Halbleiter-Kelvin-Test

Für die Halbleiter-Kelvin-Test gibt es insgesamt 25 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Halbleiter-Kelvin-Test die folgenden Kategorien: Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Halbleitermaterial, Elektrotechnik umfassend, Diskrete Halbleitergeräte, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Halbleiter-Kelvin-Test

GB/T 42838-2023 Hall-Schaltungstestverfahren für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 14028-1992 Allgemeine Prinzipien der Messmethoden analoger Schalter für integrierte Halbleiterschaltungen
GB 14028-2018 Grundprinzipien der Testmethoden für analoge Halbleiterschaltkreise

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Halbleiter-Kelvin-Test

GB/T 14028-2018 Integrierte Halbleiterschaltungen – Messmethode für analoge Schalter

American Society for Testing and Materials (ASTM), Halbleiter-Kelvin-Test

ASTM F76-86(1996)e1 Standardtestmethoden zur Messung des spezifischen Widerstands und des Hall-Koeffizienten sowie zur Bestimmung der Hall-Mobilität in einkristallinen Halbleitern
ASTM F76-86(2002) Standardtestmethoden zur Messung des spezifischen Widerstands und des Hall-Koeffizienten sowie zur Bestimmung der Hall-Mobilität in einkristallinen Halbleitern
ASTM F76-08 Standardtestmethoden zur Messung des spezifischen Widerstands und des Hall-Koeffizienten sowie zur Bestimmung der Hall-Mobilität in einkristallinen Halbleitern
ASTM F76-08(2016)e1 Standardtestmethoden zur Messung des spezifischen Widerstands und des Hall-Koeffizienten sowie zur Bestimmung der Hall-Mobilität in einkristallinen Halbleitern
ASTM F76-08(2016) Standardtestmethoden zur Messung des spezifischen Widerstands und des Hall-Koeffizienten sowie zur Bestimmung der Hall-Mobilität in einkristallinen Halbleitern

AT-OVE/ON, Halbleiter-Kelvin-Test

OVE EN IEC 63284:2021 Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren durch induktives Lastschalten für Galliumnitrid-Transistoren (IEC 47/2681/CDV) (englische Version)
OVE EN IEC 63275-2:2021 Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 2: Testverfahren für bipolare Verschlechterung aufgrund des Body-Diode-Betriebs (IEC 47/2680/CDV) (englische Version)
OVE EN IEC 60749-39:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden (IEC 47/2652/CDV) (englische Version)
OVE EN IEC 60749-37:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 37: Fallprüfverfahren auf Platinenebene mit einem Beschleunigungsmesser (IEC 47/2651/CDV) (englische Version)
OVE EN IEC 60749-10:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock – Gerät und Unterbaugruppe (IEC 47/2692/CDV) (englische Version)

Professional Standard - Aerospace, Halbleiter-Kelvin-Test

QJ 2660-1994 Prüfverfahren für einen Pulsweitenmodulator eines Schaltnetzteils mit integrierter Halbleiterschaltung

British Standards Institution (BSI), Halbleiter-Kelvin-Test

BS IEC 63284:2022 Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren durch induktives Lastschalten für Galliumnitrid-Transistoren
BS IEC 62047-40:2021 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Testmethoden für die Schwelle des mikroelektromechanischen Trägheitsstoßschalters
20/30409285 DC BS IEC 63284. Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für die Zuverlässigkeit unter Belastung durch induktives Lastschalten für Galliumnitrid-Transistoren

International Electrotechnical Commission (IEC), Halbleiter-Kelvin-Test

IEC 62047-40:2021 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 40: Prüfverfahren für mikroelektromechanische Trägheitsstoßschalterschwellen

German Institute for Standardization, Halbleiter-Kelvin-Test

DIN EN IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 47/2652/CDV:2020); Englische Version prEN IEC 60749-39:2020
DIN EN IEC 60749-39:2023-10 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2021); Deutsche Fassung EN IEC 60749-39:2022 / Hinweis: DIN...
DIN EN 60749-42:2015 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 42: Lagerung bei Temperatur und Luftfeuchtigkeit (IEC 60749-42:2014); Deutsche Fassung EN 60749-42:2014
DIN EN 62047-21:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien (IEC 62047-21:2014); Deutsche Fassung EN 62047-21:2014
DIN EN IEC 60749-37:2023-12 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Fallprüfverfahren auf Platinenebene mit einem Beschleunigungsmesser (IEC 60749-37:2022); Deutsche Fassung EN IEC 60749-37:2022 / Hinweis: DIN EN 60749-37 (2008-08) bleibt neben dieser Norm weiterhin gültig...
DIN EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 8: Bandbiegeprüfverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme (IEC 62047-8:2011); Deutsche Fassung EN 62047-8:2011