Dicke des Halbleitermaterials

Für die Dicke des Halbleitermaterials gibt es insgesamt 104 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Dicke des Halbleitermaterials die folgenden Kategorien: Halbleitermaterial, Prüfung von Metallmaterialien, Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Umfangreiche elektronische Komponenten, Drähte und Kabel, Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Längen- und Winkelmessungen, Isoliermaterialien, Wortschatz, Schweißen, Hartlöten und Niedertemperaturschweißen, Nichteisenmetalle, Diskrete Halbleitergeräte, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Zerstörungsfreie Prüfung, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Feuerfeste Materialien.

German Institute for Standardization, Dicke des Halbleitermaterials

DIN 50441-1:1996 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 1: Dicke und Dickenschwankung
DIN 50455-1:2009-10 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Methoden zur Charakterisierung von Fotolacken – Teil 1: Bestimmung der Schichtdicke mit optischen Methoden
DIN 50441-4:1999 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 4: Scheibendurchmesser, Durchmesservariation, Flachdurchmesser, Flachlänge, Flachtiefe
DIN 50455-1:2009 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Methoden zur Charakterisierung von Fotolacken – Teil 1: Bestimmung der Schichtdicke mit optischen Methoden
DIN 50448:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Widerstands von halbisolierenden Halbleiterscheiben mittels einer kapazitiven Sonde
DIN 50447:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Schichtwiderstands von Halbleiterschichten mit der Wirbelstrommethode
DIN EN ISO 2360:2017-12 Nichtleitende Beschichtungen auf nichtmagnetischen, elektrisch leitfähigen Grundmetallen - Messung der Schichtdicke - Amplitudenempfindliches Wirbelstromverfahren (ISO 2360:2017); Deutsche Fassung EN ISO 2360:2017
DIN 50454-2:1994 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 2: Indiumphosphid
DIN 50454-3:1994 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 3: Galliumphosphid
PAS 1022-2004 Referenzverfahren zur Bestimmung optischer und dielektrischer Materialeigenschaften und der Schichtdicke dünner Filme mittels Ellipsometrie
DIN EN 62047-2:2007-02 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-10:2012-03 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (IEC 62047-10:2011); Deutsche Fassung EN 62047-10:2011
DIN EN 14571:2005 Metallische Beschichtungen auf nichtmetallischen Grundwerkstoffen – Messung der Schichtdicke – Mikrowiderstandsverfahren; Deutsche Fassung EN 14571:2005
DIN EN 62047-18:2014-04 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-18:2013); Deutsche Fassung EN 62047-18:2013
DIN 50446:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Defektarten und Defektdichten von Silizium-Epitaxieschichten
DIN EN 62047-2:2007 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-6:2010-07 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-6:2009); Deutsche Fassung EN 62047-6:2010

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Dicke des Halbleitermaterials

GB/T 1550-2018 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien
GB/T 38783-2020 Methode zur Schichtdickenbestimmung für Edelmetallverbundwerkstoffe mittels Rasterelektronenmikroskop

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Dicke des Halbleitermaterials

GB/T 1550-1997 Standardmethoden zur Messung der Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitermaterialien
GB/T 3048.3-1994 Prüfverfahren zur Bestimmung der elektrischen Eigenschaften elektrischer Kabel und Leitungen. Messung des Volumenwiderstands von halbleitenden Gummis und Kunststoffen
GB/T 3389.5-1995 Testmethoden für die Eigenschaften piezoelektrischer Keramik – Vibrationsmodus mit Dickenausdehnung für Scheiben
GB/T 3048.3-2007 Prüfverfahren für elektrische Eigenschaften elektrischer Kabel und Leitungen. Teil 3: Prüfung des spezifischen Volumenwiderstands von halbleitenden Gummis und Kunststoffen
GB/T 3389.6-1997 Prüfmethoden für Eigenschaften piezoelektrischer Keramik. Dickenschervibrationsmodus für rechteckige Platten
GB/T 36133-2018 Feuerfeste Materialien.Bestimmung der Wärmeleitfähigkeit (Platin-Widerstandsthermometer-Methode)

British Standards Institution (BSI), Dicke des Halbleitermaterials

BS IEC 62899-203:2018 Gedruckte Elektronik. Materialien. Halbleitertinte
BS EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien
BS EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Gedruckte Elektronik. Teil 203. Materialien. Halbleitertinte
BS EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
BS EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Testmethode für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
BS EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
BS EN 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen
BS EN 60811-202:2012 Elektrische und optische Glasfaserkabel. Prüfmethoden für nichtmetallische Werkstoffe. Allgemeine Tests. Messung der Dicke einer nichtmetallischen Hülle
BS EN 60811-201:2012+A1:2017 Elektrische und optische Glasfaserkabel. Prüfverfahren für nichtmetallische Werkstoffe – Allgemeine Prüfungen. Messung der Isolationsdicke
BS EN 14571:2005 Metallische Beschichtungen auf nichtmetallischen Basismaterialien - Messung der Schichtdicke - Mikroresistivitätsmethode
BS EN 60811-201:2012 Elektrische und optische Glasfaserkabel. Prüfmethoden für nichtmetallische Werkstoffe. Allgemeine Tests. Messung der Isolationsdicke
BS EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Methode zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien

Danish Standards Foundation, Dicke des Halbleitermaterials

DS/EN ISO 2360:2004 Nichtleitende Beschichtungen auf nichtmagnetischen elektrisch leitfähigen Basismaterialien - Messung der Schichtdicke - Amplitudenempfindliches Wirbelstromverfahren
DS/EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
DS/EN 14571:2005 Metallische Beschichtungen auf nichtmetallischen Basismaterialien - Messung der Schichtdicke - Mikroresistivitätsmethode
DS/EN 62047-2:2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
DS/EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
DS/ISO 14571:2020 Metallische Beschichtungen auf nichtmetallischen Basismaterialien – Messung der Schichtdicke – Mikrowiderstandsmethode
DS/EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien

Professional Standard - Electron, Dicke des Halbleitermaterials

SJ/T 11067-1996 Häufig verwendete Terminologie für fotoelektrische Halbleitermaterialien und pyroelektrische Materialien in Materialien zur Infraroterkennung

Group Standards of the People's Republic of China, Dicke des Halbleitermaterials

T/SHPTA 071.2-2023 Halbleitender Gummi für Hochspannungskabelgarnituren – Teil 2: Halbleitender Gummi
T/CAS 374-2019 Halbleitendes Pufferschichtmaterial für extrudierte isolierte Stromkabel mit einer Nennspannung über 26/35 kV

International Electrotechnical Commission (IEC), Dicke des Halbleitermaterials

IEC 62899-203:2018 Gedruckte Elektronik – Teil 203: Materialien – Halbleitertinte
IEC 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
IEC 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
IEC 62047-6:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
IEC 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien

Association Francaise de Normalisation, Dicke des Halbleitermaterials

NF A91-113:2004 Nichtleitende Beschichtungen auf nichtmagnetischen elektrisch leitfähigen Basismaterialien - Messung der Schichtdicke - Amplitudenempfindliches Wirbelstromverfahren.
NF EN ISO 2360:2017 Nichtleitende Beschichtungen auf elektrisch leitfähigen, nichtmagnetischen Grundmaterialien - Messung der Schichtdicke - Wirbelstrommethode, die auf Amplitudenschwankungen reagiert
NF A91-127*NF EN 14571:2005 Metallische Beschichtungen auf nichtmetallischen Basismaterialien – Messung der Schichtdicke – Mikroresistivitätsmethode
NF EN ISO 14571:2022 Metallische Beschichtungen auf nichtmetallischen Werkstoffen – Messung der Schichtdicke – Methode mittels Mikrowiderstand
NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien.
NF EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien

Lithuanian Standards Office , Dicke des Halbleitermaterials

LST EN ISO 2360:2004 Nichtleitende Beschichtungen auf nichtmagnetischen elektrisch leitfähigen Basismaterialien - Messung der Schichtdicke - Amplitudenempfindliches Wirbelstromverfahren (ISO 2360:2003)
LST EN 14571-2005 Metallische Beschichtungen auf nichtmetallischen Basismaterialien - Messung der Schichtdicke - Mikroresistivitätsmethode

AENOR, Dicke des Halbleitermaterials

UNE-EN ISO 2360:2004 Nichtleitende Beschichtungen auf nichtmagnetischen elektrisch leitfähigen Basismaterialien - Messung der Schichtdicke - Amplitudenempfindliches Wirbelstromverfahren (ISO 2360:2003)

American Society for Testing and Materials (ASTM), Dicke des Halbleitermaterials

ASTM D374-99 Standardtestmethoden für die Dicke fester elektrischer Isolierung
ASTM D374-99(2004) Standardtestmethoden für die Dicke fester elektrischer Isolierung
ASTM D374M-99(2005) Standardtestmethoden für die Dicke fester elektrischer Isolierung (metrisch)
ASTM D374M-13 Standardtestmethoden für die Dicke fester elektrischer Isolierung (metrisch)
ASTM D6095-06 Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM D6095-12 Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM E377-08(2020) Standardpraxis für Innentemperaturmessungen in Materialien mit geringer Leitfähigkeit
ASTM D6095-99 Standardtestverfahren für den Volumenwiderstand von extrudierten vernetzten und thermoplastischen halbleitenden Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM D6095-05 Standardtestverfahren für den Volumenwiderstand von extrudierten vernetzten und thermoplastischen halbleitenden Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien

American National Standards Institute （ANSI), Dicke des Halbleitermaterials

ANSI/ASTM D374M:2013 Prüfverfahren für die Dicke fester elektrischer Isolierung (metrisch)

KR-KS, Dicke des Halbleitermaterials

KS C IEC 62899-203-2023 Gedruckte Elektronik – Teil 203: Materialien – Halbleitertinte
KS C IEC 62047-18-2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-22-2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien

ES-UNE, Dicke des Halbleitermaterials

UNE-EN ISO 2360:2018 Nichtleitende Beschichtungen auf nichtmagnetischen, elektrisch leitfähigen Grundmetallen – Messung der Schichtdicke – Amplitudenempfindliches Wirbelstromverfahren (ISO 2360:2017)
UNE-EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (Befürwortet von AENOR im Dezember 2011.)
UNE-EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien (Befürwortet von AENOR im November 2013.)
UNE-EN 62047-6:2010 Halbleitergeräte – Mikroelektromechanische Geräte – Teil 6: Axiale Ermüdungstestmethoden für Dünnschichtmaterialien (Befürwortet von AENOR im Juni 2010.)
UNE-EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnfilm-MEMS-Materialien (Befürwortet von AENOR im November 2014.)

RU-GOST R, Dicke des Halbleitermaterials

GOST 22622-1977 Halbleitermaterialien. Begriffe und Definitionen

Indonesia Standards, Dicke des Halbleitermaterials

SNI 07-2198-1991 Metallische Beschichtungen und andere organische Materialien, Definition und Dickenmessung

Association of German Mechanical Engineers, Dicke des Halbleitermaterials

DVS 2936-1988 Widerstandsbuckelschweißen einzelner Aluminiumwerkstoffe mit Dicken von 0,35 bis 3,5 mm
DVS 2936-2006 Widerstandsbuckelschweißen einzelner Aluminiumwerkstoffe mit Dicken von 0,35 bis 3,5 mm

IT-UNI, Dicke des Halbleitermaterials

UNI 4526-1960 Oberflächenbehandlung von Metallwerkstoffen. Messung der elektrolytischen Schichtdicke. Tropfchemie

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Dicke des Halbleitermaterials

KS C IEC 62047-18:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-22:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-18-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-22-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien

European Committee for Standardization (CEN), Dicke des Halbleitermaterials

EN 14571:2005 Metallische Beschichtungen auf nichtmetallischen Basismaterialien - Messung der Schichtdicke - Mikroresistivitätsmethode

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Dicke des Halbleitermaterials

EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Dicke des Halbleitermaterials

IEEE Std 802.1Q-2005 (Incorporates IEEE Std 802.1Q1998, IEEE Std 802.1u-2001, IEEE Std 802.1v-2001, IEEE-Standard für lokale und großstädtische Netzwerke – virtuelle überbrückte lokale Netzwerke

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Dicke des Halbleitermaterials

JIS C 5630-2:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
JIS C 5630-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestverfahren für Dünnschichtmaterialien
JIS C 5630-6:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien