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Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

Für die Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien gibt es insgesamt 368 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien die folgenden Kategorien: Isolierflüssigkeit, Halbleitermaterial, Prüfung von Metallmaterialien, Umfangreiche Testbedingungen und -verfahren, Schneidewerkzeuge, Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Umfangreiche elektronische Komponenten, Dichtungen, Dichtungsgeräte, Wortschatz, Drähte und Kabel, Diskrete Halbleitergeräte, analytische Chemie, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Mechanische Komponenten für elektronische Geräte, Übertragungs- und Verteilungsnetze, prüfen, Keramik, Bauteile, Optik und optische Messungen, Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Elektronische Anzeigegeräte, Leitermaterial, Rohstoffe für Gummi und Kunststoffe, Verschluss, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Schutz vor Stromschlägen, Paraffin, bituminöse Materialien und andere Erdölprodukte, Plastik, Tinte, Tinte, Stahlprodukte, medizinische Ausrüstung, Elektrische und elektronische Prüfung, Isoliermaterialien, Textilprodukte, Baumaterial, magnetische Materialien, Elektrische Geräte, die unter besonderen Arbeitsbedingungen verwendet werden, grob, Drahtlose Kommunikation, Gummi- und Kunststoffprodukte, Feuer bekämpfen, Kraftstoff, Kraftwerk umfassend, Rohrteile und Rohre, Nichteisenmetalle, Elektronische Geräte, Zerstörungsfreie Prüfung.


General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • GB/T 14264-1993 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
  • GB/T 14264-2009 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
  • GB/T 31469-2015 Schneidflüssigkeit für Halbleitermaterialien
  • GB/T 1550-1997 Standardmethoden zur Messung der Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitermaterialien
  • GB/T 14844-1993 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien
  • GB/T 3048.3-1994 Prüfverfahren zur Bestimmung der elektrischen Eigenschaften elektrischer Kabel und Leitungen. Messung des Volumenwiderstands von halbleitenden Gummis und Kunststoffen
  • GB 7423.2-1987 Kühlkörperprofil für Halbleiterbauelemente
  • GB/T 3048.3-2007 Prüfverfahren für elektrische Eigenschaften elektrischer Kabel und Leitungen. Teil 3: Prüfung des spezifischen Volumenwiderstands von halbleitenden Gummis und Kunststoffen
  • GB/T 43136-2023 Superabrasive Produkte: Schleifscheiben zum präzisen Ritzen von Halbleiterchips
  • GB/T 16525-2015 Integrierte Halbleiterschaltungen. Spezifikation von Leadframes für bleihaltige Chipträgergehäuse aus Kunststoff
  • GB/T 14112-2015 Integrierte Halbleiterschaltungen. Spezifikation für gestanzte Leadframes aus Kunststoff DIP
  • GB/T 14112-1993 Integrierte Halbleiterschaltkreise Spezifikation für gestanzte Leadframes aus Kunststoff DIP
  • GB/T 15876-2015 Integrierte Halbleiterschaltungen. Spezifikation von Leadframes für Kunststoff-Quad-Flachgehäuse
  • GB/T 32981-2016 Methode zur Bestimmung der äquivalenten Wärmeleitfähigkeit von Wandmaterialien
  • GB/T 11436-2012 Chemische Analysemethoden für Produkte und Halbzeuge aus Weichferrit-Werkstoffen
  • GB/T 3048.2-1994 Prüfverfahren zur Bestimmung der elektrischen Eigenschaften elektrischer Kabel und Leitungen. Messung des spezifischen Widerstands metallisch leitender Materialien

RO-ASRO, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • STAS 6360-1974 HALBLEITERMATERIALIEN UND -GERÄTE Terminologie
  • STAS SR 13204-1994 Zerstörungsfreie Prüfung. Thermoelektrische Sortiermethode für leitende Materialien

Professional Standard - Electron, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • SJ/T 11775-2021 Mehrdrahtsäge für Halbleitermaterialien
  • SJ/T 11067-1996 Häufig verwendete Terminologie für fotoelektrische Halbleitermaterialien und pyroelektrische Materialien in Materialien zur Infraroterkennung
  • SJ/Z 3206.13-1989 Allgemeine Regeln für die Emissionsspektrumanalyse von Halbleitermaterialien
  • SJ/T 10414-2015 Lot für Halbleiterbauelemente
  • SJ/T 10414-1993 Lot für Halbleiterbauelemente
  • SJ 20744-1999 Allgemeine Regel der Infrarot-Absorptionsspektralanalyse für die Verunreinigungskonzentration in Halbleitermaterialien
  • SJ/T 1505-1997 Chemische Analysemethoden für Produkte und Halbzeuge aus gyromagnetischen Ferritmaterialien
  • SJ 3249.1-1989 Methoden zur Messung des spezifischen Widerstands von halbisolierendem Galliumarsenid- und Indiumphosphid-Einkristallmaterial

HU-MSZT, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • GB/T 1550-2018 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien
  • GB/T 14844-2018 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien
  • GB/T 36646-2018 Ausrüstung zur Herstellung von Nitrid-Halbleitermaterialien durch Hydrid-Dampfphasenepitaxie
  • GB/T 37131-2018 Nanotechnologien – Testmethode für Halbleiter-Nanopulver mittels UV-Vis-Diffusreflexionsspektroskopie
  • GB/T 39429-2020 Zerstörungsfreie Prüfung – Verfahren zur thermoelektrischen Sortierung elektrisch leitfähiger Materialien

British Standards Institution (BSI), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • BS IEC 62899-203:2018 Gedruckte Elektronik. Materialien. Halbleitertinte
  • BS IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die thermischen Eigenschaften flexibler Materialien
  • BS IEC 62951-4:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Ermüdungsbewertung für flexible leitfähige Dünnfilme auf dem Substrat für flexible Halbleiterbauelemente
  • BS EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien
  • BS EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • 21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Gedruckte Elektronik. Teil 203. Materialien. Halbleitertinte
  • BS EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
  • BS EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Testmethode für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • BS EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • BS EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
  • BS EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • BS EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Methode zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
  • BS IEC 62047-31:2019 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte – Vierpunkt-Biegetestmethode für die Grenzflächenadhäsionsenergie von geschichteten MEMS-Materialien
  • 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Teil 39. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • BS EN 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen
  • BS PD CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse. Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen
  • BS ISO 10677:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien
  • BS ISO 27447:2019 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • BS IEC 62899-202:2016 Gedruckte Elektronik. Materialien. Leitfähige Tinte
  • BS EN 62047-11:2013 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme
  • BS ISO 13125:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die antimykotische Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • BS ISO 19635:2016 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die antigale Aktivität von halbleitenden photokatalytischen Materialien
  • BS ISO 27447:2009 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • BS EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Bauelemente. Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
  • BS IEC 62899-202-5:2018 Gedruckte Elektronik – Materialien. Leitfähige Tinte. Mechanischer Biegetest einer gedruckten leitfähigen Schicht auf einem isolierenden Substrat
  • BS 7808:1995 Elektrische Isoliermaterialien – Bewertung der Wechselspannungsfestigkeit – Einführung

Indonesia Standards, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

Group Standards of the People's Republic of China, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • T/CASME 798-2023 Spezialisierte Bearbeitungswerkzeuge für Halbleitermaterialien
  • T/SHDSGY 135-2023 Neue Energiehalbleiter-Siliziumwafer-Materialtechnologie
  • T/ICMTIA CM0035-2023 Dichtung für eine Vorrichtung zur Verarbeitung von Halbleitersiliziummaterial
  • T/SHPTA 071.2-2023 Halbleitender Gummi für Hochspannungskabelgarnituren – Teil 2: Halbleitender Gummi
  • T/CNIA 0143-2022 Hochreine Harzgefäße für die Spurenverunreinigungsanalyse von Halbleitermaterialien
  • T/ZJATA 0017-2023 Epitaxieausrüstung für chemische Gasphasenabscheidung (CVD) zur Herstellung von Siliziumkarbid-Halbleitermaterialien
  • T/CAS 374-2019 Halbleitendes Pufferschichtmaterial für extrudierte isolierte Stromkabel mit einer Nennspannung über 26/35 kV
  • T/CEC 229-2019 Technische Bedingungen für einen mit einem leitfähigen Material auf Polyolefinbasis beschichteten Metallleiter
  • T/CASME 479-2023 Gestanzter Leiterrahmen für die Kunststoffverpackung mit kleinen Umrissen von integrierten Halbleiterschaltungen
  • T/SHPTA 014.2-2021 Modifizierte Polypropylen-Isoliermassen und halbleitende Abschirmmassen für Stromkabel mit Nennspannungen von 6 kV bis 35 kV – Teil 2: Halbleitende Abschirmmassen für isolierende Polypropylen-Stromkabel mit Nennspannungen von 6 kV bis 35 kV
  • T/SDAS 243-2021 Halbleitendes Abschirmmaterial für extrudierte isolierte Kabel mit einer Nennspannung von 35 kV und darunter

International Electrotechnical Commission (IEC), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • IEC 62899-203:2018 Gedruckte Elektronik – Teil 203: Materialien – Halbleitertinte
  • IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 5: Prüfverfahren für thermische Eigenschaften flexibler Materialien
  • IEC 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • IEC 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • IEC 60749-39:2021 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
  • IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
  • IEC 62047-6:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • IEC 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • IEC 62047-10:2011/COR1:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien; Berichtigung 1
  • IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
  • IEC 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze von metallischen Filmmaterialien
  • IEC 61479:2001 Arbeiten unter Spannung - Flexible Leiterabdeckungen (Leitungsschläuche) aus Isoliermaterial
  • IEC 62047-31:2019 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 31: Vierpunkt-Biegetestverfahren für die Grenzflächenadhäsionsenergie von geschichteten MEMS-Materialien
  • IEC 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen
  • IEC 61479:2001+AMD1:2002 CSV Arbeiten unter Spannung - Flexible Leiterabdeckungen (Leitungsschläuche) aus Isoliermaterial
  • IEC 62899-202:2016 Gedruckte Elektronik – Teil 202: Materialien – Leitfähige Tinte
  • IEC 62047-11:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme

German Institute for Standardization, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • DIN 50447:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Schichtwiderstands von Halbleiterschichten mit der Wirbelstrommethode
  • DIN 50448:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Widerstands von halbisolierenden Halbleiterscheiben mittels einer kapazitiven Sonde
  • DIN 50441-1:1996 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 1: Dicke und Dickenschwankung
  • DIN 50441-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 2: Prüfung des Kantenprofils
  • DIN SPEC 1994:2017-02 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
  • DIN 50449-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 2: Bor in Galliumarsenid
  • DIN EN 62047-2:2007-02 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-10:2012-03 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (IEC 62047-10:2011); Deutsche Fassung EN 62047-10:2011
  • DIN 50454-2:1994 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 2: Indiumphosphid
  • DIN 50454-3:1994 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 3: Galliumphosphid
  • DIN EN 62047-18:2014-04 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-18:2013); Deutsche Fassung EN 62047-18:2013
  • DIN EN 62047-2:2007 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-6:2010-07 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-6:2009); Deutsche Fassung EN 62047-6:2010
  • DIN 50443-1:1988 Prüfung von Materialien zur Verwendung in der Halbleitertechnologie; Erkennung von Kristalldefekten und Inhomogenitäten in Silizium-Einkristallen mittels Röntgentopographie
  • DIN 50449-1:1997 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 1: Kohlenstoff in Galliumarsenid
  • DIN EN 60749-39:2007 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006
  • DIN EN 60749-39:2007-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006 / Hinweis: Zu beachten...
  • DIN EN 62047-14:2012-10 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien (IEC 62047-14:2012); Deutsche Fassung EN 62047-14:2012
  • DIN 50446:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Defektarten und Defektdichten von Silizium-Epitaxieschichten
  • DIN 50435:1988 Prüfung von Halbleitermaterialien; Bestimmung der radialen Widerstandsschwankung von Silizium- oder Germaniumscheiben mittels der Vier-Sonden-/Gleichstrom-Methode
  • DIN EN 62047-21:2015-04 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien (IEC 62047-21:2014); Deutsche Fassung EN 62047-21:2014
  • DIN 50454-1:2000 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Versetzungen in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 1: Galliumarsenid
  • DIN 50433-3:1982 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Bestimmung der Orientierung von Einkristallen mittels Laue-Rückstreuung
  • DIN 50441-4:1999 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 4: Scheibendurchmesser, Durchmesservariation, Flachdurchmesser, Flachlänge, Flachtiefe
  • DIN 50441-3:1985 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Messung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben; Bestimmung der Ebenheitsabweichung polierter Scheiben mittels Mehrstrahlinterferenz
  • DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 47/2652/CDV:2020); Englische Version prEN IEC 60749-39:2020 / Nicht...
  • DIN 50438-1:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption – Teil 1: Sauerstoff
  • DIN 50456-3:1999 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Verfahren zur Charakterisierung von Formmassen für elektronische Bauteile – Teil 3: Bestimmung kationischer Verunreinigungen
  • DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen; Deutsche Fassung CEN/TS 16599:2014
  • DIN 50431:1988 Prüfung von Halbleitermaterialien; Messung des spezifischen Widerstands von Silizium- oder Germanium-Einkristallen mittels der Vier-Sonden-/Gleichstrommethode mit kollinearem Array
  • DIN EN 62047-12:2012-06 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (IEC 62047-12:2011); Deutsche Fassung EN 62047-12:2011
  • DIN 50452-1:1995-11 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 1: Mikroskopische Bestimmung von Partikeln
  • DIN EN 62047-11:2014-04 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme (IEC 62047-11:2013); Deutsche Fassung EN 62047-11:2013
  • DIN 50440:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie – Messung der Ladungsträgerlebensdauer in Silizium-Einkristallen – Rekombinationsladungsträgerlebensdauer bei geringer Injektion durch Photoleitfähigkeitsmethode
  • DIN 50455-1:2009-10 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Methoden zur Charakterisierung von Fotolacken – Teil 1: Bestimmung der Schichtdicke mit optischen Methoden
  • DIN 50455-2:1999-11 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Methoden zur Charakterisierung von Fotolacken – Teil 2: Bestimmung der Lichtempfindlichkeit von positiven Fotolacken
  • DIN 50455-1:2009 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Methoden zur Charakterisierung von Fotolacken – Teil 1: Bestimmung der Schichtdicke mit optischen Methoden
  • DIN 50453-1:2023-08 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Ätzraten von Ätzmischungen – Teil 1: Silizium-Einkristalle, gravimetrische Methode
  • DIN 50452-1:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 1: Mikroskopische Bestimmung von Partikeln
  • DIN 50452-3:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 3: Kalibrierung optischer Partikelzähler
  • DIN 19698-1:2014-05 Charakterisierung von Feststoffen – Probenahme von festen und halbfesten Materialien – Teil 1: Leitfaden für die segmentale Probenahme von Lagerbeständen unbekannter Verbundstoffe
  • DIN EN IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 47/2652/CDV:2020); Englische Version prEN IEC 60749-39:2020
  • DIN EN IEC 60749-39:2023-10 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2021); Deutsche Fassung EN IEC 60749-39:2022 / Hinweis: DIN...
  • DIN 50452-3:1995-10 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 3: Kalibrierung optischer Partikelzähler
  • DIN 50434:1986 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Erkennung von Kristalldefekten in monokristallinem Silizium mittels Ätztechniken auf {111}- und {100}-Oberflächen
  • DIN EN 62047-21:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien (IEC 62047-21:2014); Deutsche Fassung EN 62047-21:2014
  • DIN EN 62047-10:2012 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (IEC 62047-10:2011); Deutsche Fassung EN 62047-10:2011
  • DIN 51908:2022-10 Prüfung kohlenstoffhaltiger Materialien – Bestimmung der Wärmeleitfähigkeit bei Raumtemperatur mittels einer Vergleichsmethode – Feststoffmaterial
  • DIN EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-18:2013); Deutsche Fassung EN 62047-18:2013

KR-KS, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • KS C IEC 62899-203-2023 Gedruckte Elektronik – Teil 203: Materialien – Halbleitertinte
  • KS C IEC 62047-18-2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62047-22-2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS L ISO 10677-2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien
  • KS L ISO 27447-2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • KS C IEC 62899-202-2020 Gedruckte Elektronik – Teil 202: Materialien – Leitfähige Tinte
  • KS L ISO 14605-2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die in Innenbeleuchtungsumgebungen verwendet werden

RU-GOST R, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • DB61/T 1250-2019 Allgemeine Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente aus Sic-Material (Siliziumkarbid).

American National Standards Institute (ANSI), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

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  • ANSI/ASTM D6095:2012 Testverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ANSI/UL 779-2011 Norm zur Sicherheit elektrisch leitfähiger Bodenbeläge
  • BS IEC 62899-202:2023 Gedruckte Elektronik. Materialien. Leitfähige Tinte
  • ANSI/ASTM D4496:2013 Neue Standardtestmethode für Gleichstromwiderstand oder Leitfähigkeit mäßig leitfähiger Materialien
  • ANSI/UL 2360-2004 Prüfverfahren zur Bestimmung der Brennbarkeitseigenschaften von Kunststoffen im Halbleiterwerkzeugbau

American Society for Testing and Materials (ASTM), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • ASTM D3004-02 Standardspezifikation für extrudierte vernetzte und thermoplastische Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D3004-97 Standardspezifikation für extrudierte vernetzte und thermoplastische Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D3004-08(2020) Standardspezifikation für vernetzte und thermoplastische extrudierte Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-99 Standardtestverfahren für den Volumenwiderstand von extrudierten vernetzten und thermoplastischen halbleitenden Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-05 Standardtestverfahren für den Volumenwiderstand von extrudierten vernetzten und thermoplastischen halbleitenden Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-06 Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-12 Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-12(2023) Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-12(2018) Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM B193-02 Standardtestmethode für den spezifischen Widerstand elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B193-00 Standardtestmethode für den spezifischen Widerstand elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B193-01 Standardtestmethode für den spezifischen Widerstand elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B193-87(1992) Standardtestmethode für den spezifischen Widerstand elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B193-19 Standardtestmethode für den spezifischen Widerstand elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B193-87 Standardtestmethode für den spezifischen Widerstand elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B193-20 Standardtestmethode für den spezifischen Widerstand elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B193-02(2008) Standardtestmethode für den spezifischen Widerstand elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B193-02(2014) Standardtestmethode für den spezifischen Widerstand elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B193-16 Standardtestmethode für den spezifischen Widerstand elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM E977-84(1999) Standardpraxis für die thermoelektrische Sortierung elektrisch leitfähiger Materialien
  • ASTM E977-05(2019) Standardpraxis für die thermoelektrische Sortierung elektrisch leitfähiger Materialien
  • ASTM A1093/A1093M-15(2020)e1 Standardspezifikation für die elektrolytische Plasmabehandlung von leitfähigen Materialien
  • ASTM A1093/A1093M-15 Standardspezifikation für die elektrolytische Plasmabehandlung von leitfähigen Materialien
  • ASTM B896-99 Standardtestmethoden zur Bewertung der Verbindungseigenschaften elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B896-10 Standardtestmethoden zur Bewertung der Verbindungseigenschaften elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B896-10e1 Standardtestmethoden zur Bewertung der Verbindungseigenschaften elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B896-10(2015) Standardtestmethoden zur Bewertung der Verbindungseigenschaften elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM B896-99(2005) Standardtestmethoden zur Bewertung der Verbindungseigenschaften elektrischer Leitermaterialien
  • ASTM D4496-87(1998)e1 Standardtestmethode für den Gleichstromwiderstand oder die Leitfähigkeit mäßig leitfähiger Materialien
  • ASTM D4496-21 Standardtestmethode für den Gleichstromwiderstand oder die Leitfähigkeit mäßig leitfähiger Materialien
  • ASTM D6343-99(2004) Prüfmethoden für dünne wärmeleitende Feststoffmaterialien für elektrische Isolierung und dielektrische Anwendungen
  • ASTM D6343-99 Prüfmethoden für dünne wärmeleitende Feststoffmaterialien für elektrische Isolierung und dielektrische Anwendungen
  • ASTM D4496-04 Standardtestmethode für den Gleichstromwiderstand oder die Leitfähigkeit mäßig leitfähiger Materialien
  • ASTM D4496-04e1 Standardtestmethode für den Gleichstromwiderstand oder die Leitfähigkeit mäßig leitfähiger Materialien
  • ASTM D4496-13 Standardtestmethode für den Gleichstromwiderstand oder die Leitfähigkeit mäßig leitfähiger Materialien
  • ASTM D4496-21e1 Standardtestmethode für den Gleichstromwiderstand oder die Leitfähigkeit mäßig leitfähiger Materialien
  • ASTM E977-05 Standardpraxis für die thermoelektrische Sortierung elektrisch leitfähiger Materialien
  • ASTM E977-05(2014) Standardpraxis für die thermoelektrische Sortierung elektrisch leitfähiger Materialien

未注明发布机构, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • DIN SPEC 1994 E:2016-07 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
  • DIN EN 62047-21 E:2012-11 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • DIN EN 62047-18 E:2011-06 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • DIN 51908 E:2021-09 Prüfung kohlenstoffhaltiger Materialien – Bestimmung der Wärmeleitfähigkeit bei Raumtemperatur mittels einer Vergleichsmethode – Feststoffmaterial

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • KS C 6520-2021 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften mittels Plasma
  • KS C IEC 62047-18:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62047-22:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62047-18-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62047-22-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 60749-39-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • KS C IEC 60749-39-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • KS C 6520-2019 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften mittels Plasma
  • KS C IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • KS M 6773-2014(2019) Prüfverfahren für den Volumenwiderstand von elektrisch leitfähigen Gummi- und Kunststoffmaterialien
  • KS M 6773-2014 Prüfverfahren für den Volumenwiderstand von elektrisch leitfähigen Gummi- und Kunststoffmaterialien
  • KS C 6521-2019 Bewertungsmethode für die Beschichtung von Komponenten von Halbleiter- und LCD-Prozessen
  • KS L ISO 27447-2011(2016) Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • KS L ISO 27447-2011(2021) Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • KS C 2603-1980 Prüfverfahren für den Leiterwiderstand und den spezifischen Widerstand von Materialien mit metallischem Widerstand
  • KS C 2603-1980(2020) Prüfverfahren für den Leiterwiderstand und den spezifischen Widerstand von Materialien mit metallischem Widerstand
  • KS L ISO 27447:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • KS C 2129-1996(2001) PRÜFMETHODEN FÜR DEN GLEICHSTROMWIDERSTAND ODER DIE LEITFÄHIGKEIT VON ISOLIERMATERIALIEN
  • KS C IEC 62899-202:2020 Gedruckte Elektronik – Teil 202: Materialien – Leitfähige Tinte
  • KS C IEC 61479:2005 Arbeiten unter Spannung – flexible Leiterabdeckungen (Leitungsschläuche) aus Isoliermaterial
  • KS C 2129-2004 PRÜFMETHODEN FÜR DEN GLEICHSTROMWIDERSTAND ODER DIE LEITFÄHIGKEIT VON ISOLIERMATERIALIEN

Professional Standard - Machinery, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • JB/T 8175-1999 Umrissabmessungen eines extrudierten Kühlkörpers für Leistungshalbleiterbauelemente
  • JB/T 5781-1991 Geteilter Strahler für Leistungshalbleiterbauelemente. Technische Spezifikation
  • JB/T 6819.3-1993 Terminologie der Instrumentenmaterialien – Widerstandsmaterial, leitendes Material und elektrisches Kontaktmaterial
  • JB/T 10738-2007 Halbleitende Abschirmmasse für Stromkabel mit Nennspannungen bis einschließlich 35 kV

Association Francaise de Normalisation, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • NF ISO 10677:2011 Technische Keramik – UV-Lichtquellen zum Testen photokatalytischer Halbleitermaterialien
  • NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
  • NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien.
  • NF EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • XP CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestimmung der Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien
  • NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • NF EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Formungsgrenzen von Metallschichtmaterialien
  • NF ISO 14605:2013 Technische Keramik – Lichtquellen zum Testen photokatalytischer Halbleitermaterialien in einer Innenbeleuchtungsumgebung
  • NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die in Halbleiterbauelementen verwendet werden
  • NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze von metallischen Filmmaterialien
  • NF EN 62047-10:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Kompressionsprüfung mit der Mikrosäulentechnik für MEMS-Materialien
  • NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien
  • NF EN 62047-11:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten in sich geschlossener Materialien für mikroelektromechanische Systeme
  • XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen
  • NF ISO 22197-4:2021 Technische Keramik – Prüfverfahren für die Leistung von fotokatalytischen Halbleitermaterialien zur Luftreinigung – Teil 4: Formaldehydentfernung
  • NF T51-223:1985 Kunststoffe. Halbkristalline Materialien. Bestimmung der konventionellen Schmelztemperatur durch thermische Analyse.
  • NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen.
  • NF ISO 22197-5:2021 Technische Keramik – Testmethoden für die Leistung von photokatalytischen Halbleitermaterialien zur Luftreinigung – Teil 5: Entfernung von Methylmercaptan
  • UTE C30-301:2001 Regeln der Technik für den Straßentransport von Kabeln, blanken Leitern und Verbindungsmaterialien
  • NF C96-050-11*NF EN 62047-11:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme

Danish Standards Foundation, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • DS/EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
  • DS/EN 62047-2:2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • DS/EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • DS/EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • DS/EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • DS/EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
  • DS/EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen
  • DS/EN 62047-11:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme

ES-UNE, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • UNE-EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (Befürwortet von AENOR im Dezember 2011.)
  • UNE-EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien (Befürwortet von AENOR im November 2013.)
  • UNE-EN 62047-6:2010 Halbleitergeräte – Mikroelektromechanische Geräte – Teil 6: Axiale Ermüdungstestmethoden für Dünnschichtmaterialien (Befürwortet von AENOR im Juni 2010.)
  • UNE-EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnfilm-MEMS-Materialien (Befürwortet von AENOR im November 2014.)
  • UNE-EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im März 2022.)
  • UNE-EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Methode zur Messung der Formungsgrenze metallischer Filmmaterialien (Genehmigt von AENOR im Juni 2012.)
  • UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006). (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
  • UNE-EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006). (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
  • UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006). (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
  • UNE-EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006). (Von AENOR im November 2006 gebilligt.)
  • UNE-EN 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (Befürwortet von AENOR im Februar 2012.)
  • UNE-EN 62047-11:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme (Genehmigt von AENOR im November 2013.)

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
  • EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
  • EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
  • EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente Mikroelektromechanische Bauelemente Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
  • EN 62047-11:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten freistehender Materialien für mikroelektromechanische Systeme

机械电子工业部, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • JB 5781-1991 Technische Bedingungen von Profilstrahlern für Leistungshalbleiterbauelemente

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • T-32-645-2012 Testverfahren zur Feststellung der Volumenwiderstandskompatibilität wasserblockierender Komponenten mit extrudierten halbleitenden Abschirmmaterialien
  • T-32-645-1993 Feststellung der Kompatibilität versiegelter Leiterfüllstoffe mit leitenden Spannungskontrollmaterialien

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • JIS C 5630-2:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • JIS C 5630-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • JIS R 1750:2012 Feinkeramik – Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die unter Innenbeleuchtung verwendet werden
  • JIS C 5630-6:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • JIS R 1712:2022 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Antialgalaktivität von halbleitenden photokatalytischen Materialien
  • JIS C 5630-12:2014 Halbleiterbauelemente.Mikroelektromechanische Bauelemente.Teil 12: Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen
  • JIS C 2525:1994 Prüfverfahren für den Leiterwiderstand und den spezifischen Widerstand metallischer Widerstandsmaterialien
  • JIS C 2525:1999 Prüfverfahren für den Leiterwiderstand und den spezifischen Widerstand metallischer Widerstandsmaterialien

Underwriters Laboratories (UL), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • UL 779-1990 Elektrisch leitfähige Bodenbeläge
  • UL 779-1995 UL-Standard für Sicherheit für elektrisch leitfähige Bodenbeläge, 7. Auflage; Nachdruck mit Überarbeitungen bis einschließlich 22.11.2005.
  • UL 779-2011 Elektrisch leitfähige Bodenbeläge
  • UL 2360-2000 Prüfverfahren zur Bestimmung der Brennbarkeitseigenschaften von Kunststoffen im Halbleiterwerkzeugbau

VE-FONDONORMA, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

Insulated Cable Engineers Association (ICEA), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • ICEA T-32-645-2012 TESTVERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER VOLUMENWIDERSTANDSKOMPATIBILITÄT VON WASSERSPERRENDEM KOMPONENTEN MIT EXTRUDIERTEN HALBLEITENDEM ABSCHIRMMATERIALIEN
  • ICEA T-32-645-1993 Feststellung der Kompatibilität versiegelter Leiterfüllstoffe mit leitenden Spannungskontrollmaterialien

CH-SNV, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

Lithuanian Standards Office , Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • LST EN 62047-10-2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (IEC 62047-10:2011)
  • LST EN 62047-2-2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006)
  • LST EN 62047-6-2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-6:2009)
  • LST EN 60749-39-2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden (IEC 60749-39:2006)
  • LST EN 62047-14-2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Formungsgrenze metallischer Filmmaterialien (IEC 62047-14:2012)
  • LST EN 62047-12-2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (IEC 62047-12:2011)

Standard Association of Australia (SAA), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • AS/NZS 1660.2.3:1998 Prüfverfahren für elektrische Kabel, Leitungen und Leiter – Isolierung, extrudierte halbleitende Schirme und nichtmetallische Ummantelungen – Verfahren speziell für PVC und halogenfreie thermoplastische Materialien
  • AS/NZS 1660.2.2:1998 Prüfverfahren für elektrische Kabel, Leitungen und Leiter – Isolierung, extrudierte halbleitende Schirme und nichtmetallische Ummantelungen – Verfahren speziell für Elastomer-, XLPE- und XLPVC-Materialien
  • AS/NZS 1660.2.1:1998 Prüfverfahren für elektrische Kabel, Leitungen und Leiter – Isolierung, extrudierte halbleitende Abschirmungen und nichtmetallische Ummantelungen – Verfahren für allgemeine Anwendungen
  • AS/NZS 1660.2.1/AMD 1:2001 Prüfverfahren für elektrische Kabel, Leitungen und Leiter Methode 2.1: Isolierung, extrudierte halbleitende Abschirmungen und nichtmetallische Ummantelungen – Methoden für allgemeine Anwendung; Änderung Nr. 1

CZ-CSN, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • CSN 64 0141-1953 Prüfung der elektrischen Leitfähigkeit fester nichtmetallischer Materialien

European Committee for Standardization (CEN), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • PD CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen
  • CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen

Building Officials and Code Administrators International(U.S.), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

Defense Logistics Agency, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

Society of Automotive Engineers (SAE), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • SAE AS6294/3-2019 Anforderungen an kunststoffverkapselte diskrete Halbleiter in Raumfahrtanwendungen
  • SAE AMS3682B-1977 BESCHICHTUNGSMATERIAL, ELEKTRISCH LEITFÄHIGES Silber – organisches Harz
  • SAE AMS3682C-1991 BESCHICHTUNGSMATERIAL, ELEKTRISCH LEITFÄHIGES Silber – organisches Harz
  • SAE AMS3682D-1992 BESCHICHTUNGSMATERIAL, ELEKTRISCH LEITFÄHIGES Silber – organisches Harz

ES-AENOR, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • UNE 20 349 Leitereingangsverschraubung aus Kunststoff in einer Verpackung für Niederspannungs-Elektromaterial
  • UNE 53-615-1989 Eigenschaften und Widerstandsfähigkeit medizinischer, antistatischer und leitfähiger Elastomermaterialien

AR-IRAM, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

International Organization for Standardization (ISO), Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • ISO 14605:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik). Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die in Innenbeleuchtungsumgebungen verwendet werden
  • ISO 13125:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfmethode für die antimykotische Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • ISO 19635:2016 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Antialgalaktivität von halbleitenden photokatalytischen Materialien
  • ISO 27447:2019 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • ISO 27447:2009 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • ISO 10677:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien

AT-OVE/ON, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • OVE EN IEC 60749-39:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden (IEC 47/2652/CDV) (englische Version)

SAE - SAE International, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • SAE AS6294/4-2019 Anforderungen an kunststoffverkapselte diskrete Halbleiter in Militär- und Avionikanwendungen
  • SAE AMS3682E-1995 BESCHICHTUNGSMATERIAL@ ELEKTRISCH LEITFÄHIGES SILBER – ORGANISCHES HARZ
  • SAE SSB1-1999 Richtlinien zur Qualifizierung und Überwachung kunststoffverkapselter Mikroschaltungen und Halbleiter (ehemals TechAmerica SSB-1)
  • SAE SSB1A-1999 Richtlinien zur Qualifizierung und Überwachung kunststoffverkapselter Mikroschaltungen und Halbleiter (ehemals TechAmerica SSB-1-A)

ZA-SANS, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • SANS 1411-1:2008 Materialien isolierter Elektrokabel und flexibler Leitungen Teil 1: Leiter

IEC - International Electrotechnical Commission, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • IEC 62047-31:2017 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 31: Vierpunkt-Biegetestverfahren für die Grenzflächenadhäsionsenergie geschichteter MEMS-Materialien (Ausgabe 1.0)

国家药监局, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • YY/T 1680-2020 Bewertung der in vivo osteogenen Induktionseigenschaften von Allotransplantat-Prothesenmaterialien und demineralisierten Knochenmaterialien

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • CNS 8659-1982 Methode zur Prüfung des Leiters – Widerstand und spezifischer Widerstand metallischer Widerstandsmaterialien
  • CNS 5129-1988 Messmethoden für den elektrischen Widerstand und die Leitfähigkeit von Nichteisenmaterialien
  • CNS 7367-1981 Methode zur Prüfung des Gleichstromwiderstands oder der Gleichstromleitfähigkeit von Isoliermaterialien

Professional Standard - Textile, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • FZ/T 01042-1996 Bestimmung der elektrostatischen Halbwertszeit der elektrostatischen Eigenschaften von Textilmaterialien

IPC - Association Connecting Electronics Industries, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

PT-IPQ, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • NP 159-1963 Material für elektrische Installationen und Bassspannung. Die Rohre sind aus Kunststoff gefertigt, um die Leiter zu schützen

工业和信息化部, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • JC/T 2617-2021 Richtlinien zur Bewertung grüner Fabriken für die Wandmaterialindustrie

U.S. Air Force, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

Professional Standard - Electricity, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • DL/T 715-2000 Auswahlrichtlinien für den metallischen Werkstoff fossil befeuerter Kraftwerke
  • DL/T 715-2015 Auswahlhilfe für den metallischen Werkstoff fossiler Kraftwerke

Government Electronic & Information Technology Association, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • GEIA SSB-1-C-2000 Richtlinien für die Verwendung von kunststoffgekapselten Mikroschaltungen und Halbleitern in Militär, Luft- und Raumfahrt und anderen robusten Anwendungen

SE-SIS, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • SIS SS 16 22 27-1986 Gummi und thermoplastisches Elastomer – Leitende und antistatische Materialien – Messung des spezifischen Widerstands

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • GJB 10241-2021 Spezifikation für Abschussrohre aus Verbundwerkstoff für Feststoffraketen

United States Navy, Halbleitermaterialien Halbleitermaterialien

  • NAVY A-A-59827-2009 OBERSEITIGE LEITUNGEN (FLEXIBEL) UND LEITUNGSANSCHLÜSSE, ELEKTRISCH: AUF VERBUNDBASIS (NICHTMETALLISCH)




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