 八角缓冲器和三状态输出行驱动器晶体管硅单片电路数字双极微电路
DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 硅单块带锁和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容,1选8译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87628 REV D-2006 硅单块带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制不可倒转的D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 硅单块可锁的晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 8输入阳性与门晶体管硅单片电路数字双极微电路
DLA SMD-5962-86872 REV B-2006 硅单块非与缓冲器,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 硅单片双极场效应晶体管运算扬声器,线性微型电路
DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制记名的无线电收发机,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90938 REV B-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带开放式控制器输出的八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 硅单片,四重双极结型场效应晶体管,运算放大器,线性微型电路
DLA SMD-5962-96587 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或线路驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96586 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或线路驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体4-BIT二元全加速晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87683 REV C-2006 硅单块译码器双极飞机(自动)着陆系统晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带非倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,明确八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87560 REV F-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路到发射极耦合逻辑的翻译,数字微型电路
DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重S-R闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,9-BIT奇偶发生器或监测器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87508 REV E-2006 硅单块发射极耦合逻辑到晶体管-晶体管逻辑电路的翻译,数字微型电路
DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双2比特双稳定易被识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,可预设置的同步4比特二进制升值或降值计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制施米特触发器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带主重设置八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-86881 REV B-2006 硅单块算术逻辑部件低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入非倒转六进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-86871 REV D-2006 硅单块四倍2输入正面非与缓冲器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-86874 REV C-2006 硅单块八进制缓冲器W/高或低激活的三态非倒转输出,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-86844 REV D-2006 硅单块无门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-86869 REV C-2006 硅单块多路复用器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-86866 REV C-2006 硅单块译码器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-86865 REV D-2006 硅单块非是门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带设置和重设置的双J-K双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA MIL-PRF-19500/739-2006 场效应抗辐射半导体装置(总剂量和单粒子效应),N型通道和P型通道硅四晶体管,类型2N7518和2N7518U,JANTXVR,F和JANSR,F
DLA SMD-5962-86843 REV C-2006 硅单块逆变器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,数字微型电路
DLA SMD-5962-86837 REV C-2006 硅单块非与门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-86841 REV D-2006 硅单块和门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-86834 REV B-2006 硅单块带三态输出的方形非倒转总线接收器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-86710 REV B-2006 硅单块逻辑运算器肖特基晶体管-晶体管逻辑电路,高级数字微型电路
DLA SMD-5962-86070 REV C-2006 硅单块 8比特同一校验器,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 单稳多谐振荡器晶体管硅单片电路数字双极微电路
DLA SMD-5962-97583 REV B-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双路1/4数据选择器/多用选择器,单块硅
DLA SMD-5962-96792 REV A-2006 晶体管8输入与非门硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 硅单块带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的双1选4数据收集器和多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89976 REV B-2006 硅单片,结型场效应晶体管高速准确运算放大器,线性微型电路
DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 硅单块操作增强器,四列微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
DLA SMD-5962-97562 REV A-2006 八角D类触发双稳态多谐振荡器晶体管硅单片电路数字双极微电路
DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双十进制波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-86842 REV E-2006 硅单块和门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,数字微型电路
DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制D型易被识破的止动销,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 双极晶体管四倍2输入阳性硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-97582 REV B-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,3线到8线解码器/多用复解码器,单块硅
DLA SMD-5962-97581 REV A-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,三路三输入正与门,单块硅
DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 四重2输入阳性与门晶体管硅单片电路数字双极微电路
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 三重3输入阳性与门晶体管硅单片电路数字双极微电路
DLA SMD-5962-92075 REV B-2006 硅单块 68030/40发射极耦合逻辑或晶体管-晶体管逻辑电路钟驱动器,发射极耦合逻辑,数字微型电路
DLA SMD-5962-97585 REV A-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,八路缓冲器W/低启动带三态反向输出,单块硅
DLA SMD-5962-97584 REV B-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双路4输入正与非门,单块硅
DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-85508 REV C-2005 硅单块多路复用器晶体管-晶体管逻辑电路双极数字微型电路
DLA SMD-5962-85511 REV D-2005 硅单块带三态输出总线接收器晶体管-晶体管逻辑电路,高级肖脱基,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-85097 REV F-2005 硅单块多路复用器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-95763 REV E-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置双重D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-91738 REV A-2005 硅单块八进制D型改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96773 REV C-2005 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA DSCC-DWG-04030-2005 2N5926高功率型,硅NPN晶体管半导体器件
DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4选1译码器或多路分解器,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 硅单块带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87621 REV A-2005 硅单块带输入自动记录器8比特二进制计数器,低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极微型电路
DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 硅单块带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的3到8阵列译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA DSCC-DWG-04029-2005 2N5927高功率型,硅NPN晶体管半导体器件
DLA SMD-5962-85096 REV E-2005 硅单块多路复用器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八角双向的三状态输出母线,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-86840 REV E-2005 硅单块计数器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-85126 REV C-2005 硅单块缓冲器低频率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-96717 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路激励器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-92046 REV A-2004 硅单块稳压器振动器,小功率肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-91753 REV A-2004 硅单块带有源低允许三态非倒转输出的八进制缓冲器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-91627 REV A-2004 硅单块四列二输入是非驱动器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-90800 REV A-2004 硅单块 8比特逐步渐近自动记录器,低功率肖特基晶体管晶体管逻辑电路双极数字微型电路
DLA SMD-5962-90780 REV B-2004 硅单块带非倒转和倒转输入的10比特总线界面触发器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-95776 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输入行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95772 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,8-BIT连续平行转换寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA MIL-PRF-19500/606 B-2004 2N7291,2N7293,2N7295和2N7297,JANTXVM(D和R)以及JANSM(D和R)型硅N型通道场效应抗辐射加固(仅总剂量)晶体管半导体装置
DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA DSCC-DWG-99009 REV A-2004 大功率硅NPN晶体管半导电器件 2N5241型
DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87554 REV E-2004 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双8选1译码器或多路分解器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89684 REV A-2004 硅单片,高压高电流达林顿晶体管阵列,线性微型电路
DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA MIL-S-19500/536 VALID NOTICE 3-2004 2N6671和2N6673 JAN,JANTX和JANTXV 2N6671和2N6673功率类型硅NPN晶体管半导体装置
DLA MIL-S-19500/378 B VALID NOTICE 2-2004 类型2N2497到2N2500,2N3329到2N3332,JANTX的P型通道硅场效应晶体管半导体装置
DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 3-2004 2N1051型硅NPN晶体管半导体装置
DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 2-2004 单接面硅PN晶体管半导体装置,JAN2N5431和JANTX2N5431型
DLA SMD-5962-91531 REV A-2004 硅单块六进制晶体管晶体管逻辑电路到发射极耦合逻辑的翻译器,发射极耦合逻辑,数字微型电路
DLA SMD-5962-92090 REV A-2004 硅单块 10比特缓冲器或行驱动线,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,非同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-04228-2004 硅单片互补晶体管-晶体管逻辑电路,装有预先装置及脉冲计时器,双向二进制计算器的高级氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96903 REV B-2004 双行接收器晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-92066 REV A-2004 硅单块带自动记录器的双向翻译器,八进制发射极耦合逻辑或晶体管-晶体管逻辑电路,发射极耦合逻辑,数字微型电路
DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制总线接收器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制易识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 硅单块带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转行驱动线或缓冲器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的倒转八进制行驱动线或缓冲器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-95642 REV C-2003 先进互补金属氧化物半导体3.3伏特八进制母线无线电接收器,三状态输出和晶体管输出硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 硅单块带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转八进制透明闩锁,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特非倒相八角缓冲器或三状态输出驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-86855 REV A-2003 硅单块 8比特带终端开关晶体管-晶体管逻辑电路和闭回路鉴定与报告兼容输入的并行输入串行输出移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96809 REV B-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT缓冲器或驱动器和22欧姆串联电阻器三状态输出,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96780 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT母线接收器和同等22欧姆输出,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 硅单块方形2输入和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-86856 REV A-2003 硅单块带三态输出和终端开关晶体管-晶体管逻辑电路和闭回路鉴定与报告兼容输入的八进制D型止动销高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-86853 REV A-2003 硅单块带预设置D型双稳态多谐振荡器触发器和带终端开关晶体管-晶体管逻辑电路闭回路鉴定与报告兼容输入的,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-86852 REV A-2003 硅单块方形双输入或带晶体管-晶体管逻辑电路数字输入门的高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-96829 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或线型非倒相三状态兼容输入驱动器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-90958 REV B-2003 硅单块操作放大器,低功率高输出驱动器,结型场效应晶体管输入,直线式微型电路
DLA SMD-5962-96880 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,倒相三状态输出16-BIT缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96827 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,8-BIT诊断扫描寄存器,晶体管输入和有限输出电压摆动,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96775 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,16-BIT入射波开关母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 双极互补金属氧化物半导体,16-BIT三端口母线三状态输出转换器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT到9-BIT三状态输出母线收发器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,18-BIT母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 双极互补金属氧化物半导体,10-BIT母线三状态输出改变和转换,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96751 REV A-2003 双极低功率晶体管,双J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96782 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,八角非倒相三状态输出缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96821 REV C-2003 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 双极的低功率晶体管六角施密特触发器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-88664 REV A-2002 硅单片NPN晶体管阵列高电流线性微电路
DLA SMD-5962-86717 REV D-2002 硅单块 8比特转换自动记录机器晶体管-晶体管逻辑电路低功率肖特基数字微型电路
DLA SMD-5962-86058 REV C-2002 硅单块达林顿晶体管阵列,高电流直线型微型电路
DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 硅单块自动记录器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 硅单块二进制计数器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 硅单块移位寄存器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-89685 REV A-2002 硅单片,高压高电流达林顿晶体管阵列,线性微型电路
DLA SMD-5962-90808 REV C-2002 硅单块操作增强器,双微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
DLA SMD-5962-87717 REV B-2002 硅单块结型场效应晶体管模拟多路复用器,16沟道直线型微型电路
DLA SMD-5962-89876 REV B-2002 硅单片,晶体管阵列,线性微型电路
DLA SMD-5962-96886 REV B-2002 互补金属氧化物半导体,12-BIT类似体对数字转换器连续控制和11类似体输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型数字微电路
DLA SMD-5962-89686 REV A-2002 硅单片,高压高电流达林顿晶体管阵列,线性微型电路
DLA SMD-5962-89897 REV B-2002 硅单片,结型场效应晶体管四重高速准确运算放大器,线性微型电路
DLA SMD-5962-90807 REV D-2002 硅单块操作增强器,微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
DLA SMD-5962-96563 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87595 REV B-2001 硅单块总线接收器高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-87711 REV A-2001 硅单块双单稳多谐振荡器,晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-95537 REV A-2001 双极的先进晶体管,四倍的D类双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-01513-2001 单片硅数字线性微电路 256输出薄膜晶体管(TFT)门驱动器
DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-99590 REV A-2001 微型电路,数字线型,192/200输出,薄膜晶体管们驱动器,单块硅
DLA SMD-5962-87777 REV B-2001 硅单片晶体管阵列/配对线性微电路
DLA SMD-5962-87778 REV A-2001 硅单片功率晶体管线性微电路
DLA SMD-5962-96555 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,可预先设置同步4-BIT二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-94749 REV B-2001 高频晶体管陈列硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87533 REV B-2001 硅单块万能多路复用器,高级低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,数字微型电路
DLA SMD-5962-86833 REV C-2001 硅单块非与门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-87517 REV B-2001 硅单块二进制计数器低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,数字微型电路
DLA SMD-5962-89669 REV A-2001 硅单片,四重单刀单掷结型场效应晶体管模拟开关,线性微型电路
DLA SMD-5962-99589 REV C-2001 微型电路,数字线型,384通道,256渐变色彩薄膜晶体管LCD源驱动器,单块硅
DLA SMD-5962-86836 REV C-2001 硅单块或门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-86838 REV C-2001 硅单块无门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,4-BIT上下二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96565 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95738 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器和重新安排,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95740 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相3到8行码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入排外晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,10到4行优先编码器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95663 REV C-2000 抗辐射高速互补金属氧化物半导体数字的8-BIT连续或平行改变寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制闭锁晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-96715 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出四重缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96721 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,错误监测和改正三状态输出电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八角双向的三状态输出母线,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT奇偶校验,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的四重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-87706 REV A-2000 硅单块操作扩大器,精密结型场效应晶体管输入,直线型微型电路
DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 双极互补金属氧化物半导体3.3伏特16-BIT三状态输出寄存转换器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95753 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重2到4行码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重波纹计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT数量比较器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95746 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,8-BIT三状态输出整体改变计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95751 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95756 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可预先调整的同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95764 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87718 REV A-2000 硅单块结型场效应晶体管模拟多路复用器,4沟道差异直线型微型电路
DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角阳性触发的D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95759 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线收发器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87716 REV A-2000 硅单块结型场效应晶体管模拟多路复用器,8沟道直线型微型电路
DLA MIL-PRF-19500/139 B NOTICE 2-1999 JAN-2N1119型硅PNP晶体管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/74 E NOTICE 1-1999 中功率硅NPN晶体管半导体装置,类型2N497,2N498,2N656和2N657
DLA MIL-PRF-19500/75 B NOTICE 1-1999 单接面硅PN晶体管半导体装置,类型2N2417A到2N2422A和TX2N2417A到TX2N2422A
DLA MIL-PRF-19500/380 B NOTICE 1-1999 类型2N4865,2N5250,2N5251,JANTX,JANTXV和JANS的NPN硅功率晶体管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/569 NOTICE 2-1999 JANTX,JANTXV和JANS 2N6966,2N696,2N6968和2N6969型硅制N型通道场效应晶体管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/378 B NOTICE 1-1999 类型2N2497到2N2500,2N3329到2N3332,JANTX的P型通道硅场效应晶体管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/210 B NOTICE 1-1999 半导体装置,NPN硅光晶体管,类型2N986
DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 双极的互补金属氧化物半导体,计时和等待状态发生器电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2门自动记录器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-95742 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95744 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类阳性触发三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的双重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95747 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角透明三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96725 REV D-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体八角三状态输出透明闭锁装置晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96726 REV D-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八线缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 互补金属氧化物半导体,16-BIT的25欧姆串联电阻器母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 双极的互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角母线接收器和寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96811 REV A-1999 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特18-BIT母线三状态输出接收器扫描监测装置,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的八进制接收器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-95647 REV B-1998 先进互补金属氧化物半导体3.3 V,16-BIT电子数据采集设备D类双稳态多谐振荡器,三状态输出和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT透明的三状态输出D类闭锁装置,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97530-1998 1394-1995多用途链路层控制器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97529-1998 低电压互补金属氧化物半导体,八角母线接收器和三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95775 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95771 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步二进制编码的十进制上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95743 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步可预先调整的4-BIT二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95767 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重2-BIT双稳透明闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元波纹计时器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 双极的互补金属氧化物半导体,10-BIT母线接口D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-94697 REV C-1998 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或25欧姆线路激励器串联电阻器,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 互补金属氧化物半导体数字的三状态输入八进制D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96817 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96806 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或倒相三状态输出驱动器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96783 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角非倒相三状态输出缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角透明的D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96865 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96819 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,八角母线三状态输出接收器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96823 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97571-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97528-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97549-1997 八角D类触发三状态输出双稳态多谐振荡器晶体管硅单片电路数字双极微电路
DLA SMD-5962-96747-1997 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT双向的数据总线扫描路径选择器晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-94718 REV B-1997 先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或驱动放大器三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96878 REV B-1997 2独立或非独立输入三状态输出六角缓冲器或线驱动器晶体管兼容输入硅单片电路数字双极微电路
DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,双重阳性触发D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的缓冲器或钟驱动器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95578 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,已注册整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,16-BIT母线三状态输出无线电收发机,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-94698-1996 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发和寄存器自主式自动导航系统,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96698-1996 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,18-BIT三状态输出收发机和寄存器扫描系统装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96761-1996 双极的互补金属氧化物半导体,1行到8行时钟驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96697-1996 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,18-BIT三状态输出母线交换开关,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
DLA SMD-5962-94744 REV B-1996 16-BIT闭锁无线电奇偶收发器,串联电阻器,晶体管输入和有线输出电压摆动互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 硅单块单一或双或四列操作增强器,结型场效应晶体管低功率,直线式微型电路
DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 硅单块八进制D型边沿触发的触发器,晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94750-1995 互补金属氧化物半导体串联存取受控网络,和并串联转换器晶体管兼容输出硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-94773-1995 9-BIT晶体管数据收发器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95836-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角触发D类三转台输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95762-1995 快速互补金属氧化物半导体,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95614-1995 先进双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线无线电收发机扫描测试装置,三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95835-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-89622 REV A-1994 硅单片,结型场效应晶体管高速运算放大器,数字微型电路
DLA SMD-5962-91716-1994 硅单块带匹配横向传播延误的四倍D型缓冲器,钟驱动器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-91725-1994 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输出,带八进制D型止动栓的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-91661-1993 硅单块四倍三向总线接收器,小功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-91732-1993 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容,3到8线译码器或光学多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-91597-1993 硅单块三倍双向闩锁总线接收器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-91724-1993 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容,带三态输出的双互补金属氧化物半导体的八进制总线接收器和自动记录器,数字微型电路
DLA SMD-5962-90798-1992 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双奇数发生器或校验器
DLA SMD-5962-90710-1992 硅单块带三态输出10比特总线界面D型门闩线路,高级低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-90695-1991 硅单块带三态输出8比特总线界面双稳态多谐振荡器触发器,晶体管-晶体管逻辑电路,高级低功率肖脱基,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-89775-1991 硅单片,四重PNP晶体管阵列,高速线性微型电路
DLA SMD-5962-86870-1987 硅单块 8比特直线外序列移位寄存器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-86069-1986 硅单块量值比较器,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA MIL-S-19500/288 (2)-1966 2N2377型硅制PNP晶体管半导体装置

欧洲电工电子元器件标准，关于硅晶体管的标准

CECC 50 002- 198 ISSUE 1-1982 BS CECC 50 002-198第一期.密封金属封装中的NPN硅额定环境低频率放大晶体管(英文)
CECC 50 004- 093 ISSUE 1-1981 BS CECC 50 004-093;NPN 额定环境,密封金属盒中的硅平面型开关晶体管
CECC 50 004- 084 ISSUE 1-1980 BS CECC 50 004-084;密封金属封装中的P-N-P额定环境硅平面型开关晶体管

英国标准学会，关于硅晶体管的标准

BS 9364 N016-1979 小功率硅P-N-P型开关晶体管详细规范.65V、平面外延、额定环境条件、密封封装.全面附加评定级
BS 9364 N017-1979 小功率硅n-p-n型开关晶体管详细规范.65V、平面外延、额定环境条件、密封封装(长引线型).全面附加评定级
BS 9364 N013-1979 小功率硅P-N-P型开关晶体管详细规范.25V、平面外延、额定环境条件、密封封装、全面附加评定级
BS 9364 N012-1978 小功率硅P-N-P型开关晶体管详细规范.65V、平面外延、额定环境条件、密封封装(长引线型).全面和附加评估级
BS 9364 N008 and N010-1978 小功率硅N-P-N型开关晶体管详细规范.20V、平面外延、额定环境条件、密封封装(长引线型).全面附加评定级
BS 9364 N007 and N009-1978 小功率硅N-P-N型开关晶体管详细规范.20V、平面外延、额定环境条件、密封封装.全面附加评定级
BS 9364 N011-1978 小功率硅P-N-P型开关晶体管详细规范.65V、平面外延、额定环境条件、密封封装、全面附加评定级