Halbleiteranalyse und -prüfung

Für die Halbleiteranalyse und -prüfung gibt es insgesamt 500 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Halbleiteranalyse und -prüfung die folgenden Kategorien: Strahlungsmessung, analytische Chemie, Umwelttests, Diskrete Halbleitergeräte, Optoelektronik, Lasergeräte, Softwareentwicklung und Systemdokumentation, Umfangreiche elektronische Komponenten, Halbleitermaterial, Anorganische Chemie, Prüfung von Metallmaterialien, Wortschatz, Längen- und Winkelmessungen, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Glasfaserkommunikation, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Komponenten elektrischer Geräte, Kernenergietechnik, Isoliermaterialien, Drähte und Kabel, Übertragungs- und Verteilungsnetze, Elektrische und elektronische Prüfung, Industrielles Automatisierungssystem, Isolierflüssigkeit, Mechanische Komponenten für elektronische Geräte, Elektrotechnik umfassend, technische Zeichnung, Strahlenschutz.

HU-MSZT, Halbleiteranalyse und -prüfung

MNOSZ 700-3.lap-1955 Probenvorbereitung für Halbleitermodellanalysetestlabore
MSZ 700/36.lap-1961 Halbleitertestexperimente in Kohlebergwerken
MSZ 700/23.lap-1965 STMicroelectronics testet Koks
MSZ 700/24.lap-1965 STMicroelectronics Kokstest
MSZ 700/26.lap-1961 STMicroelectronics-Tests. Schnelle Methode zur Bestimmung des Aschegehalts
MSZ 700/27.lap-1962 Test-Flash-Definition von STMicroelectronics
MNOSZ 700-8.lap-1955 STMicroelectronics testet Kohlenstoff und Gelbsucht
MSZ 700/41.lap-1961 STMicroelectronics-Tests. Bestimmen Sie schnell den Gesamtschwefelgehalt

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Halbleiteranalyse und -prüfung

IEEE 759-1984 Testverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
IEEE 660-1986 Mustersprache für Halbleiterspeichertests
IEEE No 256-1963 IEEE-Testverfahren für Halbleiterdioden
IEEE Std 660-1986 IEEE-Standard für die Testmustersprache für Halbleiterspeicher
IEEE Std 300-1988 IEEE-Standardtestverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
ANSI/IEEE Std 300-1982 IEEE-Standardtestverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
ANSI/IEEE Std 759-1984 IEEE-Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
IEEE Std C62.35-1987 IEEE-Standardtestspezifikationen für Avalanche Junction-Halbleiter-Überspannungsschutzgeräte

British Standards Institution (BSI), Halbleiteranalyse und -prüfung

BS EN 61207-7:2014 Leistungsausdruck von Gasanalysatoren. Abstimmbare Halbleiterlaser-Gasanalysatoren
BS EN 61207-7:2013 Leistungsausdruck von Gasanalysatoren. Abstimmbare Halbleiterlaser-Gasanalysatoren
BS IEC 60747-18-1:2019 Halbleiterbauelemente. Halbleiter-Biosensoren. Testmethode und Datenanalyse zur Kalibrierung linsenloser CMOS-Photonik-Array-Sensoren
BS EN IEC 63364-1:2022 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente für IoT-Systeme – Testmethode zur Erkennung von Klangschwankungen
BS IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die thermischen Eigenschaften flexibler Materialien
BS IEC 62951-7:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Testverfahren zur Charakterisierung der Barriereleistung der Dünnschichtverkapselung für flexible organische Halbleiter
22/30443678 DC BS EN 60749-34-1. Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34-1. Power-Cycling-Test für Leistungshalbleitermodule
BS IEC 62951-6:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für den Schichtwiderstand flexibler leitender Filme
BS IEC 62373-1:2020 Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Schneller BTI-Test für MOSFET
BS IEC 62951-1:2017 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
BS IEC 63275-1:2022 Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren – Testverfahren für die Instabilität der Vorspannungstemperatur
18/30381548 DC BS EN 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
17/30366375 DC BS IEC 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
BS EN 60749-7:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
BS EN 60749-7:2011 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1. Halbleiterbauelemente. Halbleitergeräte für IOT-Systeme. Teil 1. Testverfahren zur Erkennung von Klangvariationen
BS EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
22/30443234 DC BS EN 63378-3. Thermische Standardisierung für Halbleitergehäuse – Teil 3. Simulationsmodelle für thermische Schaltkreise von Halbleitergehäusen für die Transientenanalyse
14/30297227 DC BS EN 62880-1. Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeit auf Waferebene für Halbleiterbauelemente. Testmethode für Kupfer-Stressmigration
23/30469486 DC BS EN IEC 63378-2. Thermische Standardisierung von Halbleitergehäusen – Teil 2. 3D-Thermalsimulationsmodelle diskreter Halbleitergehäuse für die stationäre Analyse
23/30469010 DC BS EN IEC 63378-3. Thermische Standardisierung für Halbleitergehäuse – Teil 3. Simulationsmodelle für thermische Schaltkreise diskreter Halbleitergehäuse für die Transientenanalyse
20/30406230 DC BS IEC 63275-1. Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid. Teil 1. Testmethode für Bias-Temperaturinstabilität
BS IEC 60747-14-11:2021 Halbleitergeräte – Halbleitersensoren. Testverfahren für auf Oberflächenwellen basierende integrierte Sensoren zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
BS IEC 62951-9:2022 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Leistungstestmethoden für Widerstandsspeicherzellen mit einem Transistor und einem Widerstand (1T1R).
BS IEC 62880-1:2017 Halbleiterbauelemente. Stress-Migration-Teststandard – Stress-Migration-Teststandard für Kupfer
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Teil 39. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
13/30284029 DC BS EN 60191-6-16. Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 6-16. Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
BS EN 60749-34:2010 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Power-Cycling
BS EN 60749-6:2017 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Lagerung bei hoher Temperatur
BS EN IEC 60749-17:2019 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Neutronenbestrahlung
18/30355426 DC BS EN 62830-5. Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Teil 5. Prüfverfahren zur Messung der von flexiblen thermoelektrischen Geräten erzeugten Leistung
19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11. Halbleiterbauelemente. Teil 14-11. Halbleitersensoren. Testverfahren für einen auf akustischen Oberflächenwellen basierenden integrierten Sensor zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11. Halbleiterbauelemente. Teil 14-11. Halbleitersensoren. Testverfahren für einen auf akustischen Oberflächenwellen basierenden integrierten Sensor zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
PD ES 59008-4-1:2001 Datenanforderungen für Halbleiterchips. Spezifische Anforderungen und Empfehlungen. Test und Qualität
BS EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Dünnschicht-Standardteststück für Zugversuche
20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0. Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid. Teil 2. Prüfverfahren für bipolare Verschlechterung durch Body-Diode-Betrieb
IEC TR 63357:2022 Halbleiterbauelemente. Standardisierungs-Roadmap für Fehlertestmethoden für Kraftfahrzeuge
BS EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
BS IEC 62951-8:2023 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für Dehnbarkeit, Flexibilität und Stabilität flexibler Widerstandsspeicher
BS IEC 62830-5:2021 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Prüfverfahren zur Messung der von flexiblen thermoelektrischen Geräten erzeugten Leistung
BS EN IEC 60749-26:2018 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Menschliches Körpermodell (HBM)
BS IEC 62830-4:2019 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Test- und Bewertungsmethoden für flexible piezoelektrische Energiegewinnungsgeräte
BS EN 60749-9:2017 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Beständigkeit der Markierung
BS EN 60749-3:2017 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Äußere visuelle Prüfung

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Halbleiteranalyse und -prüfung

JEDEC JEP140-2002 Messung der Temperatur von Halbleitergehäusen mit Perlen-Thermoelementen
JEDEC JESD22-B108A-2003 Koplanaritätstest für oberflächenmontierte Halbleiterbauelemente
JEDEC JESD22-B108B-2010 Koplanaritätstest für oberflächenmontierte Halbleiterbauelemente
JEDEC JEP134-1998 Richtlinien für die Vorbereitung von vom Kunden bereitgestellten Hintergrundinformationen im Zusammenhang mit der Fehleranalyse von Halbleiterbauelementen

German Institute for Standardization, Halbleiteranalyse und -prüfung

DIN 50452-1:1995-11 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 1: Mikroskopische Bestimmung von Partikeln
DIN EN 61207-7:2015-07 Leistungsausdruck von Gasanalysatoren - Teil 7: Abstimmbare Halbleiterlaser-Gasanalysatoren (IEC 61207-7:2013); Deutsche Fassung EN 61207-7:2013 / Hinweis: Gilt in Verbindung mit DIN EN 61207-1 (2011-04).
DIN 50452-3:1995-10 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 3: Kalibrierung optischer Partikelzähler
DIN EN 62415:2010-12 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest (IEC 62415:2010); Deutsche Fassung EN 62415:2010
DIN EN 62417:2010-12 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
DIN 50452-2:2009-10 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 2: Bestimmung von Partikeln durch optische Partikelzähler
DIN 50441-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 2: Prüfung des Kantenprofils
DIN 50441-1:1996 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 1: Dicke und Dickenschwankung
DIN 50441-5:2001 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 5: Begriffe der Form- und Ebenheitsabweichung
DIN EN 60749-44:2017-04 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente (IEC 60749-44:2016); Deutsche Fassung EN 60749-44:2016
DIN EN 62416:2010-12 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010
DIN 50448:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Widerstands von halbisolierenden Halbleiterscheiben mittels einer kapazitiven Sonde
DIN EN 60749-7:2012 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase (IEC 60749-7:2011); Deutsche Fassung EN 60749-7:2011
DIN EN 60749-29:2012-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-Up-Test (IEC 60749-29:2011); Deutsche Fassung EN 60749-29:2011 / Hinweis: DIN EN 60749-29 (2004-07) bleibt neben dieser Norm bis zum 12.05.2014 gültig.
DIN EN 62418:2010-12 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Hohlraumtest (IEC 62418:2010); Deutsche Fassung EN 62418:2010
DIN EN 60749-38:2008-10 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (IEC 60749-38:2008); Deutsche Fassung EN 60749-38:2008
DIN EN 60749-7:2012-02 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase (IEC 60749-7:2011); Deutsche Fassung EN 60749-7:2011 / Hinweis: DIN EN 60749-7 (2003-04) bleibt weiterhin gültig...
DIN 50452-1:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 1: Mikroskopische Bestimmung von Partikeln
DIN EN 60191-6-16:2007-11 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertests und Burn-in-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Deutsche Fassung EN 60191-6-16:2007 / Hinweis: Wird durch DIN EN 60191-6-16 (2013-...) ersetzt.
DIN 50452-2:2009 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 2: Bestimmung von Partikeln durch optische Partikelzähler
DIN 50449-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 2: Bor in Galliumarsenid
DIN EN 60749-39:2007-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006 / Hinweis: Zu beachten...
DIN EN 60749-8:2003-12 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 8: Abdichtung (IEC 60749-8:2002 + Corr. 1:2003 + Corr. 2:2003); Deutsche Fassung EN 60749-8:2003 / Hinweis: Unter bestimmten Voraussetzungen behält die DIN EN 60749 (2002-09) neben dieser Norm ihre Gültigkeit...
DIN 51456:2013-10 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Oberflächenanalyse von Siliziumwafern durch Multielementbestimmung in wässrigen Analyselösungen mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)
DIN EN 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (IEC 60749-38:2008); Deutsche Fassung EN 60749-38:2008
DIN EN 60749-21:2012-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit (IEC 60749-21:2011); Deutsche Fassung EN 60749-21:2011 / Hinweis: DIN EN 60749-21 (2005-06) bleibt neben dieser Norm bis zum 12.05.2014 gültig.
DIN EN IEC 60749-13:2018-10 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 13: Salzatmosphäre (IEC 60749-13:2018); Deutsche Fassung EN IEC 60749-13:2018 / Hinweis: DIN EN 60749-13 (2003-04) bleibt neben dieser Norm bis zum 22.03.2021 gültig.
DIN SPEC 1994:2017-02 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
DIN EN 61207-7:2015 Leistungsausdruck von Gasanalysatoren - Teil 7: Abstimmbare Halbleiterlaser-Gasanalysatoren (IEC 61207-7:2013); Deutsche Fassung EN 61207-7:2013
DIN EN 60749-34:2011-05 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Leistungswechsel (IEC 60749-34:2010); Deutsche Fassung EN 60749-34:2010 / Hinweis: DIN EN 60749-34 (2004-10) bleibt neben dieser Norm bis zum 01.12.2013 gültig.
DIN EN 60749-25:2004-04 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 25: Temperaturwechsel (IEC 60749-25:2003); Deutsche Fassung EN 60749-25:2003 / Hinweis: Die DIN EN 60749 (2002-09) bleibt unter bestimmten Voraussetzungen neben dieser Norm bis 2006-0 gültig...
DIN EN 60749-27:2013-04 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) - Maschinenmodell (MM) (IEC 60749-27:2006 + A1:2012); Deutsche Fassung EN 60749-27:2006 + A1:2012 / Hinweis: DIN EN 60749-27 (2007-01) re...
DIN EN 60749-6:2017-11 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen (IEC 60749-6:2017); Deutsche Fassung EN 60749-6:2017 / Hinweis: DIN EN 60749-6 (2003-04) bleibt neben dieser Norm bis zum 07.04.2020 gültig.
DIN EN 60749-22:2003-12 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 22: Haftfestigkeit (IEC 60749-22:200 + Corr. 1:2003); Deutsche Fassung EN 60749-22:2003 / Hinweis: Unter bestimmten Voraussetzungen behält die DIN EN 60749 (2002-09) neben dieser Norm ihre Gültigkeit bis...
DIN EN IEC 60749-12:2018-07 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 12: Vibration, variable Frequenz (IEC 60749-12:2017); Deutsche Fassung EN IEC 60749-12:2018 / Hinweis: DIN EN 60749-12 (2003-04) bleibt neben dieser Norm bis zum 17.01.2021 gültig.
DIN 50452-3:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 3: Kalibrierung optischer Partikelzähler
DIN ISO 15632:2015 Mikrostrahlanalyse – Ausgewählte instrumentelle Leistungsparameter für die Spezifikation und Überprüfung energiedispersiver Röntgenspektrometer für den Einsatz in der Elektronenstrahl-Mikroanalyse (ISO 15632:2012)
DIN EN 60191-6-16:2007 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertests und Burn-in-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Deutsche Fassung EN 60191-6-16:2007
DIN 50453-3:2001 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Ätzraten von Ätzmischungen – Teil 3: Aluminium, gravimetrische Methode
DIN EN 62374-1:2011-06 Halbleiterbauelemente - Teil 1: Zeitabhängiger dielektrischer Durchschlagstest (TDDB) für Zwischenmetallschichten (IEC 62374-1:2010); Deutsche Fassung EN 62374-1:2010 + AC:2011
DIN EN 60749-36:2003-12 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 36: Beschleunigung, stationärer Zustand (IEC 60749-36:2003); Deutsche Fassung EN 60749-36:2003 / Hinweis: Die DIN EN 60749 (2002-09) bleibt unter bestimmten Voraussetzungen neben dieser Norm bis... gültig.
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 47/2652/CDV:2020); Englische Version prEN IEC 60749-39:2020 / Nicht...
DIN EN 60749-39:2007 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006
DIN 50443-1:1988 Prüfung von Materialien zur Verwendung in der Halbleitertechnologie; Erkennung von Kristalldefekten und Inhomogenitäten in Silizium-Einkristallen mittels Röntgentopographie
DIN 51456:2013 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Oberflächenanalyse von Siliziumwafern durch Multielementbestimmung in wässrigen Analyselösungen mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)
DIN EN 60749-14:2004-07 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 14: Robustheit von Anschlüssen (Leiterintegrität) (IEC 60749-14:2003); Deutsche Fassung EN 60749-14:2003 / Hinweis: Unter bestimmten Voraussetzungen bleibt DIN EN 60749 (2002-09) neben der DIN EN 60749-14:2003 gültig.
DIN EN 60749-19:2011-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Scherfestigkeit der Chips (IEC 60749-19:2003 + A1:2010); Deutsche Fassung EN 60749-19:2003 + A1:2010 / Hinweis: DIN EN 60749-19 (2003-10) bleibt neben dieser Norm bis zum 01.09.2013 gültig.
DIN EN 60749-9:2017-11 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 9: Dauerhaftigkeit der Markierung (IEC 60749-9:2017); Deutsche Fassung EN 60749-9:2017 / Hinweis: DIN EN 60749-9 (2003-04) bleibt neben dieser Norm bis zum 07.04.2020 gültig.
DIN EN 62047-2:2007-02 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
DIN EN 60749-3:2018-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 3: Äußere visuelle Prüfung (IEC 60749-3:2017); Deutsche Fassung EN 60749-3:2017 / Hinweis: DIN EN 60749-3 (2003-04) bleibt neben dieser Norm bis zum 07.04.2020 gültig.
DIN EN 62047-10:2012-03 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (IEC 62047-10:2011); Deutsche Fassung EN 62047-10:2011
DIN EN 60749-23:2011-07 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Betriebsdauer bei hohen Temperaturen (IEC 60749-23:2004 + A1:2011); Deutsche Fassung EN 60749-23:2004 + A1:2011 / Hinweis: DIN EN 60749-23 (2004-10) bleibt neben dieser Norm bis... gültig.

Association Francaise de Normalisation, Halbleiteranalyse und -prüfung

NF EN IEC 63364-1:2023 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für das IDO-System – Teil 1: Prüfverfahren zur Erkennung akustischer Abweichungen
NF C46-251-7*NF EN 61207-7:2014 Ausdruck der Leistung von Gasanalysatoren – Teil 7: Abstimmbare Halbleiterlaser-Gasanalysatoren
NF EN 61207-7:2014 Leistungsausdruck für Gasanalysatoren – Teil 7: Durchstimmbare Halbleiterlaser-Gasanalysatoren
NF EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest
NF EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionenprüfung für Metalloxid-Feldeffekthalbleitertransistoren (MOSFETs)
NF EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Prüfverfahren für die Auswirkungen eines Einzelereignisses (SEE), das mit einem Neutronenstrahl bestrahlt wird, für Halbleiterbauelemente
NF EN 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
NF EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Tests an MOS-Transistoren
NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahl-bestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente
NF EN 60749-29:2012 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 29: Latch-Test
NF C96-022-7*NF EN 60749-7:2012 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase.
NF EN 60749-7:2012 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des inneren Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
NF EN 62418:2011 Halbleiterbauelemente – Prüfung von Hohlräumen aufgrund von Metallisierungsspannungen
NF C96-022-38*NF EN 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher.
NF X21-008:2012 Mikrostrahlanalyse – Ausgewählte instrumentelle Leistungsparameter für die Spezifikation und Überprüfung energiedispersiver Strahlenspektrometer für den Einsatz in der Elektronensonden-Mikroanalyse
NF EN 60749-8:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Dichtheit
NF EN 60749-1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 1: Allgemeines
NF X20-305:1975 Gasanalyse durch elektrische Leitfähigkeitsmessung.
NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die in Halbleiterbauelementen verwendet werden
NF EN 60749-21:2012 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
NF EN 60749-2:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: niedriger Atmosphärendruck
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
NF X20-355:1975 Gasanalyse-Bestimmung von Schwefeldioxid mittels elektrischer Konduktimetrie.
NF EN 60749-6:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Hochtemperaturlagerung
NF EN 60749-25:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 25: Temperaturzyklen
NF EN 60749-34:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel
NF EN IEC 60749-13:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
NF EN IEC 60749-17:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 17: Neutronenbestrahlung
NF C53-225:1985 Prüfung von Halbleiterventilen für die Hochspannungs-Gleichstromübertragung.
NF EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Standardisierte Dünnschichtprüfkörper für Zugversuche
NF C96-022-26*NF EN IEC 60749-26:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM)
NF EN IEC 60749-26:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 26: Prüfung der Anfälligkeit für elektrostatische Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM)
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
NF EN 60749-9:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 9: Dauerhaftigkeit der Markierung
NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF EN IEC 60749-12:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibrationen, variable Frequenzen
NF EN 60749-19/A1:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 19: Chip-Scherfestigkeit
NF EN 60749-19:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 19: Chip-Scherfestigkeit
NF EN 60749-3:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Halbleiteranalyse und -prüfung

GB/T 31359-2015 Testmethoden von Halbleiterlasern
GB/T 5201-1994 Testverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
GB/T 1550-1997 Standardmethoden zur Messung der Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitermaterialien
GB/T 13974-1992 Testmethoden für Kurvenverfolgungsgeräte für Halbleiterbauelemente
GB/T 6616-2023 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen
GB/T 42975-2023 Testmethoden für integrierte Halbleiterschaltkreistreiber
GB/T 42838-2023 Hall-Schaltungstestverfahren für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 43061-2023 Testverfahren für integrierte Halbleiterschaltkreise mit PWM-Controller
GB/T 42676-2023 Röntgenbeugungsmethode zur Prüfung der Qualität von Halbleitereinkristallen
GB 35007-2018 Verfahren zum Testen von Niederspannungs-Differenzsignalschaltungen für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 36477-2018 Integrierte Halbleiterschaltung. Messmethoden für Flash-Speicher
GB/T 4377-2018 Integrierte Halbleiterschaltungen. Messverfahren von Spannungsreglern
GB/T 15653-1995 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
GB/T 43040-2023 Prüfverfahren für integrierte Halbleiterschaltkreise für AC/DC-Wandler
GB/T 42970-2023 Methoden zum Testen von Videocodierungs- und -decodierungsschaltungen für integrierte Halbleiterschaltkreise
GB/T 14862-1993 Methoden zum Testen des thermischen Widerstands zwischen Verbindung und Gehäuse von Gehäusen für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 8446.2-2004 Kühlkörper für Leistungshalbleiterbauelemente Teil 2: Messverfahren für den Wärmewiderstand und die Druckdifferenz zwischen Eingangsflüssigkeit und Ausgangsflüssigkeit
GB/T 15651.3-2003 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente Messmethoden
GB/T 14028-1992 Allgemeine Prinzipien der Messmethoden analoger Schalter für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 14030-1992 Allgemeine Prinzipien der Messmethoden von Zeitgeberschaltungen für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 42848-2023 Testverfahren für einen direkten digitalen Frequenzsynthesizer einer integrierten Halbleiterschaltung
GB 14030-1992 Grundprinzipien zeitbasierter Schaltungstestmethoden für integrierte Halbleiterschaltungen
GB 14028-2018 Grundprinzipien der Testmethoden für analoge Halbleiterschaltkreise

CZ-CSN, Halbleiteranalyse und -prüfung

CSN 35 1540-1979 Tests von Leistungshalbleiterwandlern
CSN IEC 749:1994 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden
CSN 35 6575 Z1-1997 Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
CSN 35 8737-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden. Messung der Differential-Rosistanoe
CSN 35 1601-1980 Leistungshalbleitergeräte. Allgemeine technische Anforderungen. Testmethoden
CSN IEC 596:1994 Definitionen der Testmethodenbegriffe für Halbleiterstrahlungsdetektoren und Szintillationszählung

RO-ASRO, Halbleiteranalyse und -prüfung

STAS 11066/2-1980 THYRISTOREN Testmethoden
STAS 6693/2-1975 Halbleiterbauelemente TRANSISTOREN Methoden zur Messung elektrischer Eigenschaften
STAS 10810-1976 HALBLEITERDETEKTOREN FÜR KERNSTRAHLUNG Klassifizierung und Terminologie

Defense Logistics Agency, Halbleiteranalyse und -prüfung

DLA MIL-STD-750 F CHANGE 1-2013 TESTVERFAHREN FÜR HALBLEITERGERÄTE
DLA MIL-STD-750 F-2012 TESTVERFAHRENSTANDARD FÜR HALBLEITERGERÄTE
DLA MIL STD 750 3-2012 TESTVERFAHREN ELEKTRISCHE STANDARD-TRANSISTOR-TESTVERFAHREN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 3: TESTVERFAHREN 3000 BIS 3999
DLA MIL STD 750 1-2012 PRÜFMETHODE STANDARD-UMWELTPRÜFMETHODEN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 1: PRÜFMETHODEN 1000 BIS 1999
DLA MIL STD 750 2-2012 PRÜFMETHODE STANDARDMECHANISCHE TESTVERFAHREN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 2: PRÜFMETHODEN 2001 BIS 2999
DLA MIL STD 750 4 E-2012 TESTMETHODE STANDARD-DIODEN-ELEKTRISCHE TESTMETHODEN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 4: TESTMETHODEN 4000 BIS 4999
DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 1-2013 PRÜFMETHODE STANDARD-UMWELTPRÜFMETHODEN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 1: PRÜFMETHODEN 1000 BIS 1999
DLA MIL-STD-750-2 CHANGE 3-2013 PRÜFMETHODE STANDARDMECHANISCHE TESTVERFAHREN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 2: PRÜFMETHODEN 2001 BIS 2999
DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 2-2013 PRÜFMETHODE STANDARD-UMWELTPRÜFMETHODEN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 1: PRÜFMETHODEN 1000 BIS 1999

IN-BIS, Halbleiteranalyse und -prüfung

IS 7412-1974 Lebensdauertest von Halbleiterbauelementen
IS 9816-1981 Allgemeine Anforderungen und Klassifizierungen für die Prüfung von Halbleiterbauelementen
IS 4400 Pt.4-1981 Messmethoden für Halbleiterbauelemente Teil IV Transistoren
IS 4400 Pt.1-1967 Messmethoden für Halbleiterbauelemente Teil Ⅰ Allgemeine Grundsätze
IS 12641-1989 Umwelttestverfahren für Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise
IS 12737-1988 Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
IS 4400 Pt.10-1983 Messmethoden für Halbleiterbauelemente Teil 10 Feldeffekttransistoren

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, Halbleiteranalyse und -prüfung

JJF 2009-2022 Kalibrierungsspezifikation für Halbleiterparameter-Präzisionsanalysatoren
JJF 1895-2021 Kalibrierungsspezifikation für Gleichstrom- und Niederfrequenzparameter-Testgeräte für Halbleiterbauelemente

Professional Standard - Electron, Halbleiteranalyse und -prüfung

SJ 20234-1993 Verifizierungsregelung des Halbleiterparameteranalysators Modell HP4145A
SJ/Z 3206.13-1989 Allgemeine Regeln für die Emissionsspektrumanalyse von Halbleitermaterialien
SJ/T 2215-2015 Messmethoden für Halbleiter-Optokoppler
SJ 2749-1987 Messverfahren für Halbleiterlaserdioden
SJ 2214.1-1982 Allgemeine Messverfahren für Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
SJ/T 11394-2009 Messmethoden für Halbleiter-Leuchtdioden
SJ 20744-1999 Allgemeine Regel der Infrarot-Absorptionsspektralanalyse für die Verunreinigungskonzentration in Halbleitermaterialien
SJ 20788-2000 Messverfahren für die thermische Impedanz von Halbleiterdioden
SJ 2355.1-1983 Allgemeine Messverfahren für lichtemittierende Geräte
SJ 2215.1-1982 Allgemeine Messverfahren für Halbleiter-Optokoppler
SJ 20787-2000 Messverfahren für den thermischen Widerstand von Halbleiter-Brückengleichrichtern
SJ/T 11399-2009 Messmethoden für Chips von Leuchtdioden
SJ 20233-1993 Verifizierungsvorschriften für das Testsystem für diskrete Halbleiterbauelemente Modell IMPACT-II
SJ/T 11818.1-2022 Halbleiter-UV-emittierende Dioden Teil 1: Prüfverfahren
SJ 2355.5-1983 Methode zur Messung der Lichtstärke und des Halbwertswinkels von lichtemittierenden Geräten
SJ 2065-1982 Prüfverfahren für einen Diffusionsofen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
SJ 2355.6-1983 Methode zur Messung des Lichtstroms von lichtemittierenden Geräten
SJ 2355.4-1983 Methoden zur Messung der Sperrschichtkapazität lichtemittierender Geräte
SJ/T 2214-2015 Messmethoden für Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
SJ 2355.3-1983 Methode zur Messung des Rückstroms lichtemittierender Geräte
SJ 2355.2-1983 Methode zur Messung des Vorwärtsspannungsabfalls lichtemittierender Geräte
SJ/T 10482-1994 Testverfahren zur Charakterisierung tiefer Halbleiterebenen durch transiente Kapazitätstechniken
SJ 20026-1992 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ 2214.3-1982 Methode zur Messung des Dunkelstroms von Halbleiterfotodioden
SJ 2214.5-1982 Methode zur Messung der Sperrschichtkapazität von Halbleiterfotodioden
SJ 2214.8-1982 Methode zur Messung der Dunkelstromspannung von Halbleiter-Fototransistoren
SJ 2658.1-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden Allgemeine Regeln
SJ 2658.9-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für die Intensitätsraumverteilung und den Halbwertswinkel der Strahlung
SJ 2658.4-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung der Kapazität
SJ 2355.7-1983 Methode zur Messung der Spitzenemissionswellenlänge und der spektralen Strahlungsbandbreite lichtemittierender Geräte
SJ 2214.2-1982 Methode zur Messung der Durchlassspannung von Halbleiterfotodioden
SJ 2214.7-1982 Methode zur Messung der Sättigungsspannung von Halbleiter-Fototransistoren
SJ 2214.10-1982 Methode zur Messung des Lichtstroms von Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
SJ 2658.2-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung des Vorwärtsspannungsabfalls
SJ 2658.3-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für die Rückwärtsspannung
SJ/T 11820-2022 Technische Anforderungen und Messmethoden für DC-Parameter-Testgeräte für diskrete Halbleiterbauelemente
SJ 2215.6-1982 Methode zur Messung der Sperrschichtkapazität von Halbleiter-Fotokopplern (Dioden)
SJ 2215.8-1982 Messmethode für die Ausgangssättigungsspannung von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ 2658.7-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung des Strahlungsflusses
SJ 2658.10-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für moduliertes Breitband
SJ 2658.12-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung der Spitzenemissionswellenlänge und der spektralen Halbwertsbreite
SJ/T 11874-2022 Stresstestverfahren für diskrete Halbleiterbauelemente, die in Elektrofahrzeugen verwendet werden
SJ 2215.14-1982 Methode zur Messung der Eingangs-Ausgangs-Isolationsspannung von Halbleiter-Optokopplern
SJ 2757-1987 Methode zur Messung der Ladungsträgerkonzentration von stark dotierten Halbleitern mittels Infrarotreflexion
SJ 2215.3-1982 Methode zur Messung des Durchlassstroms von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ 2214.4-1982 Methode zur Messung der Sperrdurchbruchspannung von Halbleiterfotodioden
SJ 2215.4-1982 Methode zur Messung des Rückstroms von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ 2215.10-1982 Methode zur Messung des Gleichstromübertragungsverhältnisses von Halbleiter-Optokopplern
SJ 2215.12-1982 Methode zur Messung der Eingangs-Ausgangskapazität von Halbleiter-Optokopplern
SJ/T 10735-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen Allgemeine Prinzipien der Messmethoden für TTL-Schaltungen
SJ/T 10736-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen – Allgemeine Grundlagen der Messmethoden für HTL-Schaltungen
SJ/T 10737-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen – Allgemeine Grundsätze der Messmethoden für ECL-Schaltungen
SJ/T 10741-2000 Integrierte Halbleiterschaltungen Allgemeine Prinzipien der Messmethoden für CMOS-Schaltungen
SJ/T 10741-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen – Allgemeine Prinzipien der Messmethoden für CMOS-Schaltungen
SJ 2215.2-1982 Methode zur Messung der Durchlassspannung von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ 2215.13-1982 Methode zur Messung des Isolationswiderstands zwischen Eingang und Ausgang von Halbleiter-Optokopplern
SJ 2658.6-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für die optische Ausgangsleistung
SJ 2658.8-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für die normale Strahlungsdichte
SJ 2658.5-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für den Vorwärtsserienwiderstand
SJ 2658.11-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung der Impulsantworteigenschaften

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Halbleiteranalyse und -prüfung

JJG(电子) 31010-2007 Verifizierungsvorschriften für den Präzisionsanalysator von Halbleiterparametern
JJG(电子) 310002-2006 Spezifikation zur Verifizierung von DC-Parametertestern für diskrete Halbleiterbauelemente
JJG(电子) 310003-2006 Spezifikation zur Verifizierung von Kondensatorparametertestern für diskrete Halbleiterbauelemente
JJG(电子) 04008-1987 Versuchsverifizierungsvorschriften für QE1A Doppelbasis-Halbleiterröhrentester
JJG(电子) 04023-1989 Spezifikation zur Überprüfung des Hochleistungs-Halbleitertrioden-TF-Testers Modell BJ2970

International Electrotechnical Commission (IEC), Halbleiteranalyse und -prüfung

IEC 61207-7:2013 Leistungsausdruck von Gasanalysatoren – Teil 7: Abstimmbare Halbleiterlaser-Gasanalysatoren
IEC 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
IEC 60747-18-1:2019 Halbleiterbauelemente – Teil 18-1: Halbleiter-Biosensoren – Prüfverfahren und Datenanalyse zur Kalibrierung von linsenfreien CMOS-Photonik-Array-Sensoren
IEC 61207-7:2013/COR1:2015 Leistungsausdruck von Gasanalysatoren - Teil 7: Abstimmbare Halbleiterlaser-Gasanalysatoren; Berichtigung 1
IEC 63364-1:2022 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für IoT-Systeme – Teil 1: Testverfahren zur Erkennung von Schallschwankungen
IEC 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente
IEC 60749-7:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
IEC 60749-7:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
IEC 60749-7/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
IEC 62951-9:2022 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 9: Leistungstestverfahren für Widerstandsspeicherzellen mit einem Transistor und einem Widerstand (1T1R).
IEC 62951-6:2019 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 6: Prüfverfahren für den Schichtwiderstand flexibler leitender Filme
IEC 60749-39:2021 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
IEC 60749-13:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
IEC 62951-1:2017 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 1: Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
IEC 60333:1993 Nukleare Instrumentierung; Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen; Testverfahren
IEC 62880-1:2017 Halbleiterbauelemente – Stressmigrationsteststandard – Teil 1: Stressmigrationsteststandard für Kupfer
IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 5: Prüfverfahren für thermische Eigenschaften flexibler Materialien
IEC 62830-5:2021 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 5: Prüfverfahren zur Messung der erzeugten Leistung flexibler thermoelektrischer Bauelemente
IEC 62373-1:2020 Halbleiterbauelemente – Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Teil 1: Schneller BTI-Test für MOSFET
IEC 60749-34:2010 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel
IEC 60191-6-16:2007 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
IEC 63275-1:2022 Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die Zuverlässigkeit von diskreten Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 1: Prüfverfahren für die Instabilität der Vorspannungstemperatur
IEC 60747-14-11:2021 Halbleiterbauelemente – Teil 14-11: Halbleitersensoren – Prüfverfahren für integrierte Sensoren auf der Basis akustischer Oberflächenwellen zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
IEC 60749-3:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung
IEC 60747-5-3:1997 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente – Messverfahren

未注明发布机构, Halbleiteranalyse und -prüfung

BS EN 61207-7:2013(2015) Leistungsausdruck von Gasanalysatoren Teil 7: Abstimmbare Halbleiterlaser-Gasanalysatoren
GJB 128A-1997 Testmethoden für diskrete Halbleiterbauelemente
DIN ISO 15632 E:2015-05 Mikrostrahlanalyse – Ausgewählte instrumentelle Leistungsparameter für die Spezifikation und Überprüfung energiedispersiver Röntgenspektrometer für den Einsatz in der Elektronensonden-Mikroanalyse
DIN ISO 15632 E:2022-03 Mikrostrahlanalyse – Ausgewählte instrumentelle Leistungsparameter für die Spezifikation und Überprüfung energiedispersiver Röntgenspektrometer für den Einsatz in der Elektronensonden-Mikroanalyse
DIN EN 60191-6-16 E:2013-08 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
DIN SPEC 1994 E:2016-07 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
DIN 51456 E:2012-10 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Oberflächenanalyse von Siliziumwafern durch Multielementbestimmung in wässrigen Analyselösungen mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)
DIN EN 60749-44 E:2014-08 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente
DIN EN 60749-6 E:2016-09 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen
BS IEC 62526:2007(2010) Standard für Erweiterungen der Standard Test Interface Language (STIL) für Halbleiter-Designumgebungen

ES-UNE, Halbleiteranalyse und -prüfung

UNE-EN 61207-7:2013 Leistungsausdruck von Gasanalysatoren – Teil 7: Abstimmbare Halbleiterlaser-Gasanalysatoren (Befürwortet von AENOR im Januar 2014.)
UNE-EN 61207-7:2013/AC:2015 Leistungsausdruck von Gasanalysatoren – Teil 7: Abstimmbare Halbleiterlaser-Gasanalysatoren (Befürwortet von AENOR im September 2015.)
UNE-EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest (von AENOR im September 2010 empfohlen.)
UNE-EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (Befürwortet von AENOR im September 2010.)
UNE-EN 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 38: Soft-Error-Testverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (Genehmigt von AENOR im September 2008.)
UNE-EN IEC 63364-1:2023 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für IOT-Systeme – Teil 1: Testmethode zur Erkennung von Schallschwankungen (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im März 2023.)
UNE-EN 60749-7:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase (Genehmigt von AENOR im Dezember 2011.)
UNE-EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente (Genehmigt von AENOR im Dezember 2016.)
UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente (Genehmigt von AENOR im Dezember 2016.)
UNE-EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren (Befürwortet von AENOR im September 2010.)
UNE-EN 60749-29:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 29: Latch-up-Test (Genehmigt von AENOR im November 2011.)
UNE-EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test (von AENOR im Oktober 2010 empfohlen.)
UNE-EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im März 2022.)
UNE-EN IEC 60749-13:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 13: Salzatmosphäre (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Mai 2018.)
UNE-EN 60749-21:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 21: Lötbarkeit (Genehmigt von AENOR im November 2011.)
UNE-EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006). (Von AENOR im November 2006 gebilligt.)
UNE-EN IEC 60749-17:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 17: Neutronenbestrahlung (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Juni 2019.)
UNE-EN IEC 60749-12:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibration, variable Frequenz (Genehmigt von der Asociación Española de Normalización im April 2018.)
UNE-EN 60191-6-16:2007 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertests und Burn-in-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007). (Von AENOR im Oktober 2007 gebilligt.)
UNE-EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnfilm-Standardteststück für Zugversuche (IEC 62047-3:2006) (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
UNE-EN 62374-1:2010 Halbleiterbauelemente – Teil 1: Zeitabhängiger dielektrischer Durchschlagstest (TDDB) für Zwischenmetallschichten (Befürwortet von AENOR im März 2011.)
UNE-EN IEC 60749-26:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM) (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Mai 2018.)
UNE-EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (Befürwortet von AENOR im Dezember 2011.)
UNE-EN 60749-3:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung (Genehmigt von der Asociación Española de Normalización im Juli 2017.)
UNE-EN 60749-9:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 9: Dauerhaftigkeit der Markierung (Genehmigt von der Asociación Española de Normalización im Juli 2017.)

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Halbleiteranalyse und -prüfung

GJB 3157-1998 Methoden und Verfahren zur Fehleranalyse diskreter Halbleiterbauelemente
GJB 128-1986 Luftfotografische Spezifikation für militärische topografische Kartierung
GJB 128B-2021 Testmethoden für diskrete Halbleiterbauelemente
GJB 3233-1998 Verfahren und Methoden zur Fehleranalyse von integrierten Halbleiterschaltungen
GJB 9147-2017 Testmethoden für Operationsverstärker in integrierten Halbleiterschaltungen

Group Standards of the People's Republic of China, Halbleiteranalyse und -prüfung

T/SHDSGY 113-2022 Hochfrequenz-Frontend-Halbleitertestsoftware
T/ZACA 041-2022 Testausrüstung für Mixed-Signal-Halbleiterbauelemente
T/ZZB Q041-2022 Testausrüstung für Mixed-Signal-Halbleiterbauelemente
T/CNIA 0143-2022 Hochreine Harzgefäße für die Spurenverunreinigungsanalyse von Halbleitermaterialien
T/CASAS 011.1-2021 Testqualifikation für Leistungsgeräte in Automobilanwendungen
T/CASAS 011.2-2021 Testqualifikation für Leistungsmodule in Automotive-Anwendungen

YU-JUS, Halbleiteranalyse und -prüfung

JUS N.R1.500-1980 Semionductor-Geräte. Annahme. Elektrische Tests

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Halbleiteranalyse und -prüfung

EN 61207-7:2013 Leistungsausdruck von Gasanalysatoren – Teil 7: Abstimmbare Halbleiterlaser-Gasanalysatoren
EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente
EN 60749-29:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 29: Latch-Up-Test
EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test
EN 60749-7:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
EN 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
EN 60749-34:2010 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel
EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
EN 60191-6-16:2007 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
EN 60749-26:2014 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM)
EN IEC 60749-26:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM)

RU-GOST R, Halbleiteranalyse und -prüfung

GOST 26239.0-1984 Halbleitersilizium, Rohstoffe für seine Herstellung und Quarz. Allgemeine Anforderungen an Analysemethoden
GOST 24461-1980 Leistungshalbleitergeräte. Prüf- und Messmethoden
GOST 18986.14-1985 Halbleiterdioden. Methoden zur Messung von Differenz- und Steigungswiderständen
GOST 18986.22-1978 Referenzdioden. Methoden zur Messung des Differenzwiderstands

Danish Standards Foundation, Halbleiteranalyse und -prüfung

DS/EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest
DS/EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
DS/EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
DS/EN 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
DS/EN 60749-29:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 29: Latch-Up-Test
DS/EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test
DS/EN 60749-7:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
DS/EN 60191-6-16:2007 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
DS/EN 60749-2:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: Niedriger Luftdruck
DS/EN 60749-21:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
DS/EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
DS/EN 60749-34:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel
DS/EN 60749-25:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 25: Temperaturwechsel
DS/ES 59008-4-1:2001 Datenanforderungen für Halbleiterchips – Teil 4-1: Spezifische Anforderungen und Empfehlungen – Prüfung und Qualität
DS/EN 60749-26:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM)
DS/EN 60749-19/A1:2010 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 19: Die Scherfestigkeit
DS/EN 60749-19:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 19: Die Scherfestigkeit
DS/EN 60749-4/Corr.1:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 4: Feuchte Hitze, stationärer, hochbeschleunigter Stresstest (HAST)

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Halbleiteranalyse und -prüfung

EN 62415:2010 Semiconductor devices - Constant current electromigration test
EN 60749-29:2003 Halbleiterbauelemente Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 29: Latch-Up-Test
EN 60749-7:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
EN 60749-34:2004 Halbleiterbauelemente Mechanische und klimatische Prüfmethoden Teil 34: Power Cycling
EN 60749-26:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Human body model (HBM)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Halbleiteranalyse und -prüfung

KS C 6045-1991(2001) PRÜFVERFAHREN FÜR HALBLEITER-GLEICHRICHTERDIODEN
KS M 1804-2008(2018) Prüfverfahren für Flusssäure für Halbleiter
KS C 6045-1986 PRÜFVERFAHREN FÜR HALBLEITER-GLEICHRICHTERDIODEN
KS C IEC 60749-7:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
KS C 6565-2002 Testmethoden für Halbleiter-Beschleunigungssensoren
KS C 6565-2002(2017) Testmethoden für Halbleiter-Beschleunigungssensoren
KS C IEC 60749-7:2004 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
KS C 6520-2008 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften durch Plasma
KS C IEC 60759-2009(2019) Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS D ISO 15632:2012 Mikrostrahlanalyse – Instrumentenspezifikation für energiedispersive Röntgenspektrometer mit Halbleiterdetektoren
KS C IEC 60749-21:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
KS C IEC 60749-2:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: Niedriger Luftdruck
KS C IEC 60749-13:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
KS C IEC 62951-1:2022 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 1: Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
KS C IEC 60749-34:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 34: Leistungswechsel
KS C IEC 60749-6:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen
KS C IEC 60749-22:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 22: Haftfestigkeit
KS C IEC 60749-34:2017 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 34: Ein- und Ausschalten
KS C IEC 62526-2015(2020) Standard für Erweiterungen der Standard Test Interface Language (STIL) für Halbleiter-Designumgebungen
KS C IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS C IEC 60749-3:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung
KS C IEC 60749-19:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 19: Die Scherfestigkeit
KS C IEC 60747-5-3:2004 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 5 – 3: Optoelektronische Bauelemente – Messmethode

工业和信息化部, Halbleiteranalyse und -prüfung

SJ/T 2749-2016 Testmethoden für Halbleiterlaserdioden
SJ/T 10805-2018 Prüfverfahren für einen Spannungskomparator für integrierte Halbleiterschaltungen
SJ/T 11702-2018 Prüfverfahren für serielle Peripherieschnittstellen integrierter Halbleiterschaltungen
SJ/T 11706-2018 Verfahren zum Testen eines feldprogrammierbaren Gate-Arrays für integrierte Halbleiterschaltungen
SJ/T 11577-2016 SJ/T 11394-2009 Anwendungsleitfaden „Testmethoden für Halbleiter-Leuchtdioden“.

Professional Standard - Aerospace, Halbleiteranalyse und -prüfung

QJ 1906-1990 器件
QJ 259-1977 器件
QJ 1906A-1997 Methoden und Verfahren der zerstörenden physikalischen Analyse (DPA) für Halbleiterbauelemente
QJ 257-1977 Testmethode für integrierte TTL-Halbleiter-Digitalschaltungen
QJ 1528-1988 Zeitbasistestverfahren für integrierte Halbleiterschaltungen
QJ/Z 32-1977 Prüfverfahren für halbleiterintegrierte Vergleichsverstärker
QJ 260-1977 器件
QJ 1460-1988 Prüfverfahren für Breitbandverstärker einer integrierten Halbleiterschaltung
QJ 2491-1993 Testmethoden für Operationsverstärker in integrierten Halbleiterschaltungen
QJ 1526-1988 器件
QJ 2660-1994 Prüfverfahren für einen Pulsweitenmodulator eines Schaltnetzteils mit integrierter Halbleiterschaltung

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Halbleiteranalyse und -prüfung

GB/T 1550-2018 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien
GB/T 39771.2-2021 Optische Strahlungssicherheit von LEDs – Teil 2: Messmethoden

KR-KS, Halbleiteranalyse und -prüfung

KS C IEC 60749-7-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
KS C IEC 60749-2-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: Niedriger Luftdruck
KS C IEC 60749-21-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
KS C IEC 60749-13-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
KS C IEC 62951-1-2022 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 1: Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
KS C IEC 60749-22-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 22: Haftfestigkeit
KS C IEC 60749-6-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen
KS C IEC 60749-19-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 19: Die Scherfestigkeit
KS C IEC 60749-3-2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung

TR-TSE, Halbleiteranalyse und -prüfung

TS 2643-1977 Testverfahren für Bemiconductor-Detektoren für ionisierende Strahlung

Lithuanian Standards Office , Halbleiteranalyse und -prüfung

LST EN 62417-2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010)
LST EN 60749-38-2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (IEC 60749-38:2008)
LST EN 62415-2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest (IEC 62415:2010)
LST EN 62416-2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren (IEC 62416:2010)
LST EN 60749-7-2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase (IEC 60749-7:2011)
LST EN 62418-2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Hohlraumtest (IEC 62418:2010)
LST EN 60749-29-2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 29: Latch-Up-Test (IEC 60749-29:2011)
LST EN 60749-39-2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden (IEC 60749-39:2006)
LST EN 60191-6-16-2007 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertests und Burn-in-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007)
LST EN 60749-1-2003 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Teil 1: Allgemeines (IEC 60749-1:2002)

American Society for Testing and Materials (ASTM), Halbleiteranalyse und -prüfung

ASTM F1894-98 Testmethode zur Quantifizierung von Wolframsilizid-Halbleiterprozessfilmen hinsichtlich Zusammensetzung und Dicke
ASTM F1894-98(2011) Testmethode zur Quantifizierung von Wolframsilizid-Halbleiterprozessfilmen hinsichtlich Zusammensetzung und Dicke
ASTM F1894-98(2003) Testmethode zur Quantifizierung von Wolframsilizid-Halbleiterprozessfilmen hinsichtlich Zusammensetzung und Dicke
ASTM E1161-95 Standardtestmethode für die radiologische Untersuchung von Halbleitern und elektronischen Bauteilen

SE-SIS, Halbleiteranalyse und -prüfung

SIS SS-IEC 749:1991 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden
SIS SS IEC 333:1986 Nukleare Instrumentierung – Testverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
SIS SS IEC 596:1981 Nukleare Instrumentierung – Definitionen der Testmethodenbegriffe für Halbleiterstrahlungsdetektoren und Szintillationszählung
SIS SS IEC 700:1984 Leistungselektronik – Halbleiterventile für die Hochspannungs-Gleichstromübertragung – Prüfung

Professional Standard - Post and Telecommunication, Halbleiteranalyse und -prüfung

YD/T 701-1993 Testverfahren für die Montage von Halbleiterlaserdioden
YD/T 2001.2-2011 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen. Teil 2: Messmethoden

ECIA - Electronic Components Industry Association, Halbleiteranalyse und -prüfung

EIA CB-5:1969 Empfohlenes Testverfahren für Halbleiter-Wärmeableitgeräte

American National Standards Institute （ANSI), Halbleiteranalyse und -prüfung

ANSI/IEEE 300:1988 Testverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Halbleiteranalyse und -prüfung

ECA CB 5-1969 Empfohlenes Testverfahren für Halbleiter-Wärmeableitgeräte
ECA CB 5-1-1971 Empfohlenes Testverfahren für Halbleiter-Wärmeableitgeräte, Nachtrag zu CB5

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Halbleiteranalyse und -prüfung

GB/T 14028-2018 Integrierte Halbleiterschaltungen – Messmethode für analoge Schalter
GB/T 35007-2018 Integrierte Halbleiterschaltungen – Messverfahren für Niederspannungs-Differenzsignalschaltungen
GB/T 35006-2018 Integrierte Halbleiterschaltungen – Messverfahren für Pegelwandler
GB/T 36005-2018 Messmethoden zur optischen Strahlungssicherheit für Halbleiterbeleuchtungsgeräte und -systeme

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleiteranalyse und -prüfung

DB52/T 1104-2016 Transiente Testmethode für den thermischen Widerstand des Anschlussgehäuses von Halbleiterbauelementen

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Halbleiteranalyse und -prüfung

IEEE 425-1957 TESTCODE für TRANSISTOREN, HALBLEITERDEFINITIONEN und LEITERSYMBOLE
IEEE 300-1988 Standardtestverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
IEEE 300-1982 STANDARDTESTVERFAHREN FÜR HALBLEITER-DETEKTOREN FÜR GELADENE TEILCHEN
IEEE C62.35-1987 Standardtestspezifikationen für Avalanche-Junction-Halbleiter-Überspannungsschutzgeräte

International Organization for Standardization (ISO), Halbleiteranalyse und -prüfung

ISO 15632:2021 Mikrostrahlanalyse – Ausgewählte instrumentelle Leistungsparameter für die Spezifikation und Überprüfung energiedispersiver Röntgenspektrometer (EDS) zur Verwendung mit einem Rasterelektronenmikroskop (REM) oder einem Elektronenstrahl-Mikroanalysegerät (EPMA)
ISO 15632:2012 Mikrostrahlanalyse – Ausgewählte instrumentelle Leistungsparameter für die Spezifikation und Überprüfung energiedispersiver Röntgenspektrometer für den Einsatz in der Elektronensonden-Mikroanalyse
ISO 15632:2002 Mikrostrahlanalyse – Instrumentelle Spezifikation für energiedispersive Röntgenspektrometer mit Halbleiterdetektoren

Professional Standard - Machinery, Halbleiteranalyse und -prüfung

JB/T 6307.1-1992 Prüfverfahren für Leistungshalbleitermodule. Gleichrichterdiodenzweigpaar
JB/T 6307.2-1992 Prüfverfahren für Leistungshalbleitermodule Einphasen-Brückengleichrichterdioden
JB/T 6307.3-1992 Prüfverfahren für Leistungshalbleitermodule mit Dreiphasen-Brückengleichrichterdiode
JB/T 4219-1999 Typenbezeichnung von Messgeräten für Leistungshalbleiterbauelemente
JB/T 6307.4-1992 Testverfahren für Leistungshalbleitermodule. Arm und Armpaar eines Bipolartransistors

AENOR, Halbleiteranalyse und -prüfung

UNE-EN 60749-2:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: Niedriger Luftdruck.
UNE-EN 60749-12:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibration, variable Frequenz.
UNE-EN 60749-10:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock.
UNE-EN 60749-3:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung.
UNE-EN 60749-9:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 9: Dauerhaftigkeit der Markierung.

ZA-SANS, Halbleiteranalyse und -prüfung

SANS 6281-1:2007 Prüfverfahren für imprägnierte papierisolierte Elektrokabel Teil 1: Prüfungen an isolierendem und halbleitendem Papier
SANS 6284-2:2007 Prüfverfahren für mit vernetztem Polyethylen (XLPE) isolierte Elektrokabel Teil 2: Prüfungen an extrudierten halbleitenden Schirmen

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, Halbleiteranalyse und -prüfung

GJB 5914-2006 Methoden der zerstörenden physikalischen Analyse für militärische Halbleiterbauelemente aller Qualitätsklassen

PH-BPS, Halbleiteranalyse und -prüfung

PNS IEC 62373-1:2021 Halbleiterbauelemente – Bias-Temperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Teil 1: Schneller BTI-Test für MOSFET
PNS IEC 60749-44:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente

(U.S.) Ford Automotive Standards, Halbleiteranalyse und -prüfung

FORD FLTM BB 114-02-2013 VERFAHREN FÜR EINE HALBGEFÜHRTE WRAP-BIEGEVORRICHTUNG ZUR PRÜFUNG UND ANALYSE DER BIEGBARKEIT VON ALUMINIUMBLECHEN
FORD FLTM BB 114-02-2014 VERFAHREN FÜR EINE HALBGEFÜHRTE WRAP-BIEGEVORRICHTUNG ZUR PRÜFUNG UND ANALYSE DER BIEGBARKEIT VON ALUMINIUMBLECHEN
FORD FLTM BB 114-1-2002 VERFAHREN FÜR EINE HALBGEFÜHRTE WRAP-BIEGEVORRICHTUNG ZUR PRÜFUNG UND ANALYSE DER BIEGBARKEIT VON ALUMINIUMBLECHEN
FORD FLTM BB 114-01-2002 VERFAHREN FÜR EINE HALBGEFÜHRTE WRAP-BIEGEVORRICHTUNG ZUR PRÜFUNG UND ANALYSE DER BIEGBARKEIT VON ALUMINIUMBLECHEN

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleiteranalyse und -prüfung

CNS 6802-1980 Standardtestverfahren für Rauschabstandsmessungen für Halbleiter-Logik-Gating-Mikroschaltungen
CNS 8104-1981 Methode zur Messung der linearen MOSFET-Schwellenspannung
CNS 8106-1981 Methode zur Messung der MOSFET-Sättigungsschwellenspannung
CNS 5751-1980 Prüfmethode für die scheinbare Dichte von Keramik für Anwendungen in Elektronenbauelementen und Halbleitern

AT-OVE/ON, Halbleiteranalyse und -prüfung

OVE EN IEC 63275-2:2021 Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 2: Testverfahren für bipolare Verschlechterung aufgrund des Body-Diode-Betriebs (IEC 47/2680/CDV) (englische Version)
OVE EN IEC 60749-39:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden (IEC 47/2652/CDV) (englische Version)

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Halbleiteranalyse und -prüfung

JIS C 5630-3:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnschicht-Standardteststück für Zugversuche

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleiteranalyse und -prüfung

DB61/T 1448-2021 Intermittierende Lebensdauertestverfahren für diskrete Halbleiterbauelemente mit hoher Leistung

中华人民共和国国家卫生和计划生育委员会, Halbleiteranalyse und -prüfung

GB/T 11713-1989 Standardmethoden zur Analyse von Proben mit niedriger spezifischer Gammaradioaktivität durch Halbleiter-Gammaspektrometer