Halbleitertestsystem

Für die Halbleitertestsystem gibt es insgesamt 500 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Halbleitertestsystem die folgenden Kategorien: Kernenergietechnik, Diskrete Halbleitergeräte, Optoelektronik, Lasergeräte, Glasfaserkommunikation, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Softwareentwicklung und Systemdokumentation, Anorganische Chemie, Strahlungsmessung, Prüfung von Metallmaterialien, Längen- und Winkelmessungen, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Halbleitermaterial, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Mechanische Komponenten für elektronische Geräte, Wortschatz, grafische Symbole, Anwendungen der Informationstechnologie, Umfangreiche elektronische Komponenten, Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Komponenten elektrischer Geräte, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Qualität, Luft- und Raumfahrtsysteme und Betriebsgeräte, Übertragungs- und Verteilungsnetze, Elektrische und elektronische Prüfung, Industrielles Automatisierungssystem, Widerstand, Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Isoliermaterialien, Drähte und Kabel, Metrologie und Messsynthese, Land-und Forstwirtschaft, Vakuumtechnik, Sprache für die Informationstechnologie, Gummi- und Kunststoffprodukte, Feuer bekämpfen.

Professional Standard - Electron, Halbleitertestsystem

SJ 20233-1993 Verifizierungsvorschriften für das Testsystem für diskrete Halbleiterbauelemente Modell IMPACT-II
SJ/T 2215-2015 Messmethoden für Halbleiter-Optokoppler
SJ 2749-1987 Messverfahren für Halbleiterlaserdioden
SJ 2214.1-1982 Allgemeine Messverfahren für Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
SJ/T 11394-2009 Messmethoden für Halbleiter-Leuchtdioden
SJ 20788-2000 Messverfahren für die thermische Impedanz von Halbleiterdioden
SJ 2355.1-1983 Allgemeine Messverfahren für lichtemittierende Geräte
SJ 2215.1-1982 Allgemeine Messverfahren für Halbleiter-Optokoppler
SJ 20787-2000 Messverfahren für den thermischen Widerstand von Halbleiter-Brückengleichrichtern
SJ/T 11399-2009 Messmethoden für Chips von Leuchtdioden
SJ/T 11405-2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen. Teil 2: Messmethoden
SJ 2355.5-1983 Methode zur Messung der Lichtstärke und des Halbwertswinkels von lichtemittierenden Geräten
SJ 2065-1982 Prüfverfahren für einen Diffusionsofen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
SJ 2355.6-1983 Methode zur Messung des Lichtstroms von lichtemittierenden Geräten
SJ 2355.4-1983 Methoden zur Messung der Sperrschichtkapazität lichtemittierender Geräte
SJ/T 2214-2015 Messmethoden für Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
SJ 2355.3-1983 Methode zur Messung des Rückstroms lichtemittierender Geräte
SJ 2355.2-1983 Methode zur Messung des Vorwärtsspannungsabfalls lichtemittierender Geräte
SJ/T 10482-1994 Testverfahren zur Charakterisierung tiefer Halbleiterebenen durch transiente Kapazitätstechniken
SJ 20026-1992 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ 2214.3-1982 Methode zur Messung des Dunkelstroms von Halbleiterfotodioden
SJ 2214.5-1982 Methode zur Messung der Sperrschichtkapazität von Halbleiterfotodioden
SJ 2214.8-1982 Methode zur Messung der Dunkelstromspannung von Halbleiter-Fototransistoren
SJ 2658.1-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden Allgemeine Regeln
SJ 2658.4-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung der Kapazität
SJ 2355.7-1983 Methode zur Messung der Spitzenemissionswellenlänge und der spektralen Strahlungsbandbreite lichtemittierender Geräte
SJ 2658.13-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für den Temperaturkoeffizienten der optischen Ausgangsleistung
SJ 2214.2-1982 Methode zur Messung der Durchlassspannung von Halbleiterfotodioden
SJ 2214.7-1982 Methode zur Messung der Sättigungsspannung von Halbleiter-Fototransistoren
SJ 2214.10-1982 Methode zur Messung des Lichtstroms von Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
SJ 2658.2-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung des Vorwärtsspannungsabfalls
SJ 2658.3-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für die Rückwärtsspannung
SJ 2215.6-1982 Methode zur Messung der Sperrschichtkapazität von Halbleiter-Fotokopplern (Dioden)
SJ 2215.8-1982 Messmethode für die Ausgangssättigungsspannung von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ/T 11818.1-2022 Halbleiter-UV-emittierende Dioden Teil 1: Prüfverfahren
SJ 2658.7-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung des Strahlungsflusses
SJ 2658.10-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für moduliertes Breitband
SJ 2658.12-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung der Spitzenemissionswellenlänge und der spektralen Halbwertsbreite
SJ 2215.14-1982 Methode zur Messung der Eingangs-Ausgangs-Isolationsspannung von Halbleiter-Optokopplern
SJ 2757-1987 Methode zur Messung der Ladungsträgerkonzentration von stark dotierten Halbleitern mittels Infrarotreflexion
SJ 2215.3-1982 Methode zur Messung des Durchlassstroms von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ 2214.4-1982 Methode zur Messung der Sperrdurchbruchspannung von Halbleiterfotodioden
SJ 2215.4-1982 Methode zur Messung des Rückstroms von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ 2215.10-1982 Methode zur Messung des Gleichstromübertragungsverhältnisses von Halbleiter-Optokopplern
SJ 2215.12-1982 Methode zur Messung der Eingangs-Ausgangskapazität von Halbleiter-Optokopplern
SJ/T 10735-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen Allgemeine Prinzipien der Messmethoden für TTL-Schaltungen
SJ/T 10736-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen – Allgemeine Grundlagen der Messmethoden für HTL-Schaltungen
SJ/T 10737-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen – Allgemeine Grundsätze der Messmethoden für ECL-Schaltungen
SJ/T 10741-2000 Integrierte Halbleiterschaltungen Allgemeine Prinzipien der Messmethoden für CMOS-Schaltungen
SJ/T 10741-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen – Allgemeine Prinzipien der Messmethoden für CMOS-Schaltungen
SJ 2215.2-1982 Methode zur Messung der Durchlassspannung von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ 2215.13-1982 Methode zur Messung des Isolationswiderstands zwischen Eingang und Ausgang von Halbleiter-Optokopplern
SJ 2658.6-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für die optische Ausgangsleistung
SJ 2658.8-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für die normale Strahlungsdichte
SJ 2658.9-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für die Intensitätsraumverteilung und den Halbwertswinkel der Strahlung
SJ 2658.5-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für den Vorwärtsserienwiderstand
SJ 2658.11-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung der Impulsantworteigenschaften
SJ/T 10880-1996 Integrierte Halbleiter-Audioschaltungen – Allgemeine Prinzipien der Messmethoden für Stereo-Decoder
SJ/T 10804-2000 Integrierte Halbleiterschaltungen. Allgemeine Prinzipien der Messmethoden für Pegelumsetzer
SJ/T 10805-2000 Integrierte Halbleiterschaltungen. Allgemeine Grundsätze der Messmethoden für Spannungskomparatoren
SJ 2215.5-1982 Methode zur Messung der Durchbruchspannung in Sperrrichtung von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ 2215.9-1982 Methode zur Messung des Rückwärts-Abschaltstroms von Halbleiter-Optokoppler-Transistoren
SJ/T 10882-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen – Allgemeine Prinzipien der Messmethoden für lineare Verstärker
SJ/T 10803-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen als Schnittstellenschaltungen – Allgemeine Grundsätze der Messmethoden für Leitungsschaltungen
SJ/T 11820-2022 Technische Anforderungen und Messmethoden für DC-Parameter-Testgeräte für diskrete Halbleiterbauelemente
SJ 2214.9-1982 Methode zur Messung der Impulsanstiegs- und -abfallzeit von Halbleiterfotodioden und Fototransistoren
SJ/T 10739-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen – Allgemeine Prinzipien der Messmethoden für MOS-Speicher mit wahlfreiem Zugriff

British Standards Institution (BSI), Halbleitertestsystem

BS EN IEC 63364-1:2022 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente für IoT-Systeme – Testmethode zur Erkennung von Klangschwankungen
BS EN 62007-2:2000 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Messmethoden
BS EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Messmethoden
21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1. Halbleiterbauelemente. Halbleitergeräte für IOT-Systeme. Teil 1. Testverfahren zur Erkennung von Klangvariationen
BS IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die thermischen Eigenschaften flexibler Materialien
BS IEC 62951-7:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Testverfahren zur Charakterisierung der Barriereleistung der Dünnschichtverkapselung für flexible organische Halbleiter
BS IEC 62951-6:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für den Schichtwiderstand flexibler leitender Filme
BS IEC 62373-1:2020 Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Schneller BTI-Test für MOSFET
BS EN 60191-4:2014 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
BS EN 60191-4:2014+A1:2018 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
BS IEC 62951-1:2017 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
14/30297227 DC BS EN 62880-1. Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeit auf Waferebene für Halbleiterbauelemente. Testmethode für Kupfer-Stressmigration
22/30443678 DC BS EN 60749-34-1. Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34-1. Power-Cycling-Test für Leistungshalbleitermodule
BS EN 62007-1:2000 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
BS IEC 63275-1:2022 Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren – Testverfahren für die Instabilität der Vorspannungstemperatur
18/30381548 DC BS EN 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
17/30366375 DC BS IEC 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
BS IEC 60747-18-3:2019 Halbleiterbauelemente. Halbleiter-Biosensoren. Fluidströmungseigenschaften von linsenfreien CMOS-Photonik-Array-Sensorpaketmodulen mit Fluidsystem
BS IEC 60747-14-11:2021 Halbleitergeräte – Halbleitersensoren. Testverfahren für auf Oberflächenwellen basierende integrierte Sensoren zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
BS IEC 62951-9:2022 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Leistungstestmethoden für Widerstandsspeicherzellen mit einem Transistor und einem Widerstand (1T1R).
BS IEC 62880-1:2017 Halbleiterbauelemente. Stress-Migration-Teststandard – Stress-Migration-Teststandard für Kupfer
BS ISO 18257:2016 Raumfahrtsysteme. Integrierte Halbleiterschaltungen für Raumfahrtanwendungen. Designanforderungen
BS EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
BS EN 60749-34:2010 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Power-Cycling
BS EN 60749-6:2017 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Lagerung bei hoher Temperatur
BS EN IEC 60749-17:2019 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Neutronenbestrahlung
PD ES 59008-4-1:2001 Datenanforderungen für Halbleiterchips. Spezifische Anforderungen und Empfehlungen. Test und Qualität
BS EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Dünnschicht-Standardteststück für Zugversuche
BS IEC 60747-18-1:2019 Halbleiterbauelemente. Halbleiter-Biosensoren. Testmethode und Datenanalyse zur Kalibrierung linsenloser CMOS-Photonik-Array-Sensoren
IEC TR 63357:2022 Halbleiterbauelemente. Standardisierungs-Roadmap für Fehlertestmethoden für Kraftfahrzeuge
BS EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
BS IEC 62951-8:2023 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für Dehnbarkeit, Flexibilität und Stabilität flexibler Widerstandsspeicher
BS IEC 62830-5:2021 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Prüfverfahren zur Messung der von flexiblen thermoelektrischen Geräten erzeugten Leistung
BS EN 62047-4:2010 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Allgemeine Spezifikation für MEMS
BS EN IEC 60749-26:2018 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Menschliches Körpermodell (HBM)
BS IEC 62830-4:2019 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Test- und Bewertungsmethoden für flexible piezoelektrische Energiegewinnungsgeräte
BS EN 60749-9:2017 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Beständigkeit der Markierung
BS EN 60749-3:2017 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Äußere visuelle Prüfung
BS IEC 63284:2022 Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren durch induktives Lastschalten für Galliumnitrid-Transistoren
BS EN 60749-29:2011 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Latch-up-Test
20/30406230 DC BS IEC 63275-1. Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid. Teil 1. Testmethode für Bias-Temperaturinstabilität
BS EN 60749-4:2017 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Feuchte Hitze, stationärer, hochbeschleunigter Stresstest (HAST)
BS EN 60749-5:2017 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Dauertemperatur-Feuchtigkeits-Bias-Lebensdauertest
13/30284029 DC BS EN 60191-6-16. Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 6-16. Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
PD IEC TR 60747-5-12:2021 Halbleiterbauelemente. Optoelektronische Geräte. Leuchtdioden. Testmethode für die LED-Effizienz
BS EN IEC 60749-18:2019 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11. Halbleiterbauelemente. Teil 14-11. Halbleitersensoren. Testverfahren für einen auf akustischen Oberflächenwellen basierenden integrierten Sensor zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11. Halbleiterbauelemente. Teil 14-11. Halbleitersensoren. Testverfahren für einen auf akustischen Oberflächenwellen basierenden integrierten Sensor zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
18/30355426 DC BS EN 62830-5. Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Teil 5. Prüfverfahren zur Messung der von flexiblen thermoelektrischen Geräten erzeugten Leistung
BS EN 60749-26:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM)
BS EN 60749-26:2014 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Menschliches Körpermodell (HBM)
18/30361905 DC BS EN 60747-18-3. Halbleiterbauelemente. Teil 18-3. Halbleiter-Biosensoren. Fluidströmungseigenschaften eines linsenfreien CMOS-Photonik-Array-Sensorpaketmoduls mit Fluidsystem
BS IEC 62526:2007 Standard für Erweiterungen der Standard Test Interface Language (STIL) für Halbleiter-Designumgebungen
BS EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien

Association Francaise de Normalisation, Halbleitertestsystem

NF EN IEC 63364-1:2023 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für das IDO-System – Teil 1: Prüfverfahren zur Erkennung akustischer Abweichungen
NF EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest
NF EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionenprüfung für Metalloxid-Feldeffekthalbleitertransistoren (MOSFETs)
NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
NF EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Tests an MOS-Transistoren
NF C53-228:1989 Halbleiterwandler. Schalter für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (VPS-Schalter).
NF EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Prüfverfahren für die Auswirkungen eines Einzelereignisses (SEE), das mit einem Neutronenstrahl bestrahlt wird, für Halbleiterbauelemente
NF EN 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
NF EN 62418:2011 Halbleiterbauelemente – Prüfung von Hohlräumen aufgrund von Metallisierungsspannungen
NF EN 60191-4/A1:2018 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Formklassifizierung von Gehäusestrukturen für Halbleiterbauelemente
NF EN 60191-4:2014 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Formklassifizierung von Gehäusestrukturen für Halbleiterbauelemente
NF EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für den Einsatz in faseroptischen Systemen – Teil 2: Messmethoden
NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen.
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahl-bestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
NF C96-050-9*NF EN 62047-9:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS.
NF EN 60749-29:2012 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 29: Latch-Test
NF C53-225:1985 Prüfung von Halbleiterventilen für die Hochspannungs-Gleichstromübertragung.
NF EN 62047-11:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten in sich geschlossener Materialien für mikroelektromechanische Systeme
NF C86-503:1986 Halbleiterbauelemente. Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren und Fototransistor-Arrays. Blanko-Bauartspezifikation CECC 20 003.
NF C83-282:1987 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Varistoren zur Überspannungsunterdrückung. Abschnittsspezifikation. Leere Detailspezifikation.
NF EN 60749-8:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Dichtheit
NF EN 60749-1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 1: Allgemeines
NF EN 60749-21:2012 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
NF EN 60749-2:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: niedriger Atmosphärendruck
NF ISO 10677:2011 Technische Keramik – UV-Lichtquellen zum Testen photokatalytischer Halbleitermaterialien
NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die in Halbleiterbauelementen verwendet werden
NF EN 62373:2006 Prüfung der Vorspannungstemperaturstabilität für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
NF C86-411:1987 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILM- UND HYBRID-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN. ABSCHNITTSPEZIFIKATION. (SPEZIFIKATION CECC 63 100).
NF EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung von Resonanzschwingungen mikroelektromechanischer Systemstrukturen (M...
NF EN 60749-6:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Hochtemperaturlagerung
NF EN 60749-25:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 25: Temperaturzyklen
NF EN 60749-34:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel
NF EN IEC 60749-13:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
NF EN IEC 60749-17:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 17: Neutronenbestrahlung

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Halbleitertestsystem

GB/T 11685-2003 Messverfahren für Halbleiter-Röntgendetektorsysteme und Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
GB/T 31359-2015 Testmethoden von Halbleiterlasern
GB/T 42835-2023 Halbleiter-Integrated-Circuit-System-on-Chip (SoC)
GB/T 5201-1994 Testverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
GB/T 1550-1997 Standardmethoden zur Messung der Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitermaterialien
GB/T 13974-1992 Testmethoden für Kurvenverfolgungsgeräte für Halbleiterbauelemente
GB/T 6616-2023 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen
GB/T 42975-2023 Testmethoden für integrierte Halbleiterschaltkreistreiber
GB/T 10236-2006 Leitfaden zur Kompatibilität und zum Schutz vor Störeinflüssen zwischen Halbleiterwandlern und Stromversorgungssystem
GB/T 42838-2023 Hall-Schaltungstestverfahren für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 43061-2023 Testverfahren für integrierte Halbleiterschaltkreise mit PWM-Controller
GB/T 42676-2023 Röntgenbeugungsmethode zur Prüfung der Qualität von Halbleitereinkristallen
GB/T 36477-2018 Integrierte Halbleiterschaltung. Messmethoden für Flash-Speicher
GB/T 4377-2018 Integrierte Halbleiterschaltungen. Messverfahren von Spannungsreglern
GB/T 15653-1995 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
GB/T 43040-2023 Prüfverfahren für integrierte Halbleiterschaltkreise für AC/DC-Wandler
GB/T 42970-2023 Methoden zum Testen von Videocodierungs- und -decodierungsschaltungen für integrierte Halbleiterschaltkreise
GB/T 14862-1993 Methoden zum Testen des thermischen Widerstands zwischen Verbindung und Gehäuse von Gehäusen für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 14028-1992 Allgemeine Prinzipien der Messmethoden analoger Schalter für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 14030-1992 Allgemeine Prinzipien der Messmethoden von Zeitgeberschaltungen für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 42848-2023 Testverfahren für einen direkten digitalen Frequenzsynthesizer einer integrierten Halbleiterschaltung
GB 14030-1992 Grundprinzipien zeitbasierter Schaltungstestmethoden für integrierte Halbleiterschaltungen
GB 14028-2018 Grundprinzipien der Testmethoden für analoge Halbleiterschaltkreise
GB 35007-2018 Verfahren zum Testen von Niederspannungs-Differenzsignalschaltungen für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 6798-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen. Allgemeine Grundsätze der Messmethoden von Spannungskomparatoren
GB/T 4377-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen. Allgemeine Grundsätze der Messmethoden von Spannungsreglern
GB/T 14031-1992 Allgemeine Prinzipien der Messmethoden der analogen Phasenschleife für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 14032-1992 Allgemeine Prinzipien der Messmethoden des digitalen Phasenregelkreises für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 14029-1992 Allgemeine Prinzipien der Messmethoden analoger Multiplikatoren für integrierte Halbleiterschaltungen
GB 14029-1992 Grundprinzipien der Testmethoden für analoge Multiplikatoren in integrierten Halbleiterschaltungen
GB 14031-1992 Grundprinzipien der analogen Phasenregelkreistestmethoden für integrierte Halbleiterschaltungen
GB 14032-1992 Grundprinzipien digitaler Phasenregelkreis-Testmethoden für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 4326-2006 Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten durch extrinsische Halbleiter-Einkristalle
GB 4326-1984 Extrinsische Halbleiter-Einkristalle – Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten
GB/T 15136-1994 Allgemeine Prinzipien der Messmethoden für Quarzuhren und Uhrenschaltungen integrierter Halbleiterschaltungen

ES-UNE, Halbleitertestsystem

UNE-EN IEC 63364-1:2023 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für IOT-Systeme – Teil 1: Testmethode zur Erkennung von Schallschwankungen (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im März 2023.)
UNE-EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest (von AENOR im September 2010 empfohlen.)
UNE-EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (Befürwortet von AENOR im September 2010.)
UNE-EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren (Befürwortet von AENOR im September 2010.)
UNE-EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test (von AENOR im Oktober 2010 empfohlen.)
UNE-EN 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 38: Soft-Error-Testverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (Genehmigt von AENOR im September 2008.)
UNE-EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente (Genehmigt von AENOR im Dezember 2016.)
UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente (Genehmigt von AENOR im Dezember 2016.)
UNE-EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleitergeräte für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden (Genehmigt von AENOR im Juni 2009.)
UNE-EN 60191-4:2014/A1:2018 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Juni 2018.)
UNE-EN 60749-29:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 29: Latch-up-Test (Genehmigt von AENOR im November 2011.)
UNE-EN 60191-4:2014 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Halbleiterbauelementgehäuse (Von AENOR im Mai 2014 gebilligt.)
UNE-EN 62047-11:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme (Genehmigt von AENOR im November 2013.)
UNE-EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im März 2022.)
UNE-EN 60191-6-16:2007 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertests und Burn-in-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007). (Von AENOR im Oktober 2007 gebilligt.)
UNE-EN IEC 60749-13:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 13: Salzatmosphäre (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Mai 2018.)
UNE-EN 60749-21:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 21: Lötbarkeit (Genehmigt von AENOR im November 2011.)
UNE-EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Von AENOR im November 2006 gebilligt.)
UNE-EN IEC 60749-17:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 17: Neutronenbestrahlung (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Juni 2019.)
UNE-EN IEC 60749-12:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibration, variable Frequenz (Genehmigt von der Asociación Española de Normalización im April 2018.)

International Electrotechnical Commission (IEC), Halbleitertestsystem

IEC 63364-1:2022 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für IoT-Systeme – Teil 1: Testverfahren zur Erkennung von Schallschwankungen
IEC 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
IEC 62007-2:1997 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
IEC 62007-2:1999 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
IEC 60191-4:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
IEC 60191-4:1987 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Halbleiterbauelemente
IEC 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente
IEC 60191-4:1999 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
IEC 60191-4:2013 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
IEC 60191-4:2018 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen
IEC 62007-2/AMD1:1998 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen - Teil 2: Messverfahren; Änderung 1
IEC 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
IEC 60333:1993 Nukleare Instrumentierung; Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen; Testverfahren
IEC 62047-9:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS
IEC 62047-9:2011/COR1:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS
IEC 60191-4/AMD1:2001 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen; Änderung 1
IEC 60191-4/AMD2:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen; Änderung 2
IEC 60191-4:2013/AMD1:2018 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen; Änderung 1
IEC 62951-9:2022 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 9: Leistungstestverfahren für Widerstandsspeicherzellen mit einem Transistor und einem Widerstand (1T1R).
IEC 60747-18-3:2019 Halbleiterbauelemente – Teil 18-3: Halbleiter-Biosensoren – Fluidströmungseigenschaften von linsenfreien CMOS-Photonik-Array-Sensorpaketmodulen mit Fluidsystem
IEC 60146-5:1988 Halbleiterwandler; Teil 5: Schalter für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV-Schalter)
IEC 60146-4:1986 Halbleiterwandler – Teil 4: Methode zur Festlegung der Leistungs- und Prüfanforderungen von unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen
IEC 62830-5:2021 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 5: Prüfverfahren zur Messung der erzeugten Leistung flexibler thermoelektrischer Bauelemente
IEC 62880-1:2017 Halbleiterbauelemente – Stressmigrationsteststandard – Teil 1: Stressmigrationsteststandard für Kupfer
IEC 60749-39:2021 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 60749-13:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
IEC 62007-1:1999 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
IEC 62007-1:1997 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
IEC 60749-34:2010 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel
IEC 60596:1978 Definitionen der Testmethodenbegriffe für Halbleiterstrahlungsdetektoren und Szintillationszählung

American National Standards Institute （ANSI), Halbleitertestsystem

ANSI/EIA 370-B:1992 Halbleiterbauelemente, Bezeichnungssystem für
ANSI/IEEE 300:1988 Testverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
ANSI/ASTM D6095:2012 Testverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ANSI/UL 2360-2004 Prüfverfahren zur Bestimmung der Brennbarkeitseigenschaften von Kunststoffen im Halbleiterwerkzeugbau

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Halbleitertestsystem

JEDEC JESD370B-1982 Bezeichnungssystem für Halbleiterbauelemente
JEDEC JEP140-2002 Messung der Temperatur von Halbleitergehäusen mit Perlen-Thermoelementen
JEDEC JESD30D-2006 Beschreibendes Bezeichnungssystem für Halbleiterbauelementpakete
JEDEC JESD30F-2013 Beschreibendes Bezeichnungssystem für Halbleiterbauelementpakete
JEDEC JESD30G-2016 Beschreibendes Bezeichnungssystem für Halbleiterbauelementpakete
JEDEC JESD22-B108A-2003 Koplanaritätstest für oberflächenmontierte Halbleiterbauelemente
JEDEC JESD22-B108B-2010 Koplanaritätstest für oberflächenmontierte Halbleiterbauelemente
JEDEC JESD390A-1981 Standardtestverfahren für Rauschabstandsmessungen für Halbleiter-Logik-Gating-Mikroschaltungen
JEDEC JESD57-1996 Testverfahren zur Messung von Einzelereigniseffekten in Halbleiterbauelementen durch Schwerionenbestrahlung

HU-MSZT, Halbleitertestsystem

MSZ 700/36.lap-1961 Halbleitertestexperimente in Kohlebergwerken
MSZ 700/23.lap-1965 STMicroelectronics testet Koks
MSZ 700/24.lap-1965 STMicroelectronics Kokstest
MSZ 700/27.lap-1962 Test-Flash-Definition von STMicroelectronics
MNOSZ 700-8.lap-1955 STMicroelectronics testet Kohlenstoff und Gelbsucht
MSZ 700/26.lap-1961 STMicroelectronics-Tests. Schnelle Methode zur Bestimmung des Aschegehalts
MSZ 700/41.lap-1961 STMicroelectronics-Tests. Bestimmen Sie schnell den Gesamtschwefelgehalt
MNOSZ 700-3.lap-1955 Probenvorbereitung für Halbleitermodellanalysetestlabore

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Halbleitertestsystem

GB/T 36005-2018 Messmethoden zur optischen Strahlungssicherheit für Halbleiterbeleuchtungsgeräte und -systeme
GB/T 14028-2018 Integrierte Halbleiterschaltungen – Messmethode für analoge Schalter
GB/T 35006-2018 Integrierte Halbleiterschaltungen – Messverfahren für Pegelwandler
GB/T 35007-2018 Integrierte Halbleiterschaltungen – Messverfahren für Niederspannungs-Differenzsignalschaltungen

CZ-CSN, Halbleitertestsystem

CSN 35 1540-1979 Tests von Leistungshalbleiterwandlern
CSN IEC 749:1994 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden
CSN 35 8760-1973 Seraleiter. Stabilisierungsdioden. Messung des Spannungstemperaturkoeffizienten
CSN 35 6575 Z1-1997 Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
CSN 35 1601-1980 Leistungshalbleitergeräte. Allgemeine technische Anforderungen. Testmethoden
CSN 35 8785-1975 Halbleiterbauelemente. Varicaps. Messung des thermischen Kapazitätskoeffizienten.
CSN IEC 596:1994 Definitionen der Testmethodenbegriffe für Halbleiterstrahlungsdetektoren und Szintillationszählung
CSN 35 6553 Z1-1997 Verstärker und Vorverstärker für Halbleiterdetektoren für ionisierende Strahlung. Testmethoden

RO-ASRO, Halbleitertestsystem

STAS 11066/2-1980 THYRISTOREN Testmethoden
STAS 6693/2-1975 Halbleiterbauelemente TRANSISTOREN Methoden zur Messung elektrischer Eigenschaften
STAS CEI 191-4-1992 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Formen von Gehäuseumrissen für Halbleiterbauelemente

Defense Logistics Agency, Halbleitertestsystem

DLA MIL-STD-750 F CHANGE 1-2013 TESTVERFAHREN FÜR HALBLEITERGERÄTE
DLA MIL-STD-750 F-2012 TESTVERFAHRENSTANDARD FÜR HALBLEITERGERÄTE
DLA MIL STD 750 3-2012 TESTVERFAHREN ELEKTRISCHE STANDARD-TRANSISTOR-TESTVERFAHREN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 3: TESTVERFAHREN 3000 BIS 3999
DLA MIL STD 750 1-2012 PRÜFMETHODE STANDARD-UMWELTPRÜFMETHODEN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 1: PRÜFMETHODEN 1000 BIS 1999
DLA MIL STD 750 2-2012 PRÜFMETHODE STANDARDMECHANISCHE TESTVERFAHREN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 2: PRÜFMETHODEN 2001 BIS 2999
DLA MIL STD 750 4 E-2012 TESTMETHODE STANDARD-DIODEN-ELEKTRISCHE TESTMETHODEN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 4: TESTMETHODEN 4000 BIS 4999
DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 1-2013 PRÜFMETHODE STANDARD-UMWELTPRÜFMETHODEN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 1: PRÜFMETHODEN 1000 BIS 1999
DLA MIL-STD-750-2 CHANGE 3-2013 PRÜFMETHODE STANDARDMECHANISCHE TESTVERFAHREN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 2: PRÜFMETHODEN 2001 BIS 2999
DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 2-2013 PRÜFMETHODE STANDARD-UMWELTPRÜFMETHODEN FÜR HALBLEITERGERÄTE TEIL 1: PRÜFMETHODEN 1000 BIS 1999
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, TESTBUS-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON

IN-BIS, Halbleitertestsystem

IS 7412-1974 Lebensdauertest von Halbleiterbauelementen
IS 9816-1981 Allgemeine Anforderungen und Klassifizierungen für die Prüfung von Halbleiterbauelementen
IS 12641-1989 Umwelttestverfahren für Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise
IS 12737-1988 Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer

Group Standards of the People's Republic of China, Halbleitertestsystem

T/SHDSGY 113-2022 Hochfrequenz-Frontend-Halbleitertestsoftware
T/ZACA 041-2022 Testausrüstung für Mixed-Signal-Halbleiterbauelemente
T/ZZB Q041-2022 Testausrüstung für Mixed-Signal-Halbleiterbauelemente
T/CASAS 011.1-2021 Testqualifikation für Leistungsgeräte in Automobilanwendungen
T/CASAS 011.2-2021 Testqualifikation für Leistungsmodule in Automotive-Anwendungen
T/GVS 005-2022 Prüfspezifikation für die Kontrastmethode des Absolutdruck-Kapazitäts-Membran-Vakuummeters in der Halbleiterausrüstung

YU-JUS, Halbleitertestsystem

JUS N.R1.500-1980 Semionductor-Geräte. Annahme. Elektrische Tests

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Halbleitertestsystem

IEEE 660-1986 Mustersprache für Halbleiterspeichertests
IEEE No 256-1963 IEEE-Testverfahren für Halbleiterdioden
IEEE Std 660-1986 IEEE-Standard für die Testmustersprache für Halbleiterspeicher
IEEE Std 300-1988 IEEE-Standardtestverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
ANSI/IEEE Std 300-1982 IEEE-Standardtestverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
ANSI/IEEE Std 759-1984 IEEE-Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
IEEE Std C62.35-1987 IEEE-Standardtestspezifikationen für Avalanche Junction-Halbleiter-Überspannungsschutzgeräte
IEEE No 300-1969*USAS N42.1-1969 USA-Standard und IEEE-Testverfahren für Halbleiter-Strahlungsdetektoren (für ionisierende Strahlung)
IEEE 300-1969 USA-Standard und IEEE-Testverfahren für Halbleiter-Strahlungsdetektoren (für ionisierende Strahlung)
IEEE Unapproved Draft Std PC62.35/D11, Aug 2007 IEEE Draft Standard Test Specifications for Avalanche Junction Semiconductor Surge-Protective Devices
IEEE Std C62.35-2010 IEEE-Standardtestmethoden für Komponenten von Avalanche-Junction-Halbleiter-Überspannungsschutzgeräten

Professional Standard - Post and Telecommunication, Halbleitertestsystem

YD/T 2001.2-2011 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen. Teil 2: Messmethoden
YD/T 701-1993 Testverfahren für die Montage von Halbleiterlaserdioden

Danish Standards Foundation, Halbleitertestsystem

DS/EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest
DS/EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
DS/EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
DS/EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test
DS/EN 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
DS/EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
DS/EN 60749-29:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 29: Latch-Up-Test
DS/EN 60191-6-16:2007 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
DS/EN 62047-11:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme
DS/EN 60749-2:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: Niedriger Luftdruck
DS/EN 60749-21:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
DS/EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
DS/EN 60749-34:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel
DS/EN 60749-25:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 25: Temperaturwechsel

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Halbleitertestsystem

EN 62415:2010 Semiconductor devices - Constant current electromigration test
EN 62007-2:2000 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen Teil 2: Messmethoden
EN 60191-4:2014 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (Enthält Änderung A1: 2018)
EN 60749-29:2003 Halbleiterbauelemente Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 29: Latch-Up-Test
EN 60749-34:2004 Halbleiterbauelemente Mechanische und klimatische Prüfmethoden Teil 34: Power Cycling

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Halbleitertestsystem

KS C 6045-1991(2001) PRÜFVERFAHREN FÜR HALBLEITER-GLEICHRICHTERDIODEN
KS M 1804-2008(2018) Prüfverfahren für Flusssäure für Halbleiter
KS C 6045-1986 PRÜFVERFAHREN FÜR HALBLEITER-GLEICHRICHTERDIODEN
KS C IEC 62007-2:2003 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
KS C 6565-2002 Testmethoden für Halbleiter-Beschleunigungssensoren
KS C 6565-2002(2017) Testmethoden für Halbleiter-Beschleunigungssensoren
KS C IEC 62007-2-2003(2018) Photoelektrische Halbleiterbauelemente für optische Kommunikationssysteme – Teil 2: Messmethoden
KS C 6520-2008 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften durch Plasma
KS C IEC 60759-2009(2019) Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
KS C IEC 62526-2015(2020) Standard für Erweiterungen der Standard Test Interface Language (STIL) für Halbleiter-Designumgebungen
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS C IEC 62526:2015 Standard für Erweiterungen der Standard Test Interface Language (STIL) für Halbleiter-Designumgebungen
KS C IEC 60749-21:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
KS C IEC 60749-2:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: Niedriger Luftdruck
KS C IEC 60749-13:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
KS C IEC 61954:2002 Leistungselektronik für elektrische Übertragungs- und Verteilungssysteme – Prüfung von Thyristorventilen für statische VAR-Kompensatoren
KS C IEC 62007-1:2003 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen? Teil 1: Wesentliche Bewertungen und Merkmale
KS C IEC 60749-34:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 34: Leistungswechsel
KS C IEC 60749-6:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen
KS C IEC 60749-22:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 22: Haftfestigkeit
KS C IEC 60749-34:2017 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 34: Ein- und Ausschalten

German Institute for Standardization, Halbleitertestsystem

DIN EN 62415:2010-12 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest (IEC 62415:2010); Deutsche Fassung EN 62415:2010
DIN EN 62417:2010-12 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
DIN EN 62416:2010-12 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010
DIN 50448:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Widerstands von halbisolierenden Halbleiterscheiben mittels einer kapazitiven Sonde
DIN EN 62418:2010-12 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Hohlraumtest (IEC 62418:2010); Deutsche Fassung EN 62418:2010
DIN EN 60191-4:2003 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (IEC 60191-4:1999 + A1:2001 + A2:2002); Deutsche Fassung EN 60191-4:1999 + A1:2002 + A2:2002
DIN 50441-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 2: Prüfung des Kantenprofils
DIN 50441-1:1996 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 1: Dicke und Dickenschwankung
DIN 50441-5:2001 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 5: Begriffe der Form- und Ebenheitsabweichung
DIN EN 60749-44:2017-04 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente (IEC 60749-44:2016); Deutsche Fassung EN 60749-44:2016
DIN EN 62007-2:2009-09 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen - Teil 2: Messverfahren (IEC 62007-2:2009); Deutsche Fassung EN 62007-2:2009 / Hinweis: DIN EN 62007-2 (2001-06) bleibt neben dieser Norm bis zum 01.02.2012 gültig.
DIN EN 60749-38:2008-10 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (IEC 60749-38:2008); Deutsche Fassung EN 60749-38:2008
DIN SPEC 1994:2017-02 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
DIN EN 60749-29:2012-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-Up-Test (IEC 60749-29:2011); Deutsche Fassung EN 60749-29:2011 / Hinweis: DIN EN 60749-29 (2004-07) bleibt neben dieser Norm bis zum 12.05.2014 gültig.
DIN EN 60191-6-16:2007-11 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertests und Burn-in-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Deutsche Fassung EN 60191-6-16:2007 / Hinweis: Wird durch DIN EN 60191-6-16 (2013-...) ersetzt.
DIN EN IEC 63364-1:2023-10 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für IOT-Systeme – Teil 1: Prüfverfahren zur Erkennung von Schallschwankungen (IEC 47/2742/CDV:2021); Deutsche und englische Version prEN IEC 63364-1:2021 / Hinweis: Ausgabedatum 29.09.2023
DIN 50449-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 2: Bor in Galliumarsenid
DIN EN 62047-11:2014-04 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme (IEC 62047-11:2013); Deutsche Fassung EN 62047-11:2013
DIN EN 60749-8:2003-12 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 8: Abdichtung (IEC 60749-8:2002 + Corr. 1:2003 + Corr. 2:2003); Deutsche Fassung EN 60749-8:2003 / Hinweis: Unter bestimmten Voraussetzungen behält die DIN EN 60749 (2002-09) neben dieser Norm ihre Gültigkeit...
DIN EN 60749-39:2007-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006 / Hinweis: Zu beachten...
DIN EN 60191-4:2019-02 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (IEC 60191-4:2013 + A1:2018); Deutsche Fassung EN 60191-4:2014 + A1:2018 / Hinweis: DIN EN 60191-...
DIN EN 60749-21:2012-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit (IEC 60749-21:2011); Deutsche Fassung EN 60749-21:2011 / Hinweis: DIN EN 60749-21 (2005-06) bleibt neben dieser Norm bis zum 12.05.2014 gültig.
DIN EN IEC 60749-13:2018-10 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 13: Salzatmosphäre (IEC 60749-13:2018); Deutsche Fassung EN IEC 60749-13:2018 / Hinweis: DIN EN 60749-13 (2003-04) bleibt neben dieser Norm bis zum 22.03.2021 gültig.
DIN EN 62373:2007-01 Vorspannungstemperaturstabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006
DIN 50452-1:1995-11 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 1: Mikroskopische Bestimmung von Partikeln
DIN EN 60191-4:2014 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (IEC 60191-4:2013); Deutsche Fassung EN 60191-4:2014
DIN EN 60749-34:2011-05 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Leistungswechsel (IEC 60749-34:2010); Deutsche Fassung EN 60749-34:2010 / Hinweis: DIN EN 60749-34 (2004-10) bleibt neben dieser Norm bis zum 01.12.2013 gültig.
DIN EN 60749-25:2004-04 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 25: Temperaturwechsel (IEC 60749-25:2003); Deutsche Fassung EN 60749-25:2003 / Hinweis: Die DIN EN 60749 (2002-09) bleibt unter bestimmten Voraussetzungen neben dieser Norm bis 2006-0 gültig...
DIN EN 60749-27:2013-04 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) - Maschinenmodell (MM) (IEC 60749-27:2006 + A1:2012); Deutsche Fassung EN 60749-27:2006 + A1:2012 / Hinweis: DIN EN 60749-27 (2007-01) re...
DIN EN 60749-6:2017-11 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen (IEC 60749-6:2017); Deutsche Fassung EN 60749-6:2017 / Hinweis: DIN EN 60749-6 (2003-04) bleibt neben dieser Norm bis zum 07.04.2020 gültig.
DIN EN 60749-22:2003-12 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 22: Haftfestigkeit (IEC 60749-22:200 + Corr. 1:2003); Deutsche Fassung EN 60749-22:2003 / Hinweis: Unter bestimmten Voraussetzungen behält die DIN EN 60749 (2002-09) neben dieser Norm ihre Gültigkeit bis...

工业和信息化部, Halbleitertestsystem

SJ/T 2749-2016 Testmethoden für Halbleiterlaserdioden
SJ/T 10805-2018 Prüfverfahren für einen Spannungskomparator für integrierte Halbleiterschaltungen
SJ/T 11702-2018 Prüfverfahren für serielle Peripherieschnittstellen integrierter Halbleiterschaltungen
SJ/T 11706-2018 Verfahren zum Testen eines feldprogrammierbaren Gate-Arrays für integrierte Halbleiterschaltungen
SJ/T 11577-2016 SJ/T 11394-2009 Anwendungsleitfaden „Testmethoden für Halbleiter-Leuchtdioden“.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Halbleitertestsystem

GB/T 1550-2018 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien
GB/T 39771.2-2021 Optische Strahlungssicherheit von LEDs – Teil 2: Messmethoden

Professional Standard - Aerospace, Halbleitertestsystem

QJ 259-1977 器件
QJ 257-1977 Testmethode für integrierte TTL-Halbleiter-Digitalschaltungen
QJ 1528-1988 Zeitbasistestverfahren für integrierte Halbleiterschaltungen
QJ/Z 32-1977 Prüfverfahren für halbleiterintegrierte Vergleichsverstärker
QJ 260-1977 器件
QJ 1460-1988 Prüfverfahren für Breitbandverstärker einer integrierten Halbleiterschaltung
QJ 2491-1993 Testmethoden für Operationsverstärker in integrierten Halbleiterschaltungen
QJ 1526-1988 器件
QJ 2660-1994 Prüfverfahren für einen Pulsweitenmodulator eines Schaltnetzteils mit integrierter Halbleiterschaltung
QJ 3289-2007 Anforderungen und Methoden des Hardware-in-the-Loop-Simulationstests für das Hochfrequenz-Zielführungskontrollsystem von Boden-Luft-Raketen
QJ 3044-1998 D/A-Wandler für integrierte Halbleiterschaltungen und Prüfverfahren für A/D-Wandler

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Halbleitertestsystem

EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test
EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente
EN 60749-29:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 29: Latch-Up-Test
EN 62047-9:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS
EN 62047-11:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme
EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
EN 60749-34:2010 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel

TR-TSE, Halbleitertestsystem

TS 2643-1977 Testverfahren für Bemiconductor-Detektoren für ionisierende Strahlung

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Halbleitertestsystem

NEMA ABP 3-2013 Prüfung von Kompaktleistungsschaltersystemen mit Leitern

Lithuanian Standards Office , Halbleitertestsystem

LST EN 62417-2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010)
LST EN 62415-2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest (IEC 62415:2010)
LST EN 62416-2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren (IEC 62416:2010)
LST EN 60749-38-2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (IEC 60749-38:2008)
LST EN 62418-2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Hohlraumtest (IEC 62418:2010)
LST EN 60191-4-2014 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 4: Kodierungssystem und Klassifizierung in Gehäuseformen für Gehäuse von Halbleiterbauelementen (IEC 60191-4:2013)
LST EN 62007-2-2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messverfahren (IEC 62007-2:2009)
LST EN 60749-29-2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 29: Latch-Up-Test (IEC 60749-29:2011)
LST EN 60191-6-16-2007 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertests und Burn-in-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007)

SE-SIS, Halbleitertestsystem

SIS SS-IEC 749:1991 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden
SIS SS IEC 333:1986 Nukleare Instrumentierung – Testverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
SIS SS IEC 700:1984 Leistungselektronik – Halbleiterventile für die Hochspannungs-Gleichstromübertragung – Prüfung

RU-GOST R, Halbleitertestsystem

GOST 24461-1980 Leistungshalbleitergeräte. Prüf- und Messmethoden
GOST 4.139-1985 System von Produktqualitätsindizes. Halbleiter-Leistungswandler. Nomenklatur der Indizes
GOST 18986.17-1973 Referenzdioden. Methode zur Messung des Temperaturkoeffizienten der Arbeitsspannung
GOST 25293-1982 Kühler des Luftkühlsystems von Leistungshalbleitergeräten. Allgemeine Spezifikation
GOST 19656.6-1974 Halbleiter-UHF-Mischdioden. Messmethoden für die Standard-Gesamtrauschzahl
GOST R 8.842-2013 Staatliches System zur Gewährleistung der Einheitlichkeit der Messung. Instrumente zur Messung der Strahlungsleistung von Halbleiter-Emitterdioden. Überprüfungsverfahren
GOST R 8.843-2013 Staatliches System zur Gewährleistung der Einheitlichkeit der Messung. Messgeräte für Strahlungsleistungs-Halbleiter-Emitterdioden. Überprüfungsverfahren

ECIA - Electronic Components Industry Association, Halbleitertestsystem

EIA CB-5:1969 Empfohlenes Testverfahren für Halbleiter-Wärmeableitgeräte

KR-KS, Halbleitertestsystem

KS C IEC 62007-2-2003(2023) Photoelektrische Halbleiterbauelemente für optische Kommunikationssysteme – Teil 2: Messmethoden
KS C IEC 60749-2-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: Niedriger Luftdruck
KS C IEC 60749-21-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
KS C IEC 60749-13-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
KS C IEC 62007-1-2003(2023) Halbleiter-Photovoltaikgeräte für optische Kommunikationssysteme – Teil 1: Wichtige Klassen und Eigenschaften
KS C IEC 60749-22-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 22: Haftfestigkeit
KS C IEC 60749-6-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Halbleitertestsystem

JIS C 7012:1982 Typenbezeichnungssystem für diskrete Halbleiterbauelemente

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Halbleitertestsystem

ECA CB 5-1969 Empfohlenes Testverfahren für Halbleiter-Wärmeableitgeräte
ECA CB 5-1-1971 Empfohlenes Testverfahren für Halbleiter-Wärmeableitgeräte, Nachtrag zu CB5

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleitertestsystem

DB52/T 1104-2016 Transiente Testmethode für den thermischen Widerstand des Anschlussgehäuses von Halbleiterbauelementen

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Halbleitertestsystem

IEEE 425-1957 TESTCODE für TRANSISTOREN, HALBLEITERDEFINITIONEN und LEITERSYMBOLE
IEEE 300-1988 Standardtestverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
IEEE 300-1982 STANDARDTESTVERFAHREN FÜR HALBLEITER-DETEKTOREN FÜR GELADENE TEILCHEN
IEEE C62.35-1987 Standardtestspezifikationen für Avalanche-Junction-Halbleiter-Überspannungsschutzgeräte
IEEE PC62.35/D1-2018 Entwurf einer Norm für Testmethoden für Komponenten von Silizium-Avalanche-Halbleiter-Überspannungsschutzgeräten
IEEE C62.35-2010 Standardtestmethoden für Komponenten von Avalanche-Junction-Halbleiter-Überspannungsschutzgeräten

CH-SNV, Halbleitertestsystem

VSM 18656-1964 Systemregeln für Grenzwerte elektronischer Ohren und analoger Halbleiterbauelemente

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Halbleitertestsystem

JJG(电子) 04008-1987 Versuchsverifizierungsvorschriften für QE1A Doppelbasis-Halbleiterröhrentester
JJG(电子) 310002-2006 Spezifikation zur Verifizierung von DC-Parametertestern für diskrete Halbleiterbauelemente
JJG(电子) 310003-2006 Spezifikation zur Verifizierung von Kondensatorparametertestern für diskrete Halbleiterbauelemente
JJG(电子) 04023-1989 Spezifikation zur Überprüfung des Hochleistungs-Halbleitertrioden-TF-Testers Modell BJ2970

Professional Standard - Machinery, Halbleitertestsystem

JB/T 6307.1-1992 Prüfverfahren für Leistungshalbleitermodule. Gleichrichterdiodenzweigpaar
JB/T 6307.2-1992 Prüfverfahren für Leistungshalbleitermodule Einphasen-Brückengleichrichterdioden
JB/T 6307.3-1992 Prüfverfahren für Leistungshalbleitermodule mit Dreiphasen-Brückengleichrichterdiode
JB/T 4219-1999 Typenbezeichnung von Messgeräten für Leistungshalbleiterbauelemente
JB/T 6307.4-1992 Testverfahren für Leistungshalbleitermodule. Arm und Armpaar eines Bipolartransistors
JB/T 6307.5-1994 Testmethoden für Leistungshalbleitermodule, Bipolartransistoren, Einphasenbrücke und Dreiphasenbrücke

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Halbleitertestsystem

GJB 9147-2017 Testmethoden für Operationsverstärker in integrierten Halbleiterschaltungen
GJB 3219-1998 Verfahren zur Prüfung der Gesamtleistung eines Luft-Luft-Raketensystems
GJB 5410-2005 Test- und Abschussregeln für das Endleitsystem strategischer Raketen

未注明发布机构, Halbleitertestsystem

DIN EN 60191-4:2019 Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 4: Coding system and classification into forms of package outlines for semiconductor device packages
DIN SPEC 1994 E:2016-07 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
DIN EN 60191-6-16 E:2013-08 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
BS IEC 62526:2007(2010) Standard für Erweiterungen der Standard Test Interface Language (STIL) für Halbleiter-Designumgebungen

American Society for Testing and Materials (ASTM), Halbleitertestsystem

ASTM E1161-95 Standardtestmethode für die radiologische Untersuchung von Halbleitern und elektronischen Bauteilen
ASTM F76-86(1996)e1 Standardtestmethoden zur Messung des spezifischen Widerstands und des Hall-Koeffizienten sowie zur Bestimmung der Hall-Mobilität in einkristallinen Halbleitern
ASTM F76-86(2002) Standardtestmethoden zur Messung des spezifischen Widerstands und des Hall-Koeffizienten sowie zur Bestimmung der Hall-Mobilität in einkristallinen Halbleitern
ASTM F76-08 Standardtestmethoden zur Messung des spezifischen Widerstands und des Hall-Koeffizienten sowie zur Bestimmung der Hall-Mobilität in einkristallinen Halbleitern
ASTM F76-08(2016)e1 Standardtestmethoden zur Messung des spezifischen Widerstands und des Hall-Koeffizienten sowie zur Bestimmung der Hall-Mobilität in einkristallinen Halbleitern
ASTM D4325-20 Standardtestmethoden für nichtmetallische halbleitende und elektrisch isolierende Gummibänder
ASTM F76-08(2016) Standardtestmethoden zur Messung des spezifischen Widerstands und des Hall-Koeffizienten sowie zur Bestimmung der Hall-Mobilität in einkristallinen Halbleitern

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleitertestsystem

CNS 6802-1980 Standardtestverfahren für Rauschabstandsmessungen für Halbleiter-Logik-Gating-Mikroschaltungen
CNS 8104-1981 Methode zur Messung der linearen MOSFET-Schwellenspannung
CNS 8106-1981 Methode zur Messung der MOSFET-Sättigungsschwellenspannung
CNS 5751-1980 Prüfmethode für die scheinbare Dichte von Keramik für Anwendungen in Elektronenbauelementen und Halbleitern

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., Halbleitertestsystem

ASHRAE 4513-2002 Anwendung der 3C-Kanaldesignmethode in Prozessabgassystemen für Halbleiterfabriken

Anhui Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleitertestsystem

DB34/T 3770-2020 Prüfverfahren zur elektrischen Prüfung von Verbundisolatoren zur Verwendung in supraleitenden Magnetsystemen

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, Halbleitertestsystem

JJF 1895-2021 Kalibrierungsspezifikation für Gleichstrom- und Niederfrequenzparameter-Testgeräte für Halbleiterbauelemente

BELST, Halbleitertestsystem

STB 8066-2016 System zur Gewährleistung der Einheitlichkeit der Messungen der Republik Belarus. Alphaspektrometer mit Halbleiterdetektoren. Methoden zur Überprüfung

SAE - SAE International, Halbleitertestsystem

SAE ARP1625-1981 Kaltgassysteme @ Raketen- oder Projektildesign @ Installation @ Tests und Anforderungen für

Society of Automotive Engineers (SAE), Halbleitertestsystem

SAE ARP1625-1994 Kaltgassysteme, Raketen- oder Projektildesign, Installation, Tests und Anforderungen für
SAE ARP1625A-2002 Entwurf, Installation, Tests und Anforderungen für Kaltgassysteme, Raketen oder Projektile

Professional Standard - Energy, Halbleitertestsystem

NB/T 25110-2020 Technische Richtlinien für die Inbetriebnahme von Überwachungs- und Kontrollsystemen für brennbare Gase in Kernkraftwerken
NB/T 11072-2023 Richtlinien für den Einsatz von Prüfspannungsmesssystemen

ZA-SANS, Halbleitertestsystem

SANS 6281-1:2007 Prüfverfahren für imprägnierte papierisolierte Elektrokabel Teil 1: Prüfungen an isolierendem und halbleitendem Papier

AENOR, Halbleitertestsystem

UNE-EN 60749-2:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: Niedriger Luftdruck.
UNE-EN 60749-12:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibration, variable Frequenz.
UNE-EN 60749-10:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock.

Professional Standard - Forestry, Halbleitertestsystem

LY/T 1688-2007 Indikatorensystem zur Langzeitbeobachtung des Waldökosystems in ariden und semiariden Zonen

International Organization for Standardization (ISO), Halbleitertestsystem

ISO 18257:2016 Raumfahrtsysteme – Integrierte Halbleiterschaltungen für Raumfahrtanwendungen – Designanforderungen

CU-NC, Halbleitertestsystem

NC 90-13-36-1986 Konduktometer für messtechnische Sicherheit. Testmethoden

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleitertestsystem

DB13/T 5120-2019 Spezifikationen für den DC-Leistungstest von FP- und DFB-Halbleiterlaserchips für die optische Kommunikation