bipolare Persönlichkeit

Für die bipolare Persönlichkeit gibt es insgesamt 175 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst bipolare Persönlichkeit die folgenden Kategorien: Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Elektrische Lichter und zugehörige Geräte, Elektrische Geräte und Systeme für die Luft- und Raumfahrt, Küchenausstattung, Audio-, Video- und audiovisuelle Technik, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Elektronische Geräte, Drahtlose Kommunikation, Diskrete Halbleitergeräte, Kondensator, Die Brennstoffzelle, Datenspeichergerät, Bordausrüstung und Instrumente, Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV), Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Eigenschaften und Design von Maschinen, Anlagen und Geräten, Erdarbeiten, Aushubarbeiten, Fundamentbau, Tiefbauarbeiten, Bodenbelag ohne Stoff, Energie- und Wärmeübertragungstechnik umfassend, Physik Chemie, Batterien und Akkus, Stahlprodukte, Lager, Umfangreiche elektronische Komponenten, Längen- und Winkelmessungen, Verpackungsmaterialien und Hilfsstoffe, Glasfaserkommunikation, Strahlungsmessung, Schneidewerkzeuge, Schweißen, Hartlöten und Niedertemperaturschweißen.

Defense Logistics Agency, bipolare Persönlichkeit

DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARER HOCHLEISTUNGS-10-BIT-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88763-1990 MIKROSCHALTUNG, LINEARER SPANNUNGSREGLER MIT DOPPELPOLARITÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-PRF-39016/19 H VALID NOTICE 1-2011 Elektromagnetische Relais, etablierte Zuverlässigkeit, DPDT, niedriger Pegel bis 1 Ampere mit interner Diode zur Unterdrückung von Spulentransienten und Polaritätsumkehrschutz, Anschlüsse mit 0,100-Zoll-Rastermuster
DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-PRF-28776/6 E VALID NOTICE 1-2010 Relais, Hybrid, etablierte Zuverlässigkeit, DPDT, niedriger Pegel bis 1,0 Ampere, interner MOSFET-Antrieb mit Zenerdioden-Gate-Schutz (elektromechanischer Ausgang), Diodenspulenunterdrückung und Anschlüssen mit 0,100-Gitter-Leiterabstand
DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLAR, HF/ZF-VERSTÄRKER MIT AGC, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89490 REV C-2006 MIKROKREIS-, HYBRID-, LINEAR-, DOPPELTER POSITIVER UND NEGATIVER 15-VOLT-, 12-VOLT- UND 5-VOLT-REGLER
DLA SMD-5962-89554 REV A-2005 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, DUAL 4-EINGÄNGE POSITIV UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-DWG-87109 REV C-2002 ANSCHLÜSSE, BUCHSE, ELEKTRISCH, VERRIEGELUNGSGEHÄUSE, POLARISIERT, ZWEIREIHIG, 0,025-PFOSTEN
DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT, SPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLAR HEX NTDS TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLARER HEX-NTDS-EMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARER HOCHLEISTUNGS-10-BIT-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, 8-BIT-GLEICHKOMPARATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90541 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY MIT NIEDRIGER LEISTUNG, TTL, DUAL CARRY-SAVE-VOLLADDER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-PRF-39016/20 J VALID NOTICE 1-2010 Relais, elektromagnetisch, etablierte Zuverlässigkeit, DPDT, niedriger Pegel bis 1,0 Ampere mit internen Dioden zur Unterdrückung von Spulentransienten und Polaritätsumkehrschutz
DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 MIKROKREISE, DIGITAL, 32.768 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-PRF-39016/43 E VALID NOTICE 1-2010 Elektromagnetische Relais, etablierte Zuverlässigkeit, DPDT, niedriger Pegel bis 1,0 Ampere, mit internen Dioden zur Unterdrückung von Spulentransienten und Anschlüssen zum Verpolungsschutz, 0,100-Zoll-Rastermuster (empfindlich, 60 Milliwatt, Spulenbetriebsleistung bei 25
DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 8-BIT BIDIREKTIONALES UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-PRF-39016/30 F VALID NOTICE 1-2010 Elektromagnetische Relais, etablierte Zuverlässigkeit, DPDT, niedriger Pegel bis 1,0 Ampere (selbsthaltend) mit internen Dioden zur Unterdrückung von Spulentransienten und zum Schutz vor Verpolung
DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG LINEAR, BIPOLAR, HEX NTDS, SCHNELLER TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-PRF-39016/18 H VALID NOTICE 1-2010 Elektromagnetische Relais, etablierte Zuverlässigkeit, DPDT, niedriger Pegel bis 1,0 Ampere mit interner Diode zur Unterdrückung von Spulentransienten, Anschlüsse mit 0,100-Zoll-Rastermuster
DLA MIL-PRF-39016/38 C VALID NOTICE 1-2010 Elektromagnetische Relais, etablierte Zuverlässigkeit, DPDT, niedriger Pegel bis 2 Ampere (0,150-Zoll-Klemmenabstand), mit internen Dioden zur Unterdrückung von Spulentransienten und Verpolungsschutz
DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, VIERFACHES POSITIVE-NAND-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL, VIERFACHES POSITIVE-NOR-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, DREIFACH POSITIVES NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEARE BI-FET-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL-VIERFACH, POSITIV-ODER-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, POSITIVE NAND-GATE MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, D-TYP-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLAR QUAD NTDS FAST/ANEW EMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, QUAD 2-EINGANG POSITIV-ODER-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, DREIFACH, 3-EINGÄNGE, POSITIV UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, BUS-SCHNITTSTELLE FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, POSITIVES NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, POSITIVES NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97580 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR ADVANCED SCHOTTKY TTL, DUAL JK POSITIVE EDGE TRIGGERED FLIP-FLOPS MIT KLAREM UND VOREINGESTELLTEM, MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, QUAD-BIFET, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89526 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, SYNCHRONER 8-BIT, AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-PRF-39016/29 G VALID NOTICE 1-2011 Relais, elektromagnetisch, etablierte Zuverlässigkeit, DPDT, niedriger Pegel bis 1,0 Ampere (selbsthaltend) mit internen Dioden zur Unterdrückung von Spulentransienten
DLA SMD-5962-97541 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, VIERFACHER POSITIVER NAND-PUFFER MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-PRF-39016/16 G VALID NOTICE 1-2010 Relais, elektromagnetisch, etablierte Zuverlässigkeit, DPDT, niedriger Pegel bis 1,0 Ampere (empfindlich, 60 Milliwatt) mit interner Diode zur Unterdrückung von Spulentransienten
DLA MIL-PRF-39016/42 E VALID NOTICE 1-2011 Elektromagnetische Relais, etablierte Zuverlässigkeit, DPDT, niedriger Pegel bis 1,0 Ampere mit interner Diode zur Unterdrückung von Spulentransienten, Anschlüsse mit 0,100-Zoll-Rastermuster (empfindlich 60 Milliwatt, Spulenbetriebsleistung bei 25 °C)
DLA MIL-PRF-39016/37 C VALID NOTICE 1-2010 Elektromagnetische Relais, etablierte Zuverlässigkeit, DPDT, niedriger Pegel bis 2 Ampere (0,150-Zoll-Klemmenabstand), mit interner Diode zur Unterdrückung von Spulentransienten
DLA MIL-PRF-39016/55 B VALID NOTICE 1-2011 Relais, elektromagnetisch, etablierte Zuverlässigkeit, DPDT, niedriger Pegel bis 2 Ampere (0,200-Zoll-Klemmenabstand), mit interner Diode zur Unterdrückung von Spulentransienten
DLA SMD-5962-97549 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, OKTAL D-TYP EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOPS MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90910 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ADVANCE SCHOTTKY, TTL, OKTAL, KANTENGESTEUERTES D-TYP-FLIP-FLOP MIT TAKTFREIGABE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, TTL, 8-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOPS MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90780 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOPS MIT NICHT-INVERTIERENDEN UND INVERTIERENDEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM

Association Francaise de Normalisation, bipolare Persönlichkeit

UTE C86-614:1977 Elektronische Bauteile - Bipolare Schalttransistoren - Sammlung spezieller Spezifikationen.
NF C72-210/A5*NF EN 60081/A5:2014 Doppelsockel-Leuchtstofflampen – Leistungsangaben
NF EN 60081/A6:2017 Doppelseitig gesockelte Fluoreszenzlampen – Leistungsdaten
NF EN 61243-3:2015 Arbeiten unter Spannung – Spannungsdetektoren – Teil 3: Bipolarer Niederspannungsdetektor
NF P94-051:1993 Boden: Untersuchung und Prüfung. Bestimmung der Atterberg-Grenzen. Flüssigkeitsgrenztest mit dem Cassagrande-Gerät. Plastischer Grenztest an gerolltem Gewinde.
NF C72-776*NF EN 62776:2015 Doppelsockel-LED-Lampen zur Nachrüstung linearer Leuchtstofflampen – Sicherheitsspezifikationen
NF E22-563:1988 Gleitlager. Metallische dünnwandige Halblager. Bestimmung der Elastizitätsgrenze von Sigma 0,01.

British Standards Institution (BSI), bipolare Persönlichkeit

BS EN 62639:2012 Fluoreszierende Induktionslampen. Leistungsspezifikation
BS EN 60081:1998+A11:2018 Doppelsockel-Leuchtstofflampen. Leistungsbeschreibungen
BS EN 2593-001:2014 Luft- und Raumfahrtserie. Sockel für elektromagnetische Steckrelais 10 A, zwei- und vierpolig, doppelt geschaltet. Technische Spezifikation
PD IEC/TR 62152:2009 Übertragungseigenschaften kaskadierter Zweitore bzw. Quadripole. Hintergrund der Begriffe und Definitionen
BS EN 60838-2-3:2017 Verschiedene Lampenfassungen. Besondere Anforderungen. Fassungen für doppelsockelige lineare LED-Lampen
BS IEC 60404-8-5:2020 Magnetische Materialien - Spezifikationen für einzelne Materialien. Elektrostahlband und -blech mit spezifizierten mechanischen Eigenschaften und magnetischer Polarisation
BS ISO 366-3:2009 Textilmaschinen und Zubehör - Webblätter - Abmessungen und Bezeichnung von Metallrohrblättern mit Doppelfederstange
BS PD IEC/TS 62607-4-1:2014 Nanofertigung. Wichtige Kontrollmerkmale. Kathoden-Nanomaterialien für Lithium-Ionen-Batterien. Elektrochemische Charakterisierung, 2-Elektroden-Zellenmethode

PL-PKN, bipolare Persönlichkeit

PN T01210-01-1992 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Bipolartransistoren Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
PN T01207-01-1992 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente BipoLar-Transistoren Blanko-Detailspezifikation für umgebungsbeständige Bipolartransistoren für die Iow- und Hochfrequenzverstärkung

GOSTR, bipolare Persönlichkeit

GOST R 59175-2020 Doppelsockel-Leuchtstofflampen. Leistungsbeschreibungen

AENOR, bipolare Persönlichkeit

UNE-EN 60081:1999 DOPPELSAPIGE LEUCHTSTOFFLAMPEN. LEISTUNGSBESCHREIBUNGEN.

German Institute for Standardization, bipolare Persönlichkeit

DIN EN 60081:2019-07 Doppelsockel-Leuchtstofflampen – Leistungsspezifikationen (IEC 60081:1997 + A1:2000, modifiziert + A2:2003 + A3:2005 + A4:2010 + A5:2013 + A6:2017, modifiziert); Deutsche Fassung EN 60081:1998 + A1:2002 + A2:2003 + A3:2005 + A4:2010 + A5:2013 + A6:2017 + A1...
DIN EN 2593-001:2015-03 Luft- und Raumfahrt - Sockel für elektromagnetische Steckrelais 10 A, zwei- und vierpolig, doppelpolig - Teil 001: Technische Spezifikation; Deutsche und englische Fassung EN 2593-001:2014
DIN 4000-18:1988-12 Tabellarische Darstellung der Artikeleigenschaften für Halbleiterdioden
DIN 4000-18:1988 Tabellarische Darstellung der Artikeleigenschaften für Halbleiterdioden
DIN CEN/TS 13130-13:2005 Materialien und Gegenstände im Kontakt mit Lebensmitteln – Beschränkungspflichtige Kunststoffe – Teil 13: Bestimmung von 2,2-Bis(4-hydroxyphenyl)propan (Bisphenol A) in Lebensmittelsimulanzien; Deutsche Fassung CEN/TS 13130-13:2005
DIN EN 62776:2015 Doppelsockel-LED-Lampen zur Nachrüstung linearer Leuchtstofflampen – Sicherheitsspezifikationen (IEC 62776:2014 + COR1:2015); Deutsche Fassung EN 62776:2015

ES-UNE, bipolare Persönlichkeit

UNE-EN 60081:1998/A6:2017 Doppelsockel-Leuchtstofflampen – Leistungsspezifikationen (Gebilligt von der Asociación Española de Normalización im Dezember 2017.)
UNE-EN 60081:1999/A11:2018 Doppelsockel-Leuchtstofflampen – Leistungsangaben

International Electrotechnical Commission (IEC), bipolare Persönlichkeit

IEC 61195:2012 Zweiseitig gesockelte Leuchtstofflampen – Sicherheitsvorschriften
IEC 61195:2014 Zweiseitig gesockelte Leuchtstofflampen – Sicherheitsvorschriften
IEC 34A/1596/PAS:2012 Kaltkathoden-Leuchtstofflampen – Teil 2: Leistungsspezifikationen
IEC 34A/1598/PAS:2012 Leuchtstofflampen mit externen Elektroden – Teil 2: Leistungsspezifikationen
IEC 60747-7/AMD2:1994 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise - Teil 7: Bipolartransistoren; Änderung 2

CU-NC, bipolare Persönlichkeit

NC 66-29-1984 Elektronik. Messmethoden für Bipolartransistoren
NC 66-27-1984 Elektronik Hochfrequenz-Bipolartransistoren, Typ BF 310 Qualitätsspezifikationen
NC 66-28-1984 Elektronik. Hochfrequenz-Bipolartransistoren. Typ BF 199. Qualitätsangaben
NC 66-94-1987 Elektronische und elektrotechnische Industrie. Qualitätsspezifikationen für Niederfrequenz- und Hochleistungs-Bipolartransistoren
NC 66-25-1987 Elektronische und elektrotechnische Industrie. Hochfrequenz-Bipolartransistoren. Qualitätsspezifikationen
NC 66-93-1987 Elektronische und elektrotechnische Industrie. Bipolartransistoren mit niedriger Frequenz und mittlerer Leistung. Qualitätsspezifikationen
NC 66-26-1984 Elektronik. Hochleistungs-Bipolar-Schalttransistor, Typ BU 208. Qualitätsspezifikationen
NC 66-23-1984 Elektronik. Hochleistungs- und Niederfrequenz-Bipolartransistoren, Typ 2N 3055. Qualitätsspezifikationen
NC 66-17-1987 Elektrotechnische und elektronische Industrie. Bipolartransistoren für hohe Spannung und mittlere Leistung. Qualitätsspezifikationen
NC 66-14-1987 Elektronische und elektrotechnische Industrie. Kunststoffgekapselte Bipolartransistoren. Allgemeine Qualitätsspezifikationen
NC 66-16-1987 Rauscharme und leistungsstarke Bipolartransistoren für die elektronische und elektrotechnische Industrie. Qualitätsspezifikationen
NC 66-18-1984 Elektronik. Mittelleistungs- und Hochspannungs-Bipolartransistoren der Typen BC 328 und BC 338. Qualitätsspezifikationen
NC 66-20-1984 Elektronen. Hochleistungs- und Niederfrequenz-Bipolartransistoren, Typen BD 175, BD 176, BD 177 und BD 178. Qualitätsspezifikationen
NC 66-22-1984 Elektronen. Hochleistungs- und Niederfrequenz-Bipolartransistoren, Typen BD 705, BD 707, BD 708, BD 709 und BD 710. Qualitätsspezifikationen
NC 66-19-1984 Elektronik. Bipolartransistoren mittlerer Leistung und hoher Spannung, Typen BD 135, BD 136, 3D 137, BD 138, BD 139 und BD 140. Qualitätsspezifikationen
NC 66-24-1984 Elektronik. Hochleistungs- und Niederfrequenz-Bipolartransistoren, Typen BD 533, BD 534, BD 535, BD 536, BD 537 BD 538. Qualitätsspezifikationen
NC 66-21-1984 Elektronen. Hochleistungs- und Niederfrequenz-Bipolartransistoren, Typen BD 233, BD 234, BD 235, BD 236, BD 237 und BD 238. Qualitätsspezifikationen

Lithuanian Standards Office , bipolare Persönlichkeit

LST EN 60081-1999 Doppelsockel-Leuchtstofflampen. Leistungsspezifikationen (IEC 60081:1997)
LST EN 60081-1999/A2-2004 Doppelsockel-Leuchtstofflampen. Leistungsspezifikationen (IEC 60081:1997/A2:2003)
LST EN 60081-1999/A3-2006 Doppelsockel-Leuchtstofflampen. Leistungsspezifikationen (IEC 60081:1997/A3:2005)
LST EN 60081-1999/A1-2002 Doppelsockel-Leuchtstofflampen. Leistungsspezifikationen (IEC 60081:1997/A1:2000, modifiziert)

American Society for Testing and Materials (ASTM), bipolare Persönlichkeit

ASTM F1605-95 Standardtestmethode für die Leistung doppelseitiger Grillplatten
ASTM F1605-14(2019) Standardtestmethode für die Leistung doppelseitiger Grillplatten
ASTM A1088-13 Standardspezifikation für Stahl, Blech, kaltgewalzt, komplexe Phase (CP), Dualphase (DP) und transformationsinduzierte Plastizität (TRIP)
ASTM D7932-14 Standardspezifikation für bedruckte, druckempfindliche Klebeetiketten zur Verwendung in extremen Vertriebsumgebungen
ASTM D7932-17 Standardspezifikation für bedruckte, druckempfindliche Klebeetiketten zur Verwendung in extremen Vertriebsumgebungen
ASTM C1353-09 Standardtestmethode für die Abriebfestigkeit von Dimensionssteinen, die Fußgängerverkehr ausgesetzt sind, unter Verwendung einer rotierenden Plattform und eines Doppelkopf-Schleifgeräts
ASTM C1353/C1353M-09e1 Standardtestmethode für die Abriebfestigkeit von Dimensionssteinen, die Fußgängerverkehr ausgesetzt sind, unter Verwendung einer rotierenden Plattform und eines Doppelkopf-Schleifgeräts
ASTM E1855-96 Standardtestmethode für die Verwendung von 2N2222A-Silizium-Bipolartransistoren als Neutronenspektrumsensoren und Verschiebungsschadensmonitore
ASTM E1855-15 Standardtestmethode für die Verwendung von 2N2222A-Silizium-Bipolartransistoren als Neutronenspektrumsensoren und Verschiebungsschadensmonitore

Professional Standard - Electron, bipolare Persönlichkeit

SJ/Z 9184-1995 Spezifikationen zur Bestimmung von bipolaren Aluminium-Elektrolytkondensatoren, die für Videorecorder verwendet werden
SJ 20973-2007 Kondensatoren, fest, doppelt polarisiert, elektrolytisch (Festelektrolyt), Tantal, bewährte Zuverlässigkeit, allgemeine Spezifikation für
SJ 20208-1992 Detailspezifikation für Kondensatoren, Elektrolyt (fester Elektrolyt), Tantal, (unpolarisiert, gesinterter Rohling), nachgewiesene Zuverlässigkeit, Typ CAK70
SJ 50063.1-1994 Kondensatoren, fest, elektrolytisch (fester Elektrolyt) Tantal, (nicht polarisiert), bewährte Zuverlässigkeit, Stil CAK, detaillierte Spezifikation für
SJ/T 10504-1994 Detailspezifikation für elektronische Komponenten. Bipolare Tantal-Festkondensatoren vom Typ CA 70 mit Festelektrolyt. Bewertungsstufe E

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, bipolare Persönlichkeit

GJB 605-1988 Technische Bedingungen des bipolaren Batteriesatzes SD01A für Raketen-Atomwaffen

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), bipolare Persönlichkeit

KS C 5208-2002 ZUVERLÄSSIGKEIT GEWÄHRTE BI-DIREKTIONALE TRIODEN-THYRISTOREN (NIEDRIGER STROM)
KS C 5209-1980(2000) ZUVERLÄSSIGKEIT GEWÄHRTE BI-DIREKTIONALE TRIODEN-THYRISTOREN (HOHER UND MITTLERER STROM)
KS C 5209-1980 ZUVERLÄSSIGKEIT GEWÄHRTE BI-DIREKTIONALE TRIODEN-THYRISTOREN (HOHER UND MITTLERER STROM)
KS C IEC 62776:2020 Doppelsockel-LED-Lampen zur Nachrüstung linearer Leuchtstofflampen – Sicherheitsspezifikationen
KS C 5209-2002 ZUVERLÄSSIGKEIT GEWÄHRTE BI-DIREKTIONALE TRIODEN-THYRISTOREN (HOHER UND MITTLERER STROM)
KS C IEC 60747-7-2:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
KS C IEC TS 62607-4-1:2019 Nanoherstellung – Wichtige Kontrollmerkmale – Teil 4-1: Kathoden-Nanomaterialien für die nanogestützte Speicherung elektrischer Energie – Elektrochemische Charakterisierung, 2-Elektroden-Zellmethoden
KS B ISO 1938-1:2020 Geometrische Produktspezifikationen (GPS) – Maßmessgeräte – Teil 1: Einfache Grenzlehren mit linearer Größe
KS B ISO 16570:2013 Geometrische Produktspezifikationen (GPS) – Lineare und Winkelbemaßung und Toleranzen: +/-Grenzspezifikationen – Schrittmaße, Abstände, Winkelgrößen und Radien

Danish Standards Foundation, bipolare Persönlichkeit

DS/IEC 747-7-2:1990 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung

IN-BIS, bipolare Persönlichkeit

IS 10676-1983 Spezifikationen des Spatels: Gehirnförmiges doppelseitiges Plastizitätsmuster von OLIVECRONA

YU-JUS, bipolare Persönlichkeit

JUS N.R1.391-1979 Bvpolartransistoren. Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften: Leistungstransistoren
JUS N.R1.373-1980 Halbleiterdioden. Wesentliche Bewertungen und Eigenschaften. Signaldioden mit geringem Stromverbrauch
JUS N.R1.390-1979 Bipolarer Tnmmton. Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften: BW-Leistungssignaltransistoren

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, bipolare Persönlichkeit

REPORT M.2175-2010 Simultaneous dual linear polarization transmission technique using digital cross-polarization cancellation for MSS systems

Group Standards of the People's Republic of China, bipolare Persönlichkeit

T/ZJCX 0034-2023 Teststandard für die Eigenschaften von Graphit-Bipolarplatten für Protonenaustauschmembran-Brennstoffzellen
T/CES 084-2021 Testspezifikation für die Anwendungszuverlässigkeit von IGBT-Modulen (Insulated Gate Bipolar Transistor) für die Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HGÜ) unter Verwendung von Spannungswandlern (VSC).
T/CEC 155-2018 Allgemeine Anforderungen für Crimp-Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) zur flexiblen Energieübertragung

Indonesia Standards, bipolare Persönlichkeit

SNI 19-2967-1992 130 mm, 1, 9 tp mm, zweiseitig, doppelte Dichte, unformatierte flexible Datenträgerkassetten, Verbrauch 7958 bpr

Aeronautical Radio Inc., bipolare Persönlichkeit

ARINC 407-1 PART 5-1961 Empfohlene Praxis zu Signalpolaritäten für Zustands- und Befehlssignale

KR-KS, bipolare Persönlichkeit

KS C IEC 62776-2020 Doppelsockel-LED-Lampen zur Nachrüstung linearer Leuchtstofflampen – Sicherheitsspezifikationen
KS C IEC TS 62607-4-1-2019 Nanoherstellung – Wichtige Kontrollmerkmale – Teil 4-1: Kathoden-Nanomaterialien für die nanogestützte Speicherung elektrischer Energie – Elektrochemische Charakterisierung, 2-Elektroden-Zellmethoden
KS B ISO 1938-1-2020 Geometrische Produktspezifikationen (GPS) – Maßmessgeräte – Teil 1: Einfache Grenzlehren mit linearer Größe

RU-GOST R, bipolare Persönlichkeit

GOST 26169-1984 Elektromagnetische Verträglichkeit radioelektronischer Geräte. Standards für Intermodulationskomponentenkoeffizienten für bipolare Hochfrequenz-Lineartransistoren mit hoher Leistung
PNST 116-2016 Doppelsockel-LED-Lampen zur Nachrüstung linearer Leuchtstofflampen. Sicherheitsspezifikationen
GOST R IEC 60254-2-2009 Blei-Säure-Traktionsbatterien. Teil 2. Abmessungen von Zellen und Anschlüssen und Markierung der Polarität auf Zellen
GOST 25347-2013 Grundnormen der Austauschbarkeit. Geometrische Produktspezifikationen. System für Toleranzen linearer Größen. Toleranzreihen, Grenzabweichungen für Bohrungen und Wellen

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, bipolare Persönlichkeit

GB/T 20042.6-2011 Protonenaustauschmembran-Brennstoffzelle. Teil 6: Testverfahren für die Eigenschaften von Bipolarplatten

CZ-CSN, bipolare Persönlichkeit

CSN IEC 747-7:1994 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise. Teil 7: Bipolartransistoren
CSN 01 4240 Zb-1982 Tschechischer Nationalstandard 01 4240 *Grundlegende Richtlinien für die Austauschbarkeit von Spezifikationsgrenzabweichungen

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, bipolare Persönlichkeit

CNS 14735-8-2003 Spezifikation für ein- und doppelseitige flexible Leiterplatten mit Durchgangsanschlüssen
CNS 14735.8-2003 Spezifikation für ein- und doppelseitige flexible Leiterplatten mit Durchgangsanschlüssen
CNS 14735-7-2003 Spezifikation für ein- und doppelseitige flexible Leiterplatten ohne Durchgangsverbindungen
CNS 14735.7-2003 Spezifikation für ein- und doppelseitige flexible Leiterplatten ohne Durchgangsverbindungen

Standard Association of Australia （SAA）, bipolare Persönlichkeit

AS 4782.2:2019 Doppelsockel-Leuchtstofflampen – Leistungsspezifikationen, Teil 2: Mindestenergieleistungsstandard (MEPS)
AS/NZS 4782.1:2020 Doppelsockel-Leuchtstofflampen – Leistungsspezifikationen, Teil 1: Allgemeines (IEC 60081:1997+AMD1:2000 CSV (ED.5.1), MOD)

International Organization for Standardization (ISO), bipolare Persönlichkeit

ISO 10575:2012 Elastische Bodenbeläge – Spezifikation für Gummiplatten-Bodenbeläge mit Träger

American National Standards Institute （ANSI), bipolare Persönlichkeit

ANSI X3.121-1984 Informationssysteme – Zweiseitig, unformatiert, 8 Zoll (200 mm), 48 TPI, doppelte Dichte, flexibel, Plattenkassette – Allgemeine, physikalische und magnetische Anforderungen für 13 262 FTPR-Zweikopfanwendungen
ANSI/INCITS 121-1984 Informationssysteme – zweiseitig, unformatiert, 8 Zoll (200 mm), 48 TPI, doppelte Dichte, flexibel, Plattenkassette – allgemeine, physikalische und magnetische Anforderungen für 13.262 ftpr zweiköpfige Anwendung ersetzt ANSI X3. 121-1984
ANSI/INCITS 126-1986 Ein- und zweiseitige, unformatierte 5,25 Zoll (130 mm) 96 Spuren pro Zoll (3,8 Spuren pro mm) flexible Plattenkassette mit doppelter Dichte – Allgemeine, physikalische und magnetische Anforderungen für die Verwendung mit 7958 BPR
ANSI X3.125-1985 Informationssysteme – Zweiseitig, doppelte Dichte, unformatiert, 5,25 Zoll (130 mm), 48 tpi (1,9 tpmm), flexible Festplattenkassette für 7958 BPR-Nutzung – allgemeine, physikalische und magnetische Anforderungen
ANSI/AWS B2.1-1-007:2002 Gas-Wolfram-Lichtbogenschweißen von verzinktem Stahl, 10 bis 18 Gage, im geschweißten Zustand, mit oder ohne Unterlage

PT-IPQ, bipolare Persönlichkeit

NP 2955/6-1985 Elektronisches Bauteil. Programmierbarer bipolarer Nur-Lese-Speicher zur Verwendung in monolithischen integrierten Schaltkreisen, detaillierte Spezifikationen

ANSI - American National Standards Institute, bipolare Persönlichkeit

X3.121-1984 Informationssysteme – Zweiseitig@ Unformatiert@ 8-Zoll (200 mm)@ 48-tpi@ Double-Density@ Flexible@ Plattenkassette – Allgemeine@ Physikalische@ und magnetische Anforderungen für 13.262 ftpr zweiköpfige Anwendung
INCITS 121-1984 Informationssysteme – Zweiseitig@ Unformatiert@ 8-Zoll (200 mm)@ 48-tpi@ Double-Density@ Flexible@ Plattenkassette – Allgemeine@ Physikalische@ und magnetische Anforderungen für 13.262 ftpr zweiköpfige Anwendung
INCITS 125-1985 Informationssysteme – Zweiseitig@ Double-Density@ Unformatiert@ 5,25-Zoll (130 mm)@ 48-tpi (1@9-tpmm)@ Flexible Disk-Kassette für 7958 bpr-Nutzung – Allgemeine@ Physikalische@ und magnetische Anforderungen
X3.125-1985 Informationssysteme – Zweiseitig@ Double-Density@ Unformatiert@ 5,25-Zoll (130 mm)@ 48-tpi (1@9-tpmm)@ Flexible Disk-Kassette für 7958 bpr-Nutzung – Allgemeine@ Physikalische@ und magnetische Anforderungen
X3.126-1986 Informationssysteme – ein- oder zweiseitig@ Double-Density@ Unformatiert@ 5,25 Zoll (130 mm)@ 96-tpi (3@8-tpmm)@ Flexible Disk-Kassette für 7958 bpr Verwendung – Allgemein@ Physikalisch@ und magnetisch Anforderungen
INCITS 126-1986 Informationssysteme – ein- oder zweiseitig@ Double-Density@ Unformatiert@ 5,25 Zoll (130 mm)@ 96-tpi (3@8-tpmm)@ Flexible Disk-Kassette für 7958 bpr Verwendung – Allgemein@ Physikalisch@ und magnetisch Anforderungen
INCITS 126-2017 Informationssysteme – ein- oder zweiseitig@ Double-Density unformatiert@ 5,25 Zoll (130 mm)@ 96-tpi (3@8 tpmm)@ Flexible Disk-Kassette für 7958 bpr-Nutzung – Allgemeine@ physikalische@ und magnetische Anforderungen

RO-ASRO, bipolare Persönlichkeit

STAS 7335/9-1988 Korrosionsschutz von unterirdischen Metallkonstruktionen ÄUSSERER KATHODENSCHUTZ UND ERDUNG DURCH METALLISCHE AKTIVE ANO0ES Allgemeine Spezifikationen

Professional Standard - Post and Telecommunication, bipolare Persönlichkeit

YD/T 2618.3-2014 40-Gbit/s-Phasenmodulation formatiert optische Transponder. Teil 3: Kohärenter Empfang und Quadratur-Phasenumtastung mit doppelter Polarisation

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), bipolare Persönlichkeit

IEEE/ANSI N42.17C-1989 Leistungsspezifikationen für Instrumente der Gesundheitsphysik; tragbare Instrumente für den Einsatz unter extremen Umgebungsbedingungen

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, bipolare Persönlichkeit

EN 60721-1:1995 Klassifizierung von Umweltbedingungen Teil 1: Umweltparameter und ihre Schweregrade (enthält A2)

NL-NEN, bipolare Persönlichkeit

NEN 10721-3-0-1994 Klassifizierung von Umgebungsbedingungen. Teil 3: Klassifizierung von Gruppen von Umweltparametern und deren Schweregrade. Einführung (IEC 721-3-0:1984+A1:1987)